JPH05206576A - 二重チャネル半導体レーザ及びその製造法 - Google Patents
二重チャネル半導体レーザ及びその製造法Info
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- JPH05206576A JPH05206576A JP4191153A JP19115392A JPH05206576A JP H05206576 A JPH05206576 A JP H05206576A JP 4191153 A JP4191153 A JP 4191153A JP 19115392 A JP19115392 A JP 19115392A JP H05206576 A JPH05206576 A JP H05206576A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】光ファイバ接合の光学増幅器内で使用するポン
プレーザ及びその製造法を提供する。 【構成】リン化インジウムまたはヒ化ガリウムの半導体
レーザの付勢電流は、近接及び遠隔電流遮断手段により
レーザ帯内に限定される。近接電流遮断手段ＪＢは、帯
を限定する二つの側方チャネルＣＬ内に形成された遮断
接合により形成される。遠隔電流遮断手段は、側方チャ
ネルを腐食する前にエピタキシャル成長させた鉄-ドー
プした半-絶縁層２０，２２により形成される。
プレーザ及びその製造法を提供する。 【構成】リン化インジウムまたはヒ化ガリウムの半導体
レーザの付勢電流は、近接及び遠隔電流遮断手段により
レーザ帯内に限定される。近接電流遮断手段ＪＢは、帯
を限定する二つの側方チャネルＣＬ内に形成された遮断
接合により形成される。遠隔電流遮断手段は、側方チャ
ネルを腐食する前にエピタキシャル成長させた鉄-ドー
プした半-絶縁層２０，２２により形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、二重チャネル半導体レ
ーザ及びその製造法に関する。
ーザ及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この型のレーザ構造は、“異構造に埋蔵
された二重チャネル面（Double Channel Planar Buried
Heterostructure）”を表す頭文字ＤＣＰＢＨにより世
界的に公知である。これは、リン化インジウムの形の基
材と、ヒ化ガリウムをさらに含む活性材料とから製造さ
れ得る。従って、これは、エルビウム-ドープ増幅ファ
イバを含む長距離輸送ファイバ光学結合に使用され得
る、1480nmの波長を放出するポンプレーザとして使用さ
れ得る。
された二重チャネル面（Double Channel Planar Buried
Heterostructure）”を表す頭文字ＤＣＰＢＨにより世
界的に公知である。これは、リン化インジウムの形の基
材と、ヒ化ガリウムをさらに含む活性材料とから製造さ
れ得る。従って、これは、エルビウム-ドープ増幅ファ
イバを含む長距離輸送ファイバ光学結合に使用され得
る、1480nmの波長を放出するポンプレーザとして使用さ
れ得る。
【０００３】この種のレーザは、以下に記載するその機
能により、従来のレーザ及び本発明のレーザと共通であ
り且つ、本発明の場合図１の縦断面図に示されるような
以下の要素を含む： −（通常の半導体の）ウエハ２は、内部結晶格子連続部
分を特徴とし、且つ主表面４、８の間に厚みを有する。
ウエハは、その厚み方向である垂直方向Ｚ、縦方向Ｘ及
び水平方向で且つ大体直角である横方向のＹを限定す
る。二つの主表面は、下方電極６により被覆された下方
表面４と、上方電極で被覆された上方表面８である。ウ
エハは、下方表面から上方表面に垂直方向に連続した層
により製造されている。これは、縦方向に伸び、且つ横
方向に並べた多様な領域を有している。この領域の一つ
は、帯領域ＺＲであり、この部分ではウエハは、以下の
連続層： −第１の型の導電率を有する下方注入層25と、−領域Ｚ
Ｒ内にレーザ帯14Ａを構築する活性層14と、及び−第２
の型の導電率を有する上方注入層16とを含む。
能により、従来のレーザ及び本発明のレーザと共通であ
り且つ、本発明の場合図１の縦断面図に示されるような
以下の要素を含む： −（通常の半導体の）ウエハ２は、内部結晶格子連続部
分を特徴とし、且つ主表面４、８の間に厚みを有する。
ウエハは、その厚み方向である垂直方向Ｚ、縦方向Ｘ及
び水平方向で且つ大体直角である横方向のＹを限定す
る。二つの主表面は、下方電極６により被覆された下方
表面４と、上方電極で被覆された上方表面８である。ウ
エハは、下方表面から上方表面に垂直方向に連続した層
により製造されている。これは、縦方向に伸び、且つ横
方向に並べた多様な領域を有している。この領域の一つ
は、帯領域ＺＲであり、この部分ではウエハは、以下の
連続層： −第１の型の導電率を有する下方注入層25と、−領域Ｚ
Ｒ内にレーザ帯14Ａを構築する活性層14と、及び−第２
の型の導電率を有する上方注入層16とを含む。
【０００４】これらのレーザは、活性系を構築する。こ
れらは、非常に良く製造されているので、電極６、10を
介して接続した極性電流は、反対の型の注入層帯電キャ
リヤからレーザ帯14Ａに垂直に流れ、帯内のレーザ光を
増幅することができる。この帯は、周囲層12、25、16、
26、20及び22よりも高い屈折率をしており、この光のた
めにガイドを構築する。この注入層は、帯領域を越えて
横方向に伸長している。ウエハ２は、帯領域ＺＲの個々
の側から各々伸びる二つの側方配列を有する。このよう
な各連続部分は、側方チャネルＣＬが上方注入層と置換
されている近接側方領域ＺＣ、活性層及び下方注入層の
少なくとも上方部分を含む。このチャネルは、第２の型
の導電率を有する下方遮断層20と、その上に第１の型の
導電率を有する上方遮断層22とを有するので、この二つ
の遮断層は、これらの間に帯領域ＺＲ内に電流を制限す
る傾向のある近接電流遮断手段を構築する極性電流用の
遮断接合部分ＪＢを形成する。
れらは、非常に良く製造されているので、電極６、10を
介して接続した極性電流は、反対の型の注入層帯電キャ
リヤからレーザ帯14Ａに垂直に流れ、帯内のレーザ光を
増幅することができる。この帯は、周囲層12、25、16、
26、20及び22よりも高い屈折率をしており、この光のた
めにガイドを構築する。この注入層は、帯領域を越えて
横方向に伸長している。ウエハ２は、帯領域ＺＲの個々
の側から各々伸びる二つの側方配列を有する。このよう
な各連続部分は、側方チャネルＣＬが上方注入層と置換
されている近接側方領域ＺＣ、活性層及び下方注入層の
少なくとも上方部分を含む。このチャネルは、第２の型
の導電率を有する下方遮断層20と、その上に第１の型の
導電率を有する上方遮断層22とを有するので、この二つ
の遮断層は、これらの間に帯領域ＺＲ内に電流を制限す
る傾向のある近接電流遮断手段を構築する極性電流用の
遮断接合部分ＪＢを形成する。
【０００５】次に、領域の側方配列は、帯領域内の極性
電流を制限する近接電流遮断手段と協働する遠隔電流遮
断手段を構築する電気的に抵抗層である、遠隔側方領域
ＺＤをさらに含む。遠隔電流遮断手段を有することは、
本発明に特異的であり、以下に詳細を記載する。
電流を制限する近接電流遮断手段と協働する遠隔電流遮
断手段を構築する電気的に抵抗層である、遠隔側方領域
ＺＤをさらに含む。遠隔電流遮断手段を有することは、
本発明に特異的であり、以下に詳細を記載する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のレーザ及び本発
明のレーザに共通な特徴を参照すると、遮断層20、22
は、遠隔側方領域に広がるが、帯領域には伸びていない
ので、これは好適なエピタキシャル成長法を使用するこ
とにより実施し、層を成長させることができる。これら
が形成する遮断接合部分は、その部分でこれらが十分に
厚いため、チャネル内の電流を遮断する。他方、遠隔側
方層部分では、遮断層が薄くなっているため、遮断は完
全ではない。
明のレーザに共通な特徴を参照すると、遮断層20、22
は、遠隔側方領域に広がるが、帯領域には伸びていない
ので、これは好適なエピタキシャル成長法を使用するこ
とにより実施し、層を成長させることができる。これら
が形成する遮断接合部分は、その部分でこれらが十分に
厚いため、チャネル内の電流を遮断する。他方、遠隔側
方層部分では、遮断層が薄くなっているため、遮断は完
全ではない。
【０００７】従って、遠隔電流遮断手段が必要となる。
【０００８】上方注入層16及びこれらの遮断層は、その
上により強固にドープした接触層28である、第２の型の
導電率を有するより厚い付加層26を有する。
上により強固にドープした接触層28である、第２の型の
導電率を有するより厚い付加層26を有する。
【０００９】二つの鏡（示されていない）は、半導体ウ
エハの表面を縦方向に制御し、レーザエミッタを構築す
ることにより形成される。
エハの表面を縦方向に制御し、レーザエミッタを構築す
ることにより形成される。
【００１０】これらの共通の特徴及び装置を有する第１
の従来技術のレーザは、JAPANESE JOURNAL OF APPLIED
PHYSICS．vol.25，No 6，1986年6月，PART II，TOKYO，
JP P435-436；S.L.SHI.ら：“BH INGaAsp Lasers with
an LPE grown semi-insulating layer”に記載されてい
る。
の従来技術のレーザは、JAPANESE JOURNAL OF APPLIED
PHYSICS．vol.25，No 6，1986年6月，PART II，TOKYO，
JP P435-436；S.L.SHI.ら：“BH INGaAsp Lasers with
an LPE grown semi-insulating layer”に記載されてい
る。
【００１１】このレーザに於いて、付勢電流（energiza
tion electrical current）は、近接側方領域及び遠隔
側方領域では、エピタキシャル成長した三つの重なった
層により遮断されている。これらの層の二つは、遮断半
導体接合部分を形成する。第３の層は、半-絶縁性であ
るように十分な電気抵抗率を付与する改質不純物（コバ
ルト）を含んでいる。
tion electrical current）は、近接側方領域及び遠隔
