JPH0521759A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH0521759A
JPH0521759A JP3174239A JP17423991A JPH0521759A JP H0521759 A JPH0521759 A JP H0521759A JP 3174239 A JP3174239 A JP 3174239A JP 17423991 A JP17423991 A JP 17423991A JP H0521759 A JPH0521759 A JP H0521759A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate array
exposure apparatus
projection exposure
semiconductor device
reduced projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3174239A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Yamano
剛 山野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3174239A priority Critical patent/JPH0521759A/ja
Publication of JPH0521759A publication Critical patent/JPH0521759A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 縮少投影露光装置の露光開口部のサイズの影
響を受けない大規模の半導体装置の製造方法を得る。 【構成】 縮少投影露光装置を用いて複数のゲートアレ
イ2A〜5A形成を形成した後、1対1の投影露光装置
を用いて各ゲートアレイ間を配線6Aで接続して組合わ
せることにより単一のゲートアレイチップ1Aを形成す
る。 【効果】 現状のLSIより大規模なLSIが形成でき
るため多機能はLSIが製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、配線装置の製造方法
に関し、特にWSI(Wafer Scale Int
egration)デバイスの製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】図2は従来の半導体装置の製造方法によ
り形成されたゲートアレイチップを示す構成図である。
図において、1はゲートアレイチップ、2はロジック回
路部、3はI/O回路部、4はROM回路部、5はRA
M回路部、6は各回路部を接続する配線、1′はゲート
アレイチップ1の縮少投影露光装置(図示せず)の露光
開口部の制約から例えば約20mm×20mmの大きさ
となるエリアである。
【0003】次に従来の半導体装置の製造方法について
説明する。まず、ゲートアレイチップ1に縮少投影露光
装置を用いて、ロジック開口部2、I/O回路部3、R
OM回路部4、RAM回路部5に必要なAND,OR,
NOT等のゲートを形成する。次に同じく上記縮少投影
露光装置を用いて、各回路部を構成するための配線と各
回路間を接続するための配線6を形成し、所定の機能を
持ったゲートアレイチップ1を構成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置の製
造方法は、以上のように行われているので、縮少投影露
光装置の露光開口部のサイズの制約から、その露光開口
部以上の大規模のゲートアレイLSIの如き半導体装置
を製造できないという問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、縮少投影露光装置の露光開口部
のサイズに影響されない大規模な例えばゲートアレイL
SIの如き半導体装置を得ることができる半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、縮少投影露光装置を用いて半導体基板
上にゲートの組合せを変えることによって夫々機能の異
なる複数のゲートアレイを形成する工程と、上記縮少投
影露光装置より大きな露光開口部を有する投影露光装置
を用いて上記複数のゲートアレイ間を配線で接続して組
合せることにより、単一のゲートアレイチップを形成す
る工程とを含むものである。
【0007】
【作用】この発明においては、各種回路別ゲートアレイ
を組合せて形成しているため、所望の規模の半導体装置
が自由に形成できる。
【0008】
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図1はこの発明による半導体装置の製
造方法によって形成されたゲートアレイチップを示す構
成図である。図において、1Aは各回路別ゲートアレイ
を組合せた所定のゲートアレイチップ、2Aはロジック
回路部ゲートアレイ、3AはI/O回路部ゲートアレ
イ、4AはROM回路部ゲートアレイ、5AはRAM回
路部ゲートアレイ、6Aは各ゲートアレイ間を接続する
配線、2A′〜5A′は縮少投影露光装置(図示せず)
で露光可能なエリアである。
【0009】次にこの発明による半導体装置の製造方法
を説明する。まず、縮少投影露光装置を用いて、半導体
基板に例えばAND,OR,NOT等のゲートの組合わ
せを変えることによって機能の異なる複数のゲートアレ
イ例えばロジック回路ゲートアレイ2A、I/O回路ゲ
ートアレイ3A、ROM回路ゲートアレイ4A、RAM
回路ゲートアレイ5Aを形成する。これ等のゲートアレ
イはゲートの密度を上げて高機能化されている。
【0010】次に上記縮少投影露光装置より大きな露光
開口部を有する投影露光装置例えば1:1の投影露光装
置(図示せず)を用いて、各ゲートアレイ間を接続する
ための配線を形成するマスクを作成し、各ゲートアレイ
間を配線6Aで接続して組合わせることにより単一のゲ
ートアレイチップ1Aを形成する。これにより各ゲート
アレイ間の配線は微細加工を必要としない。このように
して、本実施例では大規模なゲートアレイLSIを製造
できる。
【0011】実施例2.なお、上記実施例では、ロジッ
ク回路部ゲートアレイ、I/O回路部ゲートアレイ、R
OM回路部ゲートアレイ、RAM回路部ゲートアレイの
4つのゲートアレイを用いてゲートアレイLSIを製造
する場合について説明したが、これに限定されることな
く、必要に応じて他の各種回路を用い、他の大規模LS
Iを製造するようにしてもよい。
【0012】
【発明の効果】以上発明したように、この発明によれ
ば、縮少投影露光装置を用いて半導体基板上にゲートの
組合せを変えることによって夫々機能の異なる複数のゲ
ートアレイを形成する工程と、上記縮少投影露光装置よ
り大きな露光開口部を有する投影露光装置を用いて上記
複数のゲートアレイ間を配線で接続して組合せることに
より、単一のゲートアレイチップを形成する工程とを含
むので、縮少投影露光装置の露光開口部のサイズの影響
を受けることなしに、大規模なゲートアレイLSIの如
き半導体装置を製造できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明による半導体装置の製造方法の一実施
例で形成されたゲートアレイチップを示す構成図であ
る。
【図2】従来の半導体装置の製造方法で形成されたゲー
トアレイチップを示す構成図である。
【符号の説明】
1A ゲートアレイチップ 2A ロジック回路部ゲートアレイ 3A I/O回路部ゲートアレイ 4A ROM回路部ゲートアレイ 5A RAM回路部ゲートアレイ 6A 配線

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 縮少投影露光装置を用いて半導体基板上
    にゲートの組合せを変えることによって夫々機能の異な
    る複数のゲートアレイを形成する工程と、上記縮少投影
    露光装置より大きな露光開口部を有する投影露光装置を
    用いて上記複数のゲートアレイ間を配線で接続して組合
    せることにより、単一のゲートアレイチップを形成する
    工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP3174239A 1991-07-16 1991-07-16 半導体装置の製造方法 Pending JPH0521759A (ja)

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JPH0521759A true JPH0521759A (ja) 1993-01-29

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ID=15975152

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003132228A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Hitachi Ltd Icチップ搭載カード対応の自動取引装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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