JPH052230B2 - - Google Patents
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- JPH052230B2 JPH052230B2 JP23701285A JP23701285A JPH052230B2 JP H052230 B2 JPH052230 B2 JP H052230B2 JP 23701285 A JP23701285 A JP 23701285A JP 23701285 A JP23701285 A JP 23701285A JP H052230 B2 JPH052230 B2 JP H052230B2
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- Japan
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- ceramic substrate
- pattern
- photosensitive resin
- resin film
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
（技術分野）
本発明は、セラミツク基板上に被着させた感光
性樹脂膜のパターン形成法に関するもので、特に
微細パターンの形成時に、寸法精度良く、感光性
樹脂膜の露光を行ない得る方法を提供するもので
ある。 （従来技術） 従来から、所定の基板上に、感光性樹脂膜とし
て所謂フオトレジストやドライフイルムを被着さ
せた後、該感光性樹脂膜を適当なマスクを介して
所望部分のみを紫外線で露光させ、次いで現像処
理によつて不要部の感光性樹脂膜を除去する、所
謂フオトリソグラフイ手法によつて感光性樹脂膜
に所定のパターンを形成する方法は、良く知られ
ているところである。 そして、通常、このための基板としては、メツ
キや蒸着等により金属等の被膜が付着せしめられ
た膜付セラミツク基板が用いられているが、近
年、膜形成していないセラミツク基板自体の上に
直接樹脂膜パターンを形成し、そしてその上から
メツキや蒸着等の膜形成を行なうリフトオフ法
や、樹脂膜が除去された部分に厚膜ペーストを刷
り込んで焼成する方法が、エツチング工程を省略
できる等の利点があるとして、提案されている。 （問題点） しかしながら、このように、所定のセラミツク
基板上にフオトリソグラフイ手法によつて感光性
樹脂膜のパターンを形成する場合にあつては、露
光・現像によつて不要部の樹脂が精度良く除去し
難く、このため、予め露光時のマスクの寸法を変
えておくとか、露光・現像時間を感光性樹脂の最
適値から著しくずらせる等の手段が講じられてい
るが、そのような手法では、微細パターンを寸法
精度良く形成できない欠点があつた。 （発明の構成） ここにおいて、本発明は、このような従来の欠
点を改良し、セラミツク基板上に被着させた感光
性樹脂膜を寸法精度良く露光、現像してパターン
形成する方法を提供するものであり、その要旨と
するところは、セラミツク基板上に被着せしめた
感光性樹脂膜にフオトリソグラフイ手法により所
定のパターンを形成するに際して、該セラミツク
基板として、Ti，Ｖ，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，
Cu，Mo，Ｗ、希土類金属及びそれらの合金、或
いはこれらの金属の酸化物や塩、窒化物等の化合
物の１種又は２種以上を含有せしめて、基板自体
の表面における波長365nmの紫外線の反射率を50
％以下としたセラミツク基板を用いるようにした
ことを特徴とする感光性樹脂のパターン形成法に
ある。 （構成の具体的な説明） すなわち、本発明者らは、セラミツク基板上で
感光性樹脂膜が精度良くパターン形成できない原
因について種々検討した結果、露光時に基板表面
が紫外線を乱反射し、このため本来マスクされて
露光されない部分の感光性樹脂がその反射光によ
つて露光されてカブリ現象を起こすためであるこ
とを見い出したのである。そして、種々の紫外線
の反射率を有するセラミツク基板について試験し
た結果、波長が365nm（ナノメートル）の紫外線
の乱反射率が50％以下、より好ましくは40％以下
の場合には、殆どカブリ現象が惹起されず、更に
は解像度が高く、非常に精度良くパターン形成が
できることが見い出されたのである。 なお、感光性樹脂は、365nmの波長の光にのみ
感光するものではなく、300〜500nm程度の波長
領域で感光するものであるが、超高圧水銀ランプ
の代表的波長である365nmの波長を基準にするの
が実用的であり、本発明ではそれを基準としたも
のである。 ところで、本発明において使用され得るように
するため、セラミツク基板表面の紫外線反射率を
小さくする方法としては、セラミツク基板自体着
色する手法が採用される。着色コーテイング層に
よる紫外線反射率の制御では、かかる着色コーテ
イング層の厚みのバラツキによつて反射率にもバ
ラツキを生じ、また感光性樹脂と着色コーテイン
グ層との界面の反射が抑制されても、該着色コー
テイング層とセラミツク基板との界面の反射とい
う問題が新たに生じるからである。 このセラミツク基板自体の着色方法としては、
セラミツク基板の焼結性や電気特性に有害な影響
を与えない範囲で、Ti，Ｖ，Cr，Mn，Fe，Co，
Ni，Cu，Mo，Ｗ、希土類金属、それらの合金、
或いはこれらの金属の酸化物や塩、窒化物などの
化合物の１種又は２種以上を、着色剤として、シ
リカ、アルミナ、窒化アルミ等のセラミツク原料
に必要量添加含有せしめ、従来と同様にして焼成
する手法が採用される。 そして、このようにして得られる反射率の小さ
いセラミツク基板は、感光性樹脂膜が2μｍ以上
の厚い場合、特に4μｍ以上の厚い場合における
微細パターンの形成に好ましく用いられる。 なお、微細パターンを形成するためには、セラ
ミツク基板の表面が平滑であることが重要であ
り、このために基板表面を研磨することが望まし
いが、一般にセラミツクは研磨し難く、研磨に多
大な工数を必要とする。また、この研磨の代わり
に、グレーズ処理を行なう方法があるが、グレー
ズ面は耐薬品性、耐熱性に問題がある。この観点
から、マイカを主成分とする着色したグラスセラ
ミツクス（マイカセラミツクス）を本発明に用い
ると、機械加工が容易なため、平滑な表面が簡単
に精度良く得られ、また耐薬品性、耐熱性にも優
れるので、微細パターンを得るのに極めて好まし
い。 以下、本発明を更に具体的に明らかにするため
に、本発明の幾つかの実施例を示すが、本発明が
そのような実施例の記載によつて何等制限的に解
釈されるものでないことは、言うまでもないとこ
ろである。 なお、本発明は、上述した本発明の具体的な説
明並びに以下の実施例の他にも各種の態様におい
て実施され得るものであり、本発明の趣旨に逸脱
しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて実
施され得る種々なる態様のものが何れも本発明の
範疇に属するものと理解されるべきである。 （実施例） 先ず、本発明に従うパターン形成法と従来のパ
ターン形成法とを比較するために、波長：365nm
における光の反射率の異なる各種のセラミツク基
板を準備した。この準備された各種のセラミツク
基板が第１表に示されている。なお、第１表記載
の基板No.１〜No.３、No.６〜No.８のものは、セラミ
ツク基板中に所定の着色剤を添加して作製した。
また、第１表には、本発明のパターン形成法に用
いられる基板（基板No.１〜No.３、No.６〜No.８）
と、比較のための基板（基板No.３、No.９）とが示
されている。 なお、波長が365nmの光の反射率の測定は、日
立製作所製自記分光光度計330形を用い、酸化マ
グネシウムを標準白板として、公知の方法に従つ
て測定した。
性樹脂膜のパターン形成法に関するもので、特に
微細パターンの形成時に、寸法精度良く、感光性
樹脂膜の露光を行ない得る方法を提供するもので
ある。 （従来技術） 従来から、所定の基板上に、感光性樹脂膜とし
て所謂フオトレジストやドライフイルムを被着さ
せた後、該感光性樹脂膜を適当なマスクを介して
所望部分のみを紫外線で露光させ、次いで現像処
理によつて不要部の感光性樹脂膜を除去する、所
謂フオトリソグラフイ手法によつて感光性樹脂膜
に所定のパターンを形成する方法は、良く知られ
ているところである。 そして、通常、このための基板としては、メツ
キや蒸着等により金属等の被膜が付着せしめられ
た膜付セラミツク基板が用いられているが、近
年、膜形成していないセラミツク基板自体の上に
直接樹脂膜パターンを形成し、そしてその上から
メツキや蒸着等の膜形成を行なうリフトオフ法
や、樹脂膜が除去された部分に厚膜ペーストを刷
り込んで焼成する方法が、エツチング工程を省略
できる等の利点があるとして、提案されている。 （問題点） しかしながら、このように、所定のセラミツク
基板上にフオトリソグラフイ手法によつて感光性
樹脂膜のパターンを形成する場合にあつては、露
光・現像によつて不要部の樹脂が精度良く除去し
難く、このため、予め露光時のマスクの寸法を変
えておくとか、露光・現像時間を感光性樹脂の最
適値から著しくずらせる等の手段が講じられてい
るが、そのような手法では、微細パターンを寸法
精度良く形成できない欠点があつた。 （発明の構成） ここにおいて、本発明は、このような従来の欠
点を改良し、セラミツク基板上に被着させた感光
性樹脂膜を寸法精度良く露光、現像してパターン
形成する方法を提供するものであり、その要旨と
するところは、セラミツク基板上に被着せしめた
感光性樹脂膜にフオトリソグラフイ手法により所
定のパターンを形成するに際して、該セラミツク
基板として、Ti，Ｖ，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，
Cu，Mo，Ｗ、希土類金属及びそれらの合金、或
いはこれらの金属の酸化物や塩、窒化物等の化合
物の１種又は２種以上を含有せしめて、基板自体
の表面における波長365nmの紫外線の反射率を50
％以下としたセラミツク基板を用いるようにした
ことを特徴とする感光性樹脂のパターン形成法に
ある。 （構成の具体的な説明） すなわち、本発明者らは、セラミツク基板上で
感光性樹脂膜が精度良くパターン形成できない原
因について種々検討した結果、露光時に基板表面
が紫外線を乱反射し、このため本来マスクされて
露光されない部分の感光性樹脂がその反射光によ
つて露光されてカブリ現象を起こすためであるこ
とを見い出したのである。そして、種々の紫外線
の反射率を有するセラミツク基板について試験し
た結果、波長が365nm（ナノメートル）の紫外線
の乱反射率が50％以下、より好ましくは40％以下
の場合には、殆どカブリ現象が惹起されず、更に
は解像度が高く、非常に精度良くパターン形成が
できることが見い出されたのである。 なお、感光性樹脂は、365nmの波長の光にのみ
感光するものではなく、300〜500nm程度の波長
領域で感光するものであるが、超高圧水銀ランプ
の代表的波長である365nmの波長を基準にするの
が実用的であり、本発明ではそれを基準としたも
のである。 ところで、本発明において使用され得るように
するため、セラミツク基板表面の紫外線反射率を
小さくする方法としては、セラミツク基板自体着
色する手法が採用される。着色コーテイング層に
よる紫外線反射率の制御では、かかる着色コーテ
イング層の厚みのバラツキによつて反射率にもバ
ラツキを生じ、また感光性樹脂と着色コーテイン
グ層との界面の反射が抑制されても、該着色コー
テイング層とセラミツク基板との界面の反射とい
う問題が新たに生じるからである。 このセラミツク基板自体の着色方法としては、
セラミツク基板の焼結性や電気特性に有害な影響
を与えない範囲で、Ti，Ｖ，Cr，Mn，Fe，Co，
Ni，Cu，Mo，Ｗ、希土類金属、それらの合金、
或いはこれらの金属の酸化物や塩、窒化物などの
化合物の１種又は２種以上を、着色剤として、シ
リカ、アルミナ、窒化アルミ等のセラミツク原料
に必要量添加含有せしめ、従来と同様にして焼成
する手法が採用される。 そして、このようにして得られる反射率の小さ
いセラミツク基板は、感光性樹脂膜が2μｍ以上
の厚い場合、特に4μｍ以上の厚い場合における
微細パターンの形成に好ましく用いられる。 なお、微細パターンを形成するためには、セラ
ミツク基板の表面が平滑であることが重要であ
り、このために基板表面を研磨することが望まし
いが、一般にセラミツクは研磨し難く、研磨に多
大な工数を必要とする。また、この研磨の代わり
に、グレーズ処理を行なう方法があるが、グレー
ズ面は耐薬品性、耐熱性に問題がある。この観点
から、マイカを主成分とする着色したグラスセラ
ミツクス（マイカセラミツクス）を本発明に用い
ると、機械加工が容易なため、平滑な表面が簡単
に精度良く得られ、また耐薬品性、耐熱性にも優
れるので、微細パターンを得るのに極めて好まし
い。 以下、本発明を更に具体的に明らかにするため
に、本発明の幾つかの実施例を示すが、本発明が
そのような実施例の記載によつて何等制限的に解
釈されるものでないことは、言うまでもないとこ
ろである。 なお、本発明は、上述した本発明の具体的な説
明並びに以下の実施例の他にも各種の態様におい
て実施され得るものであり、本発明の趣旨に逸脱
しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて実
施され得る種々なる態様のものが何れも本発明の
範疇に属するものと理解されるべきである。 （実施例） 先ず、本発明に従うパターン形成法と従来のパ
ターン形成法とを比較するために、波長：365nm
における光の反射率の異なる各種のセラミツク基
板を準備した。この準備された各種のセラミツク
基板が第１表に示されている。なお、第１表記載
の基板No.１〜No.３、No.６〜No.８のものは、セラミ
ツク基板中に所定の着色剤を添加して作製した。
また、第１表には、本発明のパターン形成法に用
いられる基板（基板No.１〜No.３、No.６〜No.８）
と、比較のための基板（基板No.３、No.９）とが示
されている。 なお、波長が365nmの光の反射率の測定は、日
立製作所製自記分光光度計330形を用い、酸化マ
グネシウムを標準白板として、公知の方法に従つ
て測定した。
【表】
次いで、第１表に示される各種のセラミツク基
板の上に、それぞれ、スピナーを用いて液状レジ
スト（東京応化株式会社製OFPR−800）を通常
の方法で4μｍ厚に塗布して、90℃×30分プリベ
ークするか、或いはラミネーターを用いて膜厚
18μｍのドライフイルム（米国：デユポン社製リ
ストン−1206）を通常の方法で被着せしめること
により、所望の樹脂膜を形成した。その後、露光
機により、液状レジストでは20μｍライン、ドラ
イフイルムでは50μｍラインのガラスマスクを用
いて、露光せしめ、更に公知の方法に従つて現
像、リンス等を行ない、それぞれのセラミツク基
板上に目的とする樹脂膜パターンを形成した。 かくして得られた各種の樹脂膜のパターン線幅
及びカブリ現象をマイクロメーター付き光学顕微
鏡で観察し、その結果を第２表に示す。 また、第１表の試料No.２と試料No.５の紫外線反
射スペクトルを第１図に示した。
板の上に、それぞれ、スピナーを用いて液状レジ
スト（東京応化株式会社製OFPR−800）を通常
の方法で4μｍ厚に塗布して、90℃×30分プリベ
ークするか、或いはラミネーターを用いて膜厚
18μｍのドライフイルム（米国：デユポン社製リ
ストン−1206）を通常の方法で被着せしめること
により、所望の樹脂膜を形成した。その後、露光
機により、液状レジストでは20μｍライン、ドラ
イフイルムでは50μｍラインのガラスマスクを用
いて、露光せしめ、更に公知の方法に従つて現
像、リンス等を行ない、それぞれのセラミツク基
板上に目的とする樹脂膜パターンを形成した。 かくして得られた各種の樹脂膜のパターン線幅
及びカブリ現象をマイクロメーター付き光学顕微
鏡で観察し、その結果を第２表に示す。 また、第１表の試料No.２と試料No.５の紫外線反
射スペクトルを第１図に示した。
【表】
第２表に見られるように、波長が365nmの光の
反射率が50％以下のセラミツク基板を用いた本発
明に従うパターン形成法にあつては、カブリ現象
が何等惹起されず、また非常に寸法精度良く、パ
ターンが解像されることがわかる。更に、波長：
365nmの反射率が50％以下のマイカを主体とする
グラスセラミツクスを用いた場合には、簡便に平
滑な表面が得られ、しかも反射光の悪影響がない
ために、微細パターンにおいても更に寸法精度良
く、パターンが解像されることがわかる。 なお、この実施例においては、アルミナ磁器、
窒化アルミナ及びマイカセラミツクスについて述
べたが、本発明の主旨より明らかな通り、基板の
材質はこれらに限定されるものではなく、また着
色剤も、実施例に用いられたものに限られず、本
発明の範囲内で適宜選択可能なことは言うまでも
ないところである。 （発明の効果） このように、本発明のパターン形成法は、カブ
リ現象を起こさず、また寸法精度良くパターンが
解像されるため、セラミツク基板上にフオトリソ
グラフイ手法を用いて感光性樹脂膜パターンを形
成する各分野に広く適用することができる。
反射率が50％以下のセラミツク基板を用いた本発
明に従うパターン形成法にあつては、カブリ現象
が何等惹起されず、また非常に寸法精度良く、パ
ターンが解像されることがわかる。更に、波長：
365nmの反射率が50％以下のマイカを主体とする
グラスセラミツクスを用いた場合には、簡便に平
滑な表面が得られ、しかも反射光の悪影響がない
ために、微細パターンにおいても更に寸法精度良
く、パターンが解像されることがわかる。 なお、この実施例においては、アルミナ磁器、
窒化アルミナ及びマイカセラミツクスについて述
べたが、本発明の主旨より明らかな通り、基板の
材質はこれらに限定されるものではなく、また着
色剤も、実施例に用いられたものに限られず、本
発明の範囲内で適宜選択可能なことは言うまでも
ないところである。 （発明の効果） このように、本発明のパターン形成法は、カブ
リ現象を起こさず、また寸法精度良くパターンが
解像されるため、セラミツク基板上にフオトリソ
グラフイ手法を用いて感光性樹脂膜パターンを形
成する各分野に広く適用することができる。
第１図は、本発明で用いられるセラミツク基板
と本発明の範囲外であるセラミツク基板の反射光
を求めた紫外線反射スペクトルである。
と本発明の範囲外であるセラミツク基板の反射光
を求めた紫外線反射スペクトルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツク基板上に被着せしめた感光性樹脂
膜にフオトリソグラフイ手法により所定のパター
ンを形成する方法において、前記セラミツク基板
として、Ti，Ｖ，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，
Mo，Ｗ、希土類金属及びそれらの合金、或いは
これらの金属の酸化物や塩、窒化物等の化合物の
１種又は２種以上を含有せしめて、基板自体の表
面における波長365nmの紫外線の反射率を50％以
下としたセラミツク基板を用いることを特徴とす
る感光性樹脂膜のパターン形成法。 ２ 前記セラミツク基板が、マイカを主成分とす
るグラスセラミツクスである特許請求の範囲第１
項記載のパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23701285A JPS6295528A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 感光性樹脂膜のパタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23701285A JPS6295528A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 感光性樹脂膜のパタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295528A JPS6295528A (ja) | 1987-05-02 |
| JPH052230B2 true JPH052230B2 (ja) | 1993-01-12 |
Family
ID=17009077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23701285A Granted JPS6295528A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 感光性樹脂膜のパタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295528A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0228654A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Sekisui Chem Co Ltd | 細線パターン形成方法 |
| JP6765891B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-10-07 | キヤノン株式会社 | 構造体の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23701285A patent/JPS6295528A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6295528A (ja) | 1987-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |