JPH05235228A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法

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  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 支持板に半導体チップを半田付けする時の半
田の不要な流れを防ぐ。 【構成】 少なくとも第１及び第２の環状溝１８、１９
を有する金属支持板２を用意する。この金属支持板２の
第１の環状溝１８で囲まれた領域にスクラブを伴なって
半導体チップ２４を半田２２で固着する。スクラブ領域
２１の面積は第１の環状溝１８で囲まれた領域の面積よ
りも小さく設定する。半導体チップ２４が固着された支
持板１２を被覆する樹脂封止体２９を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダイオード、トランジス
タ、ＩＣ等の樹脂封止型電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
素子をこの支持板と共に樹脂封止体で封止した樹脂封止
型半導体装置は周知である。この種の半導体装置におい
て、樹脂封止体と支持板の界面を通じて半導体素子の載
置された領域に水分等の不純物（異物）が侵入すると、
半導体装置の特性が低下する。そこで、本願発明者は、
半導体素子の載置された領域を囲む溝を支持板に設ける
試みをした。これにより、不純物の侵入を溝によって抑
制することができ、半導体装置の特性低下をそれなりに
防止することができた。しかしながら、今日、半導体装
置の高機能化等のためにチップ（半導体素子）の大型化
が進んでいる。このため、チップを支持板に固着する半
田が溝に流れ込むことがあり、溝の不純物侵入防止効果
が低減することがあった。
【０００３】そこで、本発明はろう材の不要な流れを防
ぐことができる電子部品の製造方法を提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、第１の環状溝と該第１の環状溝を包囲する
第２の環状溝とを有し、前記第１の環状溝で包囲された
領域には電子素子をスクラブしてろう接するためのスク
ラブ領域を有し、前記第１の環状溝で包囲された領域は
前記スクラブ領域よりも大きい面積を有している導電性
支持板を用意する工程と、前記スクラブ領域にろう材を
供給し、前記ろう材の上に前記電子素子を載置し、前記
スクラブ領域内において前記電子素子を前記ろう材を介
してスクラブすることによって前記電子素子を前記スク
ラブ領域内にろう付けする工程と、前記電子素子と前記
第１の環状溝と前記第２の環状溝を含むように前記支持
板を被覆する樹脂封止体を設ける工程とを有することを
特徴とする樹脂封止型電子部品の製造方法に係わるもの
である。
【０００５】
【作用】本発明によれば、電子素子が支持板の第１の環
状溝の内側に配設されたスクラブ領域内にろう付けされ
る。スクラブ領域は第１の環状溝で包囲された領域より
も小さく設定されており、電子素子はこのスクラブ領域
内でスクラブ運動を伴なってろう付けされる。したがっ
て、ろう材が第１の環状溝よりも外側に流れ出すことが
有効に抑制される。このため、第１の環状溝の外側に配
設された第２の環状溝が異物侵入防止用の溝として有効
に作用する。
【０００６】
【実施例】次に、図１〜図４を参照して本発明の一実施
例に係わる樹脂封止型半導体装置の製造方法を説明す
る。
【０００７】まず、図２に示すリードフレーム１１を用
意する。このリードフレーム１１は放熱板を兼ねる比較
的厚い金属製支持板１２と、この支持板１２の一方の端
部側に配置された比較的薄い板状外部リード１３と、支
持板１２の他方の端部側に配置された比較的薄い板状支
持リード１４と、外部リード１３及び支持リード１４を
連結する比較的薄い細条１５、１６、１７から構成され
ている。実際のリードフレームでは、細条１５、１６、
１７の延びる方向（横方向）に複数の支持板１２が並設
されて全体として梯子形状となっている。しかしなが
ら、図２では図面を簡略化して支持板１２を１個のみ示
す。
【０００８】支持板１２の一方の主面の中央側には、内
側から順番に第１の環状溝１８と第２の環状溝１９と第
３の環状溝２０が互いに離間して配設されている。第１
の環状溝１８の内側にはチップをスクラブ（こすりつ
け）運動を伴なって固着するためのスクラブ領域（チッ
プ載置予定領域）２１が第１の環状溝１８から離間した
位置に配設されている。第１の環状溝１８で包囲された
領域の面積はスクラブ領域２１の面積よりも大きい。即
ち第１の環状溝１８の一辺の長さはチップのスクラブ領
域２１の一辺の長さよりも大きく設計されている。第
１、第２及び第３の環状溝１８、１９、２０はリードフ
レーム１１を形成するための一連のプレス加工において
同時に形成したものである。
【０００９】次に、支持板１２にチップを半田付けする
ために、支持板１２のスクラブ領域２１にろう材として
の半田２２を加熱溶融状態且つ膜状に広げる。続いて、
図１に示すチップ吸着保持体（以下、コレットと称す
る）２３を用意して、固着すべき電子素子としての半導
体チップ２４をコレット２３の空間に対応する壁面２５
に吸着させる。続いて、図示のようにスクラブ領域２１
のほぼ中央位置において半田２２の上にチップ２４を押
し付けた後、矢印２６で示す左右方向にチップ２４をコ
レット２３と共に直線往復運動（スクラブ運動）させて
チップ２４を半田２２で固着する。チップ２４をスクラ
ブ領域２１の幅即ちコレット２３を第１の環状溝１８の
一方の辺側に移動させたときのチップ２４の他方の側縁
の位置Ａとコレット２３を第１の環状溝１８の他方の辺
側に移動させたときのチップ２４の他方の側縁の位置Ｂ
との間隔Ｌ１は、第１の環状溝１８の一辺の長さＬ2 よ
りも小さくなっている。スクラブ領域２１の外側に流れ
た半田２２は第１の環状溝１８に収容され、半田２２が
第１の環状溝１８よりも外側に広がることが阻止され
る。
【００１０】図３のように、チップ２４が半田２２を介
してスクラブ領域２１内のチップ載置領域（中央領域）
に固着されたら、周知のワイヤボンディング法によって
チップ２４と外部リード１３との間にリード細線２７を
図２に示すように接続する。続いて、シリコン樹脂等か
ら成る保護樹脂２８をチップ２４の上面に滴下して、図
３のようにチップ２４とリード細線２７のチップ２４へ
の接続部分側を被覆する。保護樹脂２８の一部は第１の
環状溝１８よりも外側まで広がるが、第２の環状溝１９
が保護樹脂２８の流れ留めとして機能するから、保護樹
脂２８は第２の環状溝１９よりも外側には広がらない。
【００１１】次に、リードフレーム１１とチップ２４と
リード細線２７から成る組立体を成形用型（図示せず）
に配置して、周知のトランスファモールド法によって、
図２で破線で示すように支持板１２の全面と外部リード
１３及び支持リード１４の一部を被覆する樹脂封止体２
９を形成する。最後に、細条１５、１６、１７と支持リ
ード１４を除去することによって、図４に示す樹脂封止
型半導体装置を完成させる。なお、支持リード１４の引
抜き破断によって、樹脂封止体２９に孔３０が生じる
が、極めて小さいのでほとんど問題にならない。この孔
３０は必要に応じて樹脂で埋められる。
【００１２】本実施例では、チップ２４が第１の環状溝
１８の内側に半田付けされ且つスクラブ領域の幅Ｌ1 が
第１の環状溝１８の一辺の長さＬ2 よりも小さく設定さ
れている。したがって、チップ２４を支持板１２に固着
するための半田２２の流れ出しが有効に防止される。
【００１３】また、保護樹脂２８の外側への流れ出しも
第２の環状溝１９によって留められている。結果とし
て、異物侵入防止用の第３の環状溝２０に半田２２や保
護樹脂２８が入り込むことが防止され、第３の環状溝２
０による異物侵入防止効果が強力に得られる。したがっ
て、樹脂封止型半導体装置の長期使用による特性低下を
許容レベル以下に収めることができる。
【００１４】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでは
なく、例えば次の変形が可能なものである。
【００１５】スクラブの運動方向は実施例に限られな
い。例えば、チップ２４の中心点を軸として円運動させ
てもよい。この場合、第１の環状溝１８で包囲された面
積は、この円運動によってチップ２４の端部で描かれる
円の面積よりも大きくし、且つスクラブ領域２１を第１
の環状溝１８から離間させた中央側に配設する。
【００１６】第１の環状溝１８及び第２の環状溝２０の
断面形状はＶ字形状でなくても良い。例えば、第１の環
状溝１８を図５のように２段階の凹部で形成し、この境
界に突出部を設け、半田の流れ留め効果を増大させても
よい。
【００１７】第１、第２及び第３の環状溝１８、１９、
２０を完全に閉じた環状溝にせずに、仮想環状線に沿っ
て断続的に形成しても異物侵入防止の効果はそれなりに
得られる。したがって、第１、第２及び第３の環状溝１
８、１９、２０は実質的に環状であればよい。また、第
２及び第３の環状溝１９、２０のいずれか一方を省くこ
とができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によって水分等の異物の侵入を防
止でき、長期間にわたって特性変動の生じない信頼性の
高い電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係わる樹脂封止型半導体装置
の製造方法を図２のＡ−Ａ線に対応する部分で示す断面
図である。
【図２】実施例のリードフレームを示す平面図である。
【図３】支持板上にチップを半田付けし、保護樹脂を設
けた状態を示す断面図である。
【図４】完成した半導体装置を示す断面図である。
【図５】変形例の支持板を示す平面図である。
【符号の説明】
１１ リードフレーム １２ 支持板 １３ 外部リード １８ 第１の環状溝 １９ 第２の環状溝 ２０ 第３の環状溝 ２４ チップ ２２ 半田

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の環状溝と該第１の環状溝を包囲す
    る第２の環状溝とを有し、前記第１の環状溝で包囲され
    た領域には電子素子をスクラブしてろう接するためのス
    クラブ領域を有し、前記第１の環状溝で包囲された領域
    は前記スクラブ領域よりも大きい面積を有している導電
    性支持板を用意する工程と、 前記スクラブ領域にろう材を供給し、前記ろう材の上に
    前記電子素子を載置し、前記スクラブ領域内において前
    記電子素子を前記ろう材を介してスクラブすることによ
    って前記電子素子を前記スクラブ領域内にろう付けする
    工程と、 前記電子素子と前記第１の環状溝と前記第２の環状溝を
    含むように前記支持板を被覆する樹脂封止体を設ける工
    程とを有することを特徴とする樹脂封止型電子部品の製
    造方法。
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