側方領域では、エピタキシャル成長した三つの重なった
層により遮断されている。これらの層の二つは、遮断半
導体接合部分を形成する。第３の層は、半-絶縁性であ
るように十分な電気抵抗率を付与する改質不純物（コバ
ルト）を含んでいる。
【００１２】この配置は、このようにして付着された層
が、チャネルの外端部、即ち、近接及び遠隔側方領域の
間の境界部でピンチングを起こす欠点がある。このよう
なピンチングは、いずれも必要な電気的制限を阻害して
しまう。
が、チャネルの外端部、即ち、近接及び遠隔側方領域の
間の境界部でピンチングを起こす欠点がある。このよう
なピンチングは、いずれも必要な電気的制限を阻害して
しまう。
【００１３】これらの共通な特徴及び配置を有する従来
技術の第２のレーザは、欧州特許出願第161 016号（Phi
lips）に記載されている。
技術の第２のレーザは、欧州特許出願第161 016号（Phi
lips）に記載されている。
【００１４】従来技術の第２のレーザでは、遠隔電流遮
断手段が、記載の如くウエハが製造された後に、基材の
抵抗率を増加させる結晶欠陥をその中に誘発する、遠隔
側方領域に局在化されたイオン射突により形成されてい
る。好適な深さに貫通するためにイオン射突には、プロ
トンを使用している。このようにしてこの領域に製造し
た電気抵抗率は、当初はレーザを正しく作動させるのに
十分に高かった。しかしながら、結晶欠陥は、ウエハの
温度が高くなると、段々元に戻ってしまうため、レーザ
の信頼性及び使用範囲を減少させてしまう。
断手段が、記載の如くウエハが製造された後に、基材の
抵抗率を増加させる結晶欠陥をその中に誘発する、遠隔
側方領域に局在化されたイオン射突により形成されてい
る。好適な深さに貫通するためにイオン射突には、プロ
トンを使用している。このようにしてこの領域に製造し
た電気抵抗率は、当初はレーザを正しく作動させるのに
十分に高かった。しかしながら、結晶欠陥は、ウエハの
温度が高くなると、段々元に戻ってしまうため、レーザ
の信頼性及び使用範囲を減少させてしまう。
【００１５】本発明の目的は、高温でも信頼性があり且
つ製造時でも操作が容易であるレーザを、簡単に製造で
きるようにすることである。
つ製造時でも操作が容易であるレーザを、簡単に製造で
きるようにすることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】一態様に於いて、本発明
は、付勢電流が、一方では、レーザ帯を限定する側方チ
ャネルに形成された近接電流遮断手段によりレーザ帯内
で、他方では、前記チャネルの下及びその外部斜面から
直接、その結晶格子がレーザの半導体層と連続してい
る、内部半-絶縁層により限定されている二重チャネル
半導体レーザからなる。
は、付勢電流が、一方では、レーザ帯を限定する側方チ
ャネルに形成された近接電流遮断手段によりレーザ帯内
で、他方では、前記チャネルの下及びその外部斜面から
直接、その結晶格子がレーザの半導体層と連続してい
る、内部半-絶縁層により限定されている二重チャネル
半導体レーザからなる。
【００１７】本発明のもう一つの態様では、以下の： −第１の型の導電率を有する半導体基板を製造し、−前
記基板を製造後、前記第１の型の導電率を有する下方注
入層をエピタキシャル成長させ、−前記下方注入層を成
長後、反対の型の帯電キャリヤの組換えによりレーザ光
を増幅するために適合させた活性材料を備えた活性層を
エピタキシャル成長させ、−前記活性層を成長後、前記
第２の型の導電率を有する上方注入層をエピタキシャル
成長させ、これにより前記二つの注入層の間に実質的に
流れる極性電流が、レーザ光を増幅するのに必要な反対
の型の帯電キャリヤを前記活性層に注入し、−前記活性
層を成長後、同一縦方向に二つのチャネルをエッチング
し、前記チャネル間に残っている予め成長させた層の部
分が二つの端を有するメサを構築し、前記メサに含まれ
る活性層の一部が、各チャネルがメサから離れた外端部
を有する側方チャネルを構築する前記チャネルに関する
レーザ帯を構築するように、前記上方注入層、前記活性
層及び前記下方注入層の少なくとも上方部分を除去し、
−前記側方チャネルをエッチング後、前記第２の型の導
電率を有する下方遮断層、次いで前記第１の型の導電率
を有する上方遮断層をエピタキシャル成長させ、前記成
長工程は、前記層が前記チャネル内に形成し、前記メサ
の端で停止するように且つ、前記層により形成された遮
断接合部分が、前記極性電流の流れを局所的に阻止する
ための近接電流遮断手段を構築するように実施し、−前
記基板を製造後、前記レーザ帯に前記極性電流を限定す
るために前記近接電流遮断手段と協働する遠隔電流遮断
手段を構築するように、前記側方チャネルの外端部を越
えて縦方向に広がる遠隔側方領域中に電気抵抗層を形成
し、−前記側方チャネルを腐食する前に半-絶縁層をエ
ピタキシャル成長させることにより前記遠隔電流遮断手
段を形成し、レーザの製造が完了時に、レーザ帯を取り
囲むレーザ表面の一部である帯領域に存在することを防
止するために前記半-絶縁層を局在化させる工程を備え
た二重チャネル半導体レーザの製造法からなる。
記基板を製造後、前記第１の型の導電率を有する下方注
入層をエピタキシャル成長させ、−前記下方注入層を成
長後、反対の型の帯電キャリヤの組換えによりレーザ光
を増幅するために適合させた活性材料を備えた活性層を
エピタキシャル成長させ、−前記活性層を成長後、前記
第２の型の導電率を有する上方注入層をエピタキシャル
成長させ、これにより前記二つの注入層の間に実質的に
流れる極性電流が、レーザ光を増幅するのに必要な反対
の型の帯電キャリヤを前記活性層に注入し、−前記活性
層を成長後、同一縦方向に二つのチャネルをエッチング
し、前記チャネル間に残っている予め成長させた層の部
分が二つの端を有するメサを構築し、前記メサに含まれ
る活性層の一部が、各チャネルがメサから離れた外端部
を有する側方チャネルを構築する前記チャネルに関する
レーザ帯を構築するように、前記上方注入層、前記活性
層及び前記下方注入層の少なくとも上方部分を除去し、
−前記側方チャネルをエッチング後、前記第２の型の導
電率を有する下方遮断層、次いで前記第１の型の導電率
を有する上方遮断層をエピタキシャル成長させ、前記成
長工程は、前記層が前記チャネル内に形成し、前記メサ
の端で停止するように且つ、前記層により形成された遮
断接合部分が、前記極性電流の流れを局所的に阻止する
ための近接電流遮断手段を構築するように実施し、−前
記基板を製造後、前記レーザ帯に前記極性電流を限定す
るために前記近接電流遮断手段と協働する遠隔電流遮断
手段を構築するように、前記側方チャネルの外端部を越
えて縦方向に広がる遠隔側方領域中に電気抵抗層を形成
し、−前記側方チャネルを腐食する前に半-絶縁層をエ
ピタキシャル成長させることにより前記遠隔電流遮断手
段を形成し、レーザの製造が完了時に、レーザ帯を取り
囲むレーザ表面の一部である帯領域に存在することを防
止するために前記半-絶縁層を局在化させる工程を備え
た二重チャネル半導体レーザの製造法からなる。
【００１８】本発明の実施については、以下の付記図面
を参照とする非-限定的な実施例によりさらに説明され
よう。
を参照とする非-限定的な実施例によりさらに説明され
よう。
【００１９】
【実施例】図１を参照して、本発明のレーザは、既に記
載の共通の特徴と装置とを含んでいる。その遠隔電流遮
断手段は、その結晶格子が、下方及び上方注入層25と16
との間の活性層14を含む活性系と連続している、半-絶
縁層24により提供される。半導体ウエハ２は、各遠隔側
方領域ＺＤに、半-絶縁層24と、活性系の各側に一つず
つあり且つレーザ領域ＺＲで、レーザ帯14Ａにレーザ光
を限定する下方及び上方注入層と協働する、下方及び上
方外部光学閉じ込め層12と26との間の活性系と、を含
む。
載の共通の特徴と装置とを含んでいる。その遠隔電流遮
断手段は、その結晶格子が、下方及び上方注入層25と16
との間の活性層14を含む活性系と連続している、半-絶
縁層24により提供される。半導体ウエハ２は、各遠隔側
方領域ＺＤに、半-絶縁層24と、活性系の各側に一つず
つあり且つレーザ領域ＺＲで、レーザ帯14Ａにレーザ光
を限定する下方及び上方注入層と協働する、下方及び上
方外部光学閉じ込め層12と26との間の活性系と、を含
む。
【００２０】半-絶縁層並びに、下方及び上方注入層
は、同一半導体基材から製造され、これらの層上に、抵
抗率と各第１及び第２の型の導電率とを限定するために
選択された種々の改質不純物を含んでいる。基材は、リ
ン化インジウムまたはヒ化ガリウムであり、半-絶縁層
の改質不純物は、鉄、コバルト、チタン及び/またはク
ロムを含んでいる。
は、同一半導体基材から製造され、これらの層上に、抵
抗率と各第１及び第２の型の導電率とを限定するために
選択された種々の改質不純物を含んでいる。基材は、リ
ン化インジウムまたはヒ化ガリウムであり、半-絶縁層
の改質不純物は、鉄、コバルト、チタン及び/またはク
ロムを含んでいる。
【００２１】本発明の第１及び第２のレーザに於いて、
基材は、リン化インジウムまたはヒ化ガリウムである。
半-絶縁層の改質不純物は、従って１cm3当たり1016〜10
18原子、通常１cm3当たり1017原子の濃度の鉄である。
この層は、厚さ300〜3000nm、通常約700nmである。シリ
コン及び亜鉛またはベリリウムのｎ及びｐ型“ドーピン
グ”改質不純物は、第１及び第２の型の導電率を限定す
る。
基材は、リン化インジウムまたはヒ化ガリウムである。
半-絶縁層の改質不純物は、従って１cm3当たり1016〜10
18原子、通常１cm3当たり1017原子の濃度の鉄である。
この層は、厚さ300〜3000nm、通常約700nmである。シリ
コン及び亜鉛またはベリリウムのｎ及びｐ型“ドーピン
グ”改質不純物は、第１及び第２の型の導電率を限定す
る。
【００２２】鉄原子の存在により、結晶格子の幾何学的
欠陥の形成から発生せず且つ温度の上昇により減少され
ないので、電気抵抗率は、固有抵抗率と称され得る。
欠陥の形成から発生せず且つ温度の上昇により減少され
ないので、電気抵抗率は、固有抵抗率と称され得る。
【００２３】本発明のレーザは、記載の機能に関して公
知であり、且つ本発明の第１のレーザの場合の図２〜６
に示されている以下の操作により製造され得る。
知であり、且つ本発明の第１のレーザの場合の図２〜６
に示されている以下の操作により製造され得る。
【００２４】−第１の導電率を有する下方外部光学閉じ
込め層12を支持する半導体基板11を製造する。
込め層12を支持する半導体基板11を製造する。
【００２５】−この基板を製造後、同型の導電率を有す
る下方注入層25、次いで反対型の帯電キャリヤの組換え
によりレーザ光を増幅するために適合された活性材料を
含む活性層14（図４参照）を、エピタキシャル成長させ
る。
る下方注入層25、次いで反対型の帯電キャリヤの組換え
によりレーザ光を増幅するために適合された活性材料を
含む活性層14（図４参照）を、エピタキシャル成長させ
る。
【００２６】−この活性層を成長後、一つの注入層16か
らもう一つの注入層25へ実質的に流れる付勢電流が、活
性層14内にレーザ光を増幅させるのに必要な反対の型の
帯電キャリヤを注入できるように、第２の導電率を有す
る上方注入層16を、エピタキシャル成長させる。
らもう一つの注入層25へ実質的に流れる付勢電流が、活
性層14内にレーザ光を増幅させるのに必要な反対の型の
帯電キャリヤを注入できるように、第２の導電率を有す
る上方注入層16を、エピタキシャル成長させる。
【００２７】−活性層を成長後、共通の縦方向Ｘに二つ
のチャネルＣＬ（図５）をエッチングして、上方注入層
16を活性層14及び下方注入層25の少なくとも上方部分
を、局所的に除去する。予め成長させた層の一部をチャ
ネルの間に残し、二つの端ＢＩを有するメサＭを構築す
る。このメサに取り込まれた活性層の一部は、レーザ帯
14Ａを構築し、これに関しこれらのチャネルが側方チャ
ネルを構築する。これらのチャネルは各々、その上方端
がメサから離れた外端部ＢＥを構築する外部斜面ＣＬＢ
と、レーザの一斜面を構築する、内部斜面ＣＬＡを有す
る。
のチャネルＣＬ（図５）をエッチングして、上方注入層
16を活性層14及び下方注入層25の少なくとも上方部分
を、局所的に除去する。予め成長させた層の一部をチャ
ネルの間に残し、二つの端ＢＩを有するメサＭを構築す
る。このメサに取り込まれた活性層の一部は、レーザ帯
14Ａを構築し、これに関しこれらのチャネルが側方チャ
ネルを構築する。これらのチャネルは各々、その上方端
がメサから離れた外端部ＢＥを構築する外部斜面ＣＬＢ
と、レーザの一斜面を構築する、内部斜面ＣＬＡを有す
る。
【００２８】−側方チャネルＣＬをエッチング後、第２
の型の導電率を有する下方遮断層20（図６）、次いで第
１の型の導電率を有する上方遮断層22をエピタキシャル
成長させ、これらの成長工程は、例えば、これらの層が
チャネル内に形成し、メサＭの端ＢＩで停止し、且つこ
れらの層により形成された遮断接合部分ＪＢが、極性電
流の通過を局所的に阻止させるための近接電流遮断装置
を構築するように、液相中で実施される。
の型の導電率を有する下方遮断層20（図６）、次いで第
１の型の導電率を有する上方遮断層22をエピタキシャル
成長させ、これらの成長工程は、例えば、これらの層が
チャネル内に形成し、メサＭの端ＢＩで停止し、且つこ
れらの層により形成された遮断接合部分ＪＢが、極性電
流の通過を局所的に阻止させるための近接電流遮断装置
を構築するように、液相中で実施される。
【００２９】遠隔電流遮断手段は、近接電流遮断手段Ｊ
Ｂと協働し、レーザ帯14Ａに対し極性電流を限定する。
Ｂと協働し、レーザ帯14Ａに対し極性電流を限定する。
【００３０】遠隔電流遮断手段は、側方チャネルがエッ
チングされる以前に、半-絶縁層24のエピタキシャル成
長により形成される。前述の如く、局在化した半-絶縁
層配置は、レーザの製造の完了時、レーザ帯を取り囲む
レーザ表面の一部である、帯領域中に残っているこの層
を保護するために使用される。
チングされる以前に、半-絶縁層24のエピタキシャル成
長により形成される。前述の如く、局在化した半-絶縁
層配置は、レーザの製造の完了時、レーザ帯を取り囲む
レーザ表面の一部である、帯領域中に残っているこの層
を保護するために使用される。
【００３１】半-絶縁層は、非-局在化状態で成長するの
が好ましく、これにより、帯領域にこの層が形成し、半
-絶縁層の局在化配置は、この層を腐食する第１の操作
により、帯領域を含み、帯領域を越えて第１の半-絶縁
層腐食境界に広がる第１の絶縁層腐食領域でこの層を除
去することにより実施され、側方チャネルのエッチング
によりこれらの境界の近くの半-絶縁層をさらに一部を
除去する。
が好ましく、これにより、帯領域にこの層が形成し、半
-絶縁層の局在化配置は、この層を腐食する第１の操作
により、帯領域を含み、帯領域を越えて第１の半-絶縁
層腐食境界に広がる第１の絶縁層腐食領域でこの層を除
去することにより実施され、側方チャネルのエッチング
によりこれらの境界の近くの半-絶縁層をさらに一部を
除去する。
【００３２】レーザの半-絶縁層の内部境界がこの操作
により形成され、側方チャネルを腐食するということ
は、この層が、チャネルの外部斜面ＣＬＢから正しく走
り、この斜面とこの層の端との間の擬似電流の危険性を
防ぐということを意味する。
により形成され、側方チャネルを腐食するということ
は、この層が、チャネルの外部斜面ＣＬＢから正しく走
り、この斜面とこの層の端との間の擬似電流の危険性を
防ぐということを意味する。
【００３３】腐食バリヤー層23は、半-絶縁層24以前に
成長される。これは、例えば、三成分の半導体材料を含
む。これは、第１の半-絶縁層腐食部の深さを限定す
る。この腐食部の側方の広さは、公知のマスクにより限
定される。このエッチングは、境界ＬＧの近くで、レー
ザ極性電流用の擬似路を作り易いという欠点を生じてし
まう。このような欠点を生み出す可能性のある領域は、
側方チャネルＣＬを続いてエッチングすることにより除
去される。
成長される。これは、例えば、三成分の半導体材料を含
む。これは、第１の半-絶縁層腐食部の深さを限定す
る。この腐食部の側方の広さは、公知のマスクにより限
定される。このエッチングは、境界ＬＧの近くで、レー
ザ極性電流用の擬似路を作り易いという欠点を生じてし
まう。このような欠点を生み出す可能性のある領域は、
側方チャネルＣＬを続いてエッチングすることにより除
去される。
【００３４】第１の半-絶縁層24腐食部は、縦方向Ｘ、
横方向Ｙ及び垂直方向Ｚが、各々結晶学的方向（11
0）、（1-10）及び（001）である場合、促進される。
横方向Ｙ及び垂直方向Ｚが、各々結晶学的方向（11
0）、（1-10）及び（001）である場合、促進される。
【００３５】より詳細には、本発明の第１のレーザに於
いて、半-絶縁層24は、腐食したバリヤー層23の中継を
介して、下方外部光学閉じ込め層12により支持され、こ
の半-絶縁層24の上には下方注入層25があり、その上に
は活性層14がある。
いて、半-絶縁層24は、腐食したバリヤー層23の中継を
介して、下方外部光学閉じ込め層12により支持され、こ
の半-絶縁層24の上には下方注入層25があり、その上に
は活性層14がある。
【００３６】この第１のレーザは、以下の如く製造され
得る。
得る。
【００３７】図２より、腐食バリヤー層23及び半-絶縁
層24は、下方外部光学閉じ込め層12上にエピタキシャル
成長される。後者の不純物は、基材と同時に付着される
が、続いて例えばイオン挿入によっても導入され得る。
層24は、下方外部光学閉じ込め層12上にエピタキシャル
成長される。後者の不純物は、基材と同時に付着される
が、続いて例えばイオン挿入によっても導入され得る。
【００３８】図３より、層23及び24は、例えば、約10,0
00nmの厚さに腐食される。これは、第１の半-絶縁層腐
食である。
00nmの厚さに腐食される。これは、第１の半-絶縁層腐
食である。
【００３９】図４より、約500℃で実施した第１の気相
エピタキシャル成長工程により、下方注入層25、活性層
14及び上方注入層16が成長する。
エピタキシャル成長工程により、下方注入層25、活性層
14及び上方注入層16が成長する。
【００４０】図５より、二つの側方チャネルＣＬが腐食
される。これらの外端部ＢＥの間の距離は、例えば、2
0,000nmである。この内端部ＢＩは、メサＭの端を構築
する。これらの間の距離は、このメサの広さ、例えば、
約2,000nmである。
される。これらの外端部ＢＥの間の距離は、例えば、2
0,000nmである。この内端部ＢＩは、メサＭの端を構築
する。これらの間の距離は、このメサの広さ、例えば、
約2,000nmである。
【００４１】図６より、液相エピタキシャル成長の第２
工程により、下方遮断層20及び上方遮断層22が成長す
る。この操作に使用する液体は、メサ上を流れないよう
にしなければならない。この種の液体が、急な傾斜の突
起、特に端ＢＩを備えるメサの斜面のような二つの近接
配置された急な斜面の間の突起を避ける傾向があるとい
うことに基づいて、本発明の先に使用した方法は、この
処理に使用される。本実施例に於いて、メサＭの頂点
は、遠隔領域ＺＤに形成されたプラトーよりも、液体が
被覆しなければならない上方注入層の分だけ低いので、
この危険性は増加する。高さの差は、先に成長し腐食さ
せた半-絶縁層24の厚さにほぼ等しい。
工程により、下方遮断層20及び上方遮断層22が成長す
る。この操作に使用する液体は、メサ上を流れないよう
にしなければならない。この種の液体が、急な傾斜の突
起、特に端ＢＩを備えるメサの斜面のような二つの近接
配置された急な斜面の間の突起を避ける傾向があるとい
うことに基づいて、本発明の先に使用した方法は、この
処理に使用される。本実施例に於いて、メサＭの頂点
は、遠隔領域ＺＤに形成されたプラトーよりも、液体が
被覆しなければならない上方注入層の分だけ低いので、
この危険性は増加する。高さの差は、先に成長し腐食さ
せた半-絶縁層24の厚さにほぼ等しい。
【００４２】これがこの層の厚さが限定されている理由
である。側方チャネルの広さは、先に採用されたものよ
りもやや大きい。この広さが大きくなったため、成長時
間は、以前に使用したものよりも余計にかかる。
である。側方チャネルの広さは、先に採用されたものよ
りもやや大きい。この広さが大きくなったため、成長時
間は、以前に使用したものよりも余計にかかる。
【００４３】層26及び28は、同一エピタキシャル成長相
で成長される。
で成長される。
【００４４】既に記載の如く、本発明の第１のレーザの
製造時、半-絶縁層24は、先に成長されるので、従って
活性系25、14及び16の下で停止している。これから記載
する本発明の第２のレーザの製造に於いて、半-絶縁層
は、後で成長されるので、従って、活性系の上になる。
製造時、半-絶縁層24は、先に成長されるので、従って
活性系25、14及び16の下で停止している。これから記載
する本発明の第２のレーザの製造に於いて、半-絶縁層
は、後で成長されるので、従って、活性系の上になる。
【００４５】第２のレーザの各要素は、一般的な規則の
通り、第１のレーザの要素と機能的に同一であり、参照
番号に100を加えた数で識別される。
通り、第１のレーザの要素と機能的に同一であり、参照
番号に100を加えた数で識別される。
【００４６】この第２のレーザは、以下のように製造さ
れ得る。
れ得る。
【００４７】図７より、気相エピタキシャル成長工程に
より、下方光学閉じ込め層112上に、下方注入層125、活
性層114、上方注入層116、腐食バリヤー層123、半-絶縁
層124及び半-絶縁層の被覆層150と呼ばれる層116と同一
の追加の層が成長する。
より、下方光学閉じ込め層112上に、下方注入層125、活
性層114、上方注入層116、腐食バリヤー層123、半-絶縁
層124及び半-絶縁層の被覆層150と呼ばれる層116と同一
の追加の層が成長する。
【００４８】図８より、これらの層が腐食されて、上方
注入層116を露出する。
注入層116を露出する。
【００４９】図９より、側方チャネルＣＬが腐食され
る。
る。
【００５０】図10より、単一液相エピタキシャル成長工
程により、遮断層120及び122、上方外部光学閉じ込め層
126並びに上方接触層128を成長させる。
程により、遮断層120及び122、上方外部光学閉じ込め層
126並びに上方接触層128を成長させる。
【図１】本発明の第１のレーザの側方断面図を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図３】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図４】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図５】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図６】本発明の第１のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図７】本発明の第２のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図８】本発明の第２のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図９】本発明の第２のレーザの製造に於ける各段階の
横断面図を示す図である。
横断面図を示す図である。
【図１０】本発明の第２のレーザの製造に於ける各段階
の横断面図を示す図である。
の横断面図を示す図である。
２ ウエハ ４，８ 主表面 ６ 下方電極 １０ 上方電極 １１ 基板 １２ 下方外部光学閉じ込め層 １４，２４ 活性層 １４Ａ レーザ帯 １６ 上方注入層 ２０，２２ 遮断層 ２５ 下方注入層 ２６ 上方外部光学閉じ込め層 ２８ 接触層 ＢＩ 端 ＣＬ 側方チャネル ＣＬＡ 内部斜面 ＣＬＢ 外部斜面 ＪＢ 近接電流遮断手段 Ｍ メサ ＺＣ 近接側方領域 ＺＤ 遠隔側方領域 ＺＲ 帯領域 Ｘ 縦方向 Ｙ 横方向 Ｚ 垂直方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レオン・ゴルドスタン フランス国、92370・シヤビル、アレ・ド ユ・コロンビエ・１ (72)発明者 フイリツプ・パグノド−ロスイオー フランス国、91180・サン・ジエルマン・ レ・アルパジヨン、プラス・フエルナン・ レジエ・４
Claims (11)
- 【請求項１】 付勢電流が、一方では、レーザ帯を限定
する側方チャネルに形成された近接電流遮断手段により
レーザ帯内に限定されており、他方では、前記チャネル
を越え且つその外部斜面から直接、その結晶格子がレー
ザの半導体層と連続している、内部半-絶縁層により限
定されている二重チャネル半導体レーザ。 - 【請求項２】 内部結晶格子連続部と二つの主表面とを
有する（通常の半導体）ウエハを備えたレーザであっ
て、 下方表面は下方電極に被覆され、上方表面は上方電極に
被覆されており、前記ウエハは、前記下方表面から前記
上方表面へ垂直上向方向と、水平方向で且つ大体直角で
ある縦方向及び横方向とを限定し、前記ウエハは、前記
垂直上向方向に連続した層を備えており、前記ウエハの
水平表面は、縦方向に広がり且つ横方向に並置された多
様な領域を備えており、前記領域の一つは帯領域であっ
て、該帯領域でウエハは、以下の連続層： −第１の型の導電率を有する下方注入層、 −前記下方注入層と接触し且つ前記領域にレーザ帯を構
築する活性層、及び −前記電極を介して接続した極性電流が、前記帯にレー
ザ光を増幅できる反対の型の前記注入層帯電キャリヤか
ら前記レーザ帯に注入するために、前記活性層と接触し
且つ第２の導電率を有する上方注入層を含み、前記下方
及び上方注入層並びに前記活性層は活性系を構築し、光
学閉じ込め層は前記活性層の下及び上に各々配置された
上方及び下方光学閉じ込め層を含み且つ前記活性層と光
学的に反応し、前記レーザ帯の各々の側に配置された前
記光学閉じ込め層及び側方光学閉じ込め層は、前記レー
ザ帯が光ガイドを構築するように前記活性層よりも低い
屈折率を有し、前記注入層及び光学閉じ込め層は、前記
帯領域を越えて横方向に広がり、前記ウエハは、前記帯
領域の各側から各々広がる領域の二つの横方向の連続部
分を有し、各該連続部分は側方チャネルが前記活性層と
置換されている近接側方領域と前記下方注入層の少なく
とも上方部分とを含み、前記チャネルは、前記レーザ帯
と前記内部斜面の反対の外部斜面とを横方向に限定する
内部斜面を有し、前記チャネルは、その上が前記第１の
型の導電率を有する上方遮断層である前記第２の型の導
電率を有する下方遮断層を含み、これにより前記二つの
遮断層がこれらの間に形成されており、前記極性電流に
関しては、遮断接合部分は、前記電流を局所的に阻止す
る近接遮断電流手段を構築し、前記領域の横方向の連続
部分は、前記帯領域に前記極性電流を限定するために半
-絶縁層が前記近接電流遮断手段と協働する遠隔電流遮
断手段を構築している遠隔側方領域を備え、前記半-絶
縁層は、前記下方及び上方注入層と連続する結晶格子を
有し且つ固有電気抵抗率を与える改質不純物を備え、前
記半-絶縁層は、前記側方領域の前記外部斜面から前記
遠隔側方領域に横方向に広がっている請求項１に記載の
レーザ。 - 【請求項３】 前記半導体ウエハが、２つの前記光学閉
じ込め層を構築する下方及び上方外部光学閉じ込め層の
間に前記半-絶縁層と前記活性系とを備えた垂直な連続
層を各側方領域に有する請求項２に記載のレーザ。 - 【請求項４】 前記半-絶縁層並びに前記下方及び上方
注入層が、同一半導体基材から製造され且つ、前記レー
ザ抵抗率に、各前記第１及び第２の型の導電性を与える
ように選択された種々の改質不純物を含む請求項２に記
載のレーザ。 - 【請求項５】 前記基材が、リン化インジウムまたはヒ
化ガリウムであり、前記半-絶縁層の改質不純物が、
鉄、コバルト、チタン及び/またはクロムを含む請求項
４に記載のレーザ。 - 【請求項６】 前記半-絶縁層が、前記下方外部光学閉
じ込め層と前記活性系との間にある請求項３に記載のレ
ーザ。 - 【請求項７】 前記半-絶縁層が、前記活性系と前記上
方外部光学閉じ込め層との間にある請求項３に記載のレ
ーザ。 - 【請求項８】 −第１の型の導電率を有する半導体基板
を製造し、 −前記基板を製造後、前記第１の型の導電率を有する下
方注入層をエピタキシャル成長させ、 −前記下方注入層を成長後、反対の型の帯電キャリヤの
組換えによりレーザ光を増幅するために適合させた活性
材料を備えた活性層をエピタキシャル成長させ、 −前記活性層を成長後、前記第２の型の導電率を有する
上方注入層をエピタキシャル成長させ、これにより前記
二つの注入層の間に実質的に流れる極性電流が、レーザ
光を増幅するのに必要な反対の型の帯電キャリヤを前記
活性層に注入し、 −前記活性層を成長後、同一縦方向に二つのチャネルを
エッチングし、前記チャネル間に残っている予め成長さ
せた層の部分が二つの端を有するメサを構築し、前記メ
サに含まれる活性層の一部が、各チャネルがメサから離
れた外端部を有する側方チャネルを構築する前記チャネ
ルに関するレーザ帯を構築するように、前記上方注入
層、前記活性層及び前記下方注入層の少なくとも上方部
分を除去し、 −前記側方チャネルをエッチング後、前記第２の型の導
電率を有する下方遮断層、次いで前記第１の型の導電率
を有する上方遮断層をエピタキシャル成長させ、前記成
長工程は、前記層が前記チャネル内に形成し、前記メサ
の端で停止するように且つ、前記層により形成された遮
断接合部分が、前記極性電流の流れを局所的に阻止する
ための近接電流遮断手段を構築するように実施し、 −前記基板を製造後、前記レーザ帯に前記極性電流を限
定するために前記近接電流遮断手段と協働する遠隔電流
遮断手段を構築するように、前記側方チャネルの外端部
を越えて縦方向に広がる遠隔側方領域中に電気抵抗層に
形成し、 −前記側方チャネルを腐食する前に半-絶縁層をエピタ
キシャル成長させることにより前記遠隔電流遮断手段を
形成し、レーザの製造が完了時に、レーザ帯を取り囲む
レーザ表面の一部である帯領域に存在することを防止す
るために前記半-絶縁層を局在化させる工程を備えた二
重チャネル半導体レーザの製造法。 - 【請求項９】 前記層が前記帯領域にも形成される非-
局在化方法で、前記半-絶縁層を成長させ、前記半-絶縁
層の局在化は、帯領域を含み且つ、帯領域を越えて半-
絶縁領域の第１の腐食境界まで側方に広がる半-絶縁層
の第１のエッチング領域の前記層を除去する前記層の第
１のエッチングにより実施され、前記側方チャネルのエ
ッチングにより、前記境界の近くの前記半-絶縁層のさ
らに一部を除去する請求項８に記載の方法。 - 【請求項１０】 前記半-絶縁層が、前記下方注入層よ
り前に形成される請求項８に記載の方法。 - 【請求項１１】 前記半-絶縁層が、前記下方注入層よ
り後に形成される請求項８に記載の方法。
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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