JPH0519101B2 - - Google Patents
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- JPH0519101B2 JPH0519101B2 JP59158017A JP15801784A JPH0519101B2 JP H0519101 B2 JPH0519101 B2 JP H0519101B2 JP 59158017 A JP59158017 A JP 59158017A JP 15801784 A JP15801784 A JP 15801784A JP H0519101 B2 JPH0519101 B2 JP H0519101B2
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- sensor
- gas
- gas sensor
- voltage
- temperature
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
- G01N27/16—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by burning or catalytic oxidation of surrounding material to be tested, e.g. of gas
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は接触燃焼式のガスセンサおよび補償
センサを用いたガス検知装置に関するものであ
る。
センサを用いたガス検知装置に関するものであ
る。
従来のガス検知装置は、第４図に示すように、
接触燃焼式のガスセンサGSおよびこれと同じ型
の補償センサ（温度，湿度を補償する）GCの直
列回路をスイツチングトランジスタTr1を介して
直流電源Ｅに接続し、直流電源Ｅより給電される
パルス発振回路OSCによつてスイツチングトラ
ンジスタTr1を一定周期でオンオフ駆動してガス
センサGSおよび補償センサGCの直列回路にパル
ス電圧Vsを加え、ガスセンサGSおよび補償セン
サGCの接続点に検知出力端子TMを設けてセン
サ出力電圧V0を取り出すようにしている。
接触燃焼式のガスセンサGSおよびこれと同じ型
の補償センサ（温度，湿度を補償する）GCの直
列回路をスイツチングトランジスタTr1を介して
直流電源Ｅに接続し、直流電源Ｅより給電される
パルス発振回路OSCによつてスイツチングトラ
ンジスタTr1を一定周期でオンオフ駆動してガス
センサGSおよび補償センサGCの直列回路にパル
ス電圧Vsを加え、ガスセンサGSおよび補償セン
サGCの接続点に検知出力端子TMを設けてセン
サ出力電圧V0を取り出すようにしている。
ガスセンサGSは、第５図に示すように、白金
線ヒータ１のまわりにアルミナなどの担体に担持
させた触媒２を塗布して構成されている。補償セ
ンサGCも同一構成である。
線ヒータ１のまわりにアルミナなどの担体に担持
させた触媒２を塗布して構成されている。補償セ
ンサGCも同一構成である。
パルス発振回路OSCは、オープンコレクタ型
のコンパレータIC1と抵抗R1〜R5とコンデンサＣ
とダイオードD1，D2とで構成され、その出力を
抵抗R6を介してスイツチングトランジスタTr1の
ベースに入力するようにしている。
のコンパレータIC1と抵抗R1〜R5とコンデンサＣ
とダイオードD1，D2とで構成され、その出力を
抵抗R6を介してスイツチングトランジスタTr1の
ベースに入力するようにしている。
上記ガス検知装置の動作について説明する。直
流電源Ｅを投入すると、コンデンサＣが抵抗R3
を通して充電されるが、コンデンサＣの電圧が抵
抗R1，R2の分圧電圧より低い間はコンパレータ
IC1が出力オープン状態であり、スイツチングト
ランジスタTr1はオフである。コンデンサＣの充
電が進み、コンデンサＣの電圧が抵抗R1，R2の
分圧電圧を超えると、コンパレータIC1が出力低
レベル状態となり、スイツチングトランジスタ
Tr1がオンとなり、コンデンサＣの電荷が抵抗R4
およびダイオードD1を通して放電され、コンデ
ンサＣの電圧が下降し、また、コンパレータIC1
の正入力端の電圧も抵抗R1と抵抗R2，R5とで分
圧した電圧まで降下する。コンデンサＣの放電が
進み、コンデンサＣの電圧が抵抗R1と抵抗R2，
R5との分圧電圧まで下がると、コンパレータIC1
が出力オープン状態となり、スイツチングトラン
ジスタTr1がオフとなり、また、抵抗R4を通した
コンデンサＣの放電が停止して抵抗R3を通した
充電が再開され、また、コンパレータIC1の正入
力端の電圧も抵抗R1，R2の分圧電圧まで上昇す
る。以後上記の動作を繰返し、パルス発振回路
OSCがパルス発振することになる。
流電源Ｅを投入すると、コンデンサＣが抵抗R3
を通して充電されるが、コンデンサＣの電圧が抵
抗R1，R2の分圧電圧より低い間はコンパレータ
IC1が出力オープン状態であり、スイツチングト
ランジスタTr1はオフである。コンデンサＣの充
電が進み、コンデンサＣの電圧が抵抗R1，R2の
分圧電圧を超えると、コンパレータIC1が出力低
レベル状態となり、スイツチングトランジスタ
Tr1がオンとなり、コンデンサＣの電荷が抵抗R4
およびダイオードD1を通して放電され、コンデ
ンサＣの電圧が下降し、また、コンパレータIC1
の正入力端の電圧も抵抗R1と抵抗R2，R5とで分
圧した電圧まで降下する。コンデンサＣの放電が
進み、コンデンサＣの電圧が抵抗R1と抵抗R2，
R5との分圧電圧まで下がると、コンパレータIC1
が出力オープン状態となり、スイツチングトラン
ジスタTr1がオフとなり、また、抵抗R4を通した
コンデンサＣの放電が停止して抵抗R3を通した
充電が再開され、また、コンパレータIC1の正入
力端の電圧も抵抗R1，R2の分圧電圧まで上昇す
る。以後上記の動作を繰返し、パルス発振回路
OSCがパルス発振することになる。
パルス発振回路OSCがパルスを発振をし、こ
の出力でスイツチングトランジスタTr1をスイツ
チングすると、ガスセンサGSおよび補償センサ
GCの直列回路には、第６図Ａに示すようなパル
ス幅一定のパルス電圧Vsが加えられ、ガスセン
サGSおよび補償センサGCの直列回路（２個の白
金線ヒータの直列回路）に通電され、白金線ヒー
タが発熱し、触媒を反応温度まで高める。
の出力でスイツチングトランジスタTr1をスイツ
チングすると、ガスセンサGSおよび補償センサ
GCの直列回路には、第６図Ａに示すようなパル
ス幅一定のパルス電圧Vsが加えられ、ガスセン
サGSおよび補償センサGCの直列回路（２個の白
金線ヒータの直列回路）に通電され、白金線ヒー
タが発熱し、触媒を反応温度まで高める。
検出出力端子TMには、パルス電圧Vsをガス
センサGSおよび補償センサGCの各々白金線ヒー
タの抵抗によつて分圧したセンサ出力電圧V0が
現われる。可燃性ガスが存在しない通常時は、ガ
スセンサGSの白金線ヒータは供給電力による発
熱量に応じた抵抗値を有することになり、センサ
出力電圧V0は低い値となつている（第６図Ｂの
期間T1）。
センサGSおよび補償センサGCの各々白金線ヒー
タの抵抗によつて分圧したセンサ出力電圧V0が
現われる。可燃性ガスが存在しない通常時は、ガ
スセンサGSの白金線ヒータは供給電力による発
熱量に応じた抵抗値を有することになり、センサ
出力電圧V0は低い値となつている（第６図Ｂの
期間T1）。
可燃性ガスが存在すると、ガスセンサGSの触
媒によつて可燃性ガスが燃焼して触媒の温度が上
昇し、したがつて白金線ヒータの温度が上昇し、
その結果ガスセンサGSの白金線ヒータの抵抗値
が増大してセンサ出力電圧V0が上昇し（第６図
Ｂの期間T2）、このセンサ出力電圧V0が所定レベ
ルを越えたことを検知すればガス検知を行つたこ
とになる。
媒によつて可燃性ガスが燃焼して触媒の温度が上
昇し、したがつて白金線ヒータの温度が上昇し、
その結果ガスセンサGSの白金線ヒータの抵抗値
が増大してセンサ出力電圧V0が上昇し（第６図
Ｂの期間T2）、このセンサ出力電圧V0が所定レベ
ルを越えたことを検知すればガス検知を行つたこ
とになる。
可燃性ガス濃度がさらに高濃度となると、ガス
センサGSの触媒温度がきわめて高くなり（800℃
以上）、したがつて白金線ヒータの温度も上昇し
てその抵抗値が増加し、センサ出力電圧V0が上
昇する（第６図Ｂの期間T3）。
センサGSの触媒温度がきわめて高くなり（800℃
以上）、したがつて白金線ヒータの温度も上昇し
てその抵抗値が増加し、センサ出力電圧V0が上
昇する（第６図Ｂの期間T3）。
その後、ガス濃度が下がると、ガスセンサGS
の触媒反応も少くなつて温度が下がり、したがつ
て白金線ヒータの抵抗値が減少し、センサ出力電
圧V0も下がる（第６図Ｂの期間T4）。
の触媒反応も少くなつて温度が下がり、したがつ
て白金線ヒータの抵抗値が減少し、センサ出力電
圧V0も下がる（第６図Ｂの期間T4）。
さらにその後、可燃性ガスがなくなると、さら
にガスセンサGSの温度が下がり、センサ出力電
圧V0も第６図Ｂの期間T1と同じになる（第６図
Ｂの期間T5）。
にガスセンサGSの温度が下がり、センサ出力電
圧V0も第６図Ｂの期間T1と同じになる（第６図
Ｂの期間T5）。
しかし、ガスセンサGSの触媒温度が異常上昇
すると、触媒能が変化（劣化）し、寿命が短くな
るという問題がある。ガスセンサGSの触媒材料
として非常に耐熱性の高い材料を使用すればよい
が、コスト的にきわめて高くなるという問題があ
つた。
すると、触媒能が変化（劣化）し、寿命が短くな
るという問題がある。ガスセンサGSの触媒材料
として非常に耐熱性の高い材料を使用すればよい
が、コスト的にきわめて高くなるという問題があ
つた。
この発明は、ガスセンサの寿命を延ばし、かつ
安価なガス検知装置を提供することを目的とす
る。
安価なガス検知装置を提供することを目的とす
る。
この発明のガス検知装置は、接触燃焼式のガス
センサおよび補償センサの直列回路と、このガス
センサおよび補償センサの直列回路と電源との間
に接続したスイツチ素子と、このスイツチ素子を
オンオフ駆動するパルス発振回路と、前記ガスセ
ンサおよび補償センサの接続点に設けた検知信号
出力端子と、前記ガスセンサの分担電圧の上昇に
応じて前記パルス発振回路の出力パルス幅を狭め
る制御回路とを備える構成にしたことを特徴とす
る。
センサおよび補償センサの直列回路と、このガス
センサおよび補償センサの直列回路と電源との間
に接続したスイツチ素子と、このスイツチ素子を
オンオフ駆動するパルス発振回路と、前記ガスセ
ンサおよび補償センサの接続点に設けた検知信号
出力端子と、前記ガスセンサの分担電圧の上昇に
応じて前記パルス発振回路の出力パルス幅を狭め
る制御回路とを備える構成にしたことを特徴とす
る。
このように構成すると、ガスセンサが一定温度
以上に上昇することを防止でき、したがつて耐熱
性の低い安価な触媒を用いたガスセンサであつて
もその性能劣化は少く、長寿命化を達成できる。
以上に上昇することを防止でき、したがつて耐熱
性の低い安価な触媒を用いたガスセンサであつて
もその性能劣化は少く、長寿命化を達成できる。
この発明の一実施例を第１図ないし第３図に基
づいて説明する。このガス検知装置は、第１図お
よび第２図に示すように、接触燃焼式のガスセン
サGSおよびこれと同型の補償センサ（温度，湿
度を補償する）GSの直列回路をスイツチングト
ランジスタTr1を介して直流電源Ｅに接続し、直
流電源Ｅより給電されるパルス発振回路OSCに
よつてスイツチングトランジスタTr1を一定周期
でオンオフ駆動してガスセンサGSおよび補償セ
ンサGCの直列回路にパルス電圧Vs′を加え、ガス
センサGSおよび補償センサGCの接続点に検知出
力端子TMを設けてセンサ出力電圧V0′を取り出
し、また、制御回路CTによつてガスセンサGSお
よび補償センサGCの接続点の電圧、すなわちセ
ンサ出力電圧V0′の高低に応じてパルス発振回路
OSCのデユーテイを小大に変化させるようにし
たものである。
づいて説明する。このガス検知装置は、第１図お
よび第２図に示すように、接触燃焼式のガスセン
サGSおよびこれと同型の補償センサ（温度，湿
度を補償する）GSの直列回路をスイツチングト
ランジスタTr1を介して直流電源Ｅに接続し、直
流電源Ｅより給電されるパルス発振回路OSCに
よつてスイツチングトランジスタTr1を一定周期
でオンオフ駆動してガスセンサGSおよび補償セ
ンサGCの直列回路にパルス電圧Vs′を加え、ガス
センサGSおよび補償センサGCの接続点に検知出
力端子TMを設けてセンサ出力電圧V0′を取り出
し、また、制御回路CTによつてガスセンサGSお
よび補償センサGCの接続点の電圧、すなわちセ
ンサ出力電圧V0′の高低に応じてパルス発振回路
OSCのデユーテイを小大に変化させるようにし
たものである。
ガスセンサGSおよび補償センサGCの構成およ
びパルス発振回路OSCの構成は従来例と同じで
ある。
びパルス発振回路OSCの構成は従来例と同じで
ある。
制御回路CTは、オープンコレクタ型のコンパ
レータIC2と抵抗R7〜R10とダイオードD3とで構
成されている。
レータIC2と抵抗R7〜R10とダイオードD3とで構
成されている。
つぎに、このガス検知装置の動作を詳しく説明
する。パルス発振回路OSCがパルス発振をし、
この出力でスイツチングトランジスタTr1をスイ
ツチングすると、ガスセンサGSおよび補償セン
サGCの直列回路には、第３図Ａに示すようなパ
ルス電圧Vs′が加えられ、ガスセンサGSおよび補
償センサGCの直列回路に通電され、従来例と同
様に白金線ヒータが発熱し、触媒を反応温度まで
高める。
する。パルス発振回路OSCがパルス発振をし、
この出力でスイツチングトランジスタTr1をスイ
ツチングすると、ガスセンサGSおよび補償セン
サGCの直列回路には、第３図Ａに示すようなパ
ルス電圧Vs′が加えられ、ガスセンサGSおよび補
償センサGCの直列回路に通電され、従来例と同
様に白金線ヒータが発熱し、触媒を反応温度まで
高める。
検出出力端子TMには、パルス電圧Vs′をガス
センサGSおよび補償センサGCの各々の白金線ヒ
ータによつて分圧したセンサ出力電圧V0′が現わ
れる。可燃性ガスが存在しない通常時は、ガスセ
ンサGSの白金線ヒータは供給電力による発熱量
に応じた抵抗値を有することになり、センサ出力
電圧V0′は低い値となつている（第３図Ｂの期間
T1′）。
センサGSおよび補償センサGCの各々の白金線ヒ
ータによつて分圧したセンサ出力電圧V0′が現わ
れる。可燃性ガスが存在しない通常時は、ガスセ
ンサGSの白金線ヒータは供給電力による発熱量
に応じた抵抗値を有することになり、センサ出力
電圧V0′は低い値となつている（第３図Ｂの期間
T1′）。
可燃性ガスが存在すると、ガスセンサGSの触
媒によつて可燃性ガスが燃焼し、したがつて白金
線ヒータの温度が上昇し、その結果ガスセンサ
GSの抵抗値が上昇し（第３図Ｂの期間T2′）、こ
のセンサ出力電圧V0′が所定レベルを越えたこと
を検知すればガス検知を行つたことになる。この
場合におけるパルス発振回路OSCの発振デユー
テイは、抵抗R3からコンデンサＣへの充電とコ
ンデンサＣから抵抗R4を通してコンパレータIC2
へ流れ込む放電とにより決まつており、一定とな
つている。
媒によつて可燃性ガスが燃焼し、したがつて白金
線ヒータの温度が上昇し、その結果ガスセンサ
GSの抵抗値が上昇し（第３図Ｂの期間T2′）、こ
のセンサ出力電圧V0′が所定レベルを越えたこと
を検知すればガス検知を行つたことになる。この
場合におけるパルス発振回路OSCの発振デユー
テイは、抵抗R3からコンデンサＣへの充電とコ
ンデンサＣから抵抗R4を通してコンパレータIC2
へ流れ込む放電とにより決まつており、一定とな
つている。
可燃性ガス濃度が異常に高濃度となると、ガス
センサGSの触媒温度が高くなり、それに従つて
ガスセンサGSの白金線ヒータの抵抗値が増加し、
センサ出力電圧V0′が上昇する。センサ出力電圧
V0′のレベルが抵抗R7，R8で分圧した電圧より越
えるとコンパレータIC2の出力が低レベルとなり、
コンデンサＣの放電が抵抗R10を通しても行われ
るようになつてコンデンサＣの放電時間が短くな
り、スイツチングトランジスタTr1がオンしてい
る時間が少くなつてガスセンサGSおよび補償セ
ンサGCに加えられるパルス電圧Vs′のデユーテイ
が小さくなり、したがつて供給電力も減少し、白
金線ヒータへの通電による発熱量が減少し、ガス
センサGSの触媒の温度が下がるとともに白金線
ヒータの温度が下がり、白金線ヒータの抵抗値が
減少し、センサ出力電圧V0′が下がる。このセン
サ出力電圧V0′が抵抗R7と抵抗R8，R9の並列回路
との分圧電圧より低くなると、コンパレータIC2
の出力がオープン状態となつて抵抗R10を通して
のコンデンサＣの電荷の放電がなくなり、パルス
電圧Vs′のデユーテイが増加し、ガスセンサGSお
よび補償センサGCへの供給電力が増加し、ガス
センサGSの温度が上昇し、センサ出力電圧V0′も
上昇する。センサ出力電圧V0′が上昇すると再び
コンパレータIC2の出力が低レベルとなりパルス
電圧Vs′のデユーテイが小さくなる。この動作の
操返しによつてガス濃度が高い場合にもガスセン
サGSの温度（白金線ヒータおよび触媒の温度）
が一定に保たれ、したがつて白金線ヒータの抵抗
値が一定となり、センサ出力電圧V0′も第３図の
期間T3′のように一定となり（ある程度以上には
高くならない）、ガス濃度が高くてもガスセンサ
GSの温度が異常に高くなることはなく、比較的
低い温度に保持できる。なお、第３図Ｂの期間
T3′ではパルス幅の狭いパルス電圧Vs′のみが示
されているが、実際にはセンサ出力電圧V0′に応
じてパルス幅の狭いものと広いものが繰返し発生
することになり、センサ温度が一定、すなわちセ
ンサ出力電圧V0′が一定に保持されることになる。
センサGSの触媒温度が高くなり、それに従つて
ガスセンサGSの白金線ヒータの抵抗値が増加し、
センサ出力電圧V0′が上昇する。センサ出力電圧
V0′のレベルが抵抗R7，R8で分圧した電圧より越
えるとコンパレータIC2の出力が低レベルとなり、
コンデンサＣの放電が抵抗R10を通しても行われ
るようになつてコンデンサＣの放電時間が短くな
り、スイツチングトランジスタTr1がオンしてい
る時間が少くなつてガスセンサGSおよび補償セ
ンサGCに加えられるパルス電圧Vs′のデユーテイ
が小さくなり、したがつて供給電力も減少し、白
金線ヒータへの通電による発熱量が減少し、ガス
センサGSの触媒の温度が下がるとともに白金線
ヒータの温度が下がり、白金線ヒータの抵抗値が
減少し、センサ出力電圧V0′が下がる。このセン
サ出力電圧V0′が抵抗R7と抵抗R8，R9の並列回路
との分圧電圧より低くなると、コンパレータIC2
の出力がオープン状態となつて抵抗R10を通して
のコンデンサＣの電荷の放電がなくなり、パルス
電圧Vs′のデユーテイが増加し、ガスセンサGSお
よび補償センサGCへの供給電力が増加し、ガス
センサGSの温度が上昇し、センサ出力電圧V0′も
上昇する。センサ出力電圧V0′が上昇すると再び
コンパレータIC2の出力が低レベルとなりパルス
電圧Vs′のデユーテイが小さくなる。この動作の
操返しによつてガス濃度が高い場合にもガスセン
サGSの温度（白金線ヒータおよび触媒の温度）
が一定に保たれ、したがつて白金線ヒータの抵抗
値が一定となり、センサ出力電圧V0′も第３図の
期間T3′のように一定となり（ある程度以上には
高くならない）、ガス濃度が高くてもガスセンサ
GSの温度が異常に高くなることはなく、比較的
低い温度に保持できる。なお、第３図Ｂの期間
T3′ではパルス幅の狭いパルス電圧Vs′のみが示
されているが、実際にはセンサ出力電圧V0′に応
じてパルス幅の狭いものと広いものが繰返し発生
することになり、センサ温度が一定、すなわちセ
ンサ出力電圧V0′が一定に保持されることになる。
その後、ガス濃度が下がると、ガスセンサGS
の触媒反応も少くなつて温度が下がり、したがつ
