JPH05214541A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH05214541A JPH05214541A JP4600092A JP4600092A JPH05214541A JP H05214541 A JPH05214541 A JP H05214541A JP 4600092 A JP4600092 A JP 4600092A JP 4600092 A JP4600092 A JP 4600092A JP H05214541 A JPH05214541 A JP H05214541A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 基板の主面に安定して良質かつ均一な薄膜が
形成可能な薄膜形成装置。 【構成】 霧化器1の成膜用ノズル3の霧の放出口9か
ら霧の排出口21に至る成膜室4の霧通路と、基板搬送
手段により搬送される基板6の搬送路とを1個所で交差
するよう形成したため、成膜室4の霧の通路のうち、霧
の状態が不安定な部分を避けて、霧の流れが層流とな
り、かつ気化しやすい安定した状態の部分のみに基板6
を通すことができる。このため、基板6の主面に安定し
て良質かつ均一な薄膜を形成することができる。
形成可能な薄膜形成装置。 【構成】 霧化器1の成膜用ノズル3の霧の放出口9か
ら霧の排出口21に至る成膜室4の霧通路と、基板搬送
手段により搬送される基板6の搬送路とを1個所で交差
するよう形成したため、成膜室4の霧の通路のうち、霧
の状態が不安定な部分を避けて、霧の流れが層流とな
り、かつ気化しやすい安定した状態の部分のみに基板6
を通すことができる。このため、基板6の主面に安定し
て良質かつ均一な薄膜を形成することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、霧化した原料溶液を加
熱した基板の成膜面に吹き付け、そこに薄膜を形成する
装置に関する。
熱した基板の成膜面に吹き付け、そこに薄膜を形成する
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の薄膜形成法及びその装置
は、例えば特開昭61−69962号等に示される様
に、予め調合した原料溶液を霧化器(アトマイザ)によ
り噴霧し、薄膜を形成する基板の主面に接触させて薄膜
を形成する。
は、例えば特開昭61−69962号等に示される様
に、予め調合した原料溶液を霧化器(アトマイザ)によ
り噴霧し、薄膜を形成する基板の主面に接触させて薄膜
を形成する。
【0003】これを図4により説明すると、薄膜を形成
させるために予め調合した原料溶液を霧化する霧化器1
が備えられ、この霧化器1の上方に向け成膜用ノズル3
が設けられている。この成膜用ノズル3の放出口9は、
成膜室4の底面からその中に向けて開口しており、さら
にこの成膜室4には排気口21が設けられ、この排気口
21に排気ダクト5が接続されている。霧化器1は、原
料溶液容器2から霧箱の中に霧を吹き出す噴霧器10を
設置したもので、ここで発生した原料溶液の霧のうち、
比較的粒子の細かい霧のみを上記成膜用ノズル3の放出
口9から成膜室4に放出する。さらに、成膜用ノズル3
の放出口9から成膜室4に放出された霧は、同室4を通
って排気口21から排気ダクト5に入り、同ダクト5を
通して排出される。
させるために予め調合した原料溶液を霧化する霧化器1
が備えられ、この霧化器1の上方に向け成膜用ノズル3
が設けられている。この成膜用ノズル3の放出口9は、
成膜室4の底面からその中に向けて開口しており、さら
にこの成膜室4には排気口21が設けられ、この排気口
21に排気ダクト5が接続されている。霧化器1は、原
料溶液容器2から霧箱の中に霧を吹き出す噴霧器10を
設置したもので、ここで発生した原料溶液の霧のうち、
比較的粒子の細かい霧のみを上記成膜用ノズル3の放出
口9から成膜室4に放出する。さらに、成膜用ノズル3
の放出口9から成膜室4に放出された霧は、同室4を通
って排気口21から排気ダクト5に入り、同ダクト5を
通して排出される。
【0004】上記成膜室4の内部に、主面に薄膜を形成
する基板6が一列に配列され、これが予熱室13から成
膜室4を経て基板排出口20へと一定の速度で移動され
る。図示の場合、基板6はマガジンラック11に間隔を
おいて収納され、このマガジンラック11が昇降機構1
4でラック1段ごと順次上昇されると共に、プッシャー
12から基板6が基板導入口19に順次送り出される。
この基板6は、図5に示すようなガイド溝に沿って順次
押されながら予熱室13から成膜室4を経て基板排出口
20へと一定の速度で送られる。基板排出口20を出た
基板6は、ピックアップバンド16で上昇させられ、プ
ッシャー17でマガジンラック15に収納される。この
マガジンラック15は、昇降機構18によってラック1
段ごと下降し、その各ラックに順次基板6を収納する。
する基板6が一列に配列され、これが予熱室13から成
膜室4を経て基板排出口20へと一定の速度で移動され
る。図示の場合、基板6はマガジンラック11に間隔を
おいて収納され、このマガジンラック11が昇降機構1
4でラック1段ごと順次上昇されると共に、プッシャー
12から基板6が基板導入口19に順次送り出される。
この基板6は、図5に示すようなガイド溝に沿って順次
押されながら予熱室13から成膜室4を経て基板排出口
20へと一定の速度で送られる。基板排出口20を出た
基板6は、ピックアップバンド16で上昇させられ、プ
ッシャー17でマガジンラック15に収納される。この
マガジンラック15は、昇降機構18によってラック1
段ごと下降し、その各ラックに順次基板6を収納する。
【0005】このようにして搬送される基板6は、成膜
室4を通過する課程で、その背面に設けられた均熱板7
を介してヒーター8により加熱される。霧状の原料溶液
が上記成膜室4を通過する過程で、加熱された上記基板
6の主面に接近すると、そこで霧が気化し、されにこの
気化した原料が酸素と反応し、上記基板6の主面上に酸
化物の薄膜が形成される。
室4を通過する課程で、その背面に設けられた均熱板7
を介してヒーター8により加熱される。霧状の原料溶液
が上記成膜室4を通過する過程で、加熱された上記基板
6の主面に接近すると、そこで霧が気化し、されにこの
気化した原料が酸素と反応し、上記基板6の主面上に酸
化物の薄膜が形成される。
【0006】
【発明が解決しようとしている課題】基板6の主面に均
一で上質な薄膜を形成するためには、上記成膜室4を流
れる原料溶液の霧が基板6の主面に沿って安定した流れ
となり、その主面に接する部分で完全に気化することが
必要である。しかし、霧化器1の成膜用ノズル3の霧の
放出口9から放出されたばかりの霧は、成膜室4に導入
されてから間もないため温度が低く、気化しにくく、し
かも、流れが不安定である。他方、霧の排気口21の近
くでは、排気ダクト5で引かれる気流により、やはり流
れが安定しない。しかも、霧が排気口21側に引かれる
ため、霧が基板に近づきにくく、基板の薄膜形成効率が
極端に悪い。
一で上質な薄膜を形成するためには、上記成膜室4を流
れる原料溶液の霧が基板6の主面に沿って安定した流れ
となり、その主面に接する部分で完全に気化することが
必要である。しかし、霧化器1の成膜用ノズル3の霧の
放出口9から放出されたばかりの霧は、成膜室4に導入
されてから間もないため温度が低く、気化しにくく、し
かも、流れが不安定である。他方、霧の排気口21の近
くでは、排気ダクト5で引かれる気流により、やはり流
れが安定しない。しかも、霧が排気口21側に引かれる
ため、霧が基板に近づきにくく、基板の薄膜形成効率が
極端に悪い。
【0007】このため、特に霧の放出口9の真上を基板
6が通過するとき、気化し得なかった霧の粒子が基板6
の主面にランダムに付着し、そこで急激に気化し、反応
して薄膜形成物質が堆積してしまう。このため、所々に
比較的多量の薄膜形成物質が堆積してしまい、薄膜の膜
厚に不均一性が生じやすい。また、そのようにして形成
される薄膜は、品質が悪く、電気的特性や透光性が安定
しないという課題があった。そこで、本発明は、上記従
来の課題に鑑み、基板の主面に安定して良質かつ均一な
薄膜が形成可能な薄膜形成装置を提供することにある。
6が通過するとき、気化し得なかった霧の粒子が基板6
