JPH0521330A - フオトレジスト塗布方法 - Google Patents
フオトレジスト塗布方法Info
- Publication number
- JPH0521330A JPH0521330A JP3200079A JP20007991A JPH0521330A JP H0521330 A JPH0521330 A JP H0521330A JP 3200079 A JP3200079 A JP 3200079A JP 20007991 A JP20007991 A JP 20007991A JP H0521330 A JPH0521330 A JP H0521330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rotation speed
- photoresist
- semiconductor substrate
- speed
- rotation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の表裏面に凸状部が形成さらない
均一な面を有するフォトレジスト層を形成すること。 【構成】 スピンコータ１の回転速度を、高速回転数Ｒ
Ｈから低速度回転数ＲＬに下げて、再び前記高速回転数
ＲＨまで上げる速度変化工程を設け、低速回転中に半導
体基板８の外周部に垂れてきたフォトレジスト９を再び
高速回転することにより外方に飛散させる。このため、
フォトレジスト９の該半導体基板８の表裏面側への周り
込みが防止され、２重層の形成が阻止され、均一な面を
有するフォトレジスト層１０を形成することができる。
均一な面を有するフォトレジスト層を形成すること。 【構成】 スピンコータ１の回転速度を、高速回転数Ｒ
Ｈから低速度回転数ＲＬに下げて、再び前記高速回転数
ＲＨまで上げる速度変化工程を設け、低速回転中に半導
体基板８の外周部に垂れてきたフォトレジスト９を再び
高速回転することにより外方に飛散させる。このため、
フォトレジスト９の該半導体基板８の表裏面側への周り
込みが防止され、２重層の形成が阻止され、均一な面を
有するフォトレジスト層１０を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板のリソグラ
フィ工程に関し、特に、リソグラフィ工程の最初の段階
である半導体基板にフォトレジストを塗布するフォトレ
ジスト塗布方法に関するものである。
フィ工程に関し、特に、リソグラフィ工程の最初の段階
である半導体基板にフォトレジストを塗布するフォトレ
ジスト塗布方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板表面を選択的に処理する必要
がある場合には、一般にリソグラフィ技術が用いられて
いる。このリソグラフィ技術は、概略次のようにして行
なわれる。まず、半導体基板表面に感光性の樹脂（以
下、フォトレジストと記す。）が均一に塗布する必要が
あるが、この塗布を行なうために、スピンコータが使用
されている。このスピンコータの構造を模式的に図９に
示す。図９は密閉式のスピンコータである。このスピン
コータ１は、外囲器２を有し、この外囲器２は、上方が
開閉できるように蓋体３が設けられ、また、外囲器２の
下方には、内部雰囲気を排気するための排気口Ｄが設け
られている。
がある場合には、一般にリソグラフィ技術が用いられて
いる。このリソグラフィ技術は、概略次のようにして行
なわれる。まず、半導体基板表面に感光性の樹脂（以
下、フォトレジストと記す。）が均一に塗布する必要が
あるが、この塗布を行なうために、スピンコータが使用
されている。このスピンコータの構造を模式的に図９に
示す。図９は密閉式のスピンコータである。このスピン
コータ１は、外囲器２を有し、この外囲器２は、上方が
開閉できるように蓋体３が設けられ、また、外囲器２の
下方には、内部雰囲気を排気するための排気口Ｄが設け
られている。
【０００３】上記外囲器２の内部中央には、回転軸４に
支持された吸着ステージ５が設けられている。回転軸４
は、その一端に接続された駆動モータ６により回転さ
れ、この駆動モータ６は、駆動制御回路７により、その
回転数、回転時間が回転制御プログラムに従って種々変
化できるように構成されている。上記のように構成のス
ピンコータ１の吸着ステージ５上に半導体基板８を吸着
させ、フォトレジスト９を上部の図示を省略したノズル
から滴下させた後、蓋体３を閉じて吸着ステージ５を前
記の回転制御プログラムに従って高速回転させる。ここ
で上記の回転制御プログラムの一例を図６に示す。図の
縦軸は、吸着ステージ５の回転数、横軸は回転時間を示
している。この回転制御プログラムにおいて、まず、０
〜３秒間は、回転を停止させている。この回転停止時間
中に、半導体基板８の表面中央部に適量のフォトレジス
ト９を滴下させる。
支持された吸着ステージ５が設けられている。回転軸４
は、その一端に接続された駆動モータ６により回転さ
れ、この駆動モータ６は、駆動制御回路７により、その
回転数、回転時間が回転制御プログラムに従って種々変
化できるように構成されている。上記のように構成のス
ピンコータ１の吸着ステージ５上に半導体基板８を吸着
させ、フォトレジスト９を上部の図示を省略したノズル
から滴下させた後、蓋体３を閉じて吸着ステージ５を前
記の回転制御プログラムに従って高速回転させる。ここ
で上記の回転制御プログラムの一例を図６に示す。図の
縦軸は、吸着ステージ５の回転数、横軸は回転時間を示
している。この回転制御プログラムにおいて、まず、０
〜３秒間は、回転を停止させている。この回転停止時間
中に、半導体基板８の表面中央部に適量のフォトレジス
ト９を滴下させる。
【０００４】次いで、３〜４．５秒間は、吸着ステージ
５の回転数を約５００ｒｐｍ（低速度回転数ＲＳとす
る。）にして該吸着ステージ５を回転させ、フォトレジ
スト９を半導体基板８の表面全体に広げる。次いで、
４．５〜２４秒間は、吸着ステージ５の回転数を約４，
０００ｒｐｍ（高速回転数ＲＨとする。）にして、半導
体基板８の表面のフォトレジスト９を遠心力により周囲
に飛散させ、所定の膜厚のフォトレジスト層１０を形成
する。その後、半導体基板８を外囲器２の蓋体３を開い
て外部に取り出し、フォトレジスト層１０を加熱・硬化
させる。この加熱・硬化後の半導体基板８の状態を図７
に示す。次に、半導体基板８の裏面側にも上記と同様の
手順によりフォトレジスト９を塗布し、加熱・硬化させ
る。この状態を図８に示す。なお、図６の回転制御プロ
グラムは、短時間に所定の膜厚のレジスト層を得るのに
最適となるように種々の実験の結果から回転数と回転時
間とを設計したものである。
５の回転数を約５００ｒｐｍ（低速度回転数ＲＳとす
る。）にして該吸着ステージ５を回転させ、フォトレジ
スト９を半導体基板８の表面全体に広げる。次いで、
４．５〜２４秒間は、吸着ステージ５の回転数を約４，
０００ｒｐｍ（高速回転数ＲＨとする。）にして、半導
体基板８の表面のフォトレジスト９を遠心力により周囲
に飛散させ、所定の膜厚のフォトレジスト層１０を形成
する。その後、半導体基板８を外囲器２の蓋体３を開い
て外部に取り出し、フォトレジスト層１０を加熱・硬化
させる。この加熱・硬化後の半導体基板８の状態を図７
に示す。次に、半導体基板８の裏面側にも上記と同様の
手順によりフォトレジスト９を塗布し、加熱・硬化させ
る。この状態を図８に示す。なお、図６の回転制御プロ
グラムは、短時間に所定の膜厚のレジスト層を得るのに
最適となるように種々の実験の結果から回転数と回転時
間とを設計したものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記スピンコータ１を
用いて半導体基板８の表裏面にフォトレジスト９を塗布
し、加熱・硬化させると、フォトレジスト層１０は、前
記のように図８に示すような状態となるが、ここで特に
問題になるのは、半導体基板９の外周部に塗布されたフ
ォトレジスト層１０が２重層１１となることである。該
２重層１１は互いに密着が悪いため、露光後の工程で選
択エッチング処理中に、フォトレジスト９が剥がれてし
まい、意図しない部分までエッチングされたり、剥がれ
た破片がエッチング液中に浮遊し、半導体基板８の表面
に再付着してしまう等の解決すべき課題があった。とこ
ろで、半導体基板８の表裏面が２重層１１となる要因を
観察すると、まず、いずれか一方の面へのフォトレジス
ト９の塗布状態を見ると、図７のようになる。
用いて半導体基板８の表裏面にフォトレジスト９を塗布
し、加熱・硬化させると、フォトレジスト層１０は、前
記のように図８に示すような状態となるが、ここで特に
問題になるのは、半導体基板９の外周部に塗布されたフ
ォトレジスト層１０が２重層１１となることである。該
２重層１１は互いに密着が悪いため、露光後の工程で選
択エッチング処理中に、フォトレジスト９が剥がれてし
まい、意図しない部分までエッチングされたり、剥がれ
た破片がエッチング液中に浮遊し、半導体基板８の表面
に再付着してしまう等の解決すべき課題があった。とこ
ろで、半導体基板８の表裏面が２重層１１となる要因を
観察すると、まず、いずれか一方の面へのフォトレジス
ト９の塗布状態を見ると、図７のようになる。
【０００６】すなわち、フォトレジスト９が周辺部から
裏面側に回り込み、厚いフォトレジスト層１０ａを形成
していることが分かる。次に、他方の面へのフォトレジ
スト９の塗布後も半導体基板８の裏面側に回り込むた
め、図８に示すように２重層１１が発生してしまうこと
になる。上記のような回り込みを防止する対策として次
のような方法がある。スピンコータ１の回転数を上げ
て半導体基板８の周辺部の余分なフォトレジスト９を飛
散させる。スピンコータ１の回転数を上げずに回転時
間を長くする。しかしながら、上記の方法では、すで
に処理時間を短くするために、最大限回転数は上限に設
定してある。この回転数の上限は、半導体基板８の外周
から飛散したフォトレジスト９が外囲器２の内壁に衝突
してその跳ね返りによって半導体基板８に再び付着する
のを防止する限界まで高速回転数に設定してある。従っ
て、これ以上に回転数を上げることは困難である。ま
た、上記の方法では、生産性を向上させる上で最良の
策ではない。
裏面側に回り込み、厚いフォトレジスト層１０ａを形成
していることが分かる。次に、他方の面へのフォトレジ
スト９の塗布後も半導体基板８の裏面側に回り込むた
め、図８に示すように２重層１１が発生してしまうこと
になる。上記のような回り込みを防止する対策として次
のような方法がある。スピンコータ１の回転数を上げ
て半導体基板８の周辺部の余分なフォトレジスト９を飛
散させる。スピンコータ１の回転数を上げずに回転時
間を長くする。しかしながら、上記の方法では、すで
に処理時間を短くするために、最大限回転数は上限に設
定してある。この回転数の上限は、半導体基板８の外周
から飛散したフォトレジスト９が外囲器２の内壁に衝突
してその跳ね返りによって半導体基板８に再び付着する
のを防止する限界まで高速回転数に設定してある。従っ
て、これ以上に回転数を上げることは困難である。ま
た、上記の方法では、生産性を向上させる上で最良の
策ではない。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記のような各課題を解決す
るためになされたもので、従来と同様の回転数及び回転
時間により半導体基板の表裏面の双方にフォトレジスト
を塗布しても半導体基板の一方の面への回り込みによる
２重層を防止したフォトレジスト塗布方法を提供するこ
とを目的とするものである。
るためになされたもので、従来と同様の回転数及び回転
時間により半導体基板の表裏面の双方にフォトレジスト
を塗布しても半導体基板の一方の面への回り込みによる
２重層を防止したフォトレジスト塗布方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明のフォトレジス
ト塗布方法は、スピンコータで半導体基板表面にフォト
レジストを塗布する方法において、該スピンコータの回
転速度を、高速回転数ＲＨから低速度回転数ＲＬに下げ
て、再び前記高速回転数ＲＨまで上げる速度変化工程を
含むことを特徴とするものである。
ト塗布方法は、スピンコータで半導体基板表面にフォト
レジストを塗布する方法において、該スピンコータの回
転速度を、高速回転数ＲＨから低速度回転数ＲＬに下げ
て、再び前記高速回転数ＲＨまで上げる速度変化工程を
含むことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明のフォトレジスト塗布方法は、スピンコ
ータの回転速度を、高速回転数ＲＨから低速度回転数Ｒ
Ｌに下げて、再び前記高速回転数ＲＨまで上げる速度変
化工程を設けたので、低速回転中に半導体基板の外周部
に垂れてきたフォトレジストが再び高速回転することに
より外方に飛散される。このため、表裏面への塗布工程
において、該半導体基板の表裏面側へ周り込みが防止さ
れ、均一な面を有するフォトレジスト層を形成すること
ができる。従って、後工程でフォトレジストの剥がれが
生じないので、種々の不都合が生じない。
ータの回転速度を、高速回転数ＲＨから低速度回転数Ｒ
Ｌに下げて、再び前記高速回転数ＲＨまで上げる速度変
化工程を設けたので、低速回転中に半導体基板の外周部
に垂れてきたフォトレジストが再び高速回転することに
より外方に飛散される。このため、表裏面への塗布工程
において、該半導体基板の表裏面側へ周り込みが防止さ
れ、均一な面を有するフォトレジスト層を形成すること
ができる。従って、後工程でフォトレジストの剥がれが
生じないので、種々の不都合が生じない。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面に基づいて詳
細に説明する。図１は、本発明を実施するためのスピン
コータの回転制御プログラムである。図において、縦軸
は、図９に示したスピンコータ１における吸着ステージ
５の回転数、横軸は、同じく吸着ステージ５の回転時間
を示す。そこで、まず、０〜３秒間、吸着ステージ５の
回転を停止させている間に、半導体基板８の表面中央部
に適量のフォトレジスト９を滴下させる。次いで、３〜
４．５秒間は、吸着ステージ５の回転数を約５００ｒｐ
ｍ（低速度回転数ＲＳとする。）にして該吸着ステージ
５を回転させ、フォトレジスト９を半導体基板８の表面
全体に広げる。
細に説明する。図１は、本発明を実施するためのスピン
コータの回転制御プログラムである。図において、縦軸
は、図９に示したスピンコータ１における吸着ステージ
５の回転数、横軸は、同じく吸着ステージ５の回転時間
を示す。そこで、まず、０〜３秒間、吸着ステージ５の
回転を停止させている間に、半導体基板８の表面中央部
に適量のフォトレジスト９を滴下させる。次いで、３〜
４．５秒間は、吸着ステージ５の回転数を約５００ｒｐ
ｍ（低速度回転数ＲＳとする。）にして該吸着ステージ
５を回転させ、フォトレジスト９を半導体基板８の表面
全体に広げる。
【００１１】次いで、４．５〜４．６秒間は、吸着ステ
ージ５の回転数を低速度回転数ＲＳから約４，０００ｒ
ｐｍ（高速度回転数ＲＨとする。）に回転数を上げる。
次いで、４．６〜２３秒間は、高速度回転数ＲＨを維持
して、この間に半導体基板８の表面の余分のフォトレジ
スト９を遠心力により周囲に飛散させる。次いで、２３
〜２３．２秒間は、高速度回転数ＲＨから低速度回転数
ＲＳに回転数を下げる。次いで、２３．２〜２３．４秒
間は、低速度回転数ＲＳを維持する。次いで、２３．４
〜２３．６秒間は、再び低速度回転数ＲＳから高速度回
転数ＲＨに回転数を上げ、２３．６〜２４．０秒間の間
に高速度回転数ＲＨから速度０まで回転数を下げて停止
させる。
ージ５の回転数を低速度回転数ＲＳから約４，０００ｒ
ｐｍ（高速度回転数ＲＨとする。）に回転数を上げる。
次いで、４．６〜２３秒間は、高速度回転数ＲＨを維持
して、この間に半導体基板８の表面の余分のフォトレジ
スト９を遠心力により周囲に飛散させる。次いで、２３
〜２３．２秒間は、高速度回転数ＲＨから低速度回転数
ＲＳに回転数を下げる。次いで、２３．２〜２３．４秒
間は、低速度回転数ＲＳを維持する。次いで、２３．４
〜２３．６秒間は、再び低速度回転数ＲＳから高速度回
転数ＲＨに回転数を上げ、２３．６〜２４．０秒間の間
に高速度回転数ＲＨから速度０まで回転数を下げて停止
させる。
【００１２】その後、レジスト層１０を形成した半導体
基板８を外囲器２の蓋体３を開いて外部に取り出し、加
熱・硬化させる。次いで、上記と同様の回転制御プログ
ラムにより半導体基板８の他方の面にもフォトレジスト
９を塗布して加熱・硬化させる。このようにしてフォト
レジスト層１０を全体に形成した半導体基板８の状態を
図２に示す。
基板８を外囲器２の蓋体３を開いて外部に取り出し、加
熱・硬化させる。次いで、上記と同様の回転制御プログ
ラムにより半導体基板８の他方の面にもフォトレジスト
９を塗布して加熱・硬化させる。このようにしてフォト
レジスト層１０を全体に形成した半導体基板８の状態を
図２に示す。
【００１３】図２に示すように、本発明のフォトレジス
ト塗布方法によれば、半導体基板８の外周部には、２重
層１１が形成されてない。これは、回転制御プログラム
中、２３．０〜２３．２秒間に低速度回転数ＲＳに下
げ、かつ、２３．２〜２３．４秒間、該低速度回転数Ｒ
Ｓを維持する工程と、その後、２３．４〜２３．６秒間
に再び高速度回転数ＲＨに回転数を上げ、２３．６〜２
４．０秒間の間に高速度回転数ＲＨから速度０まで回転
数を下げて停止させる工程とを付加したためである。
ト塗布方法によれば、半導体基板８の外周部には、２重
層１１が形成されてない。これは、回転制御プログラム
中、２３．０〜２３．２秒間に低速度回転数ＲＳに下
げ、かつ、２３．２〜２３．４秒間、該低速度回転数Ｒ
Ｓを維持する工程と、その後、２３．４〜２３．６秒間
に再び高速度回転数ＲＨに回転数を上げ、２３．６〜２
４．０秒間の間に高速度回転数ＲＨから速度０まで回転
数を下げて停止させる工程とを付加したためである。
【００１４】すなわち、半導体基板８の表面に滴下され
たフォトレジスト９は、最初の低速度回転数ＲＳで所定
時間回転している間に、該半導体基板８の表面に均一に
拡散される。次いで、高速度回転数ＲＨの領域となり、
所定時間回転を継続する間に、図３に示すように余分の
フォトレジスト９が半導体基板８から外方へ飛散する。
次いで、高速度回転数ＲＨを低速度回転数ＲＳに下げて
所定時間経過する間に、半導体基板８の外周部にフォト
レジスト９が周り込み、図４に示すように比較的厚いフ
ォトレジスト層１０ａが形成される。しかしながら、再
び高速度回転数ＲＨにすると、図５に示すように、半導
体基板８の外周部の厚いフォトレジスト層１０ａの余分
なフォトレジスト９が外方に飛散する。このため、最終
的には、図２に示したように、きわめて平坦なフォトレ
ジスト層が形成されることになる。従って、以後の選択
処理工程での種々の不都合を効果的に解消できるもので
ある。
たフォトレジスト９は、最初の低速度回転数ＲＳで所定
時間回転している間に、該半導体基板８の表面に均一に
拡散される。次いで、高速度回転数ＲＨの領域となり、
所定時間回転を継続する間に、図３に示すように余分の
フォトレジスト９が半導体基板８から外方へ飛散する。
次いで、高速度回転数ＲＨを低速度回転数ＲＳに下げて
所定時間経過する間に、半導体基板８の外周部にフォト
レジスト９が周り込み、図４に示すように比較的厚いフ
ォトレジスト層１０ａが形成される。しかしながら、再
び高速度回転数ＲＨにすると、図５に示すように、半導
体基板８の外周部の厚いフォトレジスト層１０ａの余分
なフォトレジスト９が外方に飛散する。このため、最終
的には、図２に示したように、きわめて平坦なフォトレ
ジスト層が形成されることになる。従って、以後の選択
処理工程での種々の不都合を効果的に解消できるもので
ある。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、所定の
回転制御プログラムによりスピンコータを回転制御する
ようにしたので、半導体基板の表裏面側への周り込みが
防止され、２重層が発生せず、寸法精度の良い所期の半
導体装置を製造することができる。また、上記回転制御
プログラムにおいて、高速回転時の回転速度ＲＨは従来
と同様の回転数であるので、スピンコータの外囲器内壁
からの跳ね返りもない。さらに、全体の処理時間は従来
と同じであるため、生産性を低下させることもない。
回転制御プログラムによりスピンコータを回転制御する
ようにしたので、半導体基板の表裏面側への周り込みが
防止され、２重層が発生せず、寸法精度の良い所期の半
導体装置を製造することができる。また、上記回転制御
プログラムにおいて、高速回転時の回転速度ＲＨは従来
と同様の回転数であるので、スピンコータの外囲器内壁
からの跳ね返りもない。さらに、全体の処理時間は従来
と同じであるため、生産性を低下させることもない。
【図１】本発明のフォトレジスト塗布方法における回転
制御プログラムを示すタイムチャートである。
制御プログラムを示すタイムチャートである。
【図２】上記プログラムによりフォトレジストの両面塗
布工程を終了した半導体基板の状態を示す断面図であ
る。
布工程を終了した半導体基板の状態を示す断面図であ
る。
【図３】上記プログラムによりフォトレジストを塗布し
て最初に回転数を高速度回転数ＲＨにした場合の半導体
基板の状態を示す断面図である。
て最初に回転数を高速度回転数ＲＨにした場合の半導体
基板の状態を示す断面図である。
【図４】上記高速度回転数ＲＨから回転数を低速度回転
数ＲＳに下げた場合の半導体基板の状態を示す断面図で
ある。
数ＲＳに下げた場合の半導体基板の状態を示す断面図で
ある。
【図５】上記低速度回転数ＲＳから再び回転数を高速度
回転数ＲＨに上げた場合の半導体基板の状態を示す断面
図である。
回転数ＲＨに上げた場合の半導体基板の状態を示す断面
図である。
【図６】従来のフォトレジスト塗布方法における回転制
御プログラムを示すタイムチャートである。
御プログラムを示すタイムチャートである。
【図７】上記従来のプログラムによりフォトレジストを
一方の面に塗布した場合の半導体基板の状態を示す断面
図である。
一方の面に塗布した場合の半導体基板の状態を示す断面
図である。
【図８】上記従来のプログラムによりフォトレジストを
他方の面に塗布した場合の半導体基板の状態を示す断面
図である。
他方の面に塗布した場合の半導体基板の状態を示す断面
図である。
【図９】本考案のフォトレジスト塗布方法を実施するた
めのスピンコータを模式的に示した構造図である。
めのスピンコータを模式的に示した構造図である。
１ スピンコータ ２ 外囲器 ３ 蓋体 ４ 回転軸 ５ 吸着ステージ ６ 駆動モータ ７ 駆動制御回路 ８ 半導体基板 ９ フォトレジスト １０ フォトレジスト層 １１ ２重層 ＲＳ 低速回転速度 ＲＨ 高速度回転数
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 スピンコータで半導体基板表面にフォト
レジストを塗布する方法において、該スピンコータの回
転速度を、高速回転数ＲＨから低速度回転数ＲＳに下げ
て、再び前記高速回転数ＲＨまで上げる速度変化工程を
含むことを特徴とするフォトレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200079A JPH0521330A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | フオトレジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3200079A JPH0521330A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | フオトレジスト塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521330A true JPH0521330A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16418506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3200079A Pending JPH0521330A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | フオトレジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521330A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100285524B1 (ko) * | 1996-10-21 | 2001-04-02 | 이시다 아키라 | 도포액 도포방법 |
| US6613700B2 (en) * | 2000-12-14 | 2003-09-02 | Texas Instruments Incorporated | Method for spin coating high viscosity materials on silicon wafers |
| JP2008006379A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護被膜の被覆方法 |
| JP2008251810A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3200079A patent/JPH0521330A/ja active Pending
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