JPH052278Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案はPolysi堆積時にsi単結晶ウエハ（以後
ウエハと記す）の周辺部及び裏面にまわり込み成
長したPolysiを研削除去する裏面クラウン除去装
置に関するものである。

［従来の技術］ 従来、この種の裏面クラウン除去装置は第３図
に示すように、半導体ウエハ２を吸着口４より真
空吸着し該ウエハ２を定速回転するワークヘツド
３と、ガイドレール８に沿つてモータ９の駆動に
より該ワークヘツド３に保持されたウエハ２の直
径方向に変位させる砥石台７と、ワークヘツド３
の軸心に対し一定の傾きをもつて砥石台７に保持
された砥石回転軸５と、砥石回転軸５に軸支され
ウエハ２の裏面に一定の切り込み量をもつて接触
するフレキシブル砥石６とを有し、設定された時
間だけウエハ２の周辺部を研削した後（第４図参
照）、ウエハ中心部へ設定された量だけ移動させ
てウエハ２の裏面を研削し、ウエハ周辺部及び裏
面にまわり込み成長したPolysi１の除去を行つて
いた。

［考案が解決しようとする問題点］ 上述した従来の装置では、ウエハ周辺部に一定
の切り込み量で接触させ、設定された時間だけウ
エハ周辺部で研削をおこなつていたため、第５図
に示すように周辺部のすこし内側のポリシリコン
（Polysi）１０を取り残してしまうため、２回研
削及び切り込み量を多くし、研削時間を長くして
加工する必要があり、フレキシブル砥石の寿命が
短かくなるなどの欠点がある。

本考案の目的は前記問題点を解決する裏面クラ
ウン除去装置を提供することにある。

［考案の従来技術に対する相違点］ 上述した従来の裏面クラウン除去装置に対し、
本考案はウエハ周辺部の特定位置で砥石を往復動
させることによりウエハ周辺部にまわり込み成長
したPolysiを取り残すことなく短時間で除去でき
るという独創的内容を有する。

［問題を解決するための手段］ 本考案は半導体ウエハの表面を吸着し該ウエハ
を定速回転ワークヘツドと、該ワークヘツドに保
持された半導体ウエハの直径方向に変位させる砥
石台と、前記ワークヘツドの軸心に対し傾きをも
つて該砥石台に保持された砥石回転軸と、該砥石
回転軸に軸支され、半導体ウエハの裏面に一定の
切り込み量をもつて接触するフレキシブル砥石
と、前記砥石回転軸の速度制御を行う速度制御部
と、前記砥石台を半導体ウエハの周辺部に対応す
る特定位置で往復動させた後に半導体ウエハの中
心方向に沿つて直線変位させる送り部とを有する
ことを特徴とする裏面クラウン除去装置である。

［実施例］ 以下、本考案の一実施例を図により説明する。

第１図ａにおいて、本考案は半導体ウエハ２の
表面を吸着口４より真空吸着し該ウエハを定速回
転するワークヘツド３と、該ワークヘツド３に保
持されたウエハ２の直径方向にガイドレール８及
びモータ９により変位させる砥石台７と、ワーク
ヘツド３の軸心に対する傾き角度が調整され、前
記砥石台７に保持された砥石回転軸５と、砥石回
転軸５に軸支されウエハ２の裏面に一定の切り込
み量をもつて接触するフレキシブル砥石６と、砥
石回転軸５の速度制御を行う速度制御部１２と、
前記砥石台７をウエハ２の周辺部に対応する特定
位置Ｐで往復動させた後にウエハの中心方向に沿
つて直線変位させる送り部１３とを備えたもので
ある。

次に図により動作を説明する。第１図ａ，ｂ、
第２図に示すようにローデングされたウエハ２は
ワークヘツド３の吸着口４にて吸着固定された
後、回転を始め、フレキシブル砥石６方向に移動
し、あらかじめ砥石回転軸５により研削角度をも
つて高速で回転しているフレキシブル砥石６に一
定の切り込み量で接触する。接触すると、砥石台
７はウエハ２の周辺部にまわり込み成長した
Polysi１０に見合つて、あらかじめ速度制御部１
２に設定された速度、及び送り部１３に設定され
た移動距離、時間でモータ９により特定位置Ｐで
往復動させ、ウエハ２の周辺部にまわり込み成長
したPolysi１０を研削する。設定時間になると、
砥石台７は裏面まわり込み成長したPolysi１１に
見合つてあらかじめ設定された量だけ、モータ９
によりウエハ２の中心部に沿つて研削移動を開始
し、裏面にまわり込み成長したPolysi１１を研削
し、ウエハ２の周辺部及び裏面にまわり込み成長
したPolysiの除去を完了する。

［考案の効果］ 以上説明したように本考案によれば、ウエハ周
辺部及び裏面にまわり込み成長したPolysiを取り
残すことなく短時間で除去することができ、設備
稼動率の向上、加工費の削減等を実現できるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは本考案の一実施例を示す断面図、第
１図ｂは同フロチヤート、第２図は本考案のウエ
ハ周辺部の研削の拡大図、第３図は従来の例を示
す断面図、第４図は従来のウエハ周辺部研削の拡
大図、第５図は従来のウエハ裏面研削の拡大図で
ある。 １……Polysi、２……si単結晶ウエハ、３……
ワークヘツド、４……吸着口、５……砥石回転
軸、６……フレキシブル砥石、７……砥石台、８
……ガイドレール、９……モータ、１０……周辺
部にまわり込み成長したPolysi、１１……裏面に
まわり込み成長したPolysi、１２……速度制御
部、１３……送り部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 半導体ウエハの表面を吸着し該ウエハを定速回
   転するワークヘツドと、該ワークヘツドに保持さ
   れた半導体ウエハの直径方向に変位させる砥石台
   と、前記ワークヘツドの軸心に対し傾きをもつて
   該砥石台に保持された砥石回転軸と、該砥石回転
   軸に軸支され、半導体ウエハの裏面に一定の切り
   込み量をもつて接触するフレキシブル砥石と、前
   記砥石回転軸の速度制御を行う速度制御部と、前
   記砥石台を半導体ウエハの周辺部に対応する特定
   位置で往復動させた後に半導体ウエハの中心方向
   に沿つて直線変位させる送り部とを有することを
   特徴とする裏面クラウン除去装置。