JPH05243301A - 半導体装置製造方法 - Google Patents
半導体装置製造方法Info
- Publication number
- JPH05243301A JPH05243301A JP4265092A JP4265092A JPH05243301A JP H05243301 A JPH05243301 A JP H05243301A JP 4265092 A JP4265092 A JP 4265092A JP 4265092 A JP4265092 A JP 4265092A JP H05243301 A JPH05243301 A JP H05243301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- cavity
- supplied
- powder
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 51
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の樹脂封止の際、空気巻き込みによ
る樹脂のボイド発生を防止する。 【構成】樹脂成形金型のキャビティ部に予め粉末樹脂５
あるいは固形樹脂を供給して溶融させ、その後チップを
搭載したリードフレームをセットし、キャビティ部に樹
脂を注入して樹脂成形を行う。
る樹脂のボイド発生を防止する。 【構成】樹脂成形金型のキャビティ部に予め粉末樹脂５
あるいは固形樹脂を供給して溶融させ、その後チップを
搭載したリードフレームをセットし、キャビティ部に樹
脂を注入して樹脂成形を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にプラスチックパッケージの封止方法に関する
ものである。
関し、特にプラスチックパッケージの封止方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラスチックパッケージの封止方
法は、図４の断面図に示す様に、チップ（半導体素子）
６が搭載されたリードフレーム７を下金型のキャビティ
１上に載置し、上金型９を重ねて型締めし、この上下金
型で形成されるキャビティ内にセンタポット３で加熱加
圧された溶融樹脂をゲート２を経て注入することにより
封止を行っていた。
法は、図４の断面図に示す様に、チップ（半導体素子）
６が搭載されたリードフレーム７を下金型のキャビティ
１上に載置し、上金型９を重ねて型締めし、この上下金
型で形成されるキャビティ内にセンタポット３で加熱加
圧された溶融樹脂をゲート２を経て注入することにより
封止を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置製造
方法では、前述のように下型のキャビティ１にリードフ
レーム７を載置後型締めし樹脂を注入しているため、こ
のリードフレームによる影響さらにゲート２の注入角度
の影響等により、キャビティに流入する樹脂の充填状態
が均一でなく、特に下型のキャビティ１の底面部にボイ
ド１６が発生するという問題点があった。
方法では、前述のように下型のキャビティ１にリードフ
レーム７を載置後型締めし樹脂を注入しているため、こ
のリードフレームによる影響さらにゲート２の注入角度
の影響等により、キャビティに流入する樹脂の充填状態
が均一でなく、特に下型のキャビティ１の底面部にボイ
ド１６が発生するという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１（ｃ）に
示すように、キャビティ１に粉末樹脂５を予め供給した
後溶融させ、リードフレーム７を載置して型締めし樹脂
を注入する。もしくは図２（ａ）に示すように、キャビ
ティ１に固形樹脂１２を予め供給した後溶融させ、リー
ドフレーム７を載置して型締めし樹脂を注入するという
製造方法である。
示すように、キャビティ１に粉末樹脂５を予め供給した
後溶融させ、リードフレーム７を載置して型締めし樹脂
を注入する。もしくは図２（ａ）に示すように、キャビ
ティ１に固形樹脂１２を予め供給した後溶融させ、リー
ドフレーム７を載置して型締めし樹脂を注入するという
製造方法である。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を工程順に示す図で、
同図（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ断面図である。同図
（ａ）は本実施例で使用する下金型をセットした状態を
示し、この金型にはキャビティ１，ゲート２，センタポ
ット３を有する。同図（ｂ）では、キャビティ１に樹脂
供給ノズル４からエポキシ樹脂の粉末樹脂５を供給する
状況を示している。同図（ｃ）は、アイランド８上にチ
ップ６を搭載したリードフレーム７をキャビティ１上に
載置した状態を示している。この時に粉末樹脂５は加熱
された金型により溶融状態にある。同図（ｄ）は上金型
９を重ねて型締めし、センタポット３に供給されたエポ
キシ樹脂からなるタブレット樹脂１０に圧力を加えて溶
融させ注入する状態を示す。同図（ｅ）は樹脂成形が完
了した状態を示す。
る。図１は本発明の第１の実施例を工程順に示す図で、
同図（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ断面図である。同図
（ａ）は本実施例で使用する下金型をセットした状態を
示し、この金型にはキャビティ１，ゲート２，センタポ
ット３を有する。同図（ｂ）では、キャビティ１に樹脂
供給ノズル４からエポキシ樹脂の粉末樹脂５を供給する
状況を示している。同図（ｃ）は、アイランド８上にチ
ップ６を搭載したリードフレーム７をキャビティ１上に
載置した状態を示している。この時に粉末樹脂５は加熱
された金型により溶融状態にある。同図（ｄ）は上金型
９を重ねて型締めし、センタポット３に供給されたエポ
キシ樹脂からなるタブレット樹脂１０に圧力を加えて溶
融させ注入する状態を示す。同図（ｅ）は樹脂成形が完
了した状態を示す。
【０００６】次に図２は第２の実施例を工程順に示す。
同図（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。まず、図
３の断面図に示すように、固形樹脂１２を使用する。固
形樹脂１２は、その密度が樹脂粗部分１３，樹脂中間部
１４および樹脂密部分１５の三層で構成される。固形層
の形成は圧力を変えることにより容易に形成できる。ま
ず、同図（ａ）に示すように、キャビティ１に固形樹脂
１２を供給し、リードフレーム７を載置し、センタポッ
ト３から樹脂を注入する。樹脂注入前に固形樹脂１２は
溶融状態にある。三層構造にしたのは溶融を促進するた
めである。同図（ｂ）は樹脂成形が完了した状態であ
る。
同図（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。まず、図
３の断面図に示すように、固形樹脂１２を使用する。固
形樹脂１２は、その密度が樹脂粗部分１３，樹脂中間部
１４および樹脂密部分１５の三層で構成される。固形層
の形成は圧力を変えることにより容易に形成できる。ま
ず、同図（ａ）に示すように、キャビティ１に固形樹脂
１２を供給し、リードフレーム７を載置し、センタポッ
ト３から樹脂を注入する。樹脂注入前に固形樹脂１２は
溶融状態にある。三層構造にしたのは溶融を促進するた
めである。同図（ｂ）は樹脂成形が完了した状態であ
る。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、キャビテ
ィ下部のボイドが発生しやすい個所に予め粉末樹脂もし
くは固形樹脂を供給して溶融させておき、その後通常の
樹脂を注入するのでボイドの発生を回避できるという効
果がある。
ィ下部のボイドが発生しやすい個所に予め粉末樹脂もし
くは固形樹脂を供給して溶融させておき、その後通常の
樹脂を注入するのでボイドの発生を回避できるという効
果がある。
【図１】本発明の第１実施例を工程順に示す図で、同図
（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ断面図である。
（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ断面図である。
【図２】本発明の第２実施例を工程順に示す図で、同図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図３】本発明の第２実施例に用いる固形樹脂の断面図
である。
である。
【図４】従来の製造方法を説明する断面図である。
１ キャビティ ２ ゲート ３ センタポット ４ 樹脂供給ノズル ５ 粉末樹脂 ６ チップ ７ リードフレーム ８ アイランド ９ 上金型 １０ タブレット樹脂 １１ 成形樹脂 １２ 固形樹脂 １３ 樹脂粗部分 １４ 樹脂中間部 １５ 樹脂密部分 １６ ボイド
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載したリードフレームを
上下金型ではさんでキャビティに樹脂を注入する半導体
装置製造方法において、前記リードフレームの載置前に
キャビティ内に粉末樹脂もしくは固形樹脂を供給し、そ
の後キャビティ内に溶融樹脂を注入して樹脂成形を行う
ことを特徴とする半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4042650A JP2758769B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4042650A JP2758769B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243301A true JPH05243301A (ja) | 1993-09-21 |
