JPH0523043B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0523043B2 JPH0523043B2 JP59059963A JP5996384A JPH0523043B2 JP H0523043 B2 JPH0523043 B2 JP H0523043B2 JP 59059963 A JP59059963 A JP 59059963A JP 5996384 A JP5996384 A JP 5996384A JP H0523043 B2 JPH0523043 B2 JP H0523043B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- present
- equivalent series
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は積層セラミツクコンデンサ、とりわけ
100MHz〜1000MHz程度の高周波域において低等
価直列抵抗の必要な回路に適用しうる積層セラミ
ツクコンデンサに関するものである。
100MHz〜1000MHz程度の高周波域において低等
価直列抵抗の必要な回路に適用しうる積層セラミ
ツクコンデンサに関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、セラミツク誘導体をパラジウムや白金−
パラジウムよりなる導電体層と共に積層してなる
積層セラミツクコンデンサはよく知られている。
この積層セラミツクコンデンサは今日の電子回路
の集積化、小型化に呼応して素子単体の小型化を
図つた代表例である。すなわち、20μm〜100μm
の薄いセラミツク誘導体層に電極を付与し、この
ようなコンデンサを多数並列に接続したのと同じ
効果が得られるように、複数の導電体層がセラミ
ツク誘電体層を挾んで交互に対向するように配置
して積層し、それぞれの導電体層はこの積層体の
両端部に銀または銀−パラジウム合金などを焼付
けて設けた端子電極に接続する構成をなしてい
る。
パラジウムよりなる導電体層と共に積層してなる
積層セラミツクコンデンサはよく知られている。
この積層セラミツクコンデンサは今日の電子回路
の集積化、小型化に呼応して素子単体の小型化を
図つた代表例である。すなわち、20μm〜100μm
の薄いセラミツク誘導体層に電極を付与し、この
ようなコンデンサを多数並列に接続したのと同じ
効果が得られるように、複数の導電体層がセラミ
ツク誘電体層を挾んで交互に対向するように配置
して積層し、それぞれの導電体層はこの積層体の
両端部に銀または銀−パラジウム合金などを焼付
けて設けた端子電極に接続する構成をなしてい
る。
このような積層セラミツクコンデンサは近年あ
らゆる電子機器分野においてその回路構成上必需
品となり、ますます使用量が拡大しつつある。特
に、電子チユーブにおいてはその小型化への動き
が活発であり、それとともに高周波域での高感度
が要求されてきており、したがつて高周波回路に
適合する積層セラミツクコンデンサが是非とも必
要となつている。すなわち、ＭHz帯におけるコン
デンサの等価直列抵抗の小さいことが必要となつ
ている。たとえば、1000pFのコンデンサで300M
Hzにおける等価直列抵抗は0.3Ω以下の値が最低
限要求されており、従来の積層セラミツクコンデ
ンサではこの値を必ずしも満足することができな
かつた。一般的には、導電体層とセラミツク誘導
体層とが積層され一体化される場合、1300〜1400
℃の焼成工程が必要であり、導電体層の厚みが厚
すぎると焼成中にデラミネーシヨンといつたセラ
ミツク誘電体層と導電体層の間に剥離を生じ、静
電容量が得られなくなるため、導電体層厚みは通
常5μm以下である。このため、導電体層の抵抗分
はこの厚みによつて制限され、等価直列抵抗のほ
とんどを支配する導電体層の抵抗成分を低くする
ことは従来の積層構造では困難であつた。
らゆる電子機器分野においてその回路構成上必需
品となり、ますます使用量が拡大しつつある。特
に、電子チユーブにおいてはその小型化への動き
が活発であり、それとともに高周波域での高感度
が要求されてきており、したがつて高周波回路に
適合する積層セラミツクコンデンサが是非とも必
要となつている。すなわち、ＭHz帯におけるコン
デンサの等価直列抵抗の小さいことが必要となつ
ている。たとえば、1000pFのコンデンサで300M
Hzにおける等価直列抵抗は0.3Ω以下の値が最低
限要求されており、従来の積層セラミツクコンデ
ンサではこの値を必ずしも満足することができな
かつた。一般的には、導電体層とセラミツク誘導
体層とが積層され一体化される場合、1300〜1400
℃の焼成工程が必要であり、導電体層の厚みが厚
すぎると焼成中にデラミネーシヨンといつたセラ
ミツク誘電体層と導電体層の間に剥離を生じ、静
電容量が得られなくなるため、導電体層厚みは通
常5μm以下である。このため、導電体層の抵抗分
はこの厚みによつて制限され、等価直列抵抗のほ
とんどを支配する導電体層の抵抗成分を低くする
ことは従来の積層構造では困難であつた。
第１図に従来の積層セラミツクコンデンサを示
しており、図中１はセラミツク誘電体層、２は導
電体層、３は端子電極である。
しており、図中１はセラミツク誘電体層、２は導
電体層、３は端子電極である。
発明の目的
本発明は上記のような従来の積層セラミツクコ
ンデンサにおける等価直列抵抗が高いという欠点
を大幅に改善し、高周波化回路に適合しうる積層
セラミツクコンデンサを提供しようとするもので
ある。
ンデンサにおける等価直列抵抗が高いという欠点
を大幅に改善し、高周波化回路に適合しうる積層
セラミツクコンデンサを提供しようとするもので
ある。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の積層セラミ
ツクコンデンサは、セラミツク誘電体層を挾持す
る形で導電体層群が形成され、この導電体層群の
うち必ず２枚の導電体層が１対の対向電極となる
ように配置された構成をなすものである。
ツクコンデンサは、セラミツク誘電体層を挾持す
る形で導電体層群が形成され、この導電体層群の
うち必ず２枚の導電体層が１対の対向電極となる
ように配置された構成をなすものである。
実施例の説明
以下、本発明の積層セラミツクコンデンサにつ
いて、図面に基づき詳細に説明する。
いて、図面に基づき詳細に説明する。
第２図は本発明の積層セラミツクコンデンサの
断面図であり、従来例と同一箇所には同一番号を
付してある。図中、１はセラミツク誘電体であ
る。このセラミツク誘電体１は通常セラミツク誘
電体用の原料粉末をポリビニルアルコール系のバ
インダーを添加し、混合して後、ドクターブレー
ド法を用いたシート成型によつて30〜100μm程度
の薄いシートを1300℃以上の高温で焼成すること
により得られるものである。２は導電体層であ
り、上記誘電体シート上にたとえばパラジウムペ
ーストを印刷し、上記焼成過程でセラミツク誘電
体層１が形成されると同時に導電体層２が得られ
る。３は端子電極で、銀−パラジウムペーストを
塗着し、800〜850℃で焼付けて得られるものであ
る。この第２図から明らかなように、本発明の積
層セラミツクコンデンサはその構成において導電
体層２が必ず２枚で１対の対向電極を形成してい
るのに対して、従来の第１図の場合は１枚の導電
体層２が上下２枚の導電体層２と対向する形をな
している。したがつて、本発明及び従来の積層セ
ラミツクコンデンサは、等価直列抵抗が単純に導
電体層の抵抗のみが寄与すると仮定すると、第３
図の等価回路で示すことができる。すなわち、第
３図ａは本発明の積層セラミツクコンデンサ、同
図ｂは従来の積層セラミツクコンデンサの等価回
路を示す。この図から明らかなように直列等価抵
抗は等価的にコンデンサが奇数個含まれる場合は
従来に比較して本発明の積層セラミツクコンデン
サは（ｎ＋１）／2n、偶数の場合は（ｎ＋
２）／２（ｎ＋１）の等価直列抵抗となる。ここ
で、ｎは等価的にコンデンサが含まれる数であ
る。ただし、簡単のため各導電体層２の抵抗は全
て同一であるものとして計算した。また、等価的
に構成される各コンデンサの容量値は同一である
として計算した。
断面図であり、従来例と同一箇所には同一番号を
付してある。図中、１はセラミツク誘電体であ
る。このセラミツク誘電体１は通常セラミツク誘
電体用の原料粉末をポリビニルアルコール系のバ
インダーを添加し、混合して後、ドクターブレー
ド法を用いたシート成型によつて30〜100μm程度
の薄いシートを1300℃以上の高温で焼成すること
により得られるものである。２は導電体層であ
り、上記誘電体シート上にたとえばパラジウムペ
ーストを印刷し、上記焼成過程でセラミツク誘電
体層１が形成されると同時に導電体層２が得られ
る。３は端子電極で、銀−パラジウムペーストを
塗着し、800〜850℃で焼付けて得られるものであ
る。この第２図から明らかなように、本発明の積
層セラミツクコンデンサはその構成において導電
体層２が必ず２枚で１対の対向電極を形成してい
るのに対して、従来の第１図の場合は１枚の導電
体層２が上下２枚の導電体層２と対向する形をな
している。したがつて、本発明及び従来の積層セ
ラミツクコンデンサは、等価直列抵抗が単純に導
電体層の抵抗のみが寄与すると仮定すると、第３
図の等価回路で示すことができる。すなわち、第
３図ａは本発明の積層セラミツクコンデンサ、同
図ｂは従来の積層セラミツクコンデンサの等価回
路を示す。この図から明らかなように直列等価抵
抗は等価的にコンデンサが奇数個含まれる場合は
従来に比較して本発明の積層セラミツクコンデン
サは（ｎ＋１）／2n、偶数の場合は（ｎ＋
２）／２（ｎ＋１）の等価直列抵抗となる。ここ
で、ｎは等価的にコンデンサが含まれる数であ
る。ただし、簡単のため各導電体層２の抵抗は全
て同一であるものとして計算した。また、等価的
に構成される各コンデンサの容量値は同一である
として計算した。
以上のように本発明の積層セラミツクコンデン
サは従来の積層セラミツクコンデンサの等価直列
抵抗より極めて小さい等価直列抵抗を有すること
は明らかで、積層数の多い場合には従来の約1/2
の値を示すことが期待される。
サは従来の積層セラミツクコンデンサの等価直列
抵抗より極めて小さい等価直列抵抗を有すること
は明らかで、積層数の多い場合には従来の約1/2
の値を示すことが期待される。
第４図は第１図、第２図の構成による積層セラ
ミツクコンデンサを、セラミツク誘電体として
JIS規格YB特性セラミツク誘電体を使用し、1K
Hzで1000pF±100pFの静電容量となるように試作
した試験結果を示す。この図から明らかなよう
に、特に100MHz以上で本発明の積層セラミツク
コンデンサの等価直列抵抗Ａは従来の等価直列抵
抗Ｂに比較して極めて良好である。また、300M
Hzにおいては0.23Ωと市場の要求値0.3Ω以下を十
分に満足することが可能である。
ミツクコンデンサを、セラミツク誘電体として
JIS規格YB特性セラミツク誘電体を使用し、1K
Hzで1000pF±100pFの静電容量となるように試作
した試験結果を示す。この図から明らかなよう
に、特に100MHz以上で本発明の積層セラミツク
コンデンサの等価直列抵抗Ａは従来の等価直列抵
抗Ｂに比較して極めて良好である。また、300M
Hzにおいては0.23Ωと市場の要求値0.3Ω以下を十
分に満足することが可能である。
発明の効果
以上述べたように本発明の積層セラミツクコン
デンサは、その等価直列抵抗が極めて良好で、特
に100MHz〜1000MHzにおいて従来の積層セラミ
ツクコンデンサでは満足し得なかつた電子チユー
ナの高感度化に優れた効果を発揮することがで
き、さらにはその他の高周波回路に供することも
可能であるなど、その産業的価値は甚大である。
デンサは、その等価直列抵抗が極めて良好で、特
に100MHz〜1000MHzにおいて従来の積層セラミ
ツクコンデンサでは満足し得なかつた電子チユー
ナの高感度化に優れた効果を発揮することがで
き、さらにはその他の高周波回路に供することも
可能であるなど、その産業的価値は甚大である。
第１図は従来の積層セラミツクコンデンサの断
面図、第２図は本発明における積層セラミツクコ
ンデンサの一実施例を示す断面図、第３図ａ，ｂ
は本発明品と従来品の積層セラミツクコンデンサ
の等価回路を示す図、第４図は本発明品と従来品
の等価直列抵抗を比較して示す図である。 １……セラミツク誘電体層、２……導電体層、
３……端子電極。
面図、第２図は本発明における積層セラミツクコ
ンデンサの一実施例を示す断面図、第３図ａ，ｂ
は本発明品と従来品の積層セラミツクコンデンサ
の等価回路を示す図、第４図は本発明品と従来品
の等価直列抵抗を比較して示す図である。 １……セラミツク誘電体層、２……導電体層、
３……端子電極。
Claims (1)
- １ セラミツク誘導体層を挾持する形で導電体層
群が形成され、この導電体層群のうち必ず２枚の
導電体層が一体の対向電極となるように配置され
てなる積層セラミツクコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059963A JPS60201608A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59059963A JPS60201608A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201608A JPS60201608A (ja) | 1985-10-12 |
| JPH0523043B2 true JPH0523043B2 (ja) | 1993-03-31 |
Family
ID=13128324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59059963A Granted JPS60201608A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 積層セラミツクコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201608A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7688567B2 (en) | 2005-08-05 | 2010-03-30 | Tdk Corporation | Method of manufacturing multilayer capacitor and multilayer capacitor |
| JP5628494B2 (ja) * | 2009-08-11 | 2014-11-19 | デクセリアルズ株式会社 | 共振回路 |
| JP5276137B2 (ja) | 2011-04-13 | 2013-08-28 | 太陽誘電株式会社 | 積層型コンデンサ |
| JP7465077B2 (ja) | 2019-11-21 | 2024-04-10 | 太陽誘電株式会社 | 全固体電池とその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5228220B2 (ja) * | 1973-08-01 | 1977-07-25 | ||
| US3838320A (en) * | 1974-01-04 | 1974-09-24 | American Tech Ceramics | Multiple layer capacitors |
| JPS5221663A (en) * | 1975-08-11 | 1977-02-18 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of manufacturing glassy capacitor |
| JPS52105056U (ja) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | ||
| JPS6244519Y2 (ja) * | 1980-03-25 | 1987-11-25 |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP59059963A patent/JPS60201608A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60201608A (ja) | 1985-10-12 |
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