JPH0520889B2 - - Google Patents
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- JPH0520889B2 JPH0520889B2 JP62328250A JP32825087A JPH0520889B2 JP H0520889 B2 JPH0520889 B2 JP H0520889B2 JP 62328250 A JP62328250 A JP 62328250A JP 32825087 A JP32825087 A JP 32825087A JP H0520889 B2 JPH0520889 B2 JP H0520889B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
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- resist
- compound
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
半導体装置のリソグラフイ工程に用いられ、フ
オトレジストが塗布された半導体装置上の位置決
めマーク部にアライメント光を照射して走査し、
フオトレジストの表面およびフオトレジストとマ
ーク部との境界面によつてそれぞれ反射されたア
ライメント光の反射光の合成強度に基づいて位置
決めを行うアライメント方法に関する。
オトレジストが塗布された半導体装置上の位置決
めマーク部にアライメント光を照射して走査し、
フオトレジストの表面およびフオトレジストとマ
ーク部との境界面によつてそれぞれ反射されたア
ライメント光の反射光の合成強度に基づいて位置
決めを行うアライメント方法に関する。
（従来の技術）
従来、感光性樹脂組成物（フオトレジスト）
は、露光過程での下地基板からの反射光を抑える
ことを目的として、露光波長に吸光特性を有する
色素等を添加して使用することがあるが、アライ
メント光の波長に対しては、むしろ吸光特性を有
しない透明性の良い樹脂組成物が選択使用されて
いる。
は、露光過程での下地基板からの反射光を抑える
ことを目的として、露光波長に吸光特性を有する
色素等を添加して使用することがあるが、アライ
メント光の波長に対しては、むしろ吸光特性を有
しない透明性の良い樹脂組成物が選択使用されて
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
アルミニウム層２０上にレジスト層１０が積層
された基板にアライメント光を照射した場合のア
ライメント光の反射の様子を第９図に示す。
された基板にアライメント光を照射した場合のア
ライメント光の反射の様子を第９図に示す。
第９図において、アライメント光がレジスト層
１０に照射されるとレジスト層１０の表面で一部
は反射されて反射光LAとなるが、残りはレジス
ト層１０を透過し、レジスト層１０とアルミニウ
ム層２０の境界面で反射されてレジスト層１０を
透過し、再び空中に出てくる。アライメント光の
強度をI0、レジスト層１０の表面における反射率
をａ、レジスト層１０の透過率をｔ、レジスト層
１０とアルミニウム層２０の境界面における反射
率をｂとすると、レジスト層１０の表面で反射さ
れる反射光LAはaI0となり、レジスト層１０を透
過し、アルミニウム層２０との境界面で反射され
て再びレジスト層１０を透過して空中に出てくる
反射光LBの強度IBはbt2I0となる。したがつて、レ
ジスト層１０の表面において反射される反射光
LAと境界で反射されて空中に出てくる反射光LB
の合成強度Ｉは次の(1)式で表わされる。
１０に照射されるとレジスト層１０の表面で一部
は反射されて反射光LAとなるが、残りはレジス
ト層１０を透過し、レジスト層１０とアルミニウ
ム層２０の境界面で反射されてレジスト層１０を
透過し、再び空中に出てくる。アライメント光の
強度をI0、レジスト層１０の表面における反射率
をａ、レジスト層１０の透過率をｔ、レジスト層
１０とアルミニウム層２０の境界面における反射
率をｂとすると、レジスト層１０の表面で反射さ
れる反射光LAはaI0となり、レジスト層１０を透
過し、アルミニウム層２０との境界面で反射され
て再びレジスト層１０を透過して空中に出てくる
反射光LBの強度IBはbt2I0となる。したがつて、レ
ジスト層１０の表面において反射される反射光
LAと境界で反射されて空中に出てくる反射光LB
の合成強度Ｉは次の(1)式で表わされる。
Ｉ＝IA＋IB＋２√A・Bcos（θ1−θ2）＝I0｛ａ＋b
t2＋2t√・cos（θ1−θ2）｝……(1) ここで、θ1は反射光LAのレジスト層１０の表面
における位相であり、θ2は反射光LBのレジスト層
１０の表面における位相を示す。
t2＋2t√・cos（θ1−θ2）｝……(1) ここで、θ1は反射光LAのレジスト層１０の表面
における位相であり、θ2は反射光LBのレジスト層
１０の表面における位相を示す。
そして、これらの反射光LAおよびLBの合成強
度Ｉに基づいて位置決めが行われる。一方、レジ
スト層１０の膜厚は位相差θ1−θ2とリニアの関係
にあるから、レジスト層１０の膜厚に対する反射
光LAおよびLBの合成強度Ｉは第１０図に示す正
弦曲線で与えられる。すなわち、平均値がI0（ａ
＋bt2）で片振幅が2t√と正弦曲線となる。そ
して合成強度Ｉの最大値Inaxおよび最小値Inioは
それぞれ次の(2)式および(3)式で与えられる。
度Ｉに基づいて位置決めが行われる。一方、レジ
スト層１０の膜厚は位相差θ1−θ2とリニアの関係
にあるから、レジスト層１０の膜厚に対する反射
光LAおよびLBの合成強度Ｉは第１０図に示す正
弦曲線で与えられる。すなわち、平均値がI0（ａ
＋bt2）で片振幅が2t√と正弦曲線となる。そ
して合成強度Ｉの最大値Inaxおよび最小値Inioは
それぞれ次の(2)式および(3)式で与えられる。
Inax＝I0（√＋√）2 ……(2)
Inio＝I0（√−√）2 ……(3)
したがつて、アライメントのマーク部がアルミ
ニウムのような反射率の大きな材料によつて形成
されている場合の方が反射率の小さな材料によつ
て形成されている場合に比べて、反射光LAおよ
びLBの合成強度Ｉの全振幅4t√・が大きくな
り、これによりレジスト層１０の膜厚の微小変化
に対して合成強度が大きく変化することになる。
例えば、第６図ａに示すようにアルミニウム層２
０に形成されたマーク３０の形状が一見フラツト
で正常に見えても、その上に形成されたレジスト
層１０の膜厚は微小に変化している。このため、
第６図ａに示す幅寸法Ｗが4μｍのマーク３０に
ビーム幅が例えば2.5μｍのアライメント光を照射
して左から右にスキヤニングを行うと、レジスト
層１０の膜厚は第７図ａに示す形状を有してお
り、レジスト層１０の表面、およびレジスト層１
０とアルミニウム層２０との境界面によつてそれ
ぞれ反射された反射光の合成強度は、第８図ａに
示すような歪を有するアライメント波形となる。
第６図ｂに片側に傾斜が生じた場合のマーク３１
の断面形状を示し、第６図ｃに一部に欠陥がある
場合のマーク３２の断面形状を示す。
ニウムのような反射率の大きな材料によつて形成
されている場合の方が反射率の小さな材料によつ
て形成されている場合に比べて、反射光LAおよ
びLBの合成強度Ｉの全振幅4t√・が大きくな
り、これによりレジスト層１０の膜厚の微小変化
に対して合成強度が大きく変化することになる。
例えば、第６図ａに示すようにアルミニウム層２
０に形成されたマーク３０の形状が一見フラツト
で正常に見えても、その上に形成されたレジスト
層１０の膜厚は微小に変化している。このため、
第６図ａに示す幅寸法Ｗが4μｍのマーク３０に
ビーム幅が例えば2.5μｍのアライメント光を照射
して左から右にスキヤニングを行うと、レジスト
層１０の膜厚は第７図ａに示す形状を有してお
り、レジスト層１０の表面、およびレジスト層１
０とアルミニウム層２０との境界面によつてそれ
ぞれ反射された反射光の合成強度は、第８図ａに
示すような歪を有するアライメント波形となる。
第６図ｂに片側に傾斜が生じた場合のマーク３１
の断面形状を示し、第６図ｃに一部に欠陥がある
場合のマーク３２の断面形状を示す。
このようなマーク３１および３２に対してアラ
イメントを行うと、マーク３１および３２上に形
成されたレジスト膜の膜厚の形状は、それぞれ第
７図ｂおよびｃに示す形状を有しており前述した
と同様の理由から、マーク３１および３２のアラ
イメント波形は第８図ｂおよびｃに示すような歪
を有するアライメント波形となる。
イメントを行うと、マーク３１および３２上に形
成されたレジスト膜の膜厚の形状は、それぞれ第
７図ｂおよびｃに示す形状を有しており前述した
と同様の理由から、マーク３１および３２のアラ
イメント波形は第８図ｂおよびｃに示すような歪
を有するアライメント波形となる。
このような歪を有するアライメント波形を処理
することによつて得られるアライメント位置は、
マークの真の中心に対してずれを生じやすく、ま
たマークの検出再現性も悪くなるという問題があ
つた。
することによつて得られるアライメント位置は、
マークの真の中心に対してずれを生じやすく、ま
たマークの検出再現性も悪くなるという問題があ
つた。
本発明は、アライメント精度の向上を計ること
のできるアライメント方法を提供することを目的
とする。
のできるアライメント方法を提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、半導体装置のリソグラフイ工程に用
いられ、レジストが塗布された半導体装置上の位
置決めマーク部にアライメント光を照射して、レ
ジストの表面およびレジストとマーク部との境界
面によつてそれぞれ反射されたアライメント光の
反射光の合成強度に基づいて位置決めを行うアラ
イメント方法において、レジストとして、アライ
メント光の波長帯域に顕著な吸光特性を有する化
学物質が添加されているものを用いることを特徴
とする。
いられ、レジストが塗布された半導体装置上の位
置決めマーク部にアライメント光を照射して、レ
ジストの表面およびレジストとマーク部との境界
面によつてそれぞれ反射されたアライメント光の
反射光の合成強度に基づいて位置決めを行うアラ
イメント方法において、レジストとして、アライ
メント光の波長帯域に顕著な吸光特性を有する化
学物質が添加されているものを用いることを特徴
とする。
（作用）
このように構成された本発明によるアライメン
ト方法によれば、レジストにアライメント光の波
長帯域に顕著な吸光特性を有する化学物質が添加
されることにより、レジストとマーク部との境界
面によつて反射されるアライメント光の反射光の
強度が低下する。これにより反射光の合成強度の
最大値と最小値との差が従来の場合に比べて減少
し、レジストの膜厚の微小変化に対して反射光の
合成強度は大きく変化せず、歪のない安定したア
ライメント波形を得ることができる。
ト方法によれば、レジストにアライメント光の波
長帯域に顕著な吸光特性を有する化学物質が添加
されることにより、レジストとマーク部との境界
面によつて反射されるアライメント光の反射光の
強度が低下する。これにより反射光の合成強度の
最大値と最小値との差が従来の場合に比べて減少
し、レジストの膜厚の微小変化に対して反射光の
合成強度は大きく変化せず、歪のない安定したア
ライメント波形を得ることができる。
以上により本発明のアライメント方法によれば
アライメント精度の向上を計ることができる。
アライメント精度の向上を計ることができる。
（実施例）
本発明の一実施例をアライメント光にHe−Ne
レーザ（λ＝633nｍ）を使用し、商品名が
OFPR800（製造者；東京応化工業(株)）のレジスト
に商品名がMalachile green（製造者；保土ケ谷
化学工業）の吸光剤を添加した場合について説明
する。Malachile greenが添加されたレジスト
（OFPR800）の吸光特性を第３図に示す。第３図
から波長λが633nｍの近辺に吸光度のピークが
あり、He−Neレーザ（λ＝633nｍ）を良く吸光
することがわかる。なお、Malachile greenの分
子構造式を参考までに第４図に示す。
レーザ（λ＝633nｍ）を使用し、商品名が
OFPR800（製造者；東京応化工業(株)）のレジスト
に商品名がMalachile green（製造者；保土ケ谷
化学工業）の吸光剤を添加した場合について説明
する。Malachile greenが添加されたレジスト
（OFPR800）の吸光特性を第３図に示す。第３図
から波長λが633nｍの近辺に吸光度のピークが
あり、He−Neレーザ（λ＝633nｍ）を良く吸光
することがわかる。なお、Malachile greenの分
子構造式を参考までに第４図に示す。
このようにアライメント光の波長帯域に顕著な
吸光特性を有する化学物質が添加されたレジスト
を用いて、第６図ａ，ｂ、およびｃに示すマーク
３０，３１および３２に対してアライメントを行
つたときのアライメント波形をそれぞれ第５図
ａ，ｂ、およびｃに示す。第５図ａ，ｂおよびｃ
からわかるように安定したアライメント波長を得
ることができる。これは、アライメント光がレジ
ストに添加された化学物質にかなり吸光されるこ
とによつて、マーク部とレジストとの境界面で反
射される反射光の強度が低下し、レジストの膜厚
の微小変化に対する反射光の合成強度の急激な変
化が押えられることに起因しているものと考えら
れる。
吸光特性を有する化学物質が添加されたレジスト
を用いて、第６図ａ，ｂ、およびｃに示すマーク
３０，３１および３２に対してアライメントを行
つたときのアライメント波形をそれぞれ第５図
ａ，ｂ、およびｃに示す。第５図ａ，ｂおよびｃ
からわかるように安定したアライメント波長を得
ることができる。これは、アライメント光がレジ
ストに添加された化学物質にかなり吸光されるこ
とによつて、マーク部とレジストとの境界面で反
射される反射光の強度が低下し、レジストの膜厚
の微小変化に対する反射光の合成強度の急激な変
化が押えられることに起因しているものと考えら
れる。
このようにして得られたアライメント波形を処
理して得られるアライメント位置の計測結果の真
の位置からのずれを第２図ａのヒストグラムに示
す。
理して得られるアライメント位置の計測結果の真
の位置からのずれを第２図ａのヒストグラムに示
す。
このヒストグラムでは、計測されたアライメン
ト位置の個数ｎは48個であつて、横軸の階級区間
幅を0.05μｍに取つてある。このヒストグラムか
ら、計測されたアライメント位置のずれは、階級
が、−0.075〜−0.025μｍの区間に大部分が分布し
ていることが分かる。なお、この時の計測結果の
真の位置からのずれの平均値は−0.052μｍであ
つて、バラツキの具合を示す値3σ（σは標準偏差
を表す）は0.111μｍであつた。
ト位置の個数ｎは48個であつて、横軸の階級区間
幅を0.05μｍに取つてある。このヒストグラムか
ら、計測されたアライメント位置のずれは、階級
が、−0.075〜−0.025μｍの区間に大部分が分布し
ていることが分かる。なお、この時の計測結果の
真の位置からのずれの平均値は−0.052μｍであ
つて、バラツキの具合を示す値3σ（σは標準偏差
を表す）は0.111μｍであつた。
レジスト（ORPR800）に吸光剤Malachile
greenを添加しないでアライメントを行つたとき
のアライメント位置の計測結果の真の位置からの
ずれを第２図ｂのヒストグラムに示す。第２図ｂ
のヒストグラムにおいて、計測されたアライメン
ト位置の個数ｎは第２図ａのヒストグラムと同様
に48個であり、横軸の階級区間幅を0.05μｍに取
つてある。このヒストグラムから、計測されたア
ライメント位置のずれは、かなり広範囲の階級に
分布していることが分かる。なお、この時の計測
結果の真の位置からのずれの平均値は−0.047μ
ｍであつて、バラツキの具合を示す値3σは0.272μ
ｍであつた。第２図ａおよびｂに示す計測結果か
ら、アライメント（He−Neレーザ）の波長に対
して優れた吸光特性を有する吸光剤（Malachile
green）をレジスト（OFPR800）に添加した場合
の方がバラツキの具合を示す値3σが小さくなり、
精度の良い位置決めを行うことができる。
greenを添加しないでアライメントを行つたとき
のアライメント位置の計測結果の真の位置からの
ずれを第２図ｂのヒストグラムに示す。第２図ｂ
のヒストグラムにおいて、計測されたアライメン
ト位置の個数ｎは第２図ａのヒストグラムと同様
に48個であり、横軸の階級区間幅を0.05μｍに取
つてある。このヒストグラムから、計測されたア
ライメント位置のずれは、かなり広範囲の階級に
分布していることが分かる。なお、この時の計測
結果の真の位置からのずれの平均値は−0.047μ
ｍであつて、バラツキの具合を示す値3σは0.272μ
ｍであつた。第２図ａおよびｂに示す計測結果か
ら、アライメント（He−Neレーザ）の波長に対
して優れた吸光特性を有する吸光剤（Malachile
green）をレジスト（OFPR800）に添加した場合
の方がバラツキの具合を示す値3σが小さくなり、
精度の良い位置決めを行うことができる。
レジスト（OFPR800）に添加する吸光剤
（Malachile green）の濃度を０％、４％、６％、
８％、および10％と変えたときの、計測されたア
ライメント位置の真の位置からのずれのバラツキ
の具合を示す値3σの変化を第１図に示す。第１
図から吸光剤の濃度が増すにつれて3σの値が小
さくなつていることが分かる。なお、第２図ａの
計測結果は、添加された吸光剤（Malachile
green）の濃度が10％の場合である。
（Malachile green）の濃度を０％、４％、６％、
８％、および10％と変えたときの、計測されたア
ライメント位置の真の位置からのずれのバラツキ
の具合を示す値3σの変化を第１図に示す。第１
図から吸光剤の濃度が増すにつれて3σの値が小
さくなつていることが分かる。なお、第２図ａの
計測結果は、添加された吸光剤（Malachile
green）の濃度が10％の場合である。
以上により、本実施例によれば、アライメント
光の波長に対して優れた吸光特性を有する添加剤
（Malachile green）をレジスト（OFPR800）に
添加することによりアライメン精度の向上を計る
ことができる。
光の波長に対して優れた吸光特性を有する添加剤
（Malachile green）をレジスト（OFPR800）に
添加することによりアライメン精度の向上を計る
ことができる。
なお、上記実施例においては、アライメント光
がHe−Neレーザ（λ＝633nｍ）を用いたため添
加剤としてMalachile greenを使用したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、使用するア
ライメント光の波長に応じた添加剤を使用すれば
同様の効果を得ることができる。また、He−Ne
レーザをアライメント光に用いた場合、添加剤と
してMalachile greenの代わりにスピロ化合物、
ニトロ化合物、アゾ化合物、キノン化合物、トリ
フエニルメタン化合物、ジフエニルメタン化合
物、ポリメチン化合物、またはアクリジン化合物
等を使用しても同様の効果を得ることができる。
がHe−Neレーザ（λ＝633nｍ）を用いたため添
加剤としてMalachile greenを使用したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、使用するア
ライメント光の波長に応じた添加剤を使用すれば
同様の効果を得ることができる。また、He−Ne
レーザをアライメント光に用いた場合、添加剤と
してMalachile greenの代わりにスピロ化合物、
ニトロ化合物、アゾ化合物、キノン化合物、トリ
フエニルメタン化合物、ジフエニルメタン化合
物、ポリメチン化合物、またはアクリジン化合物
等を使用しても同様の効果を得ることができる。
本発明によればアライメント精度の向上を計る
ことができる。
ことができる。
第１図はレジストに添加する吸光剤の濃度を変
化させた場合のアライメント位置の計測結果の真
の位置からのずれのバラツキの変化を示すグラ
フ、第２図はレジストに吸光剤を添加した場合と
添加しない場合のアライメント位置の計測結果の
真の位置からのずれを示すヒストグラム、第３図
は吸光剤（Malachile green）の吸光特性を示す
グラフ、第４図は吸光剤（Malachile green）の
分子構造を示す模式図、第５図は本発明によるア
ライメント方法を使用した場合のアライメント波
形を示すグラフ、第６図は、位置決めマークの形
状を示す断面図、第７図は、第６図に示すマーク
のレジスト膜厚を示すグラフ、第８図は従来の方
法を用いた場合のアライメント波形を示すグラ
フ、第９図はアルミニウムの膜上にレジスト層が
形成された基板にアライメント光を照射したとき
の反射の様子を示す図、第１０図はレジスト膜厚
に対するアライメント光の反射光の合成強度の変
化を示すグラフである。 １０……レジスト層、２０……アルミニウム
層、３０，３１，３２……マーク。
化させた場合のアライメント位置の計測結果の真
の位置からのずれのバラツキの変化を示すグラ
フ、第２図はレジストに吸光剤を添加した場合と
添加しない場合のアライメント位置の計測結果の
真の位置からのずれを示すヒストグラム、第３図
は吸光剤（Malachile green）の吸光特性を示す
グラフ、第４図は吸光剤（Malachile green）の
分子構造を示す模式図、第５図は本発明によるア
ライメント方法を使用した場合のアライメント波
形を示すグラフ、第６図は、位置決めマークの形
状を示す断面図、第７図は、第６図に示すマーク
のレジスト膜厚を示すグラフ、第８図は従来の方
法を用いた場合のアライメント波形を示すグラ
フ、第９図はアルミニウムの膜上にレジスト層が
形成された基板にアライメント光を照射したとき
の反射の様子を示す図、第１０図はレジスト膜厚
に対するアライメント光の反射光の合成強度の変
化を示すグラフである。 １０……レジスト層、２０……アルミニウム
層、３０，３１，３２……マーク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置のリソグラフイ工程に用いられ、
レジストが塗布された前記半導体装置上の位置決
めマーク部にアライメント光を照射して、前記レ
ジストの表面および前記レジストと前記マーク部
との境界面によつてそれぞれ反射された前記アラ
イメント光の反射光の合成強度に基づいて位置決
めを行うアライメント方法において、 前記レジストとして、前記アライメント光の波
長帯域に顕著な吸光特性を有する化学物質が添加
されているものを用いることを特徴とするアライ
メント方法。 ２ 前記アライメント光は、He−Neレーザ光で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のアライメント方法。 ３ 前記化学物質がスピロ化合物、アゾ化合物、
トリフエニルメタン化合物、キノン化合物、ジフ
エニルメタン化合物、ポリメチン化合物、または
アクリジン化合物であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項または第２項記載のアライメント
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328250A JPH01169926A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | アライメント方法 |
| KR1019880017368A KR920003312B1 (ko) | 1987-12-24 | 1988-12-23 | 어라인먼트방법 |
| EP88121715A EP0324165A1 (en) | 1987-12-24 | 1988-12-27 | Alignment method for patterning |
| US07/547,332 US5059808A (en) | 1987-12-24 | 1990-07-03 | Alignment method for patterning |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62328250A JPH01169926A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | アライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169926A JPH01169926A (ja) | 1989-07-05 |
| JPH0520889B2 true JPH0520889B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=18208113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62328250A Granted JPH01169926A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | アライメント方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5059808A (ja) |
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