の主面にランダムに付着し、そこで急激に気化し、反応
して薄膜形成物質が堆積してしまう。このため、所々に
比較的多量の薄膜形成物質が堆積してしまい、薄膜の膜
厚に不均一性が生じやすい。また、そのようにして形成
される薄膜は、品質が悪く、電気的特性や透光性が安定
しないという課題があった。そこで、本発明は、上記従
来の課題に鑑み、基板の主面に安定して良質かつ均一な
薄膜が形成可能な薄膜形成装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記の目的を
達成するため、本発明において採用した手段の要旨は、
主面に薄膜を形成すべき基板6を並べて順次搬送する基
板搬送手段と、該基板搬送手段により搬送される基板6
が通過する位置に形成された成膜室4と、該成膜室4を
通る基板6を加熱するヒーター8と、薄膜の原料溶液を
霧化し、該霧を成膜用ノズル3から上記成膜室4内に放
出する霧化器1と、該霧化器1から成膜室4の中に放出
された霧を成膜室4から排出する排気口21とを備える
薄膜形成装置において、上記霧化器1の成膜用ノズル3
の霧の放出口9から霧の排出口21に至る成膜室4の霧
通路と、基板搬送手段により搬送される基板6の搬送路
とを1個所で交差するよう形成したことを特徴とする薄
膜形成装置である。
達成するため、本発明において採用した手段の要旨は、
主面に薄膜を形成すべき基板6を並べて順次搬送する基
板搬送手段と、該基板搬送手段により搬送される基板6
が通過する位置に形成された成膜室4と、該成膜室4を
通る基板6を加熱するヒーター8と、薄膜の原料溶液を
霧化し、該霧を成膜用ノズル3から上記成膜室4内に放
出する霧化器1と、該霧化器1から成膜室4の中に放出
された霧を成膜室4から排出する排気口21とを備える
薄膜形成装置において、上記霧化器1の成膜用ノズル3
の霧の放出口9から霧の排出口21に至る成膜室4の霧
通路と、基板搬送手段により搬送される基板6の搬送路
とを1個所で交差するよう形成したことを特徴とする薄
膜形成装置である。
【0009】
【作用】本発明による薄膜形成装置では、霧化器1の成
膜用ノズル3の霧の放出口9から霧の排出口21に至る
成膜室4の霧通路と、基板搬送手段により搬送される基
板6の搬送路とを1個所で交差するよう形成したため、
成膜室4の霧の通路のうち、霧の状態が不安定な部分を
避けて、霧の流れが層流となり、かつ気化しやすい安定
した状態の部分のみに基板6を通すことができる。
膜用ノズル3の霧の放出口9から霧の排出口21に至る
成膜室4の霧通路と、基板搬送手段により搬送される基
板6の搬送路とを1個所で交差するよう形成したため、
成膜室4の霧の通路のうち、霧の状態が不安定な部分を
避けて、霧の流れが層流となり、かつ気化しやすい安定
した状態の部分のみに基板6を通すことができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1〜図3に、本発明の実施例を示
すが、そこで示された薄膜形成装置の基本的な構成は、
既に図4及び図5で示した従来の薄膜形成装置と同じで
あり、同じ部分は同じ符号で示している。すなわち、薄
膜を形成させるために予め調合した原料溶液を霧化する
霧化器1が備えられ、この霧化器1の上方に向け成膜用
ノズル3が設けられている。この成膜用ノズル3の放出
口9は、成膜室4に向けて開口しており、さらにこの成
膜室4には上記放出口9と離れて排気口21が設けら
れ、この排気口21に排気ダクト5が接続されている。
霧化器1は、原料溶液容器2から霧箱の中に霧を吹き出
す噴霧器10を設置したもので、ここで発生した原料溶
液の霧のうち、比較的粒子の細かい霧のみを上記成膜用
ノズル3から成膜室4に放出する。さらに、成膜用ノズ
ル3の放出口9から成膜室4に放出された霧は、同室4
を通って排気口21から排気ダクト5に入り、同ダクト
5を通して排出される。
しながら説明する。図1〜図3に、本発明の実施例を示
すが、そこで示された薄膜形成装置の基本的な構成は、
既に図4及び図5で示した従来の薄膜形成装置と同じで
あり、同じ部分は同じ符号で示している。すなわち、薄
膜を形成させるために予め調合した原料溶液を霧化する
霧化器1が備えられ、この霧化器1の上方に向け成膜用
ノズル3が設けられている。この成膜用ノズル3の放出
口9は、成膜室4に向けて開口しており、さらにこの成
膜室4には上記放出口9と離れて排気口21が設けら
れ、この排気口21に排気ダクト5が接続されている。
霧化器1は、原料溶液容器2から霧箱の中に霧を吹き出
す噴霧器10を設置したもので、ここで発生した原料溶
液の霧のうち、比較的粒子の細かい霧のみを上記成膜用
ノズル3から成膜室4に放出する。さらに、成膜用ノズ
ル3の放出口9から成膜室4に放出された霧は、同室4
を通って排気口21から排気ダクト5に入り、同ダクト
5を通して排出される。
【0011】図3に示されたように、主面に薄膜を形成
する基板6が一列に配列され、これが基板導入口19か
ら、予熱室13及び成膜室4を経て基板排出口20へと
一定の速度で移動される。基板6はマガジンラック11
にラックに収納され、このマガジンラック11が昇降機
構14(図1参照)でラック1段ごと順次上昇されると
共に、プッシャー12から基板6が基板導入口19に順
次送り出される。この基板6は、図2に示すようなガイ
ド溝に沿って順次押されながら基板導入口10から予熱
室13に導入され、基板排出口20側へと一定の速度で
送られる。基板排出口20を出た基板6は、ピックアッ
プバンド16で上昇させられ、プッシャー17でマガジ
ンラック15に収納される。このマガジンラック15
は、図示してない昇降機構によってラック1段ごと下降
し、その各ラックに基板6を順次収納する。
する基板6が一列に配列され、これが基板導入口19か
ら、予熱室13及び成膜室4を経て基板排出口20へと
一定の速度で移動される。基板6はマガジンラック11
にラックに収納され、このマガジンラック11が昇降機
構14(図1参照)でラック1段ごと順次上昇されると
共に、プッシャー12から基板6が基板導入口19に順
次送り出される。この基板6は、図2に示すようなガイ
ド溝に沿って順次押されながら基板導入口10から予熱
室13に導入され、基板排出口20側へと一定の速度で
送られる。基板排出口20を出た基板6は、ピックアッ
プバンド16で上昇させられ、プッシャー17でマガジ
ンラック15に収納される。このマガジンラック15
は、図示してない昇降機構によってラック1段ごと下降
し、その各ラックに基板6を順次収納する。
【0012】図1及び図3で明かな通り、上記基板6が
搬送される経路は、霧の放出口9から霧の排気口21に
至る成膜室4での霧の流れの方向に対して直交する方向
に配置されている。図1において、霧の流れを矢印で示
すが、基板6は、紙面奥から手前に搬送される。また、
図3において、霧は左から右向きに流れるが、基板6は
下から上へ向けて搬送される。そして、その基板の搬送
経路を形成するガイドを含むハウジング18の中央が成
膜室4と交差する部分で基板6がその下方の主面を成膜
室4に向けながら同成膜室4を通過する。この基板6が
通過する部分は、霧が放出口9から放出され、排気口2
1から排気される間のうち、霧の流れが層流となり、か
つ気化しやすい安定した状態の部分が選択される。それ
は、放出口9と排気口21との中間位置よりやや排気口
21に寄った部分が一般的である。
搬送される経路は、霧の放出口9から霧の排気口21に
至る成膜室4での霧の流れの方向に対して直交する方向
に配置されている。図1において、霧の流れを矢印で示
すが、基板6は、紙面奥から手前に搬送される。また、
図3において、霧は左から右向きに流れるが、基板6は
下から上へ向けて搬送される。そして、その基板の搬送
経路を形成するガイドを含むハウジング18の中央が成
膜室4と交差する部分で基板6がその下方の主面を成膜
室4に向けながら同成膜室4を通過する。この基板6が
通過する部分は、霧が放出口9から放出され、排気口2
1から排気される間のうち、霧の流れが層流となり、か
つ気化しやすい安定した状態の部分が選択される。それ
は、放出口9と排気口21との中間位置よりやや排気口
21に寄った部分が一般的である。
【0013】この基板6が成膜室4を通過する部分を含
むその前後に亙って基板6の背後に熱伝導良好な金属板
からなる均熱板7が配置されると共に、この均熱板7の
背後に同均熱板8を介して基板6を背後から加熱するヒ
ーター8が配置されている。この薄膜形成装置では、基
板6が成膜室4を通過するとき、その成膜室4を通過す
る霧が、上記ヒーター8の加熱により基板6の表面付近
で気化され、さらに空気や水蒸気の酸素と反応し、その
反応物質が基板6の主面に堆積し、薄膜を形成する。
むその前後に亙って基板6の背後に熱伝導良好な金属板
からなる均熱板7が配置されると共に、この均熱板7の
背後に同均熱板8を介して基板6を背後から加熱するヒ
ーター8が配置されている。この薄膜形成装置では、基
板6が成膜室4を通過するとき、その成膜室4を通過す
る霧が、上記ヒーター8の加熱により基板6の表面付近
で気化され、さらに空気や水蒸気の酸素と反応し、その
反応物質が基板6の主面に堆積し、薄膜を形成する。
【0014】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、成
膜室の霧の通路のうち、霧の状態が不安定な部分を避け
て、霧の流れが層流となり、かつ気化しやすい安定した
状態の部分のみに基板を通すことができるため、基板の
主面に安定して良質かつ均一な薄膜を形成することがで
きる。
膜室の霧の通路のうち、霧の状態が不安定な部分を避け
て、霧の流れが層流となり、かつ気化しやすい安定した
状態の部分のみに基板を通すことができるため、基板の
主面に安定して良質かつ均一な薄膜を形成することがで
きる。
【図1】本発明の実施例を示す薄膜形成装置の縦断側面
図である。
図である。
【図2】同実施例の成膜室部分の要部拡大縦断側面図で
ある。
ある。
【図3】同実施例の平面図である。
【図4】従来例を示す薄膜形成装置の縦断側面図であ
る。
る。
【図5】同従来例の成膜室部分の縦断正面図である。 1 霧化器 3 成膜用ノズル 4 成膜室 5 排気ダクト 6 基板 7 均熱板 8 ヒーター 9 放出口 21 排気口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤田 昌弘 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 主面に薄膜を形成すべき基板(6)を並
べて順次搬送する基板搬送手段と、該基板搬送手段によ
り搬送される基板(6)が通過する位置に形成された成
膜室(4)と、該成膜室(4)を通る基板(6)を加熱
するヒーター(8)と、薄膜の原料溶液を霧化し、該霧
を成膜用ノズル(3)から上記成膜室(4)内に放出す
る霧化器(1)と、該霧化器(1)から成膜室(4)の
中に放出された霧を成膜室(4)から排出する排気口
(21)とを備える薄膜形成装置において、上記霧化器
(1)の成膜用ノズル(3)の霧の放出口(9)から霧
の排出口(21)に至る成膜室(4)の霧通路と、基板
搬送手段により搬送される基板(6)の搬送路とを1個
所で交差するよう形成したことを特徴とする薄膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4600092A JPH05214541A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4600092A JPH05214541A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05214541A true JPH05214541A (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=12734819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4600092A Withdrawn JPH05214541A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05214541A (ja) |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4600092A patent/JPH05214541A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |