JPH0520002B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0520002B2 JPH0520002B2 JP60249191A JP24919185A JPH0520002B2 JP H0520002 B2 JPH0520002 B2 JP H0520002B2 JP 60249191 A JP60249191 A JP 60249191A JP 24919185 A JP24919185 A JP 24919185A JP H0520002 B2 JPH0520002 B2 JP H0520002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distributed
- branch
- fet
- distributed semiconductor
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/605—Distributed amplifiers
- H03F3/607—Distributed amplifiers using FET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、進行波形FET増幅器の電力合成
に関するものである。
に関するものである。
第６図は例えばJ.B.Beyer、ef al、“MESFET
Distributed Anplifier Dessign Guidelines、”
JEEE Trans.、vol.MTT−32、No.３、PP.268−
275、Mar.1984等に示された進行波形FET増幅器
２個の出力を通常のＴ分岐で合成する従来の電力
合成進行波形FET増幅器の一例の等価回路図で
あり、１は入力端子、２は出力端子、３ａ，３ｂ
はFET、４ａ，５ａ，６ａはそれぞれFET３ａ
のゲート端子、ドレイン端子、ソース端子、４
ｂ，５ｂ，６ｂはそれぞれFETの３ｂのゲート
端子、ドレイン端子、ソース端子、７ａ，７ｂ，
８ａ，８ｂはインダクタ、９ａ，９ｂ，１０ａ，
１０ｂは終端器、１１，１２はＴ分岐である。
Distributed Anplifier Dessign Guidelines、”
JEEE Trans.、vol.MTT−32、No.３、PP.268−
275、Mar.1984等に示された進行波形FET増幅器
２個の出力を通常のＴ分岐で合成する従来の電力
合成進行波形FET増幅器の一例の等価回路図で
あり、１は入力端子、２は出力端子、３ａ，３ｂ
はFET、４ａ，５ａ，６ａはそれぞれFET３ａ
のゲート端子、ドレイン端子、ソース端子、４
ｂ，５ｂ，６ｂはそれぞれFETの３ｂのゲート
端子、ドレイン端子、ソース端子、７ａ，７ｂ，
８ａ，８ｂはインダクタ、９ａ，９ｂ，１０ａ，
１０ｂは終端器、１１，１２はＴ分岐である。
次に動作について説明する。入力端子１に印加
されたマイクロ波電力はＴ分岐１１で２分割さ
れ、一方のマイクロ波電力は各インダクタ７ａを
終端器９ａの方向に伝搬していくが、その途中、
上記マイクロ波電力の一部が各FET３ａに供給
される。各FET３ａに供給されたマイクロ波電
力はそこで増幅され、各インダクタ８ａを伝搬
し、Ｔ分岐１２に至る。また、Ｔ分岐１１で分割
された他の一方のマイクロ波電力は各インダクタ
７ｂを終端器９ｂの方向に伝搬していくが、その
途中、上記マイクロ波電力の一部が各FET３ｂ
に供給される。各FET３ｂに供給されたマイク
ロ波電力はそこで増幅され、各インダクタ８ｂを
伝搬し、Ｔ分岐１２に至る。Ｔ分岐１２に至つた
上記２つのマイクロ波電力はそこで合成された出
力端子２に至る。
されたマイクロ波電力はＴ分岐１１で２分割さ
れ、一方のマイクロ波電力は各インダクタ７ａを
終端器９ａの方向に伝搬していくが、その途中、
上記マイクロ波電力の一部が各FET３ａに供給
される。各FET３ａに供給されたマイクロ波電
力はそこで増幅され、各インダクタ８ａを伝搬
し、Ｔ分岐１２に至る。また、Ｔ分岐１１で分割
された他の一方のマイクロ波電力は各インダクタ
７ｂを終端器９ｂの方向に伝搬していくが、その
途中、上記マイクロ波電力の一部が各FET３ｂ
に供給される。各FET３ｂに供給されたマイク
ロ波電力はそこで増幅され、各インダクタ８ｂを
伝搬し、Ｔ分岐１２に至る。Ｔ分岐１２に至つた
上記２つのマイクロ波電力はそこで合成された出
力端子２に至る。
次に、以下の説明のためこのような電力合成進
行波形FET増幅器の動作原理についてさらに詳
細に述べる。
行波形FET増幅器の動作原理についてさらに詳
細に述べる。
ここでは説明を簡単にするため、各FET３ａ，
３ｂはすべて同一形状であり、かつ、各インダク
タ７ａ，７ｂのインダクタンスはLg／２で一定、
各インダクタ８ａ，８ｂのインダクタンスは
Ld／２で一定であり、かつ、終端器９ａ，９ｂ
は同一性能、終端器１０ａ，１０ｂは８は同一性
能であるとする。
３ｂはすべて同一形状であり、かつ、各インダク
タ７ａ，７ｂのインダクタンスはLg／２で一定、
各インダクタ８ａ，８ｂのインダクタンスは
Ld／２で一定であり、かつ、終端器９ａ，９ｂ
は同一性能、終端器１０ａ，１０ｂは８は同一性
能であるとする。
FETの等価回路は通常第７図のようにあたえ
られる。第７図においてゲート端子４にマイクロ
波電力が印加されるとFET内の相互コンダクタ
ンスgmにより増幅されたマイクロ波電力がドレ
イン端子５に生じ、結果として増幅作用をする。
第７図において、ゲート・ドレイン間容量cdgは
一般に非常に小さいので近似的にこれを無視する
と、第６図の等価回路は第８図ａのゲート側等価
回路、および第８図ｂのドレイン側等価回路であ
らわせる。第８図ａ、第８図ｂとも損失のある２
本の分布定数線路とそれを接続するＴ分岐とで構
成された等価回路と同等の等価回路となつてい
る。一般に、分布定数線路の特性インピーダンス
は周波数によつて変化しない性質がある。このこ
とからFET３ａ，３ｂに応じた適当なインダク
タ７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂおよび終端器９ａ，９
ｂ，１０ａ，１０ｂを用いれば広帯域にわたり良
好なVSWR特性を有し、かつ、平坦な利得特性
を有する増幅器を得ることができる。
られる。第７図においてゲート端子４にマイクロ
波電力が印加されるとFET内の相互コンダクタ
ンスgmにより増幅されたマイクロ波電力がドレ
イン端子５に生じ、結果として増幅作用をする。
第７図において、ゲート・ドレイン間容量cdgは
一般に非常に小さいので近似的にこれを無視する
と、第６図の等価回路は第８図ａのゲート側等価
回路、および第８図ｂのドレイン側等価回路であ
らわせる。第８図ａ、第８図ｂとも損失のある２
本の分布定数線路とそれを接続するＴ分岐とで構
成された等価回路と同等の等価回路となつてい
る。一般に、分布定数線路の特性インピーダンス
は周波数によつて変化しない性質がある。このこ
とからFET３ａ，３ｂに応じた適当なインダク
タ７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂおよび終端器９ａ，９
ｂ，１０ａ，１０ｂを用いれば広帯域にわたり良
好なVSWR特性を有し、かつ、平坦な利得特性
を有する増幅器を得ることができる。
ところで、上記の動作はFET３ａ，３ｂがま
つたく同一性能であり、Ｔ分岐１２に至る２つの
マイクロ波の位相と振幅が等しい場合にいえるこ
とである。一般にFET３ａ，３ｂはばらつきに
よりわずかに性能が異なつており、結果としてＴ
分岐１２に至つた２つのマイクロ波の位相と振幅
とが異なつてある。このようなマイクロ波電力の
アンバランスがある場合には、アンバランス分の
マイクロ波電力はＴ分岐１２で反射され、FET
側にもどつていき、FETに悪影響をあたえ結果
として利得、出力が低下したり、発振したりする
問題が生じる場合がある。
つたく同一性能であり、Ｔ分岐１２に至る２つの
マイクロ波の位相と振幅が等しい場合にいえるこ
とである。一般にFET３ａ，３ｂはばらつきに
よりわずかに性能が異なつており、結果としてＴ
分岐１２に至つた２つのマイクロ波の位相と振幅
とが異なつてある。このようなマイクロ波電力の
アンバランスがある場合には、アンバランス分の
マイクロ波電力はＴ分岐１２で反射され、FET
側にもどつていき、FETに悪影響をあたえ結果
として利得、出力が低下したり、発振したりする
問題が生じる場合がある。
このように従来の電力合成進行波形FET増幅
器ではFETのバラツキ等により、Ｔ分岐１２に
至つたマイクロ波にアンバランスがある場合に
は、アンバランス分のマイクロ波がFET側に反
射されFETに悪影響をあたえ、結果として利得、
出力が低下したり、発振したりする問題が生じる
場合があつた。
器ではFETのバラツキ等により、Ｔ分岐１２に
至つたマイクロ波にアンバランスがある場合に
は、アンバランス分のマイクロ波がFET側に反
射されFETに悪影響をあたえ、結果として利得、
出力が低下したり、発振したりする問題が生じる
場合があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、２つの進行波形FET増幅器
のアイソレーシヨンが広帯域にわたり実現できる
電力合成進行波形FET増幅器を得ることを目的
とする。
になされたもので、２つの進行波形FET増幅器
のアイソレーシヨンが広帯域にわたり実現できる
電力合成進行波形FET増幅器を得ることを目的
とする。
この発明に係る電力合成分布型半導体回路は、
２個の分布型半導体回路の出力を合成するＴ分岐
を有し、かつ、上記２個の分布型半導体回路の半
導体素子の出力電極を接続するリアクタンス回路
の互いに対向する所定の箇所を所定の少なくとも
抵抗成分を含む受動素子で接続したものである。
２個の分布型半導体回路の出力を合成するＴ分岐
を有し、かつ、上記２個の分布型半導体回路の半
導体素子の出力電極を接続するリアクタンス回路
の互いに対向する所定の箇所を所定の少なくとも
抵抗成分を含む受動素子で接続したものである。
［作用］
この発明における電力合成分布型半導体回路で
は、リアクタンス回路の互いに対向する所定の箇
所を接続する受動素子が、出力側に至つた２つの
分布型半導体回路のそれぞれの出力電力のアンバ
ランス分を広帯域にわたり吸収し、２つの分布型
半導体回路の間をアイソレートする。
は、リアクタンス回路の互いに対向する所定の箇
所を接続する受動素子が、出力側に至つた２つの
分布型半導体回路のそれぞれの出力電力のアンバ
ランス分を広帯域にわたり吸収し、２つの分布型
半導体回路の間をアイソレートする。
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図において２０は所定の抵抗値を有する抵抗
である。
第１図において２０は所定の抵抗値を有する抵抗
である。
入力端子１から入力されたマイクロ波電力はＴ
分岐１１で２つに分割され、一方のマイクロ波電
力は、各インダクタ７ａを終端器９ａの方向に伝
搬していくが、その途中、上記マイクロ波電力の
一部が各FET３ａに供給される。各FET３ａに
供給されたマイクロ波電力はそこで増幅され、各
インダクタ８ａを伝搬し、Ｔ分岐１２に至る。ま
た、Ｔ分岐１１で分割された他の一方のマイクロ
波電力は各インダクタ７ｂを終端器９ｂの方向に
伝搬していくが、その途中、上記マイクロ波電力
の一部が各FET３ｂに供給される。各FET３ｂ
に供給されたマイクロ波電力はそこで増幅され、
各インダクタ８ａを伝搬し、Ｔ分岐１２に至る。
Ｔ分岐１２に至つた２つのマイクロ波電力はそこ
で合成された出力端子２に至る。FET３ａ，３
ｂ性能バラツキ等により、Ｔ分岐１２に至つた２
つのマイクロ波にアンバランスが生じた場合に
は、アンバランス分のマイクロ波電力は以下の説
明に示すように周波数に応じて各抵抗２０で吸収
され、広帯域にわたり２つの進行波形FET増幅
器間のアイソレーシヨンが得られる。
分岐１１で２つに分割され、一方のマイクロ波電
力は、各インダクタ７ａを終端器９ａの方向に伝
搬していくが、その途中、上記マイクロ波電力の
一部が各FET３ａに供給される。各FET３ａに
供給されたマイクロ波電力はそこで増幅され、各
インダクタ８ａを伝搬し、Ｔ分岐１２に至る。ま
た、Ｔ分岐１１で分割された他の一方のマイクロ
波電力は各インダクタ７ｂを終端器９ｂの方向に
伝搬していくが、その途中、上記マイクロ波電力
の一部が各FET３ｂに供給される。各FET３ｂ
に供給されたマイクロ波電力はそこで増幅され、
各インダクタ８ａを伝搬し、Ｔ分岐１２に至る。
Ｔ分岐１２に至つた２つのマイクロ波電力はそこ
で合成された出力端子２に至る。FET３ａ，３
ｂ性能バラツキ等により、Ｔ分岐１２に至つた２
つのマイクロ波にアンバランスが生じた場合に
は、アンバランス分のマイクロ波電力は以下の説
明に示すように周波数に応じて各抵抗２０で吸収
され、広帯域にわたり２つの進行波形FET増幅
器間のアイソレーシヨンが得られる。
次に、各抵抗２０を装荷した効果についてさら
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
第２図は第８図ｂに対応させて表わした第１図
のドレイン側等価回路図である。第２図は、損失
のある２本の分布定数線路の対向する所定の位置
を抵抗２０で互いに接続した回路と同等の等価回
路となつている。第２図において電流源のインピ
ーダンスを無限大とし、かつ、ソースドレイン間
抵抗Rdsが十分大きくこれによる損失効果を無視
できるとすると、第２図は第３図の等価回路で近
似的にあらわせる。すなわち２本の特性インピー
ダンスＺ、伝搬速度Ｖの分布定数線路２１ａ，２
１ｂとＴ分岐１２と、上記２本の分布定数線路の
対向する所定の位置を互いに接続した抵抗とから
成る等価回路となる。なお上記近似のもとでは となつている。
のドレイン側等価回路図である。第２図は、損失
のある２本の分布定数線路の対向する所定の位置
を抵抗２０で互いに接続した回路と同等の等価回
路となつている。第２図において電流源のインピ
ーダンスを無限大とし、かつ、ソースドレイン間
抵抗Rdsが十分大きくこれによる損失効果を無視
できるとすると、第２図は第３図の等価回路で近
似的にあらわせる。すなわち２本の特性インピー
ダンスＺ、伝搬速度Ｖの分布定数線路２１ａ，２
１ｂとＴ分岐１２と、上記２本の分布定数線路の
対向する所定の位置を互いに接続した抵抗とから
成る等価回路となる。なお上記近似のもとでは となつている。
第３図においてＴ分岐１２と各抵抗までの距離
をl1，l2，l3，…loとし、これらはそれぞれf1，f2，
f3，…foの周波数で1/4波長の長さであるとする。
をl1，l2，l3，…loとし、これらはそれぞれf1，f2，
f3，…foの周波数で1/4波長の長さであるとする。
第３図において２本の分布定数線路２１ａ，２
１ｂを伝搬するマイクロ波の位相および振幅が等
しい場合は、各抵抗で消費される電力は無くＴ分
岐１２で合成され出力２に至る。
１ｂを伝搬するマイクロ波の位相および振幅が等
しい場合は、各抵抗で消費される電力は無くＴ分
岐１２で合成され出力２に至る。
次に、Ｔ分岐１２に至つたマイクロ波にアンバ
ランスがある場合について述べる。周波数fnのマ
イクロ波は、通常のWilKinson形分配器の動作原
理から、アンバランス分の電力は抵抗Rnで消費、
吸収される。また、例えば周波数f1のマイクロ波
の場合にはアンバランス分の電力は抵抗R1，R2，
R3，…Rnで大部分が消費される。ここで抵抗を
装荷する位置および抵抗値R1，R2，R3，…Rnを
適当に選ぶことにより、広帯域にわたりアンバラ
ンス分の電力を吸収でき、結果として、広帯域に
わたり、２つの分布定数線路２１ａ，２１ｂ間の
アイソレーシヨンが得られる。
ランスがある場合について述べる。周波数fnのマ
イクロ波は、通常のWilKinson形分配器の動作原
理から、アンバランス分の電力は抵抗Rnで消費、
吸収される。また、例えば周波数f1のマイクロ波
の場合にはアンバランス分の電力は抵抗R1，R2，
R3，…Rnで大部分が消費される。ここで抵抗を
装荷する位置および抵抗値R1，R2，R3，…Rnを
適当に選ぶことにより、広帯域にわたりアンバラ
ンス分の電力を吸収でき、結果として、広帯域に
わたり、２つの分布定数線路２１ａ，２１ｂ間の
アイソレーシヨンが得られる。
なお第３図の形から、これは理想的な
WilKinson形分配器とは構造を異にしているた
め、各周波数で理想的なアイソレーシヨンを得る
ことはできない。第１図の電力合成進行波形
FET増幅器では、本来、分岐１２に至つた２つ
のマイクロ波はほぼ同等の位相、振幅特性を有し
ていることから、かならずしも各周波数で理想的
なアイソレーシヨンが得られないとしても問題に
はならない。
WilKinson形分配器とは構造を異にしているた
め、各周波数で理想的なアイソレーシヨンを得る
ことはできない。第１図の電力合成進行波形
FET増幅器では、本来、分岐１２に至つた２つ
のマイクロ波はほぼ同等の位相、振幅特性を有し
ていることから、かならずしも各周波数で理想的
なアイソレーシヨンが得られないとしても問題に
はならない。
第４図は、抵抗２０を装荷させる位置を変えた
場合のこの発明の他に実施例の等価回路図であ
る。このように抵抗２０を装荷する位置を変化さ
せてもかまわない。
場合のこの発明の他に実施例の等価回路図であ
る。このように抵抗２０を装荷する位置を変化さ
せてもかまわない。
なお以上では、リアクタンス回路として集中定
数回路素子のインダクタを用いた場合について説
明したが、この発明は、これに限らず第５図のよ
うにリアクタンス回路としてマイクロストリツプ
線路２２を用いたものであつてよい。また、アン
バランス分の電力を吸収する素子として抵抗２０
を用いた場合について説明したが、終端器１０
ａ，１０ｂ等からなるインピーダンスがリアクタ
ンス成分を含む場合は、純抵抗でなく、抵抗成分
を含む受動素子であつてもよい。
数回路素子のインダクタを用いた場合について説
明したが、この発明は、これに限らず第５図のよ
うにリアクタンス回路としてマイクロストリツプ
線路２２を用いたものであつてよい。また、アン
バランス分の電力を吸収する素子として抵抗２０
を用いた場合について説明したが、終端器１０
ａ，１０ｂ等からなるインピーダンスがリアクタ
ンス成分を含む場合は、純抵抗でなく、抵抗成分
を含む受動素子であつてもよい。
以上のように、この発明によれば、２個の分布
型半導体回路の出力側リアクタンス回路の互いに
対向する所定の位置を所定の受動素子で接続する
ことにより、上記２個の分布型半導体回路の間で
広帯域にわたるアイソレーシヨンが得られるの
で、半導体素子のばつき等により合成される電力
にアンバランスが生じた場合でも、利得、出力の
低下や発振等の問題が軽減できる電力合成分布型
半導体回路が得られる効果がある。
型半導体回路の出力側リアクタンス回路の互いに
対向する所定の位置を所定の受動素子で接続する
ことにより、上記２個の分布型半導体回路の間で
広帯域にわたるアイソレーシヨンが得られるの
で、半導体素子のばつき等により合成される電力
にアンバランスが生じた場合でも、利得、出力の
低下や発振等の問題が軽減できる電力合成分布型
半導体回路が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による電力合成進
行波形FET増幅器の等価回路図、第２図は第１
図のドレイン側等価回路図、第３図は、第２図の
近似的な等価回路図、第４図はこの発明の他の実
施例の等価回路図、第５図はこの発明のさらに他
の実施例の等価回路図、第６図は従来の電力合成
進行波形FET増幅器の等価回路図、第７図は
FETの等価回路図、第８図ａ、第８図ｂはそれ
ぞれ第６図のゲート側およびドレイン側等価回路
図である。 ３ａ，３ｂはFET、４，４ａ，４ｂはゲート
端子、５，５ａ，５ｂはドレイン端子、７ａ，７
ｂ，８ａ，８ｂはインダクタ、１１，１２はＴ分
岐、２０は抵抗、２２はマイクロストリツプ線路
である。なお図中、同一符号は同一、又は相当部
分を示す。
行波形FET増幅器の等価回路図、第２図は第１
図のドレイン側等価回路図、第３図は、第２図の
近似的な等価回路図、第４図はこの発明の他の実
施例の等価回路図、第５図はこの発明のさらに他
の実施例の等価回路図、第６図は従来の電力合成
進行波形FET増幅器の等価回路図、第７図は
FETの等価回路図、第８図ａ、第８図ｂはそれ
ぞれ第６図のゲート側およびドレイン側等価回路
図である。 ３ａ，３ｂはFET、４，４ａ，４ｂはゲート
端子、５，５ａ，５ｂはドレイン端子、７ａ，７
ｂ，８ａ，８ｂはインダクタ、１１，１２はＴ分
岐、２０は抵抗、２２はマイクロストリツプ線路
である。なお図中、同一符号は同一、又は相当部
分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 隣接した半導体素子の制御電極どおし、およ
び上記隣接した半導体素子の出力電極どおしをリ
アクタンス回路で接続して成る分布型半導体回路
２個を備え、かつ、上記２個の分布型半導体回路
の出力を合成するＴ分岐を備える電力合成分布型
半導体回路において、 上記２個の分布型半導体回路の出力電極を接続
しているリアクタンス回路の互いに対向する箇所
であつて、上記分布型半導体回路において処理さ
れる帯域内の処理対象となる複数の信号の波長の
略1/4の長さに対応する分、上記Ｔ分岐から隔た
つた、処理対象となる信号の数に応じた箇所を、 上記２個の分布型半導体回路の出力のアンバラ
ンス成分を吸収する少なくとも抵抗成分を含む受
動素子で接続したことを特徴とする電力合成分布
型半導体回路。 ２ 半導体素子にFETを使用したことを特徴と
する特許請求の範囲１項記載の電力合成分布型半
導体回路。 ３ 分布形半導体回路を進行波増幅回路としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲１項記載の電力合
成分布型半導体回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249191A JPS62109411A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 電力合成分布型半導体回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249191A JPS62109411A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 電力合成分布型半導体回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109411A JPS62109411A (ja) | 1987-05-20 |
| JPH0520002B2 true JPH0520002B2 (ja) | 1993-03-18 |
Family
ID=17189250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249191A Granted JPS62109411A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | 電力合成分布型半導体回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109411A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4220982B2 (ja) | 2005-06-08 | 2009-02-04 | 富士通株式会社 | 分布型増幅器 |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP60249191A patent/JPS62109411A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62109411A (ja) | 1987-05-20 |
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