JPH0521865Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、CVD（Chemical Vapor
Deposition）法によりSiウエハ、Ga−Asウエハ
等のワークの表面に薄膜を形成するCVD装置の
ワーク移送装置に関する。

（従来の技術） 従来、例えばSiウエハにCVD法により薄膜を
形成する場合は、プロセスチユーブ内にその一側
の取出口からSiウエハを収めて密閉し、該チユー
ブ内へ導入した反応ガスを加熱したSiウエハの表
面で化学反応させてその成分の薄膜を形成するを
一般とする。しかし乍ら該チユーブで薄膜形成処
理の終えた比較的温度の高いウエハをそのまま大
気中に取出すと、大気中のO₂によりウエハの表
面に酸化膜が形成されてしまい膜厚の管理が難し
くなり、これは4MBit以上の高密度LSIの製造に
は適しない。

そこでかかる酸化膜の形成を防止する手段とし
て、第１図示のようにプロセスチユーブａの取出
口ｂに連続して真空化可能な密閉室ｃを設け、薄
膜形成処理の終えたウエハｄを否活性ガスを導入
した密閉室ｃ内で冷却したのち大気中に取出すこ
とが考えられる。

（考案が解決しようとする問題点） 前記のようにプロセスチユーブａの取出口ｂに
密閉室ｃを連設すると、ウエハｄを密閉室ｃ内か
ら該チユーブａ内へと自動的に挿入、取出しする
ためのワーク移送台ｆを設ける必要が生ずるが、
該移送台ｆをエアシリンダｇで駆動する場合、密
閉室ｃ内は真空化されるので外部にエアシリンダ
ｇを設けるを要し、その端部までの長さＬが非常
に長くなり、装置が大型化して設置条件が限定さ
れる不都合がある。またこの場合ロツドｈの外周
から油分が真空の密閉室ｃ内へと侵入し、内部汚
染の原因となる欠点がある。

更に油分の侵入防止のため第２図示のようにベ
ロースｉをロツドｈに取付けることも考えられる
が、この場合ベローズｉのため更にシリンダｇの
端部まで長さL′長くなつて好ましくない。

本考案は、プロセスチユーブと密閉室の間にワ
ークを移送する移送台を設けたときに生ずる前記
不都合を解決することを目的とするものである。

（問題点を解決するための手段） 本考案では、プロセスチユーブの一側の取出口
に連続して真空化される密閉室を設け、該密閉室
内に、該プロセスチユーブ内へ該取出口を介して
Siウエハ等のワークを挿入し、その内部で該ワー
クの表面に該チユーブに導入したガスの成分の化
学反応による薄膜が形成されると該ワークを該チ
ユーブから取出すワーク移送台を設けるようにし
たものに於いて、該密閉室に区画室を設けてその
内部に該ワーク移送台の移動方向に沿つたチエン
その他の無端帯を張設し、該ワーク移送台と該無
端帯を該区画室に形成したスリツトを介して連結
すると共に該無端帯に該スリツトを覆うSUS箔、
樹脂布その他のカバーを取付けすることにより前
記問題点を解決するようにした。

（作 用） Siウエハ等のワークが外部から運び込まれ密閉
室内のワーク移送台上に載せられると、該密閉室
及びプロセスチユーブ内を真空化し、該ワーク移
送台がワークを該チユーブ内に挿入する。該チユ
ーブ内で該ワークに加熱を与え乍ら反応ガスを導
入するとその成分が該ワークの表面に化学反応に
より薄膜状に付着してCVD法による薄膜が形成
される。このあと該ワークは密閉室へワーク移送
台により取出され、充分冷却されたのち密閉室の
外部へと取出される。この場合、該ワーク移動台
の移動は密閉室に設けられた区画室内のチエー
ン、ワイヤ等の無端帯により行なえるのでCVD
装置の長さが短くなり、該区画室に形成される該
移動台と無端帯の連結用のスリツトは無端帯に取
付けたカバーにより覆われるので無端帯の作動に
より発生するダストが密閉室へ侵入することを妨
げ、ワークがダストにより汚染されることがな
い。

（実施例） 本考案の実施例を図面に基づき説明すると、第
３図に於いて符号１は周囲に断熱材及びヒータ２
を設けた石英製のプロセスチユーブ、３は該チユ
ーブ１の取出口、４は該チユーブ１内を真空化す
るための排気口、５は該チユーブ１内にSiH₄等
の反応ガスを導入する反応ガス導入口を示し、該
チユーブ１内へSiウエハ等のワーク６を運び込
み、該ワーク６を加熱し乍ら反応ガスを導入する
と該ワーク６の表面に該反応ガスの化学反応によ
る薄膜即ちCVD法による薄膜が形成される。該
ワーク６は比較的高温に加熱されるので、薄膜形
成後そのまま大気中に取出すと、大気中のO₂が
該ワーク６の高温の表面に付着して酸化膜を形成
する不都合があり、これを防止すべく該取出口３
の前方に密閉室７が設けられる。該密閉室７はチ
ユーブ１へのワーク６の挿入の際には真空排気口
８から排気されて真空状態とされ、その取出後に
はガス導入口９からワーク６の冷却のために不活
性ガスを導入して不活性ガス状態とされるもの
で、その冷却後に扉１０を開けて該ワーク６が外
部に取出される。尚、該密閉室７にはチユーブ１
内へ挿入するワーク６を洗浄するためのヒータ或
は放電電極等の洗浄装置を設けることも可能であ
る。

１１は該ワーク６を載せて密閉室７からチユー
ブ１内へ挿入し、これより取出すワーク移送台
で、該移送台１１の移動のために該密閉室７の側
方に区画室１２，１２を形成し、そこに該移送台
１１の移動方向に沿つたチエン、ベルト、ワイヤ
等の無端帯１３をスプロケツト等のホイール１
４，１４に張設して設け、該移送台１１と無端帯
１３を区画室１２のスリツト１５を介して連結す
るようにした。そして該ホイール１４が密閉室７
の外部に設けたモータ１６により正逆回転される
と該移送台１１は案内杆１７，１７に沿つて往復
動し、ワーク６を密閉室７からプロセスチユーブ
１内へ或は該チユーブ１から密閉室７内へと移送
する。

１８はモータ１６からの回転導入軸１９の周囲
を外部から油分を混入させることなくシールする
真空回転シールである。

該区画室１２で作動する無端帯１３やホイール
１４から多少ともダストが発生し、これが密閉室
７内のワーク６に付着するとその表面に形成され
る薄膜の品質の低下を来たすが、該区画室１２の
スリツト１５を覆うように該無端帯１３の全長若
しくは一部にSUS箔或はテフロン（商品名）等
の樹脂布のカバー２０を設け、区画室１２に生じ
たダストが密閉室７へ混入しないようにした。

該無端帯１３は２本以上設けるようにしてもよ
く、区画室１２は１個所だけに設けるようにして
もよい。２１はワーク６がプロセスチユーブ１か
ら取出された後、その取出口３を閉じてチユーブ
１の清浄性を保持するための開閉自在の仕切弁で
ある。

（考案の効果） 以上のように本考案によるときは、CVD装置
のプロセスチユーブの取出口に連設した密閉室内
に区画室を設け、該区画室に張設した無端帯に該
区画室のスリツトを介してワーク移送台を連結
し、該スリツトを無端帯に取付けてカバーで覆う
ようにしたので、移送台をCVD装置を大型化す
ることなく作動させ得、CVD装置の設置が容易
になり、区画室内のダストはカバーにより阻まれ
て密閉室内のワークに付着することを妨げ、品質
の良い薄膜をワークに形成出来る等の効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来例の断面線図、第３図
は本考案の実施例の断面線図、第４図は第３図の
−線部分の具体的断面図、第５図は要部の斜
視図である。 １……プロセスチユーブ、３……取出口、６…
…ワーク、７……密閉室、１１……ワーク移送
台、１２，１２……区画室、１３……無端帯、１
５……スリツト、２０……カバー。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. プロセスチユーブの一側の取出口に連続して真
   空化される密閉室を設け、該密閉室内に、該プロ
   セスチユーブ内へ該取出口を介してSiウエハ等の
   ワークを挿入し、その内部で該ワークの表面に該
   チユーブに導入したガスの成分の化学反応による
   薄膜が形成されると該ワークを該チユーブから取
   出すワーク移送台を設けるようにしたものに於い
   て、該密閉室に区画室を設けてその内部に該ワー
   ク移送台の移動方向に沿つたチエンその他の無端
   帯を張設し、該ワーク移送台と該無端帯を該区画
   室に形成したスリツトを介して連結すると共に該
   無端帯に該スリツトを覆うSUS箔、樹脂布その
   他のカバーを取付けしたことを特徴とするCVD
   装置に於けるワーク移送装置。