JPS588575B2 - シヤシンシヨツコクノロコウホウホウ - Google Patents
シヤシンシヨツコクノロコウホウホウInfo
- Publication number
- JPS588575B2 JPS588575B2 JP50091973A JP9197375A JPS588575B2 JP S588575 B2 JPS588575 B2 JP S588575B2 JP 50091973 A JP50091973 A JP 50091973A JP 9197375 A JP9197375 A JP 9197375A JP S588575 B2 JPS588575 B2 JP S588575B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- layer
- pattern
- semiconductor substrate
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は写真蝕刻の露光方法に関し、特に半導体装置
の製造における微細なる写真蝕刻の精度を良好ならしめ
る露光方法を提供することを目的とする。
の製造における微細なる写真蝕刻の精度を良好ならしめ
る露光方法を提供することを目的とする。
半導体装置の製造における写真蝕刻はＩＣからＬＳＩ（
Ｌａｒｇｅ ＳｃａｌｅＩ ｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉ
ｒｃｕｉｔ ）に至り広く適用されるとともに、徴細な
パターンを精度よく半導体基板に被着した感光剤層に形
成することが緊要である。
Ｌａｒｇｅ ＳｃａｌｅＩ ｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉ
ｒｃｕｉｔ ）に至り広く適用されるとともに、徴細な
パターンを精度よく半導体基板に被着した感光剤層に形
成することが緊要である。
半導体基板に被着された感光剤層にパターンが印刷され
たマスクを通してこのパターンを感光形成する写真蝕刻
の露光方法には、第１図に示す如き一般の露光方法のう
ち図ａに示すものが多く用いられている。
たマスクを通してこのパターンを感光形成する写真蝕刻
の露光方法には、第１図に示す如き一般の露光方法のう
ち図ａに示すものが多く用いられている。
即ち図における１は半導体基板載置台２上に載置された
半導体基板、３は半導体基板の１主面に被着された感光
剤層、４は前記半導体基板に密接せしめたマスク、図の
矢印は露光々？の方向を示す。
半導体基板、３は半導体基板の１主面に被着された感光
剤層、４は前記半導体基板に密接せしめたマスク、図の
矢印は露光々？の方向を示す。
なお図ｂについても１〜４、および矢印が表わすところ
は図ａと異なる点はないが、たゞマスク４が半導体基板
に密接せず離隔して平行に置かれている点に特徴がある
。
は図ａと異なる点はないが、たゞマスク４が半導体基板
に密接せず離隔して平行に置かれている点に特徴がある
。
一例のＩＣにおける金属配線層に写真蝕刻を施す場合を
第２図に示す。
第２図に示す。
図において５はＳｉ層、６は前記Ｓｉ層に被着形成され
たＳｉＯ２層、７は前記ＳｉＯ層の表面に被着された所
定のパターンに形成される予定のアルミニウムでなる配
線層、８は前記配線層に被着された感光剤層で一例とし
てＫＰＲ（商品名）、９はマスクでガラス板９ａに所定
パターンが黒色層９ｂで印刷されてなるものである。
たＳｉＯ２層、７は前記ＳｉＯ層の表面に被着された所
定のパターンに形成される予定のアルミニウムでなる配
線層、８は前記配線層に被着された感光剤層で一例とし
てＫＰＲ（商品名）、９はマスクでガラス板９ａに所定
パターンが黒色層９ｂで印刷されてなるものである。
かゝる状態にて第１図に示した如く露光を施して感光剤
層に開孔を設け、エッチング液にてエッチングを施し所
定形状の配線パターンを形成する。
層に開孔を設け、エッチング液にてエッチングを施し所
定形状の配線パターンを形成する。
ところで密に接近した第３図ａに示す如き平行条のパタ
ーン１０ａ，１０ｂを形成するにあたって、特にアルミ
ニウム面にたいしては光の回折や、反射等によるとみら
れる図ｂに示す如きウイスカ状パターン１１となる。
ーン１０ａ，１０ｂを形成するにあたって、特にアルミ
ニウム面にたいしては光の回折や、反射等によるとみら
れる図ｂに示す如きウイスカ状パターン１１となる。
同図は凹凸の基板上に厚部で１，５μ、薄部で０．４μ
のＳ ｉ ０ ２層に、最もウイスカー状パターンを生
じやすいアルミニウム層を層厚１．５μに蒸着したもの
を試料としている。
のＳ ｉ ０ ２層に、最もウイスカー状パターンを生
じやすいアルミニウム層を層厚１．５μに蒸着したもの
を試料としている。
上記ウイスカはパターン間の電気的絶縁を損じ、さらに
甚だしいものは電気的短絡を生ずるなどの欠点があるた
め、パターンの微細化を防げるので、これを防止する手
段が強く要望される所以である。
甚だしいものは電気的短絡を生ずるなどの欠点があるた
め、パターンの微細化を防げるので、これを防止する手
段が強く要望される所以である。
本発明は上記従来の欠点を除去し要望に応えるためにな
されたものである。
されたものである。
本発明の半導体基板に対する写真蝕刻の露光方法は、半
導体基板の主面に感光剤層を被着形成したのち、所定パ
ターンのマスクを通して少くとも１の単位露光を施す工
程および前記露光後単位のインタバルを設ける工程との
組み合わせ工程を備え、前記組み合わせ工程の集積によ
って所定露光量とすることを特徴とする。
導体基板の主面に感光剤層を被着形成したのち、所定パ
ターンのマスクを通して少くとも１の単位露光を施す工
程および前記露光後単位のインタバルを設ける工程との
組み合わせ工程を備え、前記組み合わせ工程の集積によ
って所定露光量とすることを特徴とする。
以下本発明の一実施例につき詳細に説明する。
まづ発明者はウイスカの発生と露光量との関係につき調
べたところ、露光量を低減する程ウイスカは低減する傾
向にあることが判明した。
べたところ、露光量を低減する程ウイスカは低減する傾
向にあることが判明した。
しかして露光量を下げるとパターンが不明確になるとと
もに感光剤層の付着も悪くなるため、所定の露光量を必
要とする。
もに感光剤層の付着も悪くなるため、所定の露光量を必
要とする。
本発明方法の実施例には試料として基板主面に厚部で１
．５μ、薄部で０．４μに形成されたＳｉＯ２膜に、層
厚１．５μのＡｌの蒸着層を被着し、さらに重畳してネ
ガタイプの感光剤層を１．１μ厚に被着したものを用い
た。
．５μ、薄部で０．４μに形成されたＳｉＯ２膜に、層
厚１．５μのＡｌの蒸着層を被着し、さらに重畳してネ
ガタイプの感光剤層を１．１μ厚に被着したものを用い
た。
また上記感光剤層の被着には一例として感光剤にＯＭＲ
−８３（商品名、東京応化ＫＫ製）を適用し、回転塗布
によった。
−８３（商品名、東京応化ＫＫ製）を適用し、回転塗布
によった。
そしてパターンサイズは幅４．１μ，５，２μ（第２図
においてＡ，Ｂにて表示したパターン幅）にて、照度は
日商セミコンダククＫＫ製の照度計ＮＳＣＵＶ−２を用
いて行なった。
においてＡ，Ｂにて表示したパターン幅）にて、照度は
日商セミコンダククＫＫ製の照度計ＮＳＣＵＶ−２を用
いて行なった。
方法として第４図に例示した如く、その縦軸の照度（Ｌ
ｍ）は予め一定（６）として露光量〔時間〕を単位露光
〔時間〕−ｔ１＋ｔ２・・・ｔｎに分割して間欠的に露
光し、また夫々の間にｔ′１，ｔ′２，・・・の如きイ
ンターバル（露光断）を設ける如くする。
ｍ）は予め一定（６）として露光量〔時間〕を単位露光
〔時間〕−ｔ１＋ｔ２・・・ｔｎに分割して間欠的に露
光し、また夫々の間にｔ′１，ｔ′２，・・・の如きイ
ンターバル（露光断）を設ける如くする。
即ち単位露光を０．５秒、１．０秒の２通りにて、イン
ターバル（露光断）はいずれも１秒として実施して次表
の結果かえられた。
ターバル（露光断）はいずれも１秒として実施して次表
の結果かえられた。
なお表中不良率はウイスカを生じたものを不良としてカ
ウントし、また密着不良は既に述べた如く露光量の不足
に基因するものである。
ウントし、また密着不良は既に述べた如く露光量の不足
に基因するものである。
なお従来方法の露光による結果とを比較的に示した。
本発明方法−１（単位露光＝０．５秒）
本発明方法−２（単位露光＝１．０秒）
従来方法（連続露光）
なお上記不良率の算出にあたっては試料数いづれも１０
０個以上につきまとめたものであり、比較を容易にする
ために第５図に図示した。
０個以上につきまとめたものであり、比較を容易にする
ために第５図に図示した。
同図中Ａは本発明方法の上表１を、Ｂは前記と同じ上表
２を、Ｃは従来方法の結果を夫々図示したものである。
２を、Ｃは従来方法の結果を夫々図示したものである。
また単位露光時間は適用品種の構造差、感光剤層の下地
材質、表面状態（滑面、粗面の差）の相違等によって適
宜選定してよいことは云うまでもない。
材質、表面状態（滑面、粗面の差）の相違等によって適
宜選定してよいことは云うまでもない。
第■図ａ，ｂはいずれも一般に行なわれる半導体基板に
たいする写真蝕刻の露光方法を断面で示す図、第２図は
一例のＩＣの金属配線層にたいする写真蝕刻の露光方法
を説明するための断面図、第３図ａ，ｂは写真蝕刻によ
り形成されるパターンの一部を夫々上面図、第４図は本
発明方法を説明するための図、第５図は本発明方法の効
果を示す図である。 １，５・・・半導体基板、３，８・・・感光剤層、９・
・・マスク、１０ａ， １０ｂ・・・パターン、ｔ１，
ｔ２・・・単位露光時間、ｔ′１，ｔ′２，・・・単位
のインタバル。
たいする写真蝕刻の露光方法を断面で示す図、第２図は
一例のＩＣの金属配線層にたいする写真蝕刻の露光方法
を説明するための断面図、第３図ａ，ｂは写真蝕刻によ
り形成されるパターンの一部を夫々上面図、第４図は本
発明方法を説明するための図、第５図は本発明方法の効
果を示す図である。 １，５・・・半導体基板、３，８・・・感光剤層、９・
・・マスク、１０ａ， １０ｂ・・・パターン、ｔ１，
ｔ２・・・単位露光時間、ｔ′１，ｔ′２，・・・単位
のインタバル。
Claims (1)
- １ 半導体基板の主面に写真蝕刻のための感光剤層を被
着し、これにマスクを当接して所定量の露光を施す露光
方法が、半導体基板の主面に感光剤層を被着形成したの
ち、所定パターンのマスクを通して少くとも１の単位露
光を施す工程および前記露光後単位のインタバルを設け
る工程との組み合わせ工程を備え、前記組み合わせ工程
の集積によって所定露光量とすることを特徴とする写真
蝕刻の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50091973A JPS588575B2 (ja) | 1975-07-30 | 1975-07-30 | シヤシンシヨツコクノロコウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50091973A JPS588575B2 (ja) | 1975-07-30 | 1975-07-30 | シヤシンシヨツコクノロコウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5216979A JPS5216979A (en) | 1977-02-08 |
| JPS588575B2 true JPS588575B2 (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=14041460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50091973A Expired JPS588575B2 (ja) | 1975-07-30 | 1975-07-30 | シヤシンシヨツコクノロコウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588575B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6158013A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Hitachi Ltd | 位置決め制御方式 |
-
1975
- 1975-07-30 JP JP50091973A patent/JPS588575B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5216979A (en) | 1977-02-08 |
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