て白金線ヒータの抵抗値が下がり、センサ出力電
圧V0′が下がり（第３図の期間T4′）、パルス電圧
Vs′のパルス幅が広いままとなる。
の触媒反応も少くなつて温度が下がり、したがつ
て白金線ヒータの抵抗値が下がり、センサ出力電
圧V0′が下がり（第３図の期間T4′）、パルス電圧
Vs′のパルス幅が広いままとなる。
さらにその後、可燃性ガスがなくなると、さら
にガスセンサGSの温度が下がり、センサ出力電
圧V0′も第３図Ｂの期間T1′と同じになる（第３図
Ｂの期間T5′）。
にガスセンサGSの温度が下がり、センサ出力電
圧V0′も第３図Ｂの期間T1′と同じになる（第３図
Ｂの期間T5′）。
このように構成した結果、ガス濃度が高くなつ
て触媒反応が激しくなつて温度が上昇してセンサ
出力電圧V0′が上昇すると、パルス発振回路OSC
の出力パルスのパルス幅を狭くし、パルス電圧
Vs′のデユーテイを小さくして供給電力を減少さ
せることができ、ガスセンサGSの温度を一定に
保つこと（一定温度以上には上昇させない）がで
き、耐熱性の低い安価な触媒を用いたガスセンサ
GSの寿命を長く延ばすことができる。
て触媒反応が激しくなつて温度が上昇してセンサ
出力電圧V0′が上昇すると、パルス発振回路OSC
の出力パルスのパルス幅を狭くし、パルス電圧
Vs′のデユーテイを小さくして供給電力を減少さ
せることができ、ガスセンサGSの温度を一定に
保つこと（一定温度以上には上昇させない）がで
き、耐熱性の低い安価な触媒を用いたガスセンサ
GSの寿命を長く延ばすことができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明のガス検知装置によれ
ば、可燃性ガスの存在しない警戒状態では予備加
熱に必要な電力を供給することができ、ガスの検
知を確実かつ速やかに行うことができる。
ば、可燃性ガスの存在しない警戒状態では予備加
熱に必要な電力を供給することができ、ガスの検
知を確実かつ速やかに行うことができる。
しかも、ガス検知状態では、ガスセンサへの供
給電力を抑えるので、触媒反応による発熱でガス
センサが異常温度上昇するのを防止することがで
き、ガスセンサの過熱に対する保護を行うことが
できる。つまり、ガス検知状態において、ガス濃
度が高くなり触媒反応が激しくなつてガスセンサ
の温度が上昇したときに、ガスセンサへの供給電
力を抑えることになるので、ガスセンサの異常温
度上昇を防止し、耐熱性の低い安価な触媒を用い
たガスセンサでも十分に長寿命化を図ることがで
きる。
給電力を抑えるので、触媒反応による発熱でガス
センサが異常温度上昇するのを防止することがで
き、ガスセンサの過熱に対する保護を行うことが
できる。つまり、ガス検知状態において、ガス濃
度が高くなり触媒反応が激しくなつてガスセンサ
の温度が上昇したときに、ガスセンサへの供給電
力を抑えることになるので、ガスセンサの異常温
度上昇を防止し、耐熱性の低い安価な触媒を用い
たガスセンサでも十分に長寿命化を図ることがで
きる。
第１図はこの発明の一実施例のブロツク図、第
２図はその具体回路図、第３図はその動作説明の
ための波形図、第４図は従来のガス検知装置の回
路図、第５図はガスセンサの構成を示す概略図、
第６図は動作説明のための波形図である。 GS…ガスセンサ、GC…補償センサ、OSC…パ
ルス発振回路、CT…制御回路。
２図はその具体回路図、第３図はその動作説明の
ための波形図、第４図は従来のガス検知装置の回
路図、第５図はガスセンサの構成を示す概略図、
第６図は動作説明のための波形図である。 GS…ガスセンサ、GC…補償センサ、OSC…パ
ルス発振回路、CT…制御回路。
Claims (1)
- １ 接触燃焼式のガスセンサおよび補償センサの
直列回路と、このガスセンサおよび補償センサの
直列回路と電源との間に接続したスイツチ素子
と、このスイツチ素子をオンオフ駆動するパルス
発振回路と、前記ガスセンサおよび補償センサの
接続点に設けた検知信号出力端子と、前記ガスセ
ンサの分担電圧の上昇に応じて前記パルス発振回
路の出力パルス幅を狭める制御回路とを備えたガ
ス検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15801784A JPS6134453A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | ガス検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15801784A JPS6134453A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | ガス検知装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134453A JPS6134453A (ja) | 1986-02-18 |
| JPH0519101B2 true JPH0519101B2 (ja) | 1993-03-15 |
Family
ID=15662448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15801784A Granted JPS6134453A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | ガス検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134453A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008007438A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Fis Inc. | Détecteur de gaz |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192459A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-24 | Kurabe:Kk | 押出成形品 |
| JP5041623B2 (ja) * | 2001-03-16 | 2012-10-03 | 紘平 浦野 | 極低濃度ガス発生方法及びそのための装置 |
| GB0507895D0 (en) * | 2005-04-19 | 2005-05-25 | City Tech | Gas sensor assembly |
| JP2008145223A (ja) * | 2006-12-08 | 2008-06-26 | Yazaki Corp | 液体電気化学式ｃｏガスセンサ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56119839A (en) * | 1980-02-26 | 1981-09-19 | Nemoto Tokushu Kagaku Kk | Detecting element of gas |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15801784A patent/JPS6134453A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008007438A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Fis Inc. | Détecteur de gaz |
| JP5016599B2 (ja) * | 2006-07-14 | 2012-09-05 | エフアイエス株式会社 | ガス検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6134453A (ja) | 1986-02-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |