JPH05206631A - 半導体製品の接続方法 - Google Patents
半導体製品の接続方法Info
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- JPH05206631A JPH05206631A JP4034321A JP3432192A JPH05206631A JP H05206631 A JPH05206631 A JP H05206631A JP 4034321 A JP4034321 A JP 4034321A JP 3432192 A JP3432192 A JP 3432192A JP H05206631 A JPH05206631 A JP H05206631A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/3465—Application of solder
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ソケットを用いる必要がなくて電気的接続の
信頼性にも優れる、半導体製品のリード電極と回路基板
との接続方法を得ること。 【構成】 易剥離性シートの上に転写可能に設けた金属
膜の転写層（２）を介して、半導体製品（１）のリード
電極（１１）と回路基板（３）とを前記転写層の熔融処
理下に接続処理する半導体製品の接続方法。 【効果】 転写方式により接続用の金属膜を回路パター
ン間にブリッジしない必要な大きさで精度よく付与で
き、その転写層を介して半導体製品のリード電極と回路
基板を接続でき、転写方式以外では形成が困難な種々の
接続用金属膜が容易に得られる。
信頼性にも優れる、半導体製品のリード電極と回路基板
との接続方法を得ること。 【構成】 易剥離性シートの上に転写可能に設けた金属
膜の転写層（２）を介して、半導体製品（１）のリード
電極（１１）と回路基板（３）とを前記転写層の熔融処
理下に接続処理する半導体製品の接続方法。 【効果】 転写方式により接続用の金属膜を回路パター
ン間にブリッジしない必要な大きさで精度よく付与で
き、その転写層を介して半導体製品のリード電極と回路
基板を接続でき、転写方式以外では形成が困難な種々の
接続用金属膜が容易に得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製品のリード電
極と回路基板とのソケット不要な接続方法に関する。
極と回路基板とのソケット不要な接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ等の回路パターンを形成した半導体
チップは、それにリード電極を設けると共に樹脂封止等
でパッケージングするなどして実用形態の半導体製品と
され、プリント配線板等の回路基板への実装に供され
る。
チップは、それにリード電極を設けると共に樹脂封止等
でパッケージングするなどして実用形態の半導体製品と
され、プリント配線板等の回路基板への実装に供され
る。
【０００３】従来、前記半導体製品の実装処理において
半導体製品のリード電極と回路基板との接続方法として
は、図３の如く回路基板３に電極５１を介してソケット
５を接続し、そのソケット５に半導体製品１のリード電
極１１を装着する方法が知られていた。
半導体製品のリード電極と回路基板との接続方法として
は、図３の如く回路基板３に電極５１を介してソケット
５を接続し、そのソケット５に半導体製品１のリード電
極１１を装着する方法が知られていた。
【０００４】しかしながら、ソケットを必要とし、かつ
ソケットの介在で嵩高くなるため、かかる実装基板を用
いて電子装置、ないし電気装置を形成した場合に装置が
大型化し、かつ高重量化すると共に、ソケットと半導体
製品のリード電極との接続部も発熱源となって温度上昇
しやすく、半導体製品の誤動作を招きやすい問題点があ
った。
ソケットの介在で嵩高くなるため、かかる実装基板を用
いて電子装置、ないし電気装置を形成した場合に装置が
大型化し、かつ高重量化すると共に、ソケットと半導体
製品のリード電極との接続部も発熱源となって温度上昇
しやすく、半導体製品の誤動作を招きやすい問題点があ
った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ソケットを
用いる必要がなくて電気的接続の信頼性にも優れる、半
導体製品のリード電極と回路基板との接続方法の開発を
課題とする。
用いる必要がなくて電気的接続の信頼性にも優れる、半
導体製品のリード電極と回路基板との接続方法の開発を
課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、易剥離性シー
トの上に転写可能に設けた金属膜の転写層を介して、半
導体製品のリード電極と回路基板とを前記転写層の熔融
処理下に接続処理することを特徴とする半導体製品の接
続方法を提供するものである。
トの上に転写可能に設けた金属膜の転写層を介して、半
導体製品のリード電極と回路基板とを前記転写層の熔融
処理下に接続処理することを特徴とする半導体製品の接
続方法を提供するものである。
【０００７】
【作用】易剥離性シートの上に金属膜を転写可能に設け
てなる転写シートを用いることにより、その金属膜を回
路基板や半導体製品のリード電極としてのリードピン上
に必要な大きさで精度よく転写付与でき、しかもショー
トの原因となる回路パターン間へのブリッジ問題を生じ
ることなく、膜厚の均一性に優れる金属膜を所定位置に
作業効率よく確実に転写でき、その転写層を介した回路
基板と半導体製品のリード電極との接続を可能とする。
さらに前記の転写シート方式により、例えば熱歪の緩和
に有用なインジウムなどの、メッキ法等で形成が困難な
金属膜も容易に得ることができ、種々の接続用金属膜を
容易に得ることができる。
てなる転写シートを用いることにより、その金属膜を回
路基板や半導体製品のリード電極としてのリードピン上
に必要な大きさで精度よく転写付与でき、しかもショー
トの原因となる回路パターン間へのブリッジ問題を生じ
ることなく、膜厚の均一性に優れる金属膜を所定位置に
作業効率よく確実に転写でき、その転写層を介した回路
基板と半導体製品のリード電極との接続を可能とする。
さらに前記の転写シート方式により、例えば熱歪の緩和
に有用なインジウムなどの、メッキ法等で形成が困難な
金属膜も容易に得ることができ、種々の接続用金属膜を
容易に得ることができる。
【０００８】
【実施例】本発明は、転写シート上の金属膜を所定位置
に転写し、その転写層を介して半導体製品のリード電極
と回路基板とを接続するものである。本発明の方法によ
り接続された半導体製品を図１に例示した。１がリード
電極１１を有する半導体製品、２が金属膜の転写層、３
が回路基板である。
に転写し、その転写層を介して半導体製品のリード電極
と回路基板とを接続するものである。本発明の方法によ
り接続された半導体製品を図１に例示した。１がリード
電極１１を有する半導体製品、２が金属膜の転写層、３
が回路基板である。
【０００９】本発明において、金属膜からなる転写層の
付与は、転写シートを用いた転写方式で行われる。かか
る転写シートは図２に例示の如く、易剥離性シート２１
の上に金属膜２２を転写可能に設けてなる。
付与は、転写シートを用いた転写方式で行われる。かか
る転写シートは図２に例示の如く、易剥離性シート２１
の上に金属膜２２を転写可能に設けてなる。
【００１０】易剥離性シートとしては、例えば粘着シー
ト等におけるセパレータなどとして公知の適宜なものを
用いることができる。一般には、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化
ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレ
ン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロトリフ
ルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体の如きフッ
素系樹脂からなるシート、ポリエチレンやポリプロピレ
ンの如きポリオレフィン系樹脂からなるシート、あるい
はポリエステル、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレンの如き通例のプラスチックからなるシートや金属
箔などの薄葉体を、例えばシリコーン系剥離剤、フッ素
系剥離剤、長鎖アクリル系剥離剤、硫化モリブデンの如
き剥離性付与剤で表面処理したものなどが用いられる。
易剥離性シートの厚さは適宜に決定してよいが、一般に
は金属膜の転写性などの点より１〜６００μmとされ
る。なお前記のシートは、延伸処理等により伸び率など
の変形性を制御したものであってもよい。
ト等におけるセパレータなどとして公知の適宜なものを
用いることができる。一般には、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化
ビニル、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレ
ン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、クロロトリフ
ルオロエチレン・フッ化ビニリデン共重合体の如きフッ
素系樹脂からなるシート、ポリエチレンやポリプロピレ
ンの如きポリオレフィン系樹脂からなるシート、あるい
はポリエステル、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリス
チレンの如き通例のプラスチックからなるシートや金属
箔などの薄葉体を、例えばシリコーン系剥離剤、フッ素
系剥離剤、長鎖アクリル系剥離剤、硫化モリブデンの如
き剥離性付与剤で表面処理したものなどが用いられる。
易剥離性シートの厚さは適宜に決定してよいが、一般に
は金属膜の転写性などの点より１〜６００μmとされ
る。なお前記のシートは、延伸処理等により伸び率など
の変形性を制御したものであってもよい。
【００１１】易剥離性シートの上に転写可能に設ける金
属膜は、使用目的に応じた適宜な接続用金属で形成され
る。その例としては金、銀、インジウム、スズ、ビスマ
ス、鉛、タリウム、亜鉛、アルミニウム、銅、ニッケ
ル、クロム、鉄、それらの合金などがあげられる。一般
には、インジウムやスズ、あるいはハンダ等の低融点合
金、特に融点が２００℃以下の例えばインジウム、イン
ジウム系合金、スズ系合金、ビスマス系合金、鉛系合
金、タリウム系合金などが用いられる。
属膜は、使用目的に応じた適宜な接続用金属で形成され
る。その例としては金、銀、インジウム、スズ、ビスマ
ス、鉛、タリウム、亜鉛、アルミニウム、銅、ニッケ
ル、クロム、鉄、それらの合金などがあげられる。一般
には、インジウムやスズ、あるいはハンダ等の低融点合
金、特に融点が２００℃以下の例えばインジウム、イン
ジウム系合金、スズ系合金、ビスマス系合金、鉛系合
金、タリウム系合金などが用いられる。
【００１２】金属膜の形成は、例えば真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法などの薄膜形成
法で行うことができる。形成する金属膜の厚さは、転写
性などの点より通例１０Å〜５００μm、就中１〜３０
０μmとされる。なお金属膜は、異種金属の重畳層とし
て形成されていてもよい。
ッタリング法、イオンプレーティング法などの薄膜形成
法で行うことができる。形成する金属膜の厚さは、転写
性などの点より通例１０Å〜５００μm、就中１〜３０
０μmとされる。なお金属膜は、異種金属の重畳層とし
て形成されていてもよい。
【００１３】転写性などの点より好ましい転写シート
は、金属膜の易剥離性シートに対する界面接着力が、金
属膜の引張強度よりも大きいもの、就中１０ｇ以上、特
に５０ｇ以上大きいものである。これにより、金属膜を
易剥離性シートから剥離するのに要する力が金属膜の膜
強度よりも大きくなり、金属膜をその転写の際の押圧力
ないし剥がし力で切断することができる。
は、金属膜の易剥離性シートに対する界面接着力が、金
属膜の引張強度よりも大きいもの、就中１０ｇ以上、特
に５０ｇ以上大きいものである。これにより、金属膜を
易剥離性シートから剥離するのに要する力が金属膜の膜
強度よりも大きくなり、金属膜をその転写の際の押圧力
ないし剥がし力で切断することができる。
【００１４】金属膜の転写は、半導体製品のリード電
極、又は回路基板の必要位置へのいずれに行ってもよ
く、それらの双方に行ってもよい。半導体製品のリード
ピン等からなるリード電極に対しては、例えばリード電
極に金属膜を重ねて易剥離性シートの背面より押圧した
のち剥がす方式、あるいは転写シートの金属膜の上にリ
ード電極を重ねて半導体製品の背面より押圧したのち分
離する方式などにより行うことができる。
極、又は回路基板の必要位置へのいずれに行ってもよ
く、それらの双方に行ってもよい。半導体製品のリード
ピン等からなるリード電極に対しては、例えばリード電
極に金属膜を重ねて易剥離性シートの背面より押圧した
のち剥がす方式、あるいは転写シートの金属膜の上にリ
ード電極を重ねて半導体製品の背面より押圧したのち分
離する方式などにより行うことができる。
【００１５】回路基板に対しては、例えば回路基板に金
属膜を重ねて易剥離性シートの背面より押圧したのち剥
がす方式、あるいは図２に例示の如くダイコレット４な
どの押圧手段を介して易剥離性シート２１の背面より押
圧し、金属膜２２を転写層２として剥がしつつ回路基板
３に転写する方式などにより行うことができる。なお前
記の易剥離性シートの剥がし操作、ないしリード電極の
分離操作により金属膜が転写部分と非転写部分の界面で
カッティングされつつ所定位置に転写される。転写する
金属膜は、回路基板における回路パターン間にブリッジ
しない大きさであるが、通例、回路パターン幅と同じ
か、一辺ないし直径が３０〜５００μm程度の方形物な
いし円形物である。
属膜を重ねて易剥離性シートの背面より押圧したのち剥
がす方式、あるいは図２に例示の如くダイコレット４な
どの押圧手段を介して易剥離性シート２１の背面より押
圧し、金属膜２２を転写層２として剥がしつつ回路基板
３に転写する方式などにより行うことができる。なお前
記の易剥離性シートの剥がし操作、ないしリード電極の
分離操作により金属膜が転写部分と非転写部分の界面で
カッティングされつつ所定位置に転写される。転写する
金属膜は、回路基板における回路パターン間にブリッジ
しない大きさであるが、通例、回路パターン幅と同じ
か、一辺ないし直径が３０〜５００μm程度の方形物な
いし円形物である。
【００１６】前記の押圧転写は、金属膜の転写密着力等
の転写特性に応じて例えば、単に押圧するだけの転写方
式、転写シートないし被転写体の加熱下に押圧する転写
方式、超音波等による振動の付与下に押圧する転写方
式、それらを併用する方式などの適宜な方式で行ってよ
い。本発明においてはリード電極と回路基板を接続する
までの間、転写した金属膜が剥がれない状態にあればよ
い。押圧処理は、ダイコレット等のプレスや押圧ロール
などによる適宜な方式で行ってよい。転写に要する押圧
力は、易剥離性シートに対する金属膜の界面接着力以上
であるが、通例３０kg／cm2以下、就中０．５〜１０kg
／cm2である。
の転写特性に応じて例えば、単に押圧するだけの転写方
式、転写シートないし被転写体の加熱下に押圧する転写
方式、超音波等による振動の付与下に押圧する転写方
式、それらを併用する方式などの適宜な方式で行ってよ
い。本発明においてはリード電極と回路基板を接続する
までの間、転写した金属膜が剥がれない状態にあればよ
い。押圧処理は、ダイコレット等のプレスや押圧ロール
などによる適宜な方式で行ってよい。転写に要する押圧
力は、易剥離性シートに対する金属膜の界面接着力以上
であるが、通例３０kg／cm2以下、就中０．５〜１０kg
／cm2である。
【００１７】なお上記した転写密着力に優れる金属膜の
形成は、金属膜表面の酸化層を可及的に少なくするこ
と、金属膜を形成する粒径（蒸着等により付着した膜形
成材が凝集してなる塊の大きさ）を大きくすることなど
により行うことができる。金属膜表面での酸化層形成の
抑制は、膜形成時や保管時において酸素との接触を可及
的に防止することにより達成することができる。金属膜
を形成する粒径の制御は、膜の形成温度や形成速度等の
形成条件に基づいて行うことができる。インジウム、ス
ズ、ビスマス、鉛、金、それらの合金などの軟質金属か
らなる金属膜が特に転写密着力に優れている。
形成は、金属膜表面の酸化層を可及的に少なくするこ
と、金属膜を形成する粒径（蒸着等により付着した膜形
成材が凝集してなる塊の大きさ）を大きくすることなど
により行うことができる。金属膜表面での酸化層形成の
抑制は、膜形成時や保管時において酸素との接触を可及
的に防止することにより達成することができる。金属膜
を形成する粒径の制御は、膜の形成温度や形成速度等の
形成条件に基づいて行うことができる。インジウム、ス
ズ、ビスマス、鉛、金、それらの合金などの軟質金属か
らなる金属膜が特に転写密着力に優れている。
【００１８】本発明において半導体製品のリード電極と
回路基板との接続処理は、図１の如く金属膜からなる転
写層２を介してリード電極１１と回路基板３を重ね合
せ、転写層２を形成する金属膜を熔融させたのち冷却固
化させることにより行うことができる。その場合の金属
膜の熔融処理は、加熱方式、超音波等の振動の付与によ
る摩擦方式、それらの併用方式などの適宜な方式で行っ
てよい。
回路基板との接続処理は、図１の如く金属膜からなる転
写層２を介してリード電極１１と回路基板３を重ね合
せ、転写層２を形成する金属膜を熔融させたのち冷却固
化させることにより行うことができる。その場合の金属
膜の熔融処理は、加熱方式、超音波等の振動の付与によ
る摩擦方式、それらの併用方式などの適宜な方式で行っ
てよい。
【００１９】本発明において接続対象のリード電極を有
する半導体製品は、種々の機能を有するものであってよ
い。また回路基板も、例えばＦＰＣ用やＰＷＢ用等のプ
リント配線基板など種々の機能を有するものであってよ
い。半導体製品と回路基板の組合せも任意である。
する半導体製品は、種々の機能を有するものであってよ
い。また回路基板も、例えばＦＰＣ用やＰＷＢ用等のプ
リント配線基板など種々の機能を有するものであってよ
い。半導体製品と回路基板の組合せも任意である。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、転写方式により接続用
の金属膜を回路基板や半導体製品のリード電極上に、回
路パターン間にブリッジしない必要な大きさで精度よく
付与でき、その転写層を介して半導体製品のリード電極
と回路基板を接続できて、ソケットの必要を回避するこ
とができる。従ってソケットの介在による嵩高問題、電
気装置等の大型化や高重量化、ソケット部での発熱を防
止できて温度上昇を抑制することができる。また前記の
転写方式に基づいて薄くて膜厚の均一性に優れる金属膜
を効率よく付与でき、半導体製品の信頼性に優れる接続
処理を効率よく行うことができる。加えて転写シートを
介して他法では形成が困難な種々の接続用金属膜を容易
に得ることができる。
の金属膜を回路基板や半導体製品のリード電極上に、回
路パターン間にブリッジしない必要な大きさで精度よく
付与でき、その転写層を介して半導体製品のリード電極
と回路基板を接続できて、ソケットの必要を回避するこ
とができる。従ってソケットの介在による嵩高問題、電
気装置等の大型化や高重量化、ソケット部での発熱を防
止できて温度上昇を抑制することができる。また前記の
転写方式に基づいて薄くて膜厚の均一性に優れる金属膜
を効率よく付与でき、半導体製品の信頼性に優れる接続
処理を効率よく行うことができる。加えて転写シートを
介して他法では形成が困難な種々の接続用金属膜を容易
に得ることができる。
【図１】半導体製品の接続例を示した断面図。
【図２】金属膜の転写方式を例示した断面図。
【図３】従来例の断面図。
１：半導体製品 １１：リード電極 ２：転写層 ２１：易剥離性シート ２２：金属膜 ３：回路基板 ４：ダイコレット
Claims (1)
- 【請求項１】 易剥離性シートの上に転写可能に設けた
金属膜の転写層を介して、半導体製品のリード電極と回
路基板とを前記転写層の熔融処理下に接続処理すること
を特徴とする半導体製品の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4034321A JPH05206631A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体製品の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4034321A JPH05206631A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体製品の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206631A true JPH05206631A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=12410900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4034321A Pending JPH05206631A (ja) | 1992-01-23 | 1992-01-23 | 半導体製品の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05206631A (ja) |
-
1992
- 1992-01-23 JP JP4034321A patent/JPH05206631A/ja active Pending
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