JPH0520137A - 高速デ−タダンプ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 システム停止時のダンプ出力処理を短時間に
完了させることにより、サ−ビスを向上させる。 【構成】 磁気記憶装置の他に、拡張記憶装置を接続し
たデ−タ処理システムにおいて、主記憶デ−タのダンプ
出力を、磁気記憶装置に出力するとともに並行して拡張
記憶装置にも出力する。拡張記憶装置に空領域がある限
り繰り返しダンプ出力するようにして、後で両記憶装置
のデ−タを順序より合成して元のデ−タを回復する。な
お、拡張記憶装置に接続された他のデ−タ処理システム
により、デ−タ合成処理、障害探索処理等を行うことも
可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高速デ−タダンプ方法
に関し、特に拡張記憶装置を備えたコンピュ−タシステ
ムにおいて、主記憶デ−タのダンプを行う場合にダンプ
デ−タの出力処理時間を短縮することが可能なデ−タダ
ンプ方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年のデ−タ処理システムは、その利用
範囲の拡大に伴って主記憶装置の容量も増大の一途をた
どっている。一方、デ−タ処理システムでは、ハ−ドウ
ェアまたはソフトウェアの障害があると稼動を停止しな
ければならず、その際には、障害の原因を究明するため
に、主記憶装置の内容を磁気記憶装置（一般には、磁気
テ−プあるいは磁気ディスク）にダンプ出力した後、そ
の出力内容を解析して障害を回復させ、システムを再起
動させている。この場合、主記憶装置のメモリ容量が大
きいときには、ダンプ時間も膨大となり、システムを停
止する時間も長くなる。なお、メモリダンプ方法につい
ては、例えば、『システム支援、日立製作所ＨＩＴＡＣ
マニュアル８０９０−３−９７４』に記述されている。
上記文献に記述された方法では、主記憶装置の内容をダ
ンプする場合、全てのダンプ出力内容を磁気テ−プに書
き込んでいる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】コンピュ−タシステム
が停止した状態で、主記憶デ−タのダンプを磁気記憶装
置だけに出力する場合には、ダンプ出力に要する時間が
出力デ−タ量によっては数十分のオ−ダにまでなること
がある。コンピュ−タシステムがオンライン業務等を行
っている時には、ダンプ出力に要する時間が長いため
に、システムの再稼動までの時間も長くなり、サ−ビス
の低下を招いてしまう。例えば、銀行オンラインシステ
ム等では、デュアルシステムにより予備機を常時待機さ
せておき、現用機が障害になると、主記憶デ−タをダン
プしている間、予備機を現用機として稼動させることが
行われる。しかし、連続して障害が生じる可能性もある
ため、システムの再稼動までの時間を短くすることが望
ましい。本発明の目的は、このような従来の課題を解決
し、ダンプ出力に要する時間を短縮させ、コンピュ−タ
システムの停止時間を短くして、システムのサ−ビス向
上が可能な高速デ−タダンプ方法を提供することにあ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の高速デ−タダンプ方法は、（イ）ある単位
の大きさの主記憶デ−タの領域を磁気記憶装置にダンプ
出力する際に、ダンプ出力が完了するまでの時間に、拡
張記憶装置に対して上記ダンプ出力に引き続くダンプデ
−タを出力し、拡張記憶装置に空き領域がある限り、残
りの主記憶デ−タに対して繰り返し両記憶装置に並行し
てダンプ出力することに特徴がある。また、（ロ）磁気
記憶装置にダンプ出力する際に、ダンプバッファ内にダ
ンプデ−タとダンプデ−タ長および合成のための順序番
号を付加して格納し、先ず磁気記憶装置に出力して磁気
記憶装置に出力中であることを示す出力中フラグをＯＮ
にし、次に拡張記憶装置の空容量をチェックして、空容
量が存在すれば、拡張記憶装置の未使用領域の場所を示
す未使用ポインタを参照して、引き続くダンプデ−タを
拡張記憶装置に出力することにも特徴がある。また、
（ハ）主記憶デ−タは、主記憶デ−タの種類に応じて、
ダンプ出力を磁気記憶装置または拡張記憶装置のいずれ
かを指定して、ダンプ出力することにも特徴がある。さ
らに、（ニ）拡張記憶装置を共有する他のデ−タ処理シ
ステムが接続されており、ダンプ出力を行ったデ−タ処
理システムのダンプ処理に連動して、他のデ−タ処理シ
ステムが該拡張記憶装置および磁気記憶装置に出力され
たダンプデ−タの加工処理を行うことにも特徴がある。

【０００５】

【作用】本発明においては、主記憶装置からのダンプデ
−タを磁気記憶装置に出力している間の出力待ち時間
に、拡張記憶装置にもダンプデ−タを一時的に出力す
る。そのためには、拡張記憶装置にダンプデ−タを出力
する際に、拡張記憶装置の中で使用されていない領域を
検出して表示する。そして、磁気記憶装置と拡張記憶装
置の両方にダンプしたデ−タを、他のプロセッサにより
合成して主記憶装置に格納されていた元のデ−タにする
ことも可能である。本発明のダンプ処理では、システム
が停止した状態で動作し、拡張記憶装置にデ−タを一時
的に出力する方法により、ダンプ処理を短時間で終了さ
せることができる。また、拡張記憶装置の未使用領域を
検出し、これを表示することにより、１個の拡張記憶装
置にシステム稼動中に使用するデ−タと、ダンプデ−タ
を混在させることが可能となる。

【０００６】

【実施例】以下、本発明の実施例を、図面により詳細に
説明する。図１は、本発明の一実施例を示すデ−タダン
プシステムの全体ブロック図である。図１において、１
は対象となる主記憶装置のデ−タを使用して処理を行う
中央処理装置、２は主記憶装置に接続され、半導体メモ
リ素子で構成される拡張記憶装置、３はダンプの対象と
なる主記憶装置、４は中央処理装置に接続されたチャネ
ル装置、５はチャネル装置に接続された外部記憶装置、
すなわち磁気テ−プ装置、磁気ディスク装置等の磁気記
憶装置である。主記憶装置３上には、ダンプデ−タ３１
とダンププログラム３２が格納されている。また、拡張
記憶装置２上の領域は、分割して使用される拡張記憶デ
−タ領域２５と、分割されたブロックの使用／未使用の
状態を管理するマップ領域２６とが存在する。ダンプ処
理では、拡張記憶デ−タ領域２５の中で未使用状態の領
域に対してダンプ出力を行うので、ダンプ処理が既存の
拡張記憶装置２上のデ−タに影響を及ぼすことはない。
また、拡張記憶装置２には他の中央処理装置が接続さ
れ、拡張記憶装置２内のデ−タの読み書きがその中央処
理装置により独立して行われるが、常時、未使用状態を
検出しているため、それらのデ−タに何等影響を及ぼさ
ない。ダンププログラム３２には、ダンプデ−タを磁気
記憶装置５または拡張記憶装置２に出力するためのダン
プバッファ３３、拡張記憶装置２の中の未使用ブロック
の有無を示す空容量フラグ３４、磁気記憶装置５にダン
プデ−タが出力中であるか否かを示す出力中フラグ３
５、空容量フラグ３４がオン（空き有り）を示している
場合に、拡張記憶デ−タ領域２５中の未使用ブロックの
場所を示す未使用ポインタ３６、ダンプデ−タ３１のど
の部分までダンプ出力したかを示すダンプアドレス３７
の各変数領域が設けられる。各変数の初期状態は、空容
量フラグ３４は空き無しを検出しているからオフ状態、
出力中フラグ３５は未だ出力中ではないためオフ状態、
未使用ポインタ３６は空容量フラグ３５がオフになって
いるため無効状態、ダンプアドレス３７はダンプデ−タ
３１の先頭アドレスとなっている。

【０００７】図２は、図１におけるダンプバッファ内に
作成されるダンプデ−タとそれに付加された制御部から
なる出力デ−タのフォ−マット図である。ダンプデ−タ
３１をダンプバッファ３３に格納する場合、磁気記憶装
置５または拡張記憶装置２に出力するための出力デ−タ
が作成される。この出力デ−タは、図２に示すように、
ダンプしたダンプデ−タであるダンプデ−タ部２３と、
それに付加された制御部２０とからなる。制御部２０に
は、出力後のダンプデ−タの合成や編集に必要な順序番
号２１と、ダンプデ−タ長２２がセットされている。磁
気記憶装置５と拡張記憶装置２とに分割されて出力され
たダンプデ−タを後で合成する場合に、この順序番号２
１により合成すれば、主記憶装置３に格納されていた元
のデ−タを再生することができる。また、ダンプデ−タ
長２２を参照すれば、拡張記憶装置２の未使用領域に出
力することができるか否かを判断することができる。

【０００８】図３は、本発明のデ−タダンプ方法の順序
を示すフロ−チャ−トである。先ず、拡張記憶装置２の
マップ領域２６を参照することにより、拡張記憶装置２
上に未使用ブロックがあるか否かを判断し、未使用ブロ
ックが存在する場合には、空容量フラグ３４をオン、未
使用ポインタ３６に該当するアドレスをセットする（ス
テップ１００）。次に、ダンプアドレス３７を調べて、
ダンプデ−タ３１の最後まで達しているか否かを判断す
る（ステップ１０１）。ダダンプすべきンプデ−タ３１
が無くなった場合には、処理を終了する（ＥＮＤ）。ま
た、ダンプデ−タ３１が未だ有る場合には、図２に示す
ように、ダンプバッファ３３にダンプデ−タ部２３と制
御部２０からなる出力デ−タを作成し、ダンプアドレス
３７を次のダンプデ−タのアドレスに進める（ステップ
１０２）。この時点で、制御部２０の中の順序番号２１
とダンプデ−タ長２２に対して、それぞれ順序番号とダ
ンプデ−タ長をセットする。次に、出力先を磁気記憶装
置５にするか、または拡張記憶装置２にするかは、出力
中フラグ３５を判断した後（ステップ１０３）、空容量
フラグ３４を判断することにより（ステップ１０６）、
決定する。すなわち、出力中フラグ３５がオンのときに
は、磁気記憶装置５に出力しているので、拡張記憶装置
２の空容量を調べて、空容量フラグ３４がオンであれ
ば、拡張記憶装置２に出力する（ステップ１０７）。な
お、初期状態では、出力中フラグ３５はオフであるた
め、最初に磁気記憶装置５に出力される（ステップ１０
４）。磁気記憶装置５への出力は非同期処理であるた
め、チャネル装置４に対してデ−タの出力要求を出した
後、出力中フラグ３５をオンにする（ステップ１０
５）。

【０００９】上記の出力中フラグ３５は、磁気記憶装置
５への出力完了の割込み処理によりオフにされる（ステ
ップ１０９）までは変化しない。従って、その間は、引
き続くダンプデ−タを拡張記憶装置２に出力しておくこ
とにより、磁気記憶装置５に出力されるダンプデ−タの
量を削減することができる。すなわち、拡張記憶装置２
は半導体メモリ素子で構成され、容量も小さいので、未
使用領域がなくなることもあるが、未使用領域が存在す
る限りそこにダンプデ−タを出力すれば、磁気記憶装置
５と並行して出力できるので、ダンプ出力時間を短縮す
ることができる。その結果、停止時間は少なくて済む。
拡張記憶装置２の未使用ポインタ３６の示す領域にダン
プデ−タが出力されると（ステップ１０７）、その後に
ステップ１００と同じ方法で拡張記憶装置２の空容量を
判断して、空容量フラグ３４、未使用ポインタ３６を更
新する（ステップ１０８）。そして、ステップ１０１に
戻る。１回目に磁気記憶装置５へ出力している間に、複
数回の拡張記憶装置２へ出力するというプロセスを、ダ
ンプデ−タ３１が無くなるか（ステップ１０１）、ある
いは拡張記憶デ−タ領域２５の空き領域が無くなるまで
（ステップ１０６）、繰り返される。拡張記憶デ−タ領
域２５に空きが無くなった時には、残りのダンプデ−タ
は磁気記憶装置５に出力される（ステップ１０３，１０
４）。

【００１０】システム停止中に拡張記憶装置２に出力さ
れたダンプデ−タは、停止したシステムの再起動後、ま
たは他の稼動中のシステムにより、磁気記憶装置５のダ
ンプデ−タと合成される。合成処理は、ダンプデ−タ中
の順序番号２１の順序にダンプデ−タ３１を並べること
により、達成される。このように、本実施例では、拡張
記憶装置２の空容量の許す限り、ダンプデ−タを一時的
に拡張記憶装置２に出力できるので、ダンプ出力を磁気
記憶装置５だけに出力するよりもはるかに高速処理が可
能となる。また、ダンプデ−タの絶対量が拡張記憶装置
の空容量よりも大きい場合に、最初、拡張記憶装置に出
力した後に、残りを磁気記憶装置に出力する方法に比べ
ると、本発明では、磁気記憶装置への出力と拡張記憶装
置への出力とを同時に行っているので、その時間分だけ
ダンプ処理時間を短縮することができる。

【００１１】次に、本発明の第２の実施例を説明する。
第２の実施例によるダンプ方法は、主記憶装置３のデ−
タを拡張記憶装置２のみにダンプ出力する方法である。
すなわち、空き領域が多い場合、あるいは拡張記憶装置
２の容量が大きい場合には、磁気記憶装置５にダンプデ
−タを出力するよりも、拡張記憶装置２のみに出力する
方が高速処理が可能であり、後で両者のデ−タを合成す
る必要もないため、処理が簡単である。次に、本発明の
第３の実施例を説明する。第３の実施例によるダンプ方
法は、主記憶デ−タの種類により、ダンプ出力の行先の
装置を指定する方法である。すなわち、主記憶装置３の
場所により使用方法が異なり、種類の異なるデ−タが存
在するので、処理装置を運用するためのデ−タ、例えば
ＯＳ等の制御プログラムは拡張記憶装置２にダンプ出力
し、ユ−ザが使用するデ−タ、例えばユ−ザプログラム
は磁気記憶装置５にダンプ出力することも可能である。
次に、本発明の第４の実施例を説明する。第４の実施例
によるダンプ方法は、マルチプロセッサ構成のシステム
において、ダンプ出力を行ったシステムのダンプ処理に
連動して、他のシステムでダンプデ−タの加工を行う方
法である。すなわち、拡張記憶装置２が他の中央処理装
置に共有されている場合に、ダンプ出力を行っている間
に他の中央処理装置で拡張記憶装置２に出力されたダン
プデ−タの解析を行ってしまうこともできる。これによ
り、ダンプ出力が終了した時点で障害の解析も終了する
ので、回復が迅速に行われることになる。また、ダンプ
出力の種類により色付を行うことも可能である。

【００１２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
主記憶デ−タのダンプ処理において、一時的に拡張記憶
装置に対してデ−タを出力するので、システム停止時の
ダンプ出力処理時間を短縮することができる効果があ
る。

【００１３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すデ−タダンプシステム
のブロック構成図である。

【図２】図１におけるダンプバッファ内に作成される出
力デ−タのフォ−マット図である。

【図３】本発明の一実施例を示すデ−タダンプ方法の処
理フロ−チャ−トである。

【符号の説明】

１ 中央処理装置 ２ 拡張記憶装置 ３ 主記憶装置 ４ チャネル装置 ５ 磁気記憶装置 ２１ 順序番号 ２２ ダンプデ−タ長 ２３ ダンプデ−タ部 ２５ デ−タ領域 ２６ マップ領域 ３１ ダンプデ−タ ３２ ダンププログラム ３３ ダンプバッファ ３４ 空容量フラグ ３５ 出力中フラグ ３６ 未使用ポインタ ３７ ダンプアドレス

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 外部記憶装置として高速アクセスが可能
   な拡張記憶装置と、低速アクセスを行う磁気記憶装置と
   を備え、かつ主記憶デ−タをダンプする機能を備えたデ
   −タ処理システムにおいて、ある単位の大きさの主記憶
   デ−タの領域を上記磁気記憶装置にダンプ出力する際
   に、該ダンプ出力が完了するまでの時間に、上記拡張記
   憶装置に対して上記ダンプ出力に引き続くダンプデ−タ
   を出力し、該拡張記憶装置に空き領域がある限り、残り
   の主記憶デ−タに対して繰り返し上記両記憶装置に並行
   してダンプ出力することを特徴とする高速デ−タダンプ
   方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の高速デ−タダンプ方法
   において、上記磁気記憶装置にダンプ出力する際に、ダ
   ンプバッファ内にダンプデ−タと該ダンプデ−タ長およ
   び合成のための順序番号を付加して格納し、先ず磁気記
   憶装置に出力して該磁気記憶装置に出力中であることを
   示す出力中フラグをＯＮにし、次に拡張記憶装置の空容
   量をチェックして、空容量が存在すれば、該拡張記憶装
   置の未使用領域の場所を示す未使用ポインタを参照し
   て、引き続くダンプデ−タを該拡張記憶装置に出力する
   ことを特徴とする高速デ−タダンプ方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の高速デ−タダ
   ンプ方法において、上記主記憶デ−タは、該主記憶デ−
   タの種類に応じて、ダンプ出力を磁気記憶装置または拡
   張記憶装置のいずれかを指定して、ダンプ出力すること
   を特徴とする高速デ−タダンプ方法。
4. 【請求項４】 請求項１または２に記載の高速デ−タダ
   ンプ方法において、上記拡張記憶装置を共有する他のデ
   −タ処理システムが接続されており、ダンプ出力を行っ
   たデ−タ処理システムのダンプ処理に連動して、上記他
   のデ−タ処理システムが該拡張記憶装置および磁気記憶
   装置に出力されたダンプデ−タの加工処理を行うことを
   特徴とするマルチプロセッサによる高速デ−タダンプ方
   法。