JPH01134920A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01134920A JPH01134920A JP62293370A JP29337087A JPH01134920A JP H01134920 A JPH01134920 A JP H01134920A JP 62293370 A JP62293370 A JP 62293370A JP 29337087 A JP29337087 A JP 29337087A JP H01134920 A JPH01134920 A JP H01134920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- exposure
- center
- patterning
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法゛に関し、特にステップ
・アンド・リピート法によりマスク・パターンをパター
ニングする露光方法に関する。
・アンド・リピート法によりマスク・パターンをパター
ニングする露光方法に関する。
第２図（ａ＞および（ｂ）はそれぞれ従来行われるステ
ップ・アンド・リピート法によるマスク・パターニング
の露光手法図および形成されるマスク・パターンの寸法
分布図を示す。すなわち、ステップ・アンド・リピート
法によって半導体基板上にマスク・パターンをパターニ
ングする場合、スループット向上を図る見地から露光順
序は半導体基板１上を左から右へ、そして右から左へと
いうように行を変えながら左右に常に一定の露光時間で
マスク走査する。ここで、２は半導体チップを表わし、
付された数字はそれぞれの露光順序番号を示す。
ップ・アンド・リピート法によるマスク・パターニング
の露光手法図および形成されるマスク・パターンの寸法
分布図を示す。すなわち、ステップ・アンド・リピート
法によって半導体基板上にマスク・パターンをパターニ
ングする場合、スループット向上を図る見地から露光順
序は半導体基板１上を左から右へ、そして右から左へと
いうように行を変えながら左右に常に一定の露光時間で
マスク走査する。ここで、２は半導体チップを表わし、
付された数字はそれぞれの露光順序番号を示す。
このように、従来のパターニング方法では半導体基板の
中心からの距離に関係なく周辺から中心部までを全て同
一露光時間で露光しているので、パターニングされるフ
ォトレジストの露光寸法３は第２図（ｂ）に示すように
基板上何処でも一定に揃う。従って、次のエツチングに
移った際、半導体基板１の中心からの距離によってエツ
チングレートが異なる場合は、第２図（ｂ）に示す如く
半導体基板内に形成されるパターン寸法４に不均一性が
生じるという欠点がある。
中心からの距離に関係なく周辺から中心部までを全て同
一露光時間で露光しているので、パターニングされるフ
ォトレジストの露光寸法３は第２図（ｂ）に示すように
基板上何処でも一定に揃う。従って、次のエツチングに
移った際、半導体基板１の中心からの距離によってエツ
チングレートが異なる場合は、第２図（ｂ）に示す如く
半導体基板内に形成されるパターン寸法４に不均一性が
生じるという欠点がある。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、エツチング後のマ
スク・パターンに寸法の不均一性を生じることなきマス
ク・パターニング工程を備えた半導体装置の製造方法を
提供することである。
スク・パターンに寸法の不均一性を生じることなきマス
ク・パターニング工程を備えた半導体装置の製造方法を
提供することである。
本発明によれば、ステップ・アンド・リピート法で半導
体基板上にマスク・パターンを形成するパターニング工
程を含む半導体装置の製造方法は、前記半導体基板の中
心からの距離によって露光時間をそれぞれ変化せしめる
ことを含む。
体基板上にマスク・パターンを形成するパターニング工
程を含む半導体装置の製造方法は、前記半導体基板の中
心からの距離によって露光時間をそれぞれ変化せしめる
ことを含む。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示すステップ・アンド・リピート法によるマスク・パ
ターニングの露光手法図および形成されるマスク・パタ
ーンの寸法分布図である。
を示すステップ・アンド・リピート法によるマスク・パ
ターニングの露光手法図および形成されるマスク・パタ
ーンの寸法分布図である。
本実施例によれば、ステップ・アンド・リピート法によ
るパターニング順序は、半導体チップ２に付した番号を
１から順に、すなわち、半導体基板１の周辺から中心部
に向かって同心円を描くように、また、その露光時間を
１〜２０までは、Ａ。
るパターニング順序は、半導体チップ２に付した番号を
１から順に、すなわち、半導体基板１の周辺から中心部
に向かって同心円を描くように、また、その露光時間を
１〜２０までは、Ａ。
２１〜３６まではＢというように、半導体基板１の中心
からの距離によって露光時間を変化させて行われる。こ
こで、レジスト材にポジ型を用いれば、露光時間ＡとＢ
とはＡ＜Ｂの関係にあり中心部に向う程長くする。これ
により、フォトレジストの露光寸法３は、第１図（ｂ）
が示すように外周に近いものほど太くなる。この半導体
基板１を一ドライエツチングすると、外周に近いものほ
どエツチングレートが大きく、若干オーバー・エツチン
グされるので、エツチング後のフォトレジスト寸法４の
面内均一性は向上する。
からの距離によって露光時間を変化させて行われる。こ
こで、レジスト材にポジ型を用いれば、露光時間ＡとＢ
とはＡ＜Ｂの関係にあり中心部に向う程長くする。これ
により、フォトレジストの露光寸法３は、第１図（ｂ）
が示すように外周に近いものほど太くなる。この半導体
基板１を一ドライエツチングすると、外周に近いものほ
どエツチングレートが大きく、若干オーバー・エツチン
グされるので、エツチング後のフォトレジスト寸法４の
面内均一性は向上する。
以上詳細に説明したように、本発明によれば半導体基板
中心からの距離によって露光時間を変化させる露光手法
を採用したことにより、基板の中心部および周辺部に関
係なくきわめて均−性高き寸法精度のマスク・パターン
を半導体基板上に形成することが可能である。
中心からの距離によって露光時間を変化させる露光手法
を採用したことにより、基板の中心部および周辺部に関
係なくきわめて均−性高き寸法精度のマスク・パターン
を半導体基板上に形成することが可能である。
第１図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例
を示すステップ・アンド・リピート法によるマスク・パ
ターニングの露光手法図および形成されるマスク・パタ
ーンの寸法分布図、第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞ
れ従来性われるステップ・アンド・リピート法によるマ
スク・パターニングの露光手法図および形成されるマス
ク・パターンの寸法分布図である。 １・・・半導体基板、２・・・半導体チップ、３・・・
フォトレジストの露光寸法、４・・・エツチング後のフ
ォトレジスト寸法。
を示すステップ・アンド・リピート法によるマスク・パ
ターニングの露光手法図および形成されるマスク・パタ
ーンの寸法分布図、第２図（ａ）および（ｂ）はそれぞ
れ従来性われるステップ・アンド・リピート法によるマ
スク・パターニングの露光手法図および形成されるマス
ク・パターンの寸法分布図である。 １・・・半導体基板、２・・・半導体チップ、３・・・
フォトレジストの露光寸法、４・・・エツチング後のフ
ォトレジスト寸法。
Claims (1)
- ステップ・アンド・リピート法で半導体基板上にマス
ク・パターンを形成するパターニング工程を含む半導体
装置の製造方法において、前記半導体基板の中心からの
距離によって露光時間をそれぞれ変化せしめることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293370A JPH01134920A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62293370A JPH01134920A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134920A true JPH01134920A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17793899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62293370A Pending JPH01134920A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134920A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8169473B1 (en) * | 2008-03-27 | 2012-05-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for exposing a photoresist in a magnetic device |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP62293370A patent/JPH01134920A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8169473B1 (en) * | 2008-03-27 | 2012-05-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for exposing a photoresist in a magnetic device |
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