JPH05196960A - 空間光変調器及びその駆動方法 - Google Patents
空間光変調器及びその駆動方法Info
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- JPH05196960A JPH05196960A JP2884692A JP2884692A JPH05196960A JP H05196960 A JPH05196960 A JP H05196960A JP 2884692 A JP2884692 A JP 2884692A JP 2884692 A JP2884692 A JP 2884692A JP H05196960 A JPH05196960 A JP H05196960A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特殊な素子構造を用いることなく光情報処理
において、有用な機能を示す事が可能な、第二の閾値を
発現させ、これを応用することによってデジタル系、ア
ナログ系いずれにもその応用範囲を増大させる。 【構成】 水素化アモルファスシリコン光導電層と強誘
電性液晶光変調層を組み合わせた光変調器において、書
き込み光が照射されていない状態で強誘電性液晶分子が
安定化されている一方の安定状態から他方の安定状態へ
遷移する場合の書き込み光強度の第一の閾値よりも書き
込み光が強い領域に、より強い書き込み光を照射して、
前記一方の安定状態に遷移する第二の閾値を発現させ、
さらに駆動パルス幅、電圧、バイアス光の照射、によっ
て前記第一及び第二の閾値を制御可能にした。 【効果】 デジタル系、アナログ系いずれに関してもそ
の応用範囲を飛躍的に増大する効果がある。
において、有用な機能を示す事が可能な、第二の閾値を
発現させ、これを応用することによってデジタル系、ア
ナログ系いずれにもその応用範囲を増大させる。 【構成】 水素化アモルファスシリコン光導電層と強誘
電性液晶光変調層を組み合わせた光変調器において、書
き込み光が照射されていない状態で強誘電性液晶分子が
安定化されている一方の安定状態から他方の安定状態へ
遷移する場合の書き込み光強度の第一の閾値よりも書き
込み光が強い領域に、より強い書き込み光を照射して、
前記一方の安定状態に遷移する第二の閾値を発現させ、
さらに駆動パルス幅、電圧、バイアス光の照射、によっ
て前記第一及び第二の閾値を制御可能にした。 【効果】 デジタル系、アナログ系いずれに関してもそ
の応用範囲を飛躍的に増大する効果がある。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は画像処理装置、光情報処
理用空間光変調器等に応用される光書き込み型強誘電性
液晶空間光変調器及びその駆動方法に関するものであ
る。
理用空間光変調器等に応用される光書き込み型強誘電性
液晶空間光変調器及びその駆動方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、強誘電性液晶を用いた空間光変調
器は入力された画像情報を、リアルタイムで強度変調出
力する素子として用いられている。また、発明者らは、
特願平０２−２３９５９４号によって、上記素子におい
て連続階調を有する出力を得る駆動方法をも示した。
器は入力された画像情報を、リアルタイムで強度変調出
力する素子として用いられている。また、発明者らは、
特願平０２−２３９５９４号によって、上記素子におい
て連続階調を有する出力を得る駆動方法をも示した。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の強誘電
性液晶を用いた空間光変調器及びその駆動方法によって
は、いずれも書き込み光強度に対して一つの閾値を持つ
のみであり、例えば２入力光（書き込み光）に対して１
出力光（読み出し光）のデジタルなロジックを考えた場
合、閾値に対する入力光強度の設定によってＡＮＤまた
はＯＲを得ることはできても、ＮＡＮＤやＥＯＲを得る
ことはできず、素子を幾つもカスケードに接続して、同
期させて用いる等の方法を用いなければならず、光コン
ピューティング等への応用を妨げていた。また、アナロ
グのフーリエ光情報処理系においては、０次光の処理、
ダイナミックレンジの点で高次領域は利用不可能であっ
た。
性液晶を用いた空間光変調器及びその駆動方法によって
は、いずれも書き込み光強度に対して一つの閾値を持つ
のみであり、例えば２入力光（書き込み光）に対して１
出力光（読み出し光）のデジタルなロジックを考えた場
合、閾値に対する入力光強度の設定によってＡＮＤまた
はＯＲを得ることはできても、ＮＡＮＤやＥＯＲを得る
ことはできず、素子を幾つもカスケードに接続して、同
期させて用いる等の方法を用いなければならず、光コン
ピューティング等への応用を妨げていた。また、アナロ
グのフーリエ光情報処理系においては、０次光の処理、
ダイナミックレンジの点で高次領域は利用不可能であっ
た。
【０００４】そこで、この発明の目的は、従来のこのよ
うな課題を解決するため、強誘電性液晶を用いた空間光
変調器及びその駆動方法において、特殊な素子構造を用
いることなく光情報処理において、有用な機能を示すこ
とが可能な、第二の閾値を発現させることを可能とし、
これを応用する事によってデジタル系、アナログ系いず
れに関してもその応用範囲を飛躍的に増大せしめるもの
である。
うな課題を解決するため、強誘電性液晶を用いた空間光
変調器及びその駆動方法において、特殊な素子構造を用
いることなく光情報処理において、有用な機能を示すこ
とが可能な、第二の閾値を発現させることを可能とし、
これを応用する事によってデジタル系、アナログ系いず
れに関してもその応用範囲を飛躍的に増大せしめるもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明では水素化アモルファスシリコン光導電層と
強誘電性液晶光変調層を組み合わせた光変調器におい
て、該光導電膜は０．１〜５μｍの厚みを有するイント
リンシックな水素化アモルファスシリコンであり、該強
誘電性液晶層は０．５〜５μｍの厚みを有し、書き込み
光として強度の書き込み面での最大値が０．０１ｍＷ／
ｃｍ2 以上の光を用い、読み出し光を常時照射しなが
ら、書き込みを行ない、書き込まれた像をメモリー状態
で読み出しを行う場合に、書き込み光が照射されていな
い状態で強誘電性液晶分子が安定化されている一方の安
定状態から他方の安定状態へ遷移する場合の書き込み光
強度の第一の閾値よりも書き込み光が強い領域に、より
強い書き込み光が照射された領域の強誘電性液晶分子
が、逆に前記一方の安定状態に遷移する第二の閾値を発
現させ、さらに駆動パルス幅、電圧、バイアス光の照射
によって第一及び第二の閾値を制御可能とした。
に、本発明では水素化アモルファスシリコン光導電層と
強誘電性液晶光変調層を組み合わせた光変調器におい
て、該光導電膜は０．１〜５μｍの厚みを有するイント
リンシックな水素化アモルファスシリコンであり、該強
誘電性液晶層は０．５〜５μｍの厚みを有し、書き込み
光として強度の書き込み面での最大値が０．０１ｍＷ／
ｃｍ2 以上の光を用い、読み出し光を常時照射しなが
ら、書き込みを行ない、書き込まれた像をメモリー状態
で読み出しを行う場合に、書き込み光が照射されていな
い状態で強誘電性液晶分子が安定化されている一方の安
定状態から他方の安定状態へ遷移する場合の書き込み光
強度の第一の閾値よりも書き込み光が強い領域に、より
強い書き込み光が照射された領域の強誘電性液晶分子
が、逆に前記一方の安定状態に遷移する第二の閾値を発
現させ、さらに駆動パルス幅、電圧、バイアス光の照射
によって第一及び第二の閾値を制御可能とした。
【０００６】
【作用】前記の方法を用いる事により、書き込み光強度
に対して２つの閾値が得られ、しかもその値が制御可能
となり、これを利用することによって、デジタル光情報
処理においては１つの素子を用いるのみで、実用的なロ
ジックを全て実現することが可能である。また、アナロ
グ系においても０次光の除去等が簡単に行える。これに
よってデジタル系、アナログ系いずれに関しても、強誘
電性液晶空間光変調器の応用範囲を飛躍的に増大させる
事ができる。
に対して２つの閾値が得られ、しかもその値が制御可能
となり、これを利用することによって、デジタル光情報
処理においては１つの素子を用いるのみで、実用的なロ
ジックを全て実現することが可能である。また、アナロ
グ系においても０次光の除去等が簡単に行える。これに
よってデジタル系、アナログ系いずれに関しても、強誘
電性液晶空間光変調器の応用範囲を飛躍的に増大させる
事ができる。
【０００７】
【実施例】以下に図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。図３は、本発明に係る光書き込み型強誘電性液晶空
間光変調器の構造を示す模式図である。液晶分子を挟持
するための基板31ａ、31ｂとして、両面をＨｅ−Ｎｅレ
ーザー波長において、平行平面度λ／５以下に研磨した
厚さ５mmの透明ガラス基板を用いた。両基板の表面には
ＩＴＯ透明電極層32ａ、32ｂを設けた。光による書き込
み側の透明電極層32ａ上には２．５μｍの厚さの水素化
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）光導電層35を形
成した。さらに両基板の表面には基板の法線方向から85
゜の入射角で、且つ組み合わせた状態で書き込み側及び
読み出し側の基板上の入射方向が一致するように一酸化
珪素を斜方蒸着した配向膜層33ａ、33ｂを設けた。
る。図３は、本発明に係る光書き込み型強誘電性液晶空
間光変調器の構造を示す模式図である。液晶分子を挟持
するための基板31ａ、31ｂとして、両面をＨｅ−Ｎｅレ
ーザー波長において、平行平面度λ／５以下に研磨した
厚さ５mmの透明ガラス基板を用いた。両基板の表面には
ＩＴＯ透明電極層32ａ、32ｂを設けた。光による書き込
み側の透明電極層32ａ上には２．５μｍの厚さの水素化
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）光導電層35を形
成した。さらに両基板の表面には基板の法線方向から85
゜の入射角で、且つ組み合わせた状態で書き込み側及び
読み出し側の基板上の入射方向が一致するように一酸化
珪素を斜方蒸着した配向膜層33ａ、33ｂを設けた。
【０００８】次に、1.0 μｍの平均粒径を持つシリカ球
を外周シール材に混合分散し、凸版印刷法を用いて前記
シール材を印刷塗布した後２枚の基板を接着し、強誘電
性液晶を狭持する間隙を形成した。強誘電性液晶組成物
34としては、ＳＣＥ−１３（ＢＤＨ社製）等を用い、ア
イソトロピック相迄昇温したのち、真空注入しスメクチ
ックＣ相迄徐冷して均一な配向を得た。
を外周シール材に混合分散し、凸版印刷法を用いて前記
シール材を印刷塗布した後２枚の基板を接着し、強誘電
性液晶を狭持する間隙を形成した。強誘電性液晶組成物
34としては、ＳＣＥ−１３（ＢＤＨ社製）等を用い、ア
イソトロピック相迄昇温したのち、真空注入しスメクチ
ックＣ相迄徐冷して均一な配向を得た。
【０００９】図４は書き込み、読み出し実験を行った光
学系のシステム図である。書き込み光源41はＮＥＣ製の
Ｈｅ−Ｎｅレーザー（最大出力１５０ｍＷ）を用い、偏
光板42を通して強度を制御した。書き込み光はミラー43
ａ、43ｂで反射され、本発明に係る強誘電性液晶空間光
変調器44へ斜めに照射される。（書き込み光の光路には
１０倍のビームエキスパンダ45ａが挿入される場合もあ
る）読み出し光源46は、メレスグリオ製のＨｅ−Ｎｅレ
ーザー（出力１０ｍＷ）を用い、光量を調節するための
ＮＤフィルター47、１０倍のビームエキスパンダ45b 、
ビームスプリッタ48を通って本発明に係る強誘電性液晶
空間光変調器44へ照射され、強誘電性液晶層で変調され
つつ強誘電性液晶層と水素化アモルファスシリコン光導
電層の界面で反射され、再びビームスプリッタ48に入射
する。
学系のシステム図である。書き込み光源41はＮＥＣ製の
Ｈｅ−Ｎｅレーザー（最大出力１５０ｍＷ）を用い、偏
光板42を通して強度を制御した。書き込み光はミラー43
ａ、43ｂで反射され、本発明に係る強誘電性液晶空間光
変調器44へ斜めに照射される。（書き込み光の光路には
１０倍のビームエキスパンダ45ａが挿入される場合もあ
る）読み出し光源46は、メレスグリオ製のＨｅ−Ｎｅレ
ーザー（出力１０ｍＷ）を用い、光量を調節するための
ＮＤフィルター47、１０倍のビームエキスパンダ45b 、
ビームスプリッタ48を通って本発明に係る強誘電性液晶
空間光変調器44へ照射され、強誘電性液晶層で変調され
つつ強誘電性液晶層と水素化アモルファスシリコン光導
電層の界面で反射され、再びビームスプリッタ48に入射
する。
【００１０】ここで、ビームスプリッタ面で反射された
光が偏光板49で検光され、ＣＣＤカメラ50で観測され
る。読み出し光源46は書き込み光が照射されていない場
合の強誘電性液晶層の安定状態に対して偏波面が変調を
受けない方位に配置され、偏光板49は上記の状態での反
射光に対しクロスに配置されている。即ち、書き込み光
の無い状態では読み出しは暗状態となる。観察はＣＣＤ
カメラ50で取り込んだ画像をＣＲＴ51に表示し、撮影し
た。また、ＣＣＤカメラ50の代わりにフォトディテクタ
ー52を置いて光学応答をも測定した。駆動は、自作のド
ライバー53を用いて行った。
光が偏光板49で検光され、ＣＣＤカメラ50で観測され
る。読み出し光源46は書き込み光が照射されていない場
合の強誘電性液晶層の安定状態に対して偏波面が変調を
受けない方位に配置され、偏光板49は上記の状態での反
射光に対しクロスに配置されている。即ち、書き込み光
の無い状態では読み出しは暗状態となる。観察はＣＣＤ
カメラ50で取り込んだ画像をＣＲＴ51に表示し、撮影し
た。また、ＣＣＤカメラ50の代わりにフォトディテクタ
ー52を置いて光学応答をも測定した。駆動は、自作のド
ライバー53を用いて行った。
【００１１】なお、書き込みに用いられる光源はＨｅ−
Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、半導体レーザー、ハロゲ
ンランプのいずれかであり、読み出し光に用いられる光
源はＨｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、半導体レーザ
ー、ハロゲンランプのいづれかであればよい。上記のシ
ステムを用いて、以下の書き込み実験を行った。
Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、半導体レーザー、ハロゲ
ンランプのいずれかであり、読み出し光に用いられる光
源はＨｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒレーザー、半導体レーザ
ー、ハロゲンランプのいづれかであればよい。上記のシ
ステムを用いて、以下の書き込み実験を行った。
【００１２】図１は、本発明による空間光変調器に、
４．６３μＷ／ｃｍ2 の書き込み光を照射し続けながら
書き込み光強度を変化させて、メモリー状態で読み出し
た場合の読み出し光強度を示したグラフである。強誘電
性液晶を用いた光変調層は双安定性を有しており、メモ
リ状態での読み出し光強度であるため、読み出し光は明
状態、暗状態の二値で得られており、且つ、書き込み光
強度が大きくなるに従って暗状態から明状態に遷移する
第一の閾値11と、明状態から暗状態に遷移する第二の閾
値12が得られている。なお、この実施例ではバイアス光
は照射されておらず、駆動波形は消去パルス＋９．１５
Ｖ２．５ｍｓ、書き込みパルス−９．１５Ｖ２ｍｓ、フ
レーム周波数１００Ｈｚである。第一の閾値は書き込み
光強度０．２ｍＷ／ｃｍ2 付近に、第二の閾値は書き込
み光強度２ｍＷ／ｃｍ2 付近に現れている。
４．６３μＷ／ｃｍ2 の書き込み光を照射し続けながら
書き込み光強度を変化させて、メモリー状態で読み出し
た場合の読み出し光強度を示したグラフである。強誘電
性液晶を用いた光変調層は双安定性を有しており、メモ
リ状態での読み出し光強度であるため、読み出し光は明
状態、暗状態の二値で得られており、且つ、書き込み光
強度が大きくなるに従って暗状態から明状態に遷移する
第一の閾値11と、明状態から暗状態に遷移する第二の閾
値12が得られている。なお、この実施例ではバイアス光
は照射されておらず、駆動波形は消去パルス＋９．１５
Ｖ２．５ｍｓ、書き込みパルス−９．１５Ｖ２ｍｓ、フ
レーム周波数１００Ｈｚである。第一の閾値は書き込み
光強度０．２ｍＷ／ｃｍ2 付近に、第二の閾値は書き込
み光強度２ｍＷ／ｃｍ2 付近に現れている。
【００１３】図２は、本発明による空間光変調器に、
４．６３μＷ／ｃｍ2 の書き込み光を照射し続けなが
ら、Ｈｅ−Ｎｅレーザービーム（ＮＥＣ製７５ｍＷ）
を、中心２００μｍピンホール内の強度３．１４μＷ迄
弱めた状態で書き込み光として照射し、メモリ状態で読
み出した場合の読み出し像の写真である。バイアス光は
照射されておらず、駆動波形は消去パルス＋９．１５
Ｖ，２．５ｍｓ、書き込みパルス−９．１５Ｖ，２ｍ
ｓ、フレーム周波数１００Ｈｚである。写真はＣＣＤで
取り込んだ画像をＣＲＴに表示し、ＣＲＴの画面を撮影
したものである。そのため、写真にはＣＲＴの走査線に
対応する横方向の線が見えている。写真から、第一の閾
値以上で第二の閾値以下のリング状の部分21のみが明状
態に反転、メモリされていることが分かる。第二の閾値
以上の書き込み光強度を有する中央の部分22は、第一の
閾値以下である周辺の暗状態の部分23と全く同じ反射率
であった。なお、写真でリング上の部分の輪郭が乱れて
いるのは、書き込み光の強度分布によるものであり、実
際のシステムにおいては問題は生じない。
４．６３μＷ／ｃｍ2 の書き込み光を照射し続けなが
ら、Ｈｅ−Ｎｅレーザービーム（ＮＥＣ製７５ｍＷ）
を、中心２００μｍピンホール内の強度３．１４μＷ迄
弱めた状態で書き込み光として照射し、メモリ状態で読
み出した場合の読み出し像の写真である。バイアス光は
照射されておらず、駆動波形は消去パルス＋９．１５
Ｖ，２．５ｍｓ、書き込みパルス−９．１５Ｖ，２ｍ
ｓ、フレーム周波数１００Ｈｚである。写真はＣＣＤで
取り込んだ画像をＣＲＴに表示し、ＣＲＴの画面を撮影
したものである。そのため、写真にはＣＲＴの走査線に
対応する横方向の線が見えている。写真から、第一の閾
値以上で第二の閾値以下のリング状の部分21のみが明状
態に反転、メモリされていることが分かる。第二の閾値
以上の書き込み光強度を有する中央の部分22は、第一の
閾値以下である周辺の暗状態の部分23と全く同じ反射率
であった。なお、写真でリング上の部分の輪郭が乱れて
いるのは、書き込み光の強度分布によるものであり、実
際のシステムにおいては問題は生じない。
【００１４】これにより、第一及び第二の閾値の発現が
明確に実証された。
明確に実証された。
【００１５】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明の方法によ
れば、強誘電性液晶を用いた光書き込み型液晶空間光変
調器において、特殊な素子構造を用いることなく光情報
処理において有用な機能を示す事が可能な、第二の閾値
を発現させることを可能とし、これを応用する事によっ
てデジタル系、アナログ系いずれに関してもその応用範
囲を飛躍的に増大する効果がある。
れば、強誘電性液晶を用いた光書き込み型液晶空間光変
調器において、特殊な素子構造を用いることなく光情報
処理において有用な機能を示す事が可能な、第二の閾値
を発現させることを可能とし、これを応用する事によっ
てデジタル系、アナログ系いずれに関してもその応用範
囲を飛躍的に増大する効果がある。
【図１】本発明による空間光変調器に、書き込み光を照
射し続けながら書き込み光強度を変化させて、メモリー
状態で読み出した場合の読み出し光強度を示したグラフ
である。
射し続けながら書き込み光強度を変化させて、メモリー
状態で読み出した場合の読み出し光強度を示したグラフ
である。
【図２】本発明による空間光変調器に、書き込み光を照
射し続けながら、Ｈｅ−Ｎｅレーザービームを書き込み
光として照射し、メモリー状態で読み出した場合の読み
出し像の図面代用写真である。
射し続けながら、Ｈｅ−Ｎｅレーザービームを書き込み
光として照射し、メモリー状態で読み出した場合の読み
出し像の図面代用写真である。
【図３】本発明に係る光書き込み型強誘電性液晶空間光
変調器の構造を示す模式図である。
変調器の構造を示す模式図である。
【図４】書き込み、読み出し実験を行った光学系のシス
テム図である。
テム図である。
１１ 第一の閾値 １２ 第二の閾値 ２１ 明状態の部分（第一の閾値以上第二の閾値以下の
部分） ２２ 暗状態の部分１（第二の閾値以上の部分） ２３ 暗状態の部分２（第一の閾値以下の部分） ３１ａ、３１ｂ 透明基板 ３２ａ、３２ｂ 透明電極 ３３ａ、３３ｂ 配向膜層 ３４ 強誘電性液晶層 ３５ 光導電膜 ４１ 書き込み光源 ４２ 偏光板 ４３ａ、４３ｂ ミラー ４４ 強誘電性液晶空間光変調器 ４５ａ、４５ｂ ビームエキスパンダ ４６ 読み出し光源 ４７ ＮＤフィルター ４８ ビームスプリッタ ４９ 偏光板 ５０ ＣＣＤカメラ ５１ ＣＲＴ ５２ フォトディテクター ５３ ドライバー
部分） ２２ 暗状態の部分１（第二の閾値以上の部分） ２３ 暗状態の部分２（第一の閾値以下の部分） ３１ａ、３１ｂ 透明基板 ３２ａ、３２ｂ 透明電極 ３３ａ、３３ｂ 配向膜層 ３４ 強誘電性液晶層 ３５ 光導電膜 ４１ 書き込み光源 ４２ 偏光板 ４３ａ、４３ｂ ミラー ４４ 強誘電性液晶空間光変調器 ４５ａ、４５ｂ ビームエキスパンダ ４６ 読み出し光源 ４７ ＮＤフィルター ４８ ビームスプリッタ ４９ 偏光板 ５０ ＣＣＤカメラ ５１ ＣＲＴ ５２ フォトディテクター ５３ ドライバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 海老原 照夫 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 瀬倉 利江子 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 光による書き込み手段、光による読み出
し手段及び電圧印加手段を具備し、透明電極上に光導電
膜が形成されたガラス基板と、透明電極の形成されたガ
ラス基板のそれぞれの対向する表面に液晶配向膜が形成
された一組のガラス基板が対向配置され、その間隙に強
誘電性液晶組成物が封入されてなる強誘電性液晶空間光
変調器において、該光導電膜は０．１〜５μｍの厚みを
有するイントリンシックな水素化アモルファスシリコン
であり、該強誘電性液晶層は０．５〜５μｍの厚みを有
し、書き込み光として強度は書き込み面での最大値が
０．０１ｍＷ／ｃｍ2 以上の光を用い、読み出し光を常
時照射しながら書き込みを行ない、書き込まれた像をメ
モリー状態で読み出しを行う場合に、書き込み光が照射
されていない状態で強誘電性液晶分子が安定化されてい
る一方の安定状態から他方の安定状態へ遷移する場合の
書き込み光強度の第一の閾値よりも書き込み光が強い領
域に、より強い書き込み光が照射された領域の強誘電性
液晶分子が逆に前記一方の安定状態に遷移する第二の閾
値を有することを特徴とする空間光変調器。 - 【請求項２】 光導電膜と液晶配向層の間に、光分離用
誘電体ミラーが形成されている事を特徴とする請求項１
記載の空間光変調器。 - 【請求項３】 印加される駆動電圧は、消去を行なう第
一のパルス電圧と、前記第一のパルス電圧と逆の極性を
有する書き込みを行うための第二のパルス電圧、及びメ
モリーの期間からなり、読み出しはメモリーの期間に行
なわれ、前記第一及び第二のパルス電圧のパルス幅また
は波高は、第一及び第二の閾値を制御するため別個に制
御されることを特徴とする請求項１記載の空間光変調器
の駆動方法。 - 【請求項４】 読み出し光学系にクロスニコルが配置さ
れ、且つ前記第一のパルス電圧により決定される液晶分
子の配列方向が、該クロスニコル下において、明または
暗視野状態となるように配置されることを特徴とする請
求項３記載の空間光変調器の駆動方法。 - 【請求項５】 書き込み及び読み出し光に用いられる光
源以外に、書き込み側または読み出し側から、バイアス
光が照射され、このバイアス光の強度を制御することに
よって前記第一及び第二の閾値を制御することを特徴と
する請求項１記載の空間光変調器の駆動方法。 - 【請求項６】 用いられる書き込み光学系は系中にシャ
ッターを有し、読み出し時には書き込み光が照射されな
いことを特徴とする請求項１記載の空間光変調器の駆動
方法。 - 【請求項７】 用いられる書き込み光学系は独立に強度
を制御可能な２つ以上の系からなり、２つ以上の像が同
一の書き込み面に同時に照射されることを特徴とする請
求項１記載の空間光変調器の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2884692A JPH05196960A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 空間光変調器及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2884692A JPH05196960A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 空間光変調器及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196960A true JPH05196960A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=12259738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2884692A Pending JPH05196960A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 空間光変調器及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05196960A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634994A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Seiko Instr Inc | 空間光変調器の駆動方法 |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP2884692A patent/JPH05196960A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634994A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Seiko Instr Inc | 空間光変調器の駆動方法 |
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