JPH05196686A - 半導体測定治具 - Google Patents
半導体測定治具Info
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- JPH05196686A JPH05196686A JP718192A JP718192A JPH05196686A JP H05196686 A JPH05196686 A JP H05196686A JP 718192 A JP718192 A JP 718192A JP 718192 A JP718192 A JP 718192A JP H05196686 A JPH05196686 A JP H05196686A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】１０ＧＨｚ以上のＧａＡｓ電界効果トランジス
タの測定において、誘電材であるリード押え板による誘
電損をなくし、かつ押え板がリードを圧着している部分
の不連続をなくすことによってインピーダンス特性を改
善する。 【構成】電界効果トランジスタのゲート及びドレインの
リードの根本と先端を押圧してリードをマイクロストリ
ップラインに接触させるための薄肉の凸部５を押え板４
に設けている。
タの測定において、誘電材であるリード押え板による誘
電損をなくし、かつ押え板がリードを圧着している部分
の不連続をなくすことによってインピーダンス特性を改
善する。 【構成】電界効果トランジスタのゲート及びドレインの
リードの根本と先端を押圧してリードをマイクロストリ
ップラインに接触させるための薄肉の凸部５を押え板４
に設けている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体測定治具に関し、
特に超高周波数帯で動作するＧａＡｓ電界効果トランジ
スタ（以下ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴと称す）のマイクロ波
特性測定治具に関する。
特に超高周波数帯で動作するＧａＡｓ電界効果トランジ
スタ（以下ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴと称す）のマイクロ波
特性測定治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのマイクロ
波特性測定用のストリップライン系治具は、図４の斜視
図に示す様に、治具本体８に誘電体基板１０を貼り付
け、その表面にマイクロストリップライン１を形成し、
入出力部にはコネクタ９が接続されている。このような
構成を有するストリップライン系治具にＧａＡｓＭＥＳ
ＦＥＴ２を搭載し、押え板４を介してねじ６にて固定す
る。その際、ゲート及びドレインのリード３を圧着する
押え板４の構造は、図５の正面図（ａ），上面図
（ｂ），側面図（ｃ）に示す様に、レキストライト等の
誘電体を材料として一体に形成され、リード３と接触す
る凸部５を有し、この凸部５は図６の部分拡大断面図に
示すようにリード３と面接触しているのが一般的であ
る。
波特性測定用のストリップライン系治具は、図４の斜視
図に示す様に、治具本体８に誘電体基板１０を貼り付
け、その表面にマイクロストリップライン１を形成し、
入出力部にはコネクタ９が接続されている。このような
構成を有するストリップライン系治具にＧａＡｓＭＥＳ
ＦＥＴ２を搭載し、押え板４を介してねじ６にて固定す
る。その際、ゲート及びドレインのリード３を圧着する
押え板４の構造は、図５の正面図（ａ），上面図
（ｂ），側面図（ｃ）に示す様に、レキストライト等の
誘電体を材料として一体に形成され、リード３と接触す
る凸部５を有し、この凸部５は図６の部分拡大断面図に
示すようにリード３と面接触しているのが一般的であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した構造の測定治
具では、１０ＧＨｚ以上の測定において、押え板の材料
であるレキストライトによる誘電損が大きくなるほか圧
着している部分が不連続を起こし、インピーダンス特性
に悪影響を与え好ましくない。この問題点を解決するの
に前記構造の押え板を除去した上部自由空間解放型が考
えられるが、この構造は特性損失は低減されるもののＧ
ａＡｓＭＥＳＦＥＴのゲート及びドレインのリードとマ
イクロストリップラインとの密着位置が不安定となり、
寄生容量Ｃが発生しインピーダンスの再現性が悪いほ
か、最悪の状態、すなわち接触が取れずオープン状態と
なりバイアス供給が出来ないという問題点が生じる。
具では、１０ＧＨｚ以上の測定において、押え板の材料
であるレキストライトによる誘電損が大きくなるほか圧
着している部分が不連続を起こし、インピーダンス特性
に悪影響を与え好ましくない。この問題点を解決するの
に前記構造の押え板を除去した上部自由空間解放型が考
えられるが、この構造は特性損失は低減されるもののＧ
ａＡｓＭＥＳＦＥＴのゲート及びドレインのリードとマ
イクロストリップラインとの密着位置が不安定となり、
寄生容量Ｃが発生しインピーダンスの再現性が悪いほ
か、最悪の状態、すなわち接触が取れずオープン状態と
なりバイアス供給が出来ないという問題点が生じる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロスト
リップラインとＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのゲート及びドレ
インのリードとを接触させる押え板に、強度を保った状
態でできるだけ薄肉の凸部を設け、このポイントでリー
ドの根本と先端を押圧支持させる構造を備えている。
リップラインとＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのゲート及びドレ
インのリードとを接触させる押え板に、強度を保った状
態でできるだけ薄肉の凸部を設け、このポイントでリー
ドの根本と先端を押圧支持させる構造を備えている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の斜視図、図２は本実施例
に用いる押え板の正面図（ａ），上面図（ｂ），側面図
（ｃ）である。図２において、レキストライトをＧａＡ
ｓＭＥＳＦＥＴ２が納まる様に設計値通り加工する。特
に凸部５に関しては、リード３の長さに合わせて根本と
先端を薄肉（０．７ｍｍ程度）にて支持出来る様考慮さ
れている。又、前記押え板４には、ねじ６との磨耗防止
策として金属スペーサ７が配置されている。
る。図１は本発明の一実施例の斜視図、図２は本実施例
に用いる押え板の正面図（ａ），上面図（ｂ），側面図
（ｃ）である。図２において、レキストライトをＧａＡ
ｓＭＥＳＦＥＴ２が納まる様に設計値通り加工する。特
に凸部５に関しては、リード３の長さに合わせて根本と
先端を薄肉（０．７ｍｍ程度）にて支持出来る様考慮さ
れている。又、前記押え板４には、ねじ６との磨耗防止
策として金属スペーサ７が配置されている。
【０００６】図１はこの構造の押え板４をストリップラ
イン系治具本体８に用いた時の斜視図面である。ＧａＡ
ｓＭＥＳＦＥＴ２の取り付け方法は、従来技術で述べた
のと同様である。また、図３の部分拡大断面図に示すよ
うに、押え板４の凸部５は２個所の薄肉部でリード３と
接触し、リード３をマイクロストリップライン１に押し
付けている。
イン系治具本体８に用いた時の斜視図面である。ＧａＡ
ｓＭＥＳＦＥＴ２の取り付け方法は、従来技術で述べた
のと同様である。また、図３の部分拡大断面図に示すよ
うに、押え板４の凸部５は２個所の薄肉部でリード３と
接触し、リード３をマイクロストリップライン１に押し
付けている。
【０００７】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、マイクロス
トリップラインとＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのゲート及びド
レインのリードとを密着させる押え板の凸部を薄肉状に
形成し、このポイントでリードの根本と先端を押さえて
支持する事により、１０ＧＨｚ以上の測定において、特
性損失を０．３ｄＢ程度低減し、且つ、インピーダンス
の安定したＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのストリップライン系
測定治具を提供する事が可能となる。
トリップラインとＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのゲート及びド
レインのリードとを密着させる押え板の凸部を薄肉状に
形成し、このポイントでリードの根本と先端を押さえて
支持する事により、１０ＧＨｚ以上の測定において、特
性損失を０．３ｄＢ程度低減し、且つ、インピーダンス
の安定したＧａＡｓＭＥＳＦＥＴのストリップライン系
測定治具を提供する事が可能となる。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】一実施例に用いる押え板を示す図で、同図
（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図、同図（ｃ）は側
面図である。
（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図、同図（ｃ）は側
面図である。
【図３】一実施例におけるリード押え状態を示す部分拡
大断面図である。
大断面図である。
【図４】従来の測定治具の斜視図である。
【図５】従来治具に用いる押え板を示す図で、同図
（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図、同図（ｃ）は側
面図である。
（ａ）は正面図、同図（ｂ）は上面図、同図（ｃ）は側
面図である。
【図６】従来治具のリード押え状態を示す部分拡大断面
図である。
図である。
１ マイクロストリップライン ２ ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ ３ リード ４ 押え板 ５ 凸部 ６ ねじ ７ 金属スペーサ ８ 治具本体 ９ コネクタ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ電界効果トランジスタのゲート
及びドレインのリードを接触させるマイクロストリップ
ラインと、このマイクロストリップラインに前記リード
を載せて押圧する押え板とを有するマイクロ波特性測定
用ストリップライン系の半導体測定治具において、前記
電界効果トランジスタのゲート及びドレインのリードの
根本と先端を押圧する薄肉の凸部を押え板に設けたこと
を特徴とする半導体測定治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4007181A JP2818513B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体測定治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4007181A JP2818513B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体測定治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196686A true JPH05196686A (ja) | 1993-08-06 |
| JP2818513B2 JP2818513B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=11658901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4007181A Expired - Fee Related JP2818513B2 (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体測定治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2818513B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004394A1 (en) * | 1998-07-16 | 2000-01-27 | Advantest Corporation | Socket for device measurement, and method of measuring device |
| WO2019229798A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスの電気特性測定装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636363U (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-16 | ||
| JPS63201574A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-19 | Nec Corp | 超高周波帯回路素子用検査治具 |
| JP3074373U (ja) * | 2000-06-27 | 2001-01-12 | 双葉金属工業株式会社 | 開閉扉に対する軸固定具 |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP4007181A patent/JP2818513B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS636363U (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-16 | ||
| JPS63201574A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-19 | Nec Corp | 超高周波帯回路素子用検査治具 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004394A1 (en) * | 1998-07-16 | 2000-01-27 | Advantest Corporation | Socket for device measurement, and method of measuring device |
| WO2019229798A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスの電気特性測定装置 |
| CN112154335A (zh) * | 2018-05-28 | 2020-12-29 | 三菱电机株式会社 | 半导体器件的电气特性测定装置 |
| JPWO2019229798A1 (ja) * | 2018-05-28 | 2021-02-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスの電気特性測定装置 |
| US11187741B2 (en) | 2018-05-28 | 2021-11-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Electrical characteristic measuring device for semiconductor device |
| CN112154335B (zh) * | 2018-05-28 | 2023-08-22 | 三菱电机株式会社 | 半导体器件的电气特性测定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2818513B2 (ja) | 1998-10-30 |
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| Date | Code | Title | Description |
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