JPH05211173A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05211173A JPH05211173A JP30367491A JP30367491A JPH05211173A JP H05211173 A JPH05211173 A JP H05211173A JP 30367491 A JP30367491 A JP 30367491A JP 30367491 A JP30367491 A JP 30367491A JP H05211173 A JPH05211173 A JP H05211173A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】下部電極幅が０．１〜０．５μｍのＴ型電極
を、半導体活性層のリセス部に表面損傷を与えることな
く、生産性良く形成する。 【構成】半導体活性層１の上にＳｉＯ2 からなるスペー
サ２を形成する。つぎに電子線レジスト３を電子線直描
装置を用いてパターニングして狭い開口を形成したの
ち、ポジ型フォトレジスト４ａをステッパを用いてパタ
ーニングして広い開口を形成する。つぎに電子線レジス
ト３をマスクとしてスペーサ２をウェットエッチングし
たのち、半導体活性層１にリセスを形成する。つぎに電
極金属５を蒸着したのちリフトオフしてＴ型電極が完成
する。電子線直描装置を１回用いるだけで、リフトオフ
が容易なうえ、リセス部への表面損傷も少ない。
を、半導体活性層のリセス部に表面損傷を与えることな
く、生産性良く形成する。 【構成】半導体活性層１の上にＳｉＯ2 からなるスペー
サ２を形成する。つぎに電子線レジスト３を電子線直描
装置を用いてパターニングして狭い開口を形成したの
ち、ポジ型フォトレジスト４ａをステッパを用いてパタ
ーニングして広い開口を形成する。つぎに電子線レジス
ト３をマスクとしてスペーサ２をウェットエッチングし
たのち、半導体活性層１にリセスを形成する。つぎに電
極金属５を蒸着したのちリフトオフしてＴ型電極が完成
する。電子線直描装置を１回用いるだけで、リフトオフ
が容易なうえ、リセス部への表面損傷も少ない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にマイクロ波帯用の半導体素子に用いられるＴ
型電極の形成方法に関するものである。
関し、特にマイクロ波帯用の半導体素子に用いられるＴ
型電極の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波帯用の半導体素子には断面が
Ｔ字型の電極が用いられることが多い。上部電極幅は
０．５〜１．５μｍであるが、下部電極幅は０．１〜
０．５μｍと狭く、電子線直描によって形成されてい
る。ウェーハ１枚当りの加工に要する時間が長く、生産
性の低いことが問題となっている。
Ｔ字型の電極が用いられることが多い。上部電極幅は
０．５〜１．５μｍであるが、下部電極幅は０．１〜
０．５μｍと狭く、電子線直描によって形成されてい
る。ウェーハ１枚当りの加工に要する時間が長く、生産
性の低いことが問題となっている。
【０００３】特開昭６３−１６４０４５に記されている
Ｔ型電極の形成方法について、図３（ａ）〜（ｄ）を参
照して説明する。
Ｔ型電極の形成方法について、図３（ａ）〜（ｄ）を参
照して説明する。
【０００４】はじめに図３（ａ）に示すように、半導体
活性層１の上にＳｉＯ2 などからなるスペーサ２を堆積
したのち、低感度電子線レジスト３ａおよび高感度電子
線レジスト３ｂを塗布する。
活性層１の上にＳｉＯ2 などからなるスペーサ２を堆積
したのち、低感度電子線レジスト３ａおよび高感度電子
線レジスト３ｂを塗布する。
【０００５】つぎに図３（ｂ）に示すように、高感度電
子線レジスト３ｂに電子線直描装置を用いて広い上部電
極幅で照射してから現像したのち、低感度電子線レジス
ト３ａに狭い下部電極幅で照射してから現像する。つぎ
にバッファード弗酸でスペーサ２をウェットエッチング
したのち、硫酸系の水溶液で半導体活性層１をエッチン
グしてリセスを形成する。
子線レジスト３ｂに電子線直描装置を用いて広い上部電
極幅で照射してから現像したのち、低感度電子線レジス
ト３ａに狭い下部電極幅で照射してから現像する。つぎ
にバッファード弗酸でスペーサ２をウェットエッチング
したのち、硫酸系の水溶液で半導体活性層１をエッチン
グしてリセスを形成する。
【０００６】つぎに図３（ｃ）に示すように、電子線レ
ジスト３ｂ，３ｂを残した状態で電極金属５を蒸着す
る。
ジスト３ｂ，３ｂを残した状態で電極金属５を蒸着す
る。
【０００７】つぎに図３（ｄ）に示すように、メチルエ
チルケトンで高感度電子線レジスト３ｂおよび低感度電
子線レジスト３ａを剥離して、不要の電極金属５をリフ
トオフして断面がＴ字型の電極５が完成する。
チルケトンで高感度電子線レジスト３ｂおよび低感度電
子線レジスト３ａを剥離して、不要の電極金属５をリフ
トオフして断面がＴ字型の電極５が完成する。
【０００８】この工程ではリセス部への表面損傷は少な
いが、電子線レジスト３ａ，３ｂがメチルエチルケトン
に難溶であるので、不要の電極金属５のリフトオフが難
しい。電子線直描装置を２回用いて電子線照射を行なう
ので、生産性が低いという問題がある。
いが、電子線レジスト３ａ，３ｂがメチルエチルケトン
に難溶であるので、不要の電極金属５のリフトオフが難
しい。電子線直描装置を２回用いて電子線照射を行なう
ので、生産性が低いという問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】リセス部への表面損傷
は少ないが、電子線レジストがメチルエチルケトンに難
溶なので剥離が容易でない。そのため不要の電極金属５
のリフトオフが難しい。電子線直描装置を２回用いて電
子線照射を行なうので、生産性が低いという問題があ
る。
は少ないが、電子線レジストがメチルエチルケトンに難
溶なので剥離が容易でない。そのため不要の電極金属５
のリフトオフが難しい。電子線直描装置を２回用いて電
子線照射を行なうので、生産性が低いという問題があ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体活性層上に電子線レジストを塗布した
のち、電子線を照射し、現像して狭い第１のスリットを
開口する工程と、全面にフォトレジストを塗布したの
ち、露光し、現像して前記第１のスリットの上に広い第
２のスリットを開口する工程と、全面に電極金属を蒸着
したのち、前記フォトレジストおよび前記電子線レジス
トをリフトオフして前記電極金属からなるＴ字型電極を
形成する工程とを含むものである。
造方法は、半導体活性層上に電子線レジストを塗布した
のち、電子線を照射し、現像して狭い第１のスリットを
開口する工程と、全面にフォトレジストを塗布したの
ち、露光し、現像して前記第１のスリットの上に広い第
２のスリットを開口する工程と、全面に電極金属を蒸着
したのち、前記フォトレジストおよび前記電子線レジス
トをリフトオフして前記電極金属からなるＴ字型電極を
形成する工程とを含むものである。
【００１１】
【実施例】本発明の第１の実施例について、図１（ａ）
〜（ｂ）を参照して説明する。
〜（ｂ）を参照して説明する。
【００１２】はじめに図１（ａ）に示すように、半導体
活性層１の上にＳｉＯ2 からなるスペーサ２を堆積す
る。つぎに電子線レジスト３を塗布して電子線直描装置
を用いて電子線照射したのち、メチルイソブチルケトン
およびイソプロピルアルコールの混合液で現像する。つ
ぎにポジ型フォトレジスト４ａを塗布する。
活性層１の上にＳｉＯ2 からなるスペーサ２を堆積す
る。つぎに電子線レジスト３を塗布して電子線直描装置
を用いて電子線照射したのち、メチルイソブチルケトン
およびイソプロピルアルコールの混合液で現像する。つ
ぎにポジ型フォトレジスト４ａを塗布する。
【００１３】つぎに図１（ｂ）に示すように、ステッパ
を用いて露光したのち、アルカリ性水溶液でポジ型フォ
トレジスト４ａを現像する。つぎにバッファード弗酸で
スペーサ２をエッチングする。つぎに硫酸系の水溶液で
半導体活性層１をエッチングして表面損傷を与えること
なくリセスを形成する。
を用いて露光したのち、アルカリ性水溶液でポジ型フォ
トレジスト４ａを現像する。つぎにバッファード弗酸で
スペーサ２をエッチングする。つぎに硫酸系の水溶液で
半導体活性層１をエッチングして表面損傷を与えること
なくリセスを形成する。
【００１４】つぎに図１（ｃ）に示すように、リセスに
表面損傷を与えることなくＡｌなどからなる電極金属５
を蒸着する。
表面損傷を与えることなくＡｌなどからなる電極金属５
を蒸着する。
【００１５】つぎに図１（ｄ）に示すように、メチルエ
チルケトンでポジ型フォトレジスト４ａおよび電子線レ
ジスト３を剥離して、不要の電極金属５をリフトオフし
てＴ型ゲート電極５が完成する。
チルケトンでポジ型フォトレジスト４ａおよび電子線レ
ジスト３を剥離して、不要の電極金属５をリフトオフし
てＴ型ゲート電極５が完成する。
【００１６】このときポジ型フォトレジスト４ａは電子
線レジスト３に比べてメチルエチルケトンに溶け易いの
で、リフトオフの歩留が向上する。
線レジスト３に比べてメチルエチルケトンに溶け易いの
で、リフトオフの歩留が向上する。
【００１７】電子線直描装置を用いる電子線照射は１回
で済むので、生産性が向上する。
で済むので、生産性が向上する。
【００１８】つぎに本発明の第２の実施例について、図
２（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
２（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００１９】本実施例では図２（ａ）に示すように、ポ
ジ型フォトレジスト４ａの代りにネガ型フォトレジスト
４ｂを用いていることと、電子線レジスト３とネガ型フ
ォトレジスト４ｂとを連続して塗布している。
ジ型フォトレジスト４ａの代りにネガ型フォトレジスト
４ｂを用いていることと、電子線レジスト３とネガ型フ
ォトレジスト４ｂとを連続して塗布している。
【００２０】つぎに図２（ｂ）に示すように、ネガ型フ
ォトレジスト４ｂを露光・現像したのち、電子線直描装
置で電子線レジスト３に電子線を照射して現像する。つ
ぎにスペーサ２をエッチングしてから、半導体活性層１
をエッチングしてリセスを形成する。
ォトレジスト４ｂを露光・現像したのち、電子線直描装
置で電子線レジスト３に電子線を照射して現像する。つ
ぎにスペーサ２をエッチングしてから、半導体活性層１
をエッチングしてリセスを形成する。
【００２１】そのあと図２（ｃ）に示すように、電極金
属５を蒸着したのち、図２（ｄ）に示すようにリフトオ
フを経てＴ型ゲート電極５が完成する。
属５を蒸着したのち、図２（ｄ）に示すようにリフトオ
フを経てＴ型ゲート電極５が完成する。
【００２２】本実施例ではネガ型フォトレジスト４ｂを
用いているので、Ｔ型電極５の上方で拡がったテーパー
が形成される。
用いているので、Ｔ型電極５の上方で拡がったテーパー
が形成される。
【００２３】電子線レジスト３の現像液であるメチルイ
ソブチルケトンおよびイソプロピルアルコールの混合液
にネガ型フォトレジスト４ｂの未露光部が溶け出さない
ようにネガ型フォトレジスト４ｂの材料を選定する必要
がある。
ソブチルケトンおよびイソプロピルアルコールの混合液
にネガ型フォトレジスト４ｂの未露光部が溶け出さない
ようにネガ型フォトレジスト４ｂの材料を選定する必要
がある。
【００２４】
【発明の効果】ステッパを用いたフォトリソグラフィに
より上部電極をパターニングし、電子線直描装置を用い
た電子線リソグラフィにより下部電極をパターニングし
て、電極金属を蒸着したのちリフトオフすることによっ
てＴ型電極を形成している。
より上部電極をパターニングし、電子線直描装置を用い
た電子線リソグラフィにより下部電極をパターニングし
て、電極金属を蒸着したのちリフトオフすることによっ
てＴ型電極を形成している。
【００２５】その結果、下部電極が０．１〜０．５μｍ
で上部電極が０．５〜１．５μｍのＴ型電極を容易に形
成することができた。
で上部電極が０．５〜１．５μｍのＴ型電極を容易に形
成することができた。
【００２６】半導体活性層のリセス部に表面損傷を与え
ることがなく、電子線直描装置を１回しか用いないので
生産性が優れている。
ることがなく、電子線直描装置を１回しか用いないので
生産性が優れている。
【図１】本発明の第１の実施例を工程順に示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第２の実施例を工程順に示す断面図で
ある。
ある。
【図３】従来のＴ型電極の形成方法を示す断面図であ
る。
る。
１ 半導体活性層 ２ スペーサ ３ 電子線レジスト ３ａ 低感度電子線レジスト ３ｂ 高感度電子線レジスト ４ａ ポジ型フォトレジスト ４ｂ ネガ型フォトレジスト ５ 電極金属
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体活性層上に電子線レジストを塗布
したのち、電子線を照射し、現像して狭い第１のスリッ
トを開口する工程と、全面にフォトレジストを塗布した
のち、露光し、現像して前記第１のスリットの上に広い
第２のスリットを開口する工程と、全面に電極金属を蒸
着したのち、前記フォトレジストおよび前記電子線レジ
ストをリフトオフして前記電極金属からなるＴ字型電極
を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30367491A JPH05211173A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30367491A JPH05211173A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211173A true JPH05211173A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=17923869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30367491A Withdrawn JPH05211173A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05211173A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103135367A (zh) * | 2013-03-11 | 2013-06-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 电子束曝光方法 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP30367491A patent/JPH05211173A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103135367A (zh) * | 2013-03-11 | 2013-06-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 电子束曝光方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |