JPH0521431A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0521431A JPH0521431A JP3595691A JP3595691A JPH0521431A JP H0521431 A JPH0521431 A JP H0521431A JP 3595691 A JP3595691 A JP 3595691A JP 3595691 A JP3595691 A JP 3595691A JP H0521431 A JPH0521431 A JP H0521431A
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- JP
- Japan
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- wiring metal
- reaction product
- metal film
- reactive ion
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法に関し、その目的は、
反応性イオンエッチング時に配線金属の側壁に形成され
る反応生成物を容易に除去できる方法を提供することに
ある。 【構成】 反応性イオンエッチングにより配線金属膜１
を所定の形状に形成する半導体装置の製造方法におい
て、配線金属膜１を反応性イオンエッチングにより所定
の形状にエッチングする第１の工程と、該第１の工程で
配線金属１の側壁に形成される反応生成物２を除去する
第２の工程とを、同一チャンバー内でエッチング材料ガ
スを切り換えることにより真空状態を変化させることな
く連続して行う。
反応性イオンエッチング時に配線金属の側壁に形成され
る反応生成物を容易に除去できる方法を提供することに
ある。 【構成】 反応性イオンエッチングにより配線金属膜１
を所定の形状に形成する半導体装置の製造方法におい
て、配線金属膜１を反応性イオンエッチングにより所定
の形状にエッチングする第１の工程と、該第１の工程で
配線金属１の側壁に形成される反応生成物２を除去する
第２の工程とを、同一チャンバー内でエッチング材料ガ
スを切り換えることにより真空状態を変化させることな
く連続して行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、更に詳しくは、半導体装置の製造工程の反応性イ
オンエッチング時に生じる反応生成物の除去に関する。
関し、更に詳しくは、半導体装置の製造工程の反応性イ
オンエッチング時に生じる反応生成物の除去に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造工程における配線
金属膜の加工工程では、異方性エッチングにより微細な
加工が行えることから、一般的に四塩化珪素（ＳｉＣｌ
４）を用いた反応性イオンエッチングが採用されてい
る。
金属膜の加工工程では、異方性エッチングにより微細な
加工が行えることから、一般的に四塩化珪素（ＳｉＣｌ
４）を用いた反応性イオンエッチングが採用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
方法によれば、図２に示すように配線金属１の側壁にエ
ッチング時の反応生成物２が形成される結果、以下のよ
うな問題を生じている。なお、図において、３はレジス
ト、４は陽イオン、５はエッチャントである。
方法によれば、図２に示すように配線金属１の側壁にエ
ッチング時の反応生成物２が形成される結果、以下のよ
うな問題を生じている。なお、図において、３はレジス
ト、４は陽イオン、５はエッチャントである。
【０００４】反応生成物２はＳｉ，Ｃｌ，Ｃ，Ａｌ等
の複合体より形成されており、この中のＣｌはＨＣｌに
なって配線金属の腐蝕の原因になる。
の複合体より形成されており、この中のＣｌはＨＣｌに
なって配線金属の腐蝕の原因になる。
【０００５】側壁に形成された反応生成物２はＯ２や
ＣＦ４／Ｏ２を用いて後工程で除去処理されるが、完全
には除去できないことがあり、不安定な工程になってい
る。
ＣＦ４／Ｏ２を用いて後工程で除去処理されるが、完全
には除去できないことがあり、不安定な工程になってい
る。
【０００６】すなわち、反応生成物２の除去はＯ２プラ
ズマ中でアッシング（灰化）する方法が一般的である
が、この場合にはウェハを反応性イオンエッチング装置
から取り出してプラズマアッシング装置に移す間に側壁
の反応生成物が空気中の酸素と結合して酸化物になって
しまうので完全に除去することは困難である。
ズマ中でアッシング（灰化）する方法が一般的である
が、この場合にはウェハを反応性イオンエッチング装置
から取り出してプラズマアッシング装置に移す間に側壁
の反応生成物が空気中の酸素と結合して酸化物になって
しまうので完全に除去することは困難である。
【０００７】側壁に形成された反応生成物２が後工程
で部分的に剥離，付着することによりパターン欠陥の原
因になる。
で部分的に剥離，付着することによりパターン欠陥の原
因になる。
【０００８】本発明は、これらの問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、反応性イオンエッチング時
に配線金属の側壁に形成される反応生成物を容易に除去
できる方法を提供することにある。
たものであり、その目的は、反応性イオンエッチング時
に配線金属の側壁に形成される反応生成物を容易に除去
できる方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
る本発明は、反応性イオンエッチングにより配線金属膜
を所定の形状に形成する半導体装置の製造方法におい
て、配線金属膜を反応性イオンエッチングにより所定の
形状にエッチングする第１の工程と、該第１の工程で配
線金属の側壁に形成される反応生成物を除去する第２の
工程とを、同一チャンバー内でエッチング材料ガスを切
り換えることにより真空状態を変化させることなく連続
して行うことを特徴とする。
る本発明は、反応性イオンエッチングにより配線金属膜
を所定の形状に形成する半導体装置の製造方法におい
て、配線金属膜を反応性イオンエッチングにより所定の
形状にエッチングする第１の工程と、該第１の工程で配
線金属の側壁に形成される反応生成物を除去する第２の
工程とを、同一チャンバー内でエッチング材料ガスを切
り換えることにより真空状態を変化させることなく連続
して行うことを特徴とする。
【００１０】
【作用】反応性イオンエッチングにより配線金属膜を所
定の形状に形成する第１の工程と該第１の工程で配線金
属膜の側壁に形成される反応生成物を除去する第２の工
程とが大気に触れることなく連続的に行われるので、反
応生成物は側壁に残留することなく除去される。
定の形状に形成する第１の工程と該第１の工程で配線金
属膜の側壁に形成される反応生成物を除去する第２の工
程とが大気に触れることなく連続的に行われるので、反
応生成物は側壁に残留することなく除去される。
【００１１】この結果、反応生成物が側壁に残留するこ
とによる不都合は解消される。
とによる不都合は解消される。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。 （Ａ）は配線金属膜１を反応性イオンエッチングでエッ
チングする前の状態を示している。Ｓｉ基板６の上にＳ
ｉＯ２層７が形成され、該ＳｉＯ２層７の上に配線金属
膜１としてＡｌ（Ｓｉ含有）が形成された３層構造にな
っている。配線金属膜１の上にはレジスト３が形成され
ている。該工程は、レジスト３直下のＡｌ以外のＡｌを
エッチングで除去することを目的とする。
る。 （Ａ）は配線金属膜１を反応性イオンエッチングでエッ
チングする前の状態を示している。Ｓｉ基板６の上にＳ
ｉＯ２層７が形成され、該ＳｉＯ２層７の上に配線金属
膜１としてＡｌ（Ｓｉ含有）が形成された３層構造にな
っている。配線金属膜１の上にはレジスト３が形成され
ている。該工程は、レジスト３直下のＡｌ以外のＡｌを
エッチングで除去することを目的とする。
【００１４】（Ｂ）は反応性イオンエッチングによる配
線金属膜１のエッチングが完了した直後の状態を示して
いる。配線金属膜１及びレジスト３の側壁には反応生成
物２が形成されていて、異方性エッチングが可能な状態
になっている。なお、反応性イオンエッチングのエッチ
ング材料ガスとしてＳｉＣｌ４を使用する場合、反応生
成物２はＳｉ，Ｃｌ，Ｃ（レジスト３中に含有），Ａｌ
の複合体になる。
線金属膜１のエッチングが完了した直後の状態を示して
いる。配線金属膜１及びレジスト３の側壁には反応生成
物２が形成されていて、異方性エッチングが可能な状態
になっている。なお、反応性イオンエッチングのエッチ
ング材料ガスとしてＳｉＣｌ４を使用する場合、反応生
成物２はＳｉ，Ｃｌ，Ｃ（レジスト３中に含有），Ａｌ
の複合体になる。
【００１５】（Ｃ）は反応生成物２を配線金属膜１及び
レジスト３の側壁から除去した状態を示している。反応
生成物２のエッチング除去は、工程（Ｂ）でのエッチン
グ直後に同一チャンバー内で真空状態を変化させること
なく連続的にエッチング材料ガスをＣＦ４及びＯ２の混
合ガスに切り換えることにより行う。これにより、反応
生成物２が大気に触れることはなく、容易に反応生成物
２のエッチング除去が行える。
レジスト３の側壁から除去した状態を示している。反応
生成物２のエッチング除去は、工程（Ｂ）でのエッチン
グ直後に同一チャンバー内で真空状態を変化させること
なく連続的にエッチング材料ガスをＣＦ４及びＯ２の混
合ガスに切り換えることにより行う。これにより、反応
生成物２が大気に触れることはなく、容易に反応生成物
２のエッチング除去が行える。
【００１６】（Ｄ）はレジスト３を除去した状態を示し
ている。反応生成物２は配線金属膜１の側壁から完全に
除去されている。
ている。反応生成物２は配線金属膜１の側壁から完全に
除去されている。
【００１７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、従来のような反応生成物の側壁への残留はなくな
るので、以下のような効果が得られる。
れば、従来のような反応生成物の側壁への残留はなくな
るので、以下のような効果が得られる。
【００１８】反応生成物に起因する配線金属の腐蝕が
防止できる。層間膜工程等、後工程への側壁に形成さ
れた反応生成物に起因する悪影響がなくなる。
防止できる。層間膜工程等、後工程への側壁に形成さ
れた反応生成物に起因する悪影響がなくなる。
【００１９】側壁に形成された反応生成物が後工程で
部分的に剥離，付着することによるパターン欠陥の発生
が防止できる。
部分的に剥離，付着することによるパターン欠陥の発生
が防止できる。
【図１】本発明の一実施例の工程説明図である。
【図２】反応性イオンエッチングによる反応生成物の形
成説明図である。
成説明図である。
１ 配線金属膜（Ａｌ） ２ 反応生成物 ３ レジスト ６ Ｓｉ基板 ７ ＳｉＯ２層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 反応性イオンエッチングにより配線金属
膜を所定の形状に形成する半導体装置の製造方法におい
て、 配線金属膜を反応性イオンエッチングにより所定の形状
にエッチングする第１の工程と、 該第１の工程で配線金属の側壁に形成される反応生成物
を除去する第２の工程とを、 同一チャンバー内でエッチング材料ガスを切り換えるこ
とにより真空状態を変化させることなく連続して行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3595691A JPH0521431A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3595691A JPH0521431A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521431A true JPH0521431A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=12456428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3595691A Pending JPH0521431A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521431A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2163579A2 (en) | 2008-08-08 | 2010-03-17 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3595691A patent/JPH0521431A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2163579A2 (en) | 2008-08-08 | 2010-03-17 | The Yokohama Rubber Co., Ltd. | Epoxy resin composition |
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