JPH05206140A - 回路装置とその製造方法 - Google Patents
回路装置とその製造方法Info
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- JPH05206140A JPH05206140A JP1468692A JP1468692A JPH05206140A JP H05206140 A JPH05206140 A JP H05206140A JP 1468692 A JP1468692 A JP 1468692A JP 1468692 A JP1468692 A JP 1468692A JP H05206140 A JPH05206140 A JP H05206140A
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- insulating film
- conductive polymer
- wiring layer
- polymer material
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路チップあるいは配線基板の回路装置
とその製造方法に関し、弾性ないし可塑性を有する導電
性高分子材料のバンプを用いて集積回路チップを配線基
板上に熱圧着する際にチップに歪みが発生するのを防
ぐ。 【構成】 第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜の上に形
成された配線層６と、この配線層６の上に形成された開
口を有する第２の絶縁膜７と、この第２の絶縁膜７の開
口中に形成された導電性高分子材料のバンプ８を具える
構成を採用した。この導電性高分子材料のバンプ８の表
面に金，銀，白金等の耐蝕性金属の微粒子を被着するこ
とによって配線層との接触抵抗を低減することができ
る。この導電性高分子材料のバンプ８は、導電性高分子
モノマーを含む電界質溶液２中でメッキすることによっ
て形成することができる。
とその製造方法に関し、弾性ないし可塑性を有する導電
性高分子材料のバンプを用いて集積回路チップを配線基
板上に熱圧着する際にチップに歪みが発生するのを防
ぐ。 【構成】 第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜の上に形
成された配線層６と、この配線層６の上に形成された開
口を有する第２の絶縁膜７と、この第２の絶縁膜７の開
口中に形成された導電性高分子材料のバンプ８を具える
構成を採用した。この導電性高分子材料のバンプ８の表
面に金，銀，白金等の耐蝕性金属の微粒子を被着するこ
とによって配線層との接触抵抗を低減することができ
る。この導電性高分子材料のバンプ８は、導電性高分子
モノマーを含む電界質溶液２中でメッキすることによっ
て形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置，電子回路
素子，配線基板等の回路装置およびその製造方法、特
に、それらのバンプの製造方法に関する。
素子，配線基板等の回路装置およびその製造方法、特
に、それらのバンプの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置，電子回路素子，集積
回路装置等の接続用バンプは、それらの配線層の接続用
パッド上にメッキによって、Ｉｎハンダ，Ｐｂハンダ，
Ａｕ等の金属ボールを形成し、これをフェースダウンで
プリント配線基板上の配線層に熱を加えつつ圧着するこ
とによって組み立てられていた。
回路装置等の接続用バンプは、それらの配線層の接続用
パッド上にメッキによって、Ｉｎハンダ，Ｐｂハンダ，
Ａｕ等の金属ボールを形成し、これをフェースダウンで
プリント配線基板上の配線層に熱を加えつつ圧着するこ
とによって組み立てられていた。
【０００３】図４は、従来の回路装置の一例の概略構成
説明図である。この図において、２１は電子回路素子基
板、２２は電子回路素子の配線層、２３は絶縁膜、２４
はバンプ、２５は配線基板、２６は配線基板の配線層で
ある。
説明図である。この図において、２１は電子回路素子基
板、２２は電子回路素子の配線層、２３は絶縁膜、２４
はバンプ、２５は配線基板、２６は配線基板の配線層で
ある。
【０００４】この従来の回路装置においては、例えば集
積回路が形成されている電子回路素子基板２１のＡｕ等
の配線層２２の接続用パッド上にメッキによって、絶縁
膜２３の開口に、Ｉｎハンダ，Ｐｂハンダ，Ａｕ等の金
属ボール２４を形成し、これをフェースダウンで配線基
板２５の配線層２６に加熱しながら圧着して組み立てら
れる。
積回路が形成されている電子回路素子基板２１のＡｕ等
の配線層２２の接続用パッド上にメッキによって、絶縁
膜２３の開口に、Ｉｎハンダ，Ｐｂハンダ，Ａｕ等の金
属ボール２４を形成し、これをフェースダウンで配線基
板２５の配線層２６に加熱しながら圧着して組み立てら
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、近年、集積
回路装置の集積度が高くなるにつれて、集積回路装置内
部と外部回路とを接続するための信号端子の数が大きく
なってきており、この信号端子の数の増大に対応するた
め、集積回路チップの周辺部からだけでなく、集積回路
チップの内部にもバンプを形成して二次元配置したエリ
アバンプが多様されるようになってきた。一方、集積回
路装置の集積度が高くなるにつれて集積回路チップサイ
ズの大型化をもたらしている。
回路装置の集積度が高くなるにつれて、集積回路装置内
部と外部回路とを接続するための信号端子の数が大きく
なってきており、この信号端子の数の増大に対応するた
め、集積回路チップの周辺部からだけでなく、集積回路
チップの内部にもバンプを形成して二次元配置したエリ
アバンプが多様されるようになってきた。一方、集積回
路装置の集積度が高くなるにつれて集積回路チップサイ
ズの大型化をもたらしている。
【０００６】これらの理由により、集積回路チップをフ
ェースダウンで配線基板上に熱圧着する際のストレスに
より、集積回路チップに歪みを生じてチップ内のデバイ
スの特性が劣化したり、あるいはバンプに歪みや変形を
生じて接続状態が劣化したり、チップ自体にクラックが
発生することがあり、これを避けようとすると、圧着の
強度が不充分になることがあった。また、上記の問題は
配線層側にバンプを形成する場合にも生じていた。
ェースダウンで配線基板上に熱圧着する際のストレスに
より、集積回路チップに歪みを生じてチップ内のデバイ
スの特性が劣化したり、あるいはバンプに歪みや変形を
生じて接続状態が劣化したり、チップ自体にクラックが
発生することがあり、これを避けようとすると、圧着の
強度が不充分になることがあった。また、上記の問題は
配線層側にバンプを形成する場合にも生じていた。
【０００７】本発明は、集積回路チップあるいは配線基
板のバンプを、弾性ないし可塑性を有する導電性高分子
材料によって形成することによって、集積回路チップを
配線基板上に熱圧着する際に集積回路チップに歪みが発
生するのを防止することを目的とする。
板のバンプを、弾性ないし可塑性を有する導電性高分子
材料によって形成することによって、集積回路チップを
配線基板上に熱圧着する際に集積回路チップに歪みが発
生するのを防止することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる回路装置
においては、前記の問題を解決するため、第１の絶縁膜
と、該第１の絶縁膜の上に形成された配線層と、該配線
層の上に形成された開口を有する第２の絶縁膜と、該第
２の絶縁膜の開口中に形成された導電性高分子材料のバ
ンプを具える構成を採用した。
においては、前記の問題を解決するため、第１の絶縁膜
と、該第１の絶縁膜の上に形成された配線層と、該配線
層の上に形成された開口を有する第２の絶縁膜と、該第
２の絶縁膜の開口中に形成された導電性高分子材料のバ
ンプを具える構成を採用した。
【０００９】この場合、導電性高分子材料を第２の絶縁
膜の開口の外表面に延在するまで成長させ、または、第
２の絶縁膜の表面を越えて突出するまで成長させること
ができる。
膜の開口の外表面に延在するまで成長させ、または、第
２の絶縁膜の表面を越えて突出するまで成長させること
ができる。
【００１０】また、配線層の表面の少なくとも一部に
金，銀，白金等の耐蝕性金属を形成し、あるいは、導電
性高分子材料のバンプの表面に金，銀，白金等の耐蝕性
金属の微粒子を被着することができる。
金，銀，白金等の耐蝕性金属を形成し、あるいは、導電
性高分子材料のバンプの表面に金，銀，白金等の耐蝕性
金属の微粒子を被着することができる。
【００１１】本発明にかかる回路装置の製造方法におい
ては、第１の絶縁膜の上に配線層を形成する工程と、該
配線層の上に開口を有する第２の絶縁膜を形成する工程
と、該配線層を一方の電極とし、他方の電極との間に導
電性高分子モノマーを含む電解質溶液の中で電流を流
し、該絶縁膜の開口に露出する配線層の上に導電性高分
子材料を成長する工程を採用した。
ては、第１の絶縁膜の上に配線層を形成する工程と、該
配線層の上に開口を有する第２の絶縁膜を形成する工程
と、該配線層を一方の電極とし、他方の電極との間に導
電性高分子モノマーを含む電解質溶液の中で電流を流
し、該絶縁膜の開口に露出する配線層の上に導電性高分
子材料を成長する工程を採用した。
【００１２】
【作用】本発明のように、集積回路チップあるいは配線
基板のバンプを、弾性ないし可塑性を有する導電性高分
子材料によって形成すると、集積回路チップを配線基板
上に熱圧着する際の歪みをこのバンプに吸収させ、集積
回路チップに歪みが加わるのを防止することができる。
また、本発明のように、バンプを導電性高分子モノマー
を含む電解質溶液によるメッキによって形成すると、集
積回路チップあるいは配線基板のバンプを制御性よく効
率よく製造することができる。
基板のバンプを、弾性ないし可塑性を有する導電性高分
子材料によって形成すると、集積回路チップを配線基板
上に熱圧着する際の歪みをこのバンプに吸収させ、集積
回路チップに歪みが加わるのを防止することができる。
また、本発明のように、バンプを導電性高分子モノマー
を含む電解質溶液によるメッキによって形成すると、集
積回路チップあるいは配線基板のバンプを制御性よく効
率よく製造することができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）図１は、第１実施例のバンプの形成方法
説明図である。この図において、１は絶縁性容器、２は
導電性高分子モノマーを含む電解質溶液、３は真空チャ
ック兼正電極、４は負電極、５は集積回路チップ、６は
配線層、７は絶縁膜、８は導電性高分子材料である。
説明図である。この図において、１は絶縁性容器、２は
導電性高分子モノマーを含む電解質溶液、３は真空チャ
ック兼正電極、４は負電極、５は集積回路チップ、６は
配線層、７は絶縁膜、８は導電性高分子材料である。
【００１４】この図によって本実施例の製造方法を説明
する。絶縁性容器１の中の導電性高分子モノマーを含む
電解質溶液２中に、配線層６のバンプ部に開口を有する
絶縁膜７を形成した集積回路チップ５を真空チャック兼
正電極３に装着して浸漬し、これと対向する電極として
Ｐｔからなる負電極４を浸漬する。
する。絶縁性容器１の中の導電性高分子モノマーを含む
電解質溶液２中に、配線層６のバンプ部に開口を有する
絶縁膜７を形成した集積回路チップ５を真空チャック兼
正電極３に装着して浸漬し、これと対向する電極として
Ｐｔからなる負電極４を浸漬する。
【００１５】そして、真空チャック兼正電極３に正の電
圧を、負電極４に負の電圧を印加して電流を流す。な
お、集積回路チップ５の配線層６は真空チャック兼正電
極３に電気的に接続されている。
圧を、負電極４に負の電圧を印加して電流を流す。な
お、集積回路チップ５の配線層６は真空チャック兼正電
極３に電気的に接続されている。
【００１６】このようにすると、負の電荷をもつ導電性
高分子モノマーが正電極側に泳動し、絶縁膜７の開口中
に露出しているＡｕ配線層のパッド上に導電性高分子材
料８が成長する。この導電性高分子モノマーを含む電解
質溶液としては、アセトニトリル（ＣＨ 3 ＣＮ）にピロ
ールモノマー（Ｃ4 Ｈ5 Ｎ）とパラトルエンスルホン酸
テトラメチルアンモニウム（Ｃ6 Ｈ4 （ＣＨ3 ）（ＳＯ
2 Ｎ）（ＣＨ3 ）4 ）を溶解させたものを用いた。
高分子モノマーが正電極側に泳動し、絶縁膜７の開口中
に露出しているＡｕ配線層のパッド上に導電性高分子材
料８が成長する。この導電性高分子モノマーを含む電解
質溶液としては、アセトニトリル（ＣＨ 3 ＣＮ）にピロ
ールモノマー（Ｃ4 Ｈ5 Ｎ）とパラトルエンスルホン酸
テトラメチルアンモニウム（Ｃ6 Ｈ4 （ＣＨ3 ）（ＳＯ
2 Ｎ）（ＣＨ3 ）4 ）を溶解させたものを用いた。
【００１７】この場合、２つの電極の間に電流を流すこ
とにより、パッド部の上に導電性高分子膜の一つである
ポリピロールが成長した。成長したポリピロールの厚さ
は例えば約８０００Åであった。このポリピロールの成
長と同時に電解質溶液中のＳＯ4 がポリピロールの中に
ドーピングされるため、ポリピロールは成長した状態で
導電性をもち、その電気伝導度は約１００Ｓ／ｃｍであ
った。
とにより、パッド部の上に導電性高分子膜の一つである
ポリピロールが成長した。成長したポリピロールの厚さ
は例えば約８０００Åであった。このポリピロールの成
長と同時に電解質溶液中のＳＯ4 がポリピロールの中に
ドーピングされるため、ポリピロールは成長した状態で
導電性をもち、その電気伝導度は約１００Ｓ／ｃｍであ
った。
【００１８】図２（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の回路装置
の概略構成説明図である。この図において、１１は集積
回路チップ、１２は配線層、１３は絶縁膜、１４，１
５，１６は導電性高分子材料、１７は耐蝕性金属微粒子
である。この図によって本発明の態様を説明する。
の概略構成説明図である。この図において、１１は集積
回路チップ、１２は配線層、１３は絶縁膜、１４，１
５，１６は導電性高分子材料、１７は耐蝕性金属微粒子
である。この図によって本発明の態様を説明する。
【００１９】第１態様（図２（Ａ）参照） この態様においては、集積回路チップ１１の上の配線層
１２の上に形成された絶縁膜１３の開口の中に、絶縁膜
１３の厚さに満たない厚さの導電性高分子材料１４を形
成した例である。この態様の集積回路装置を配線基板上
に組み立てる際には、絶縁膜１３の開口を位置合わせに
利用することができる。
１２の上に形成された絶縁膜１３の開口の中に、絶縁膜
１３の厚さに満たない厚さの導電性高分子材料１４を形
成した例である。この態様の集積回路装置を配線基板上
に組み立てる際には、絶縁膜１３の開口を位置合わせに
利用することができる。
【００２０】図３は、本発明の回路装置の組立法の一例
の説明図である。この図において、１８が配線基板、１
９が配線層、２０が絶縁膜、２１がバンプであるほか
は、図１において同符号を付して説明したものと同様で
ある。
の説明図である。この図において、１８が配線基板、１
９が配線層、２０が絶縁膜、２１がバンプであるほか
は、図１において同符号を付して説明したものと同様で
ある。
【００２１】この例においては、図２（Ａ）に示され
た、集積回路チップ１１、配線層１２、絶縁膜１３、導
電性高分子材料１４からなる集積回路装置を、その開口
に、配線基板１８の配線層１９の上に形成された絶縁膜
２０の開口に形成されたバンプ２１を係合することによ
って組み立てている。この実施例によると、位置合わせ
が容易であるほか、配線基板側１８のバンプ２１が弾性
ないし可塑性をもたない金属であっても熱圧着の際に集
積回路装置にかかる応力を緩和でき、かつ、機械的組立
強度を高める効果を有する。この場合、組立に際して、
従来から知られている導電性接着剤を用いることもでき
る。
た、集積回路チップ１１、配線層１２、絶縁膜１３、導
電性高分子材料１４からなる集積回路装置を、その開口
に、配線基板１８の配線層１９の上に形成された絶縁膜
２０の開口に形成されたバンプ２１を係合することによ
って組み立てている。この実施例によると、位置合わせ
が容易であるほか、配線基板側１８のバンプ２１が弾性
ないし可塑性をもたない金属であっても熱圧着の際に集
積回路装置にかかる応力を緩和でき、かつ、機械的組立
強度を高める効果を有する。この場合、組立に際して、
従来から知られている導電性接着剤を用いることもでき
る。
【００２２】第２態様（図２（Ｂ）参照） この態様においては、集積回路チップ１１の上の配線層
１２の上に形成された絶縁膜１３の開口の中に、導電性
高分子材料１５を絶縁膜１３の開口の外表面まで延在し
た例である。この形状はポリチオフェンモノマーを用い
たときに生じやすいが、メッキの際の対向電極の構造に
よっても形成することができる。この例の構造は、バン
プの電流容量を大きくし、機械的強度を高める効果を有
している。
１２の上に形成された絶縁膜１３の開口の中に、導電性
高分子材料１５を絶縁膜１３の開口の外表面まで延在し
た例である。この形状はポリチオフェンモノマーを用い
たときに生じやすいが、メッキの際の対向電極の構造に
よっても形成することができる。この例の構造は、バン
プの電流容量を大きくし、機械的強度を高める効果を有
している。
【００２３】第３態様（図２（Ｃ）参照） この態様においては、集積回路チップ１１の上の配線層
１２の上に形成された絶縁膜１３の開口の中に、導電性
高分子材料１６を絶縁膜１３の開口の表面を越えて突出
させて形成した例である。
１２の上に形成された絶縁膜１３の開口の中に、導電性
高分子材料１６を絶縁膜１３の開口の表面を越えて突出
させて形成した例である。
【００２４】この形状はポリピロールモノマーを用いた
ときに生じやすいが、メッキの際の対向電極の構造によ
っても形成することができる。この例の構造は、突出し
たバンプによって平坦な配線層を有する配線基板に組み
立てることができる効果を有している。なお、耐蝕性金
属微粒子１７については、第４実施例において説明す
る。
ときに生じやすいが、メッキの際の対向電極の構造によ
っても形成することができる。この例の構造は、突出し
たバンプによって平坦な配線層を有する配線基板に組み
立てることができる効果を有している。なお、耐蝕性金
属微粒子１７については、第４実施例において説明す
る。
【００２５】（第３実施例）この実施例においては、こ
れまで説明した集積回路装置の配線層６（図１），１２
（図２，図３）がＡｌ等で形成されている場合に、その
表面の少なくとも一部を金，銀，白金等の耐蝕性金属に
よって形成している。
れまで説明した集積回路装置の配線層６（図１），１２
（図２，図３）がＡｌ等で形成されている場合に、その
表面の少なくとも一部を金，銀，白金等の耐蝕性金属に
よって形成している。
【００２６】配線層としてＡｌ等の酸化しやすい金属を
使用した場合、Ａｌ等の金属とバンプの間に大きな接触
抵抗が生じるが、この実施例によると、低抵抗のオーミ
ック接触を実現することができる効果を生じる。
使用した場合、Ａｌ等の金属とバンプの間に大きな接触
抵抗が生じるが、この実施例によると、低抵抗のオーミ
ック接触を実現することができる効果を生じる。
【００２７】（第４実施例）図２（Ｃ）によって第３実
施例を説明する。この実施例においては、集積回路チッ
プ１１の上の配線層１２の上に形成された絶縁膜１３の
開口の中に、導電性高分子材料１６を絶縁膜１３の開口
の表面を越えて突出させて形成し、その先端近傍の表面
に金，銀，白金等の耐蝕性金属の微粒子を被着してい
る。
施例を説明する。この実施例においては、集積回路チッ
プ１１の上の配線層１２の上に形成された絶縁膜１３の
開口の中に、導電性高分子材料１６を絶縁膜１３の開口
の表面を越えて突出させて形成し、その先端近傍の表面
に金，銀，白金等の耐蝕性金属の微粒子を被着してい
る。
【００２８】この実施例によると、ポリピロール等の導
電性高分子材料１６からなるバンプを含む全表面に厚さ
約２００Åの金，銀，白金等の耐蝕性金属を蒸着し、バ
ンプ以外の領域の耐蝕性金属の微粒子をリフトオフ法に
よって除去する。この蒸着によって、導電性高分子材料
のバンプの表面ないしその内部に金等の耐蝕性金属の微
粒子導入することができ、配線基板の配線層とポリピロ
ールのバンプの電気的接触を良好に保つことができる。
この集積回路装置を配線基板の配線層にフェースダウン
で組み立てる場合は、窒素雰囲気中で、２５０℃の温度
で行う。
電性高分子材料１６からなるバンプを含む全表面に厚さ
約２００Åの金，銀，白金等の耐蝕性金属を蒸着し、バ
ンプ以外の領域の耐蝕性金属の微粒子をリフトオフ法に
よって除去する。この蒸着によって、導電性高分子材料
のバンプの表面ないしその内部に金等の耐蝕性金属の微
粒子導入することができ、配線基板の配線層とポリピロ
ールのバンプの電気的接触を良好に保つことができる。
この集積回路装置を配線基板の配線層にフェースダウン
で組み立てる場合は、窒素雰囲気中で、２５０℃の温度
で行う。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
集積回路装置を配線基板上に組み立てるときに、集積回
路装置に生じる歪みの発生、ひいては、集積回路装置の
特性の劣化を抑制することができる。
集積回路装置を配線基板上に組み立てるときに、集積回
路装置に生じる歪みの発生、ひいては、集積回路装置の
特性の劣化を抑制することができる。
【図１】第１実施例のバンプの形成方法説明図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の回路装置の概略構成
説明図である。
説明図である。
【図３】本発明の回路装置の組立法の一例の説明図であ
る。
る。
【図４】従来の回路装置の一例の概略構成説明図であ
る。
る。
１ 絶縁性容器 ２ 導電性高分子モノマーを含む電解質溶液 ３ 真空チャック兼正電極 ４ 負電極 ５ 集積回路チップ ６ 配線層 ７ 絶縁膜 ８ 導電性高分子材料
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜の上に
形成された配線層と、該配線層の上に形成された開口を
有する第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の該開口中に形
成された導電性高分子材料のバンプを具えることを特徴
とする回路装置。 - 【請求項２】 導電性高分子材料を第２の絶縁膜の開口
の外表面に延在するまで成長させたことを特徴とする請
求項１に記載の回路装置。 - 【請求項３】 導電性高分子材料を第２の絶縁膜の表面
を越えて突出するまで成長させたことを特徴とする請求
項１に記載の回路装置。 - 【請求項４】 配線層の表面の少なくとも一部に金，
銀，白金等の耐蝕性金属が形成されていることを特徴と
する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の回
路装置。 - 【請求項５】 導電性高分子材料のバンプの表面に金，
銀，白金等の耐蝕性金属の微粒子が被着されていること
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に
記載の回路装置。 - 【請求項６】 第１の絶縁膜の上に配線層を形成する工
程と、該配線層の上に開口を有する第２の絶縁膜を形成
する工程と、該配線層を一方の電極とし、他方の電極と
の間に導電性高分子モノマーを含む電解質溶液の中で電
流を流し、該絶縁膜の開口に露出する配線層の上に導電
性高分子材料を成長する工程を含むことを特徴とする回
路装置の製造方法。 - 【請求項７】 導電性高分子材料のバンプの表面に金，
銀，白金等の耐蝕性金属の微粒子を蒸着することによっ
て、該バンプの表面から内部にかけて該耐蝕性金属の微
粒子を導入する工程を含むことを特徴とする請求項６に
記載の回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01468692A JP3218514B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 回路装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01468692A JP3218514B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 回路装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206140A true JPH05206140A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3218514B2 JP3218514B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=11868091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01468692A Expired - Lifetime JP3218514B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 回路装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3218514B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10140666A1 (de) * | 2001-08-24 | 2003-03-13 | Univ Braunschweig Tech | Verfahren und Anordnung zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms |
| JP2008187881A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置 |
-
1992
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| DE10140666A1 (de) * | 2001-08-24 | 2003-03-13 | Univ Braunschweig Tech | Verfahren und Anordnung zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms |
| DE10140666C2 (de) * | 2001-08-24 | 2003-08-21 | Univ Braunschweig Tech | Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms und Verwendung des Verfahrens |
| JP2008187881A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ、アクチュエータの製造方法、光スキャナおよび画像形成装置 |
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