| JP2758769B2 JP2758769B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=12641890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4042650A Expired - Lifetime JP2758769B2 (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 半導体装置製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2758769B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7638367B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-12-29 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of resin sealing electronic part |
| JP2010067852A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
| JP2010067851A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
| US7993092B2 (en) | 2007-08-14 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Moving carrier for lead frame and method of moving lead frame using the moving carrier |
| JP2012004435A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路装置の製造方法および樹脂封止装置 |
| JP2012146770A (ja) * | 2011-01-11 | 2012-08-02 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置並びに供給ハンドラ |
| JP2013039693A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Apic Yamada Corp | 樹脂供給装置、樹脂モールド装置および樹脂供給方法 |
| JP2013089668A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138039A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Nec Home Electronics Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPH05102216A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4042650A patent/JP2758769B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138039A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-16 | Nec Home Electronics Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPH05102216A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7638367B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-12-29 | Fujitsu Microelectronics Limited | Method of resin sealing electronic part |
| US7923303B2 (en) | 2006-02-17 | 2011-04-12 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method of resin sealing electronic part |
| US7993092B2 (en) | 2007-08-14 | 2011-08-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Moving carrier for lead frame and method of moving lead frame using the moving carrier |
| JP2010067852A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
| JP2010067851A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
| JP2012004435A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | On Semiconductor Trading Ltd | 回路装置の製造方法および樹脂封止装置 |
| JP2012146770A (ja) * | 2011-01-11 | 2012-08-02 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置並びに供給ハンドラ |
| JP2013039693A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Apic Yamada Corp | 樹脂供給装置、樹脂モールド装置および樹脂供給方法 |
| JP2013089668A (ja) * | 2011-10-14 | 2013-05-13 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2758769B2 (ja) | 1998-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05243301A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
| JPH1022309A (ja) | 半導体素子の樹脂封止金型 | |
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JP3129660B2 (ja) | Ｓｏｎパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JP3139981B2 (ja) | チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JPH05175396A (ja) | リードフレーム及びモールド方法 | |
| JP2609894B2 (ja) | 被封止部品のトランスファ樹脂封止成形方法とこれに用いられる樹脂封止成形用金型装置及びフィルムキャリア | |
| JP3795684B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JP3795670B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JP2666630B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04179242A (ja) | 半導体素子の封止方法 | |
| JPH11195659A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
| JP2003203935A (ja) | 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置 | |
| JPS6296847U (ja) | ||
| JPH01239855A (ja) | 半導体装置のシーリング方法 | |
| JP2004114696A (ja) | モールドパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2001144124A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
| JP2000124241A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 | |
| JPS62296429A (ja) | 半導体装置製造用封入金型 | |
| JPH11135527A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 | |
| JPH01191459A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61252640A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2002137257A (ja) | 樹脂成形用金型 | |
| JPH0697217A (ja) | ガイドリング付半導体パッケージ成形用金型及び方法 | |
| JPH05315385A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980210 |