JPH0846104A - 表面実装電子素子およびその製造方法 - Google Patents
表面実装電子素子およびその製造方法Info
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- JPH0846104A JPH0846104A JP15116395A JP15116395A JPH0846104A JP H0846104 A JPH0846104 A JP H0846104A JP 15116395 A JP15116395 A JP 15116395A JP 15116395 A JP15116395 A JP 15116395A JP H0846104 A JPH0846104 A JP H0846104A
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- surface mount
- leadframe
- lead
- leads
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きなフットプリントを必要とせずに熱の回
路基板への流れ込みを防止し、熱エネルギを効果的に吸
収および分散する表面実装パッケージを提供する。 【構成】 表面実装パッケージ(10)は、主熱経路が
実装表面から遠ざかるように、この実装表面を外れて面
するリードフレーム(14)を含む。このパッケージは
T0−220を改造したものとすることができ、リード
フレームのタブ(16)を実装表面に向かって下方向に
折り曲げ、リード(20)をパッケージの下に折り曲げ
る。かかる構造は小さなフットプリントをもちいればよ
く、製造が比較的容易である。
路基板への流れ込みを防止し、熱エネルギを効果的に吸
収および分散する表面実装パッケージを提供する。 【構成】 表面実装パッケージ(10)は、主熱経路が
実装表面から遠ざかるように、この実装表面を外れて面
するリードフレーム(14)を含む。このパッケージは
T0−220を改造したものとすることができ、リード
フレームのタブ(16)を実装表面に向かって下方向に
折り曲げ、リード(20)をパッケージの下に折り曲げ
る。かかる構造は小さなフットプリントをもちいればよ
く、製造が比較的容易である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般的に半導体素子に関
し、更に特定すれば、半導体パッケージに関するもので
ある。
し、更に特定すれば、半導体パッケージに関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】電子産業において、電子素子を組み立て
るには、通常電子パッケージをプリント回路基板上に割
り付ける。これまで入手可能な電子パッケージは、従来
特異な欠点を生じる可能性があった。例えば、従来の電
子パッケージでは、内蔵される電子素子が金属製リード
フレームに取り付けられる。多くの場合、リードフレー
ムは、実装されると、回路基板と対向する。結果的に、
半導体ダイから発散されるべき熱が、リードフレームを
通じて回路基板に流れ込むことになる。プリント回路基
板を通じて熱を発散または分散させるのは、非常に困難
であることは理解されよう。
るには、通常電子パッケージをプリント回路基板上に割
り付ける。これまで入手可能な電子パッケージは、従来
特異な欠点を生じる可能性があった。例えば、従来の電
子パッケージでは、内蔵される電子素子が金属製リード
フレームに取り付けられる。多くの場合、リードフレー
ムは、実装されると、回路基板と対向する。結果的に、
半導体ダイから発散されるべき熱が、リードフレームを
通じて回路基板に流れ込むことになる。プリント回路基
板を通じて熱を発散または分散させるのは、非常に困難
であることは理解されよう。
【0003】加えて、これまで入手可能な電力用半導体
パッケージは大きな「フットプリント(footprint)」を
有し、これが回路基板上でかなりの量のスペースを占
め、部品の実装密度を制限する。例えば、従来の電力用
半導体パッケージの多くはリードフレームのタブ部を有
し、これがリードフレームから延長しパッケージの成形
部分の周囲を通る。この延長タブは熱発散部であるが、
プリント回路基板上でかなりのスペースを占める。過去
におけるフットプリントのサイズを縮小する努力によっ
て、リードフレームのサイズが縮小された。しかしなが
ら、このために、エネルギを吸収し発散するために使用
可能な金属質量(amont of metal mass)が減少し、パッ
ケージの電力および電流サージ能力が制限されてしまう
ことになる(サージの抑制または電流サージの応用につ
いて考慮すべき重要項目である)。
パッケージは大きな「フットプリント(footprint)」を
有し、これが回路基板上でかなりの量のスペースを占
め、部品の実装密度を制限する。例えば、従来の電力用
半導体パッケージの多くはリードフレームのタブ部を有
し、これがリードフレームから延長しパッケージの成形
部分の周囲を通る。この延長タブは熱発散部であるが、
プリント回路基板上でかなりのスペースを占める。過去
におけるフットプリントのサイズを縮小する努力によっ
て、リードフレームのサイズが縮小された。しかしなが
ら、このために、エネルギを吸収し発散するために使用
可能な金属質量(amont of metal mass)が減少し、パッ
ケージの電力および電流サージ能力が制限されてしまう
ことになる(サージの抑制または電流サージの応用につ
いて考慮すべき重要項目である)。
【0004】更に、多くの従来の半導体パッケージのリ
ードフレームは、プリント回路基板に直接接触する。か
かるパッケージ構造では、流動はんだ付け(wave solder
ing)が使用できない。この理由は、流動はんだ付け工程
は、典型的に、基板との接触に非金属部分を必要とする
ので、はんだの最中に基板にかかる部分を接着できなけ
ればならないからである。
ードフレームは、プリント回路基板に直接接触する。か
かるパッケージ構造では、流動はんだ付け(wave solder
ing)が使用できない。この理由は、流動はんだ付け工程
は、典型的に、基板との接触に非金属部分を必要とする
ので、はんだの最中に基板にかかる部分を接着できなけ
ればならないからである。
【0005】
【発明が解決使用とする課題】したがって、回路基板に
入り込む主熱経路(primary heat path)を有さず、大
きなフットプリントも有さず、流動はんだ付けを含む組
立リフロー・プロセスの全てと互換性があり、しかもエ
ネルギを吸収および分散するために利用可能な金属質量
を制限しない、半導体素子用パッケージを有することが
望ましい。
入り込む主熱経路(primary heat path)を有さず、大
きなフットプリントも有さず、流動はんだ付けを含む組
立リフロー・プロセスの全てと互換性があり、しかもエ
ネルギを吸収および分散するために利用可能な金属質量
を制限しない、半導体素子用パッケージを有することが
望ましい。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の一実施例によれ
ば、延長タブおよび電気リードを備え、露出されたリー
ドフレームを有する成形電子素子用パッケージを改造す
ることによって、電子回路表面実装パッケージを提供す
る。好適実施例では、改造される成形電子素子用パッケ
ージはT0−220である。以下に詳しく説明するよう
に、T0−220の延長タブおよびリードを折り曲げ
て、露出されたリードフレームが実装表面の反対側に位
置する表面実装を可能にする。このように、半導体ダイ
はリードフレームに取り付けられ、しかもリードフレー
ムは実装表面の反対側にあるので、本発明の実施例では
回路基板から遠ざかり自由空気(free air)に達する熱経
路が形成される。更に、露出されたリードフレームにヒ
ートシンクを取り付け、更に熱発散を効率的に行うこと
ができるので好都合である。
ば、延長タブおよび電気リードを備え、露出されたリー
ドフレームを有する成形電子素子用パッケージを改造す
ることによって、電子回路表面実装パッケージを提供す
る。好適実施例では、改造される成形電子素子用パッケ
ージはT0−220である。以下に詳しく説明するよう
に、T0−220の延長タブおよびリードを折り曲げ
て、露出されたリードフレームが実装表面の反対側に位
置する表面実装を可能にする。このように、半導体ダイ
はリードフレームに取り付けられ、しかもリードフレー
ムは実装表面の反対側にあるので、本発明の実施例では
回路基板から遠ざかり自由空気(free air)に達する熱経
路が形成される。更に、露出されたリードフレームにヒ
ートシンクを取り付け、更に熱発散を効率的に行うこと
ができるので好都合である。
【0007】
【実施例】ここで本発明の好適実施例をより詳細に示し
た図面を参照する。図1は、代表的な電子回路表面実装
パッケージの斜視図である。図1は電子回路表面実装パ
ッケージ10を示す。本実施例では、電子回路表面実装
パッケージ10は改造されたT0−220パッケージか
ら成る。ここで論ずる実施例では、改造にはリードフレ
ームのタブ部分を直角に折り曲げること、折り曲げたタ
ブと同一方向にパッケージのリードを折り曲げることが
含まれる。パッケージ10は第1外表面12を有する。
この第1外表面12は表面実装素子の「上面」となる。
即ち、第1外表面12は、素子が所定位置に配されたと
き、プリント回路基板でない方を向く。また、パッケー
ジ10は、第1外表面12と対向し平行な第2外表面2
2も含む(図1では隠れているが、他の図には示されて
いる)。
た図面を参照する。図1は、代表的な電子回路表面実装
パッケージの斜視図である。図1は電子回路表面実装パ
ッケージ10を示す。本実施例では、電子回路表面実装
パッケージ10は改造されたT0−220パッケージか
ら成る。ここで論ずる実施例では、改造にはリードフレ
ームのタブ部分を直角に折り曲げること、折り曲げたタ
ブと同一方向にパッケージのリードを折り曲げることが
含まれる。パッケージ10は第1外表面12を有する。
この第1外表面12は表面実装素子の「上面」となる。
即ち、第1外表面12は、素子が所定位置に配されたと
き、プリント回路基板でない方を向く。また、パッケー
ジ10は、第1外表面12と対向し平行な第2外表面2
2も含む(図1では隠れているが、他の図には示されて
いる)。
【0008】第1外表面12は、リードフレームの露出
部分14を露出させる。リードフレーム14の露出部分
は、一体化された延長タブ16を有する剛性の金属リー
ドフレームである。当業者には認められようが、成形電
子回路パッケージ10は、T0−220パッケージの標
準リードフレームの改造版である。したがって、パッケ
ージ10はフラグ部分18を有し、半導体ダイを含む電
子素子がこれに取り付けられる(パッケージ内)。ま
た、パッケージ10は一体化された延長タブ16も有す
る。加えて、当業者には認められようが、パッケージの
リードフレームは複数の電気リード20を含む。パッケ
ージの製造前では、リード20、フラグ18およびタブ
16を含むリードフレームの全部分は、最初は全て同一
打ち抜き金属リードフレーム(stamped metal leadfram
e)の一部であることは理解されよう。
部分14を露出させる。リードフレーム14の露出部分
は、一体化された延長タブ16を有する剛性の金属リー
ドフレームである。当業者には認められようが、成形電
子回路パッケージ10は、T0−220パッケージの標
準リードフレームの改造版である。したがって、パッケ
ージ10はフラグ部分18を有し、半導体ダイを含む電
子素子がこれに取り付けられる(パッケージ内)。ま
た、パッケージ10は一体化された延長タブ16も有す
る。加えて、当業者には認められようが、パッケージの
リードフレームは複数の電気リード20を含む。パッケ
ージの製造前では、リード20、フラグ18およびタブ
16を含むリードフレームの全部分は、最初は全て同一
打ち抜き金属リードフレーム(stamped metal leadfram
e)の一部であることは理解されよう。
【0009】図2に移ると、回路基板24に取り付けら
れた本発明の電子回路表面実装パッケージを示す横断面
図が示されている。図2は、本実施例のある特徴を特に
よく表したものである。具体的には、図2は、電気リー
ド20が矢印26で示される第1方向に折り曲げられ、
次にパッケージの下で第2外表面22に平行に折り曲げ
られることを示す。更に、露出されたリードフレーム1
4の延長タブ16を下方向に、第2表面22に向かって
第3側面28に沿って折り曲げる。延長タブ16を下方
向に折り曲げることによって、大きな金属質量を保持し
つつ、従来のT0−220に比較して小さなフットプリ
ントを得ることができるので、エネルギ吸収および発散
機能を高めることになる。
れた本発明の電子回路表面実装パッケージを示す横断面
図が示されている。図2は、本実施例のある特徴を特に
よく表したものである。具体的には、図2は、電気リー
ド20が矢印26で示される第1方向に折り曲げられ、
次にパッケージの下で第2外表面22に平行に折り曲げ
られることを示す。更に、露出されたリードフレーム1
4の延長タブ16を下方向に、第2表面22に向かって
第3側面28に沿って折り曲げる。延長タブ16を下方
向に折り曲げることによって、大きな金属質量を保持し
つつ、従来のT0−220に比較して小さなフットプリ
ントを得ることができるので、エネルギ吸収および発散
機能を高めることになる。
【0010】リード20は、上述のように、第2外表面
22に平行な部分30を有する。リード20の部分30
は、タブ16の縁32と共通面上にある(coplanar)こと
がわかる。
22に平行な部分30を有する。リード20の部分30
は、タブ16の縁32と共通面上にある(coplanar)こと
がわかる。
【0011】リード部分30はタブの縁32と同一面上
にあるので、素子はその実装側である第2外表面22の
方向に表面実装可能に構成されていることが認められよ
う。実用的な応用の1つでは、パッケージ10を回路基
板24に少量の接着剤34で接着し、続いて流動はんだ
付けを行ことによって、リード20とタブ16の縁32
とを回路基板24に電気的に接着することもできる。リ
ード20の顕著な特徴として、本実施例における構造で
は、リード20とパッケージ10の側面との間にギャッ
プ36が存在することがあげられる。かかる構造は、パ
ッケージ内部のリード部分へ転移される応力の減少等、
製造上の利点をいくつか得ることができる。加えて、図
示したリード20の構造に関して、リード20の部分3
0は第2外表面22に隣接していることを指摘してお
く。この構造は、更にパッケージのフットプリントを小
さくすることができ、望ましいものである。しかしなが
ら、別の用途では、他のリード構造が適切な場合もある
ことは理解されよう。
にあるので、素子はその実装側である第2外表面22の
方向に表面実装可能に構成されていることが認められよ
う。実用的な応用の1つでは、パッケージ10を回路基
板24に少量の接着剤34で接着し、続いて流動はんだ
付けを行ことによって、リード20とタブ16の縁32
とを回路基板24に電気的に接着することもできる。リ
ード20の顕著な特徴として、本実施例における構造で
は、リード20とパッケージ10の側面との間にギャッ
プ36が存在することがあげられる。かかる構造は、パ
ッケージ内部のリード部分へ転移される応力の減少等、
製造上の利点をいくつか得ることができる。加えて、図
示したリード20の構造に関して、リード20の部分3
0は第2外表面22に隣接していることを指摘してお
く。この構造は、更にパッケージのフットプリントを小
さくすることができ、望ましいものである。しかしなが
ら、別の用途では、他のリード構造が適切な場合もある
ことは理解されよう。
【0012】当業者は、図2の断面図のある構造、即
ち、リードフレームのフラグ部分18に公知の方法で取
り付けられた半導体ダイ40を認めよう。ある実施例で
は、半導体素子40は、サイリスタ、トランジスタ、ダ
イオードまたはその他の個別電力用素子を含む。加え
て、本発明によるある実施例は、アナログ・レギュレー
タやデジタル素子を含む全く異なる種類の素子にも適し
ている。
ち、リードフレームのフラグ部分18に公知の方法で取
り付けられた半導体ダイ40を認めよう。ある実施例で
は、半導体素子40は、サイリスタ、トランジスタ、ダ
イオードまたはその他の個別電力用素子を含む。加え
て、本発明によるある実施例は、アナログ・レギュレー
タやデジタル素子を含む全く異なる種類の素子にも適し
ている。
【0013】更に、当業者には認められようが、半導体
ダイ40はリード20に、したがって回路基板24およ
び図示しない他の関連する素子に、ボンド42によって
表されるワイヤ・ボンドによって電気的に接続される。
また、ダイ40、リード20の内部、ワイヤ・ボンド4
2、およびその他のパッケージ内部構造は、公知の方法
にしたがって、封入材44によって封入されることも理
解されよう。
ダイ40はリード20に、したがって回路基板24およ
び図示しない他の関連する素子に、ボンド42によって
表されるワイヤ・ボンドによって電気的に接続される。
また、ダイ40、リード20の内部、ワイヤ・ボンド4
2、およびその他のパッケージ内部構造は、公知の方法
にしたがって、封入材44によって封入されることも理
解されよう。
【0014】図3は、本発明による電子回路表面実装パ
ッケージの別の実施例の側面図である。図3に示す実施
例と先に述べた実施例との間の顕著な相違は、第2外表
面(実装側)22から、第1外表面12より遠ざかる方
向に延びる突起50である。突起50は、リード部分3
0および延長タブ16の縁部32と同一平面にある底面
52を有する。本実施例は、標準T0−220成形品を
改造し、突起50を形成することによって製造すること
ができる。突起50は、表面実装パッケージ10が、非
常に薄い接着剤層による接着によって実装可能とするも
のである。
ッケージの別の実施例の側面図である。図3に示す実施
例と先に述べた実施例との間の顕著な相違は、第2外表
面(実装側)22から、第1外表面12より遠ざかる方
向に延びる突起50である。突起50は、リード部分3
0および延長タブ16の縁部32と同一平面にある底面
52を有する。本実施例は、標準T0−220成形品を
改造し、突起50を形成することによって製造すること
ができる。突起50は、表面実装パッケージ10が、非
常に薄い接着剤層による接着によって実装可能とするも
のである。
【0015】図4は電子回路表面実装パッケージ10の
別の実施例を示す。本実施例の電子回路表面実装パッケ
ージ10と先の実施例との相違の1つは、露出されたリ
ードフレーム16(図1では見ることができるが、図4
では隠れている)に直接取り付けられたヒートシンク5
4を付け加えたことである。ヒートシンク54を直接リ
ードフレーム16に取り付けることによって、パッケー
ジを実装する回路基板から離れた上方に、望ましい熱経
路が設けられることが認められよう。図4に示す実施例
のその他の特徴的な構造は、図1に示す3本のリード2
0の代わりに、2本の電気リード56を有することであ
る。
別の実施例を示す。本実施例の電子回路表面実装パッケ
ージ10と先の実施例との相違の1つは、露出されたリ
ードフレーム16(図1では見ることができるが、図4
では隠れている)に直接取り付けられたヒートシンク5
4を付け加えたことである。ヒートシンク54を直接リ
ードフレーム16に取り付けることによって、パッケー
ジを実装する回路基板から離れた上方に、望ましい熱経
路が設けられることが認められよう。図4に示す実施例
のその他の特徴的な構造は、図1に示す3本のリード2
0の代わりに、2本の電気リード56を有することであ
る。
【0016】図5は、本発明の一実施例による形式で、
T0−220を改造するための装置を示す。T0−22
0 60は固定具62に挿入される。固定具62は部分
64を有し、その周囲に沿って延長タブ16が折り曲げ
られる。工具66は研磨されかつ傾斜した表面を有し、
その移動の開始において、その最外部が延長タブ16と
接触し、タブ16を徐々に押し下げ、部分64周囲にタ
ブ16を折り曲げる。工具66は、延長タブ16と幅が
等しいスロット68を有する。傾斜した研磨表面に代わ
って、工具66は広いローラ・ベアリング(roller bear
ing)を利用してタブ16と接触し、部分64周囲に折り
曲げることもできる。加えて、固定具62に関節を設
け、締結力を部分64と固定具62の表面65との間で
保持することによって、ダイを含むパッケージの成形部
分内部に力の転移が生じないようにすることもできる。
タブ16の折り曲げは、他の多くの方法でも可能である
ことは認められよう。しかしながら、全ての場合におい
て、パッケージおよび当該パッケージ内の半導体ダイに
転移される機械的衝撃を最少に抑えるように注意しなく
てはならないことも認められよう。
T0−220を改造するための装置を示す。T0−22
0 60は固定具62に挿入される。固定具62は部分
64を有し、その周囲に沿って延長タブ16が折り曲げ
られる。工具66は研磨されかつ傾斜した表面を有し、
その移動の開始において、その最外部が延長タブ16と
接触し、タブ16を徐々に押し下げ、部分64周囲にタ
ブ16を折り曲げる。工具66は、延長タブ16と幅が
等しいスロット68を有する。傾斜した研磨表面に代わ
って、工具66は広いローラ・ベアリング(roller bear
ing)を利用してタブ16と接触し、部分64周囲に折り
曲げることもできる。加えて、固定具62に関節を設
け、締結力を部分64と固定具62の表面65との間で
保持することによって、ダイを含むパッケージの成形部
分内部に力の転移が生じないようにすることもできる。
タブ16の折り曲げは、他の多くの方法でも可能である
ことは認められよう。しかしながら、全ての場合におい
て、パッケージおよび当該パッケージ内の半導体ダイに
転移される機械的衝撃を最少に抑えるように注意しなく
てはならないことも認められよう。
【0017】また、本発明のいずれかの実施例を達成す
るためリードを短縮しかつ折り曲げるには、種々の方法
を使用可能であることも理解されよう。好適実施例は、
図2に示すギャップ36を含む構造を達成する順送りダ
イ(progressive die)を含む。具体的には、第1ダイが
第1方向26に沿ってリードを下方向に折り曲げ、第2
ダイが第2(底)外表面22に沿ってリードを折り曲げ
る。
るためリードを短縮しかつ折り曲げるには、種々の方法
を使用可能であることも理解されよう。好適実施例は、
図2に示すギャップ36を含む構造を達成する順送りダ
イ(progressive die)を含む。具体的には、第1ダイが
第1方向26に沿ってリードを下方向に折り曲げ、第2
ダイが第2(底)外表面22に沿ってリードを折り曲げ
る。
【0018】以上の説明から、小さなフットプリント、
実装されるいずれの回路基板からも上方向に遠ざかるよ
うに延びる熱経路、高いエネルギ吸収および分散力が得
られる大金属質量、および流動はんだ付けを含む全ての
組立リフロー・プロセスに適したパッケージ等の利点を
提供する電子回路表面実装パッケージについて記載した
ことが認められよう。他の利点としては、一実施例では
既存のT0−220を改造するため、製造が経済的であ
ることがあげられる。
実装されるいずれの回路基板からも上方向に遠ざかるよ
うに延びる熱経路、高いエネルギ吸収および分散力が得
られる大金属質量、および流動はんだ付けを含む全ての
組立リフロー・プロセスに適したパッケージ等の利点を
提供する電子回路表面実装パッケージについて記載した
ことが認められよう。他の利点としては、一実施例では
既存のT0−220を改造するため、製造が経済的であ
ることがあげられる。
【0019】好適実施例を参照して本発明を特定して示
し且つ記載したが、本発明の精神および範囲から逸脱す
ることなく、形式および詳細において変更が可能である
ことは当業者には認められよう。
し且つ記載したが、本発明の精神および範囲から逸脱す
ることなく、形式および詳細において変更が可能である
ことは当業者には認められよう。
【図1】電子回路表面実装パッケージを表わす斜視図。
【図2】回路基板に取り付けられた代表的な電子回路表
面実装パッケージの横断面図。
面実装パッケージの横断面図。
【図3】回路基板に取り付けられた別の電子回路表面実
装パッケージの側面図。
装パッケージの側面図。
【図4】別の電子回路表面実装パッケージの斜視図。
【図5】電子回路表面実装パッケージを製造するために
用いられる装置を表わす側面図。
用いられる装置を表わす側面図。
10 表面実装素子用パッケージ 12 第1外表面 14 剛性金属リードフレーム 16 延長タブ 18 フラグ 20,56 電気リード 22 第2外表面 24 回路基板 28 第3側面 30 折り曲げリード 34 接着剤 36 ギャップ 40 半導体素子 42 ボンド 44 封入材 50 突起 54 ヒートシンク 62 固定具 66 工具 68 スロット
Claims (3)
- 【請求項1】表面実装素子用パッケージ(10)であっ
て:第1外表面(12);前記第1外表面(12)に対
向しかつこれと平行な第2外表面(22);および延長
タブ(16)を有する剛性金属リードフレーム(14)
であって、前記第1外表面(12)と同一面に配置され
た前記リードフレーム(14);から成り、前記第2外
表面(22)の方向に動作のために実装可能であること
を特徴とする表面実装素子用パッケージ(10)。 - 【請求項2】表面実装素子用パッケージの製造方法であ
って:複数のリード(20)と延長タブ・リードフレー
ム(14)とを有するT0−220を用意する段階;前
記複数のリード(20)を第1方向に折り曲げることに
よって、折り曲げリード(30)を形成する段階;およ
び前記タブ(32)の縁が前記折り曲げリード(30)
と同一平面上に位置するように、前記延長タブ・リード
フレーム(14)を前記第1方向に折り曲げる段階;か
ら成ることを特徴とする方法。 - 【請求項3】電子表面実装素子用パッケージであって:
成形パッケージ(10);延長タブ(16)と、前記パ
ッケージ(12)の第1表面に沿って露出された露出リ
ードフレーム(14);前記パッケージの実装側面(2
2)に平行な面に配された複数のリード(30);およ
び前記成形パッケージ(10)の第3側面(28)に沿
って、前記実装側面(22)に向かう方向に折り曲げら
れた延長タブ(16);から成ることを特徴とする電子
表面実装素子用パッケージ。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US251433 | 1988-09-30 | ||
| US25143394A | 1994-05-31 | 1994-05-31 |
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|---|---|
| JPH0846104A true JPH0846104A (ja) | 1996-02-16 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP (1) | JPH0846104A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349347A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2005259758A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011023463A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 半導体モジュール |
| JP2012069887A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Denso Corp | 半導体モジュール |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260568A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5939753A (en) * | 1997-04-02 | 1999-08-17 | Motorola, Inc. | Monolithic RF mixed signal IC with power amplification |
| US6075286A (en) * | 1997-06-02 | 2000-06-13 | International Rectifier Corporation | Stress clip design |
| US5917704A (en) * | 1997-10-06 | 1999-06-29 | Ford Motor Company | Laser-solderable electronic component |
| DE19806817C1 (de) * | 1998-02-18 | 1999-07-08 | Siemens Ag | EMV-optimierter Leistungsschalter |
| US6395983B1 (en) | 1999-05-18 | 2002-05-28 | Pulse Engineering, Inc. | Electronic packaging device and method |
| DE10114125A1 (de) * | 2001-03-22 | 2002-09-26 | Isad Electronic Sys Gmbh & Co | Aus mehreren Leistungsmodulen bestehende elektronische Leistungsschaltung |
| US6977431B1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-12-20 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US7466016B2 (en) * | 2007-04-07 | 2008-12-16 | Kevin Yang | Bent lead transistor |
| US7893545B2 (en) | 2007-07-18 | 2011-02-22 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device |
| US8227908B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-07-24 | Infineon Technologies Ag | Electronic device having contact elements with a specified cross section and manufacturing thereof |
| US11432407B2 (en) | 2016-10-28 | 2022-08-30 | Xfmrs, Inc. | Electrical component package with reinforced molded pins |
| US10531573B2 (en) * | 2016-10-28 | 2020-01-07 | Xfmrs, Inc. | Electrical component package with reinforced molded pins |
| JP6891904B2 (ja) * | 2017-02-06 | 2021-06-18 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール、電気自動車およびパワーコントロールユニット |
| DE102017120753B4 (de) | 2017-09-08 | 2021-04-29 | Infineon Technologies Austria Ag | SMD-Package mit Oberseitenkühlung |
| DE102017120747B4 (de) * | 2017-09-08 | 2020-07-30 | Infineon Technologies Austria Ag | SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung und Verfahren zu seiner Bereitstellung |
| DE102018115509A1 (de) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Infineon Technologies Ag | Wärmedissipationsvorrichtung, Halbleiterpackagingsystem und Verfahren zum Herstellen derselben |
| WO2023063976A1 (en) * | 2021-10-15 | 2023-04-20 | Vitesco Technologies USA, LLC | Semiconductor power device with press-fit mounting |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266376A (en) * | 1975-11-29 | 1977-06-01 | Hitachi Ltd | Device and manufacture of resin body type semiconductor |
| DE2712543C2 (de) * | 1976-03-24 | 1982-11-11 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Anordnung eines Halbleiterbauelements auf einer Montageplatte |
| US4270138A (en) * | 1979-03-02 | 1981-05-26 | General Electric Company | Enhanced thermal transfer package for a semiconductor device |
| US4451973A (en) * | 1981-04-28 | 1984-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
| IT8224533A0 (it) * | 1982-12-01 | 1982-12-01 | Ora Sgs Microelettronica Spa S | Contenitore in metallo e resina ad elevata affidabilita' per dispositivo a semiconduttore. |
| US4542439A (en) * | 1984-06-27 | 1985-09-17 | At&T Technologies, Inc. | Surface mount component |
| FR2588122B1 (fr) * | 1985-10-01 | 1988-06-24 | Radiotechnique Compelec | Dispositif semi-conducteur de puissance pour montage en surface |
| US4647959A (en) * | 1985-05-20 | 1987-03-03 | Tektronix, Inc. | Integrated circuit package, and method of forming an integrated circuit package |
| JPS61285821A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-16 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 電子スイツチ |
| KR960015106B1 (ko) * | 1986-11-25 | 1996-10-28 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 면실장형 반도체패키지 포장체 |
| US5018005A (en) * | 1989-12-27 | 1991-05-21 | Motorola Inc. | Thin, molded, surface mount electronic device |
| DE4039037C1 (en) * | 1990-12-07 | 1992-02-20 | Semikron Elektronik Gmbh, 8500 Nuernberg, De | Mfg. electronic components using conductor frame - providing retaining strips in parallel with connecting tags and encapsulating chip, solder metal and contact strap |
| JP2971637B2 (ja) * | 1991-06-17 | 1999-11-08 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| JP2876846B2 (ja) * | 1991-08-28 | 1999-03-31 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH05206319A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP15116395A patent/JPH0846104A/ja active Pending
- 1995-05-29 EP EP19950108174 patent/EP0687007A3/en not_active Withdrawn
- 1995-06-23 US US08/493,945 patent/US5581118A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349347A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US7245004B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-07-17 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2005259758A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011023463A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 半導体モジュール |
| JP2012069887A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Denso Corp | 半導体モジュール |
| CN102420199A (zh) * | 2010-09-27 | 2012-04-18 | 株式会社电装 | 半导体模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0687007A2 (en) | 1995-12-13 |
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