JPH04179242A - 半導体素子の封止方法 - Google Patents
半導体素子の封止方法Info
- Publication number
- JPH04179242A JPH04179242A JP2307529A JP30752990A JPH04179242A JP H04179242 A JPH04179242 A JP H04179242A JP 2307529 A JP2307529 A JP 2307529A JP 30752990 A JP30752990 A JP 30752990A JP H04179242 A JPH04179242 A JP H04179242A
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- JP
- Japan
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- mold
- sealing
- resin
- semiconductor element
- lead frame
- Prior art date
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- Pending
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子（トランジスタ、ＩＣ１ＬＳＩ等
）の封止方法に関するものである。
）の封止方法に関するものである。
従来の技術
従来は、封止成形用金型のキャビティ内に、半導体素子
が装着されたリードフレームを配置し、前記封止成形用
金型内に設けられたポット内へ予備加熱した封止用樹脂
を投入後、前記ポット内に摺動可能に嵌合するプランジ
ャーを押動させて、加熱溶融された樹脂をランナ・ゲー
トを通して前記キャビティ内に加圧注入するトランスフ
ァーモールド対土方法によって半導体素子の樹脂封止成
形が行われている。
が装着されたリードフレームを配置し、前記封止成形用
金型内に設けられたポット内へ予備加熱した封止用樹脂
を投入後、前記ポット内に摺動可能に嵌合するプランジ
ャーを押動させて、加熱溶融された樹脂をランナ・ゲー
トを通して前記キャビティ内に加圧注入するトランスフ
ァーモールド対土方法によって半導体素子の樹脂封止成
形が行われている。
発明が解決しようとする課題
ところが、上記の方法においては、以下に示すような問
題点があった。
題点があった。
第１の問題点は、封止成形用金型のキャビティに熔融し
た樹脂を注入するためのポット及びランナ・ゲートが必
要であり、また前記ポット及びランナ・ゲート部分に樹
脂が硬化して残りやすいので、樹脂が無駄になるばかり
でなく、樹脂が硬化し付着した状態では金型も使用でき
なくなり、コストアップの原因となることである。また
リードフレームが薄型で大面積である場合、樹脂がキャ
ビティ内で流動する間に硬化してしまうこともある。
た樹脂を注入するためのポット及びランナ・ゲートが必
要であり、また前記ポット及びランナ・ゲート部分に樹
脂が硬化して残りやすいので、樹脂が無駄になるばかり
でなく、樹脂が硬化し付着した状態では金型も使用でき
なくなり、コストアップの原因となることである。また
リードフレームが薄型で大面積である場合、樹脂がキャ
ビティ内で流動する間に硬化してしまうこともある。
第２の問題点は、リードフレームと半導体素子との間が
ボンディングワイヤで電気的に接続されているものの樹
脂封止成形を行う場合には、前記ポット内で熔融した樹
脂がキャビティ内に流入する際、樹脂がボンディングワ
イヤに直、 接当たると、ワイヤ倒れ等の応力変形が起
こり品質が低下し、又ワイヤどうしが接続するという問
題があることである。
ボンディングワイヤで電気的に接続されているものの樹
脂封止成形を行う場合には、前記ポット内で熔融した樹
脂がキャビティ内に流入する際、樹脂がボンディングワ
イヤに直、 接当たると、ワイヤ倒れ等の応力変形が起
こり品質が低下し、又ワイヤどうしが接続するという問
題があることである。
第３の問題点は、予備加熱時において、樹脂中に内在す
るエアー及び水分が完全に除去されずに残ったり、封止
工程において溶融した樹脂がランナ・ゲートを流動する
際にエアーを巻き込んだりすると成形品のボイド発生の
原因となることである。
るエアー及び水分が完全に除去されずに残ったり、封止
工程において溶融した樹脂がランナ・ゲートを流動する
際にエアーを巻き込んだりすると成形品のボイド発生の
原因となることである。
課題を解決するための手段
本願の第１発明は上記第１の問題点を解決す、 るた
めに、半導体素子が表面に装着されたリードフレームに
対し、半導体素子の周囲を封止用樹脂で覆い、この封止
用樹脂を所定形状に形成してリードフレーム上に固着す
る半導体素子の対土方法において、最終的にリードフレ
ーム上＝３− に形成される封止用樹脂の形状に倣った形状のキャビテ
ィを有する予備加熱用金型を用い、封止用樹脂を予備加
熱すると共に前記キャビティの形状と一致する形状に成
形し、この予備加熱工程で得られた封止用金型を、最終
的にリードフレーム上に形成される封止用樹脂の外形状
に一致するキャビティを備えた封止用金型内に供給し、
金型内に配されたリードフレーム上に半導体素子を前記
封止用樹脂で封止することを特徴としている。
めに、半導体素子が表面に装着されたリードフレームに
対し、半導体素子の周囲を封止用樹脂で覆い、この封止
用樹脂を所定形状に形成してリードフレーム上に固着す
る半導体素子の対土方法において、最終的にリードフレ
ーム上＝３− に形成される封止用樹脂の形状に倣った形状のキャビテ
ィを有する予備加熱用金型を用い、封止用樹脂を予備加
熱すると共に前記キャビティの形状と一致する形状に成
形し、この予備加熱工程で得られた封止用金型を、最終
的にリードフレーム上に形成される封止用樹脂の外形状
に一致するキャビティを備えた封止用金型内に供給し、
金型内に配されたリードフレーム上に半導体素子を前記
封止用樹脂で封止することを特徴としている。
又本願の第２発明は上記第１、第２の問題点を解決する
ために、第１発明の構成に加え、予備加熱工程で成形さ
れる封止用樹脂が、その外形状がリードフレーム上に形
成される封止用樹脂の外形状に略一致すると共に、その
内形状が半導体素子及びボンディングワイヤに干渉しな
い凹部を有した形状にしたことを特徴としている。
ために、第１発明の構成に加え、予備加熱工程で成形さ
れる封止用樹脂が、その外形状がリードフレーム上に形
成される封止用樹脂の外形状に略一致すると共に、その
内形状が半導体素子及びボンディングワイヤに干渉しな
い凹部を有した形状にしたことを特徴としている。
更に本願の第３発明では、上記第１、第３！７１問題点
ないしは上記第１〜第３の問題点を解決＝４− するために、上記□第１発明または第２発明の構成に加
え、予備加熱用金型にキャビティ内の空気を吸引する吸
引装置を備え、予備加熱工程を減圧下で行い、予備加熱
後の封止用樹脂で半導体素子を封止する際、封止用金型
の型締めを減圧下で行うこと萎特徴としている。
ないしは上記第１〜第３の問題点を解決＝４− するために、上記□第１発明または第２発明の構成に加
え、予備加熱用金型にキャビティ内の空気を吸引する吸
引装置を備え、予備加熱工程を減圧下で行い、予備加熱
後の封止用樹脂で半導体素子を封止する際、封止用金型
の型締めを減圧下で行うこと萎特徴としている。
作用
本願の第１発明によれば、予備加熱金型内に封入された
封止用樹脂は、予備加熱されて軟化し、最終的にリード
フレーム上に形成される封止用樹脂の形状に倣った形状
に成形される。成形された封止用樹脂は、半導体素子が
装着されたリードフレームと共に封止用金型のキャビテ
ィ内に直接投入され、封止用金型の型締によって、過不
足のない量の樹脂で半導体素子を封止することができ諷
。このため封止用金型にはポット、ランナ・ゲートが不
要となり、硬化した樹脂がランナー・ゲート等に残留す
るという問題点を解消することができ、又樹脂がキャビ
ティ内で流動する間に硬化してしまうという問題点も解
消することができる。
封止用樹脂は、予備加熱されて軟化し、最終的にリード
フレーム上に形成される封止用樹脂の形状に倣った形状
に成形される。成形された封止用樹脂は、半導体素子が
装着されたリードフレームと共に封止用金型のキャビテ
ィ内に直接投入され、封止用金型の型締によって、過不
足のない量の樹脂で半導体素子を封止することができ諷
。このため封止用金型にはポット、ランナ・ゲートが不
要となり、硬化した樹脂がランナー・ゲート等に残留す
るという問題点を解消することができ、又樹脂がキャビ
ティ内で流動する間に硬化してしまうという問題点も解
消することができる。
本願の第２の発明によれば、予備加熱工程において成形
された樹脂の内形状が、半導体素子及びボンディングワ
イヤに干渉しない凹部を有した形状となっているため、
樹脂を封止用金型内に供給する際、樹脂が半導体素子及
びボンディングワイヤに直接力たることがなく、ワイヤ
倒れ等の応力変形を起こすことを防止することができる
。
された樹脂の内形状が、半導体素子及びボンディングワ
イヤに干渉しない凹部を有した形状となっているため、
樹脂を封止用金型内に供給する際、樹脂が半導体素子及
びボンディングワイヤに直接力たることがなく、ワイヤ
倒れ等の応力変形を起こすことを防止することができる
。
本願の第３の発明によれば、予備加熱金型にはキャビテ
ィ内の空気を吸引する吸引装置が設けられており、予備
加熱は減圧下にて行われるため、予備加熱中に樹脂に内
在していたエアー及び水分は樹脂から吸引排出され、予
備加熱成形後の樹脂中のエアー及び水分は減少する。予
備加熱後、封止用金型に投入された樹脂は、減圧下で型
締めされ加熱溶融硬化するので、型締め時に樹脂内にエ
アーが巻き込まれるのを防止することができる。
ィ内の空気を吸引する吸引装置が設けられており、予備
加熱は減圧下にて行われるため、予備加熱中に樹脂に内
在していたエアー及び水分は樹脂から吸引排出され、予
備加熱成形後の樹脂中のエアー及び水分は減少する。予
備加熱後、封止用金型に投入された樹脂は、減圧下で型
締めされ加熱溶融硬化するので、型締め時に樹脂内にエ
アーが巻き込まれるのを防止することができる。
実施例
以下、本発明の実施例を第１図〜第４図を参照して説明
する。第１図及び第２図は予備加熱工程、第３図及び第
４図は封止工程である。
する。第１図及び第２図は予備加熱工程、第３図及び第
４図は封止工程である。
第１図には、上下一対の金型４ａ、３ａからなる第１の
予備加熱用金型２ａ、及び上金型４ａと下金型３ａを各
々摺動可能に嵌合した成形シリンダ１が示されている。
予備加熱用金型２ａ、及び上金型４ａと下金型３ａを各
々摺動可能に嵌合した成形シリンダ１が示されている。
成形シリンダ１の両側には、加熱手段（図示せず）が設
けられている。前記上金型４ａの下面には、第３図の封
止用金型３０における上金型１２の上側キャビティ１４
に対応する四部２２ａが設けられ、また前記四部２２ａ
と外部の真空ポンプ（図示せず）を連通ずる微細連通孔
６ａが設けられている。一方前記下金型３ａの上面には
、リードフレーム２０上に載置された半導体素子１７と
ボンディングワイヤ１８に倣った形状の凸部２３が設け
られている。そして第１図に示すように、第１の予備加
熱用金型２ａは、上下金型４ａ、 ３ａ間に最終的にリ
ードフレーム２０の上側に形成される封止用樹脂５Ｂの
形状に倣った形状のキャビティ３］、ａを有している。
けられている。前記上金型４ａの下面には、第３図の封
止用金型３０における上金型１２の上側キャビティ１４
に対応する四部２２ａが設けられ、また前記四部２２ａ
と外部の真空ポンプ（図示せず）を連通ずる微細連通孔
６ａが設けられている。一方前記下金型３ａの上面には
、リードフレーム２０上に載置された半導体素子１７と
ボンディングワイヤ１８に倣った形状の凸部２３が設け
られている。そして第１図に示すように、第１の予備加
熱用金型２ａは、上下金型４ａ、 ３ａ間に最終的にリ
ードフレーム２０の上側に形成される封止用樹脂５Ｂの
形状に倣った形状のキャビティ３］、ａを有している。
第２図には、第１図のものと同様に上下一対の金型４ｂ
、３ｂからなる第２の予備加熱用金型２ｂが示されてい
る。前記上金型４ｂの下面には、第３図の封止用金型３
０における下金型１１の下側キャビティ１３に対応する
凹部２２ｂが設けられ、第１の予備加熱用金型２ａと同
様の微細連通孔６ｂが設けられており、一方下金型３ｂ
の上面には、凸部２５が設けられている。そして第２図
に示すように、第２の予備加熱用金型２ｂは、上下金型
４１〕、３１）間に最終的にリードフレーム２０の下側
に形成される封止用樹脂９Ｂの形状に倣った形状のキャ
ビティ３１ｂを有している。
、３ｂからなる第２の予備加熱用金型２ｂが示されてい
る。前記上金型４ｂの下面には、第３図の封止用金型３
０における下金型１１の下側キャビティ１３に対応する
凹部２２ｂが設けられ、第１の予備加熱用金型２ａと同
様の微細連通孔６ｂが設けられており、一方下金型３ｂ
の上面には、凸部２５が設けられている。そして第２図
に示すように、第２の予備加熱用金型２ｂは、上下金型
４１〕、３１）間に最終的にリードフレーム２０の下側
に形成される封止用樹脂９Ｂの形状に倣った形状のキャ
ビティ３１ｂを有している。
第１図の上下金型４ａ、３ａを開いて第１の予備加熱用
金型２ａのキャビティ３１ａ内に封止用樹脂を投入し、
上下金型４ａ、３ａを閉じ、次いで加熱手段により樹脂
を加熱して予備加熱が行われる。予備加熱中は、真空ポ
ンプを作動して微細連通孔６を通してキャビティ３１ａ
内の空気を吸引し、減圧状態にする。加熱によって徐々
に樹脂は軟化し、上下金型４ａ、３ａによって加圧成形
さＱ− ＝ ８− れるが、このとき発生する樹脂に内在していたエアーが
押し出され、また樹脂にもともと含まれる水分は気化し
て前記連通孔６ａより吸引排出されるので、エアーと水
分が除去された状態で、前記半導体素子］７とボンディ
ングワイヤ１８に倣った形状の凹部を備えた上側の封止
用樹脂５＾が成形される。
金型２ａのキャビティ３１ａ内に封止用樹脂を投入し、
上下金型４ａ、３ａを閉じ、次いで加熱手段により樹脂
を加熱して予備加熱が行われる。予備加熱中は、真空ポ
ンプを作動して微細連通孔６を通してキャビティ３１ａ
内の空気を吸引し、減圧状態にする。加熱によって徐々
に樹脂は軟化し、上下金型４ａ、３ａによって加圧成形
さＱ− ＝ ８− れるが、このとき発生する樹脂に内在していたエアーが
押し出され、また樹脂にもともと含まれる水分は気化し
て前記連通孔６ａより吸引排出されるので、エアーと水
分が除去された状態で、前記半導体素子］７とボンディ
ングワイヤ１８に倣った形状の凹部を備えた上側の封止
用樹脂５＾が成形される。
同様な操作を第２図の第２の予備加熱用金型２ｂを用い
て行い、下側の封止用樹脂９＾を成形する。
て行い、下側の封止用樹脂９＾を成形する。
次に、予備加熱成形された上下の封止用樹脂５Ａ、９Ａ
は予備加熱温度を保持した状態で、半導体素子１７、ボ
ンディングワイヤ１８を装着したリードフレーム２０と
共に、第３図に示す封止工程の封止用金型３０のキャビ
ティ３２内に供給される。すなわち、加熱手段（図示せ
ず）を備え成形温度（例えば１８０°Ｃ）に保持されて
いる封止用金型３０の上下金型１２．１１の間にリード
フレーム２０が配置され、その上方に上側の封止用樹脂
５＾が、その下方に下側の封止用樹脂９Ａが夫々配置−
１〇− される。上下金型１２．１１を閉じると、上下の封止用
樹脂５Ａ、９Ａは前記半導体素子１７とボンデインクワ
イヤ１８を装着したリードフレーム２ｏに倣った形状に
予備加熱成形されているので、リードフレーム２０に装
着されている半導体素子１７やボンディングワイヤ１８
に応力変形等の悪影響を与えることがなく、過不足のな
い量でキャビティ３２内に充填される。そして第４図に
示すように加熱された状態で封止用金型３０を型締めす
ると、封止用樹脂は溶融軟化し、前記半導体素子１７及
びボンディングワイヤ１８を封止して、第４図に５Ｂ、
９Ｂで示すように成形される。この封止工程は周囲を
密閉し、外部に設けた真空ポンプ（図示せず）を利用し
、減圧下で行って、型締めをした際に樹脂内にエアーを
巻き込んで、成形品内部にエアーが残ることを防止する
。
は予備加熱温度を保持した状態で、半導体素子１７、ボ
ンディングワイヤ１８を装着したリードフレーム２０と
共に、第３図に示す封止工程の封止用金型３０のキャビ
ティ３２内に供給される。すなわち、加熱手段（図示せ
ず）を備え成形温度（例えば１８０°Ｃ）に保持されて
いる封止用金型３０の上下金型１２．１１の間にリード
フレーム２０が配置され、その上方に上側の封止用樹脂
５＾が、その下方に下側の封止用樹脂９Ａが夫々配置−
１〇− される。上下金型１２．１１を閉じると、上下の封止用
樹脂５Ａ、９Ａは前記半導体素子１７とボンデインクワ
イヤ１８を装着したリードフレーム２ｏに倣った形状に
予備加熱成形されているので、リードフレーム２０に装
着されている半導体素子１７やボンディングワイヤ１８
に応力変形等の悪影響を与えることがなく、過不足のな
い量でキャビティ３２内に充填される。そして第４図に
示すように加熱された状態で封止用金型３０を型締めす
ると、封止用樹脂は溶融軟化し、前記半導体素子１７及
びボンディングワイヤ１８を封止して、第４図に５Ｂ、
９Ｂで示すように成形される。この封止工程は周囲を
密閉し、外部に設けた真空ポンプ（図示せず）を利用し
、減圧下で行って、型締めをした際に樹脂内にエアーを
巻き込んで、成形品内部にエアーが残ることを防止する
。
発明の効果
本願の第１発明によれば、封止成形用金型にポットやラ
ンナ・ゲートが不要となり、ポットやランナ・ゲートに
樹脂が硬化して残るという問題が解決でき、樹脂の無駄
な使用を省き、金型の維持も容易になるので、コストダ
ウンを図ることができ、かつ樹脂がキャビティ内で流動
する間に硬化してしまうという従来例の問題点を解決す
ることができる。
ンナ・ゲートが不要となり、ポットやランナ・ゲートに
樹脂が硬化して残るという問題が解決でき、樹脂の無駄
な使用を省き、金型の維持も容易になるので、コストダ
ウンを図ることができ、かつ樹脂がキャビティ内で流動
する間に硬化してしまうという従来例の問題点を解決す
ることができる。
本願の第２発明によれば、上記第１発明の効果に加えて
、ボンディングワイヤのワイヤ倒れやワイヤ間の接触を
防ぐことができるという効果がある。
、ボンディングワイヤのワイヤ倒れやワイヤ間の接触を
防ぐことができるという効果がある。
本願の第３発明によれば、上記第１発明の効果、又は上
記第１、第２発明の効果に加え、ボイド発生のおそれが
ない、高品質の製品を提供することができるという効果
がある。
記第１、第２発明の効果に加え、ボイド発生のおそれが
ない、高品質の製品を提供することができるという効果
がある。
第１図及び第２図は夫々本発明の一実施例に用いる予備
加熱装置の要部の断面図、第３図は樹脂投入時の封止成
形工程を示す断面図、第４図は型締め時の対土用成形工
程を示す断面図である。 ２ａ、２ｂ−・−・−−−一一子備加熱用金型−１１＝ ５Ａ、 ９Ａ、５Ｂ、９Ｂ・・封止用樹脂６ａ、６ｂ・
・・・−・−・・・−−−一−〜微細連通孔１７・−−
一−−−−−・−・−−−−−・−半導体素子１８−
・−・−−−−−−−−−−−−−−ボンディングワイ
ヤ２０− ・−・−−−−−一−−−・・ リードフレ
ーム３０・−−−−−−・−−−−−−・・・・・・・
封止用金型３１ａ 、 ３１ｂ−−一一−キャビティ３
２−・−−−〜−−−−−−−−−−−−−−−−キャ
ビティ代理人 弁理士 石 原 勝
加熱装置の要部の断面図、第３図は樹脂投入時の封止成
形工程を示す断面図、第４図は型締め時の対土用成形工
程を示す断面図である。 ２ａ、２ｂ−・−・−−−一一子備加熱用金型−１１＝ ５Ａ、 ９Ａ、５Ｂ、９Ｂ・・封止用樹脂６ａ、６ｂ・
・・・−・−・・・−−−一−〜微細連通孔１７・−−
一−−−−−・−・−−−−−・−半導体素子１８−
・−・−−−−−−−−−−−−−−ボンディングワイ
ヤ２０− ・−・−−−−−一−−−・・ リードフレ
ーム３０・−−−−−−・−−−−−−・・・・・・・
封止用金型３１ａ 、 ３１ｂ−−一一−キャビティ３
２−・−−−〜−−−−−−−−−−−−−−−−キャ
ビティ代理人 弁理士 石 原 勝
Claims (3)
- （１）半導体素子が表面に装着されたリードフレームに
対し、半導体素子の周囲を封止用樹脂で覆い、この封止
用樹脂を所定形状に形成してリードフレーム上に固着す
る半導体素子の封止方法において、最終的にリードフレ
ーム上に形成される封止用樹脂の形状に倣った形状のキ
ャビティを有する予備加熱用金型を用い、封止用樹脂を
予備加熱すると共に前記キャビティの形状と一致する形
状に成形し、この予備加熱工程で得られた封止用樹脂を
、最終的にリードフレーム上に形成される封止用樹脂の
外形状に一致するキャビティを備えた封止用金型内に供
給し、型締めを行い、金型内に配されたリードフレーム
上に半導体素子を前記封止用樹脂で封止することを特徴
とする半導体素子の封止方法。 - （２）予備加熱工程で成形される封止用樹脂が、その外
形状がリードフレーム上に形成される封止用樹脂の外形
状に略一致すると共に、その内形状が半導体素子及びボ
ンディングワイヤに干渉しない凹部を有した形状である
請求項１記載の半導体素子の封止方法。 - （３）予備加熱用金型にキャビティ内の空気を吸引する
吸引装置を備え、予備加熱工程を減圧下で行い、予備加
熱後の封止用樹脂で半導体素子を封止する際、封止用金
型の型締めを減圧下で行う請求項１又は２記載の半導体
素子の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307529A JPH04179242A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 半導体素子の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2307529A JPH04179242A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 半導体素子の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04179242A true JPH04179242A (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=17970189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2307529A Pending JPH04179242A (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 半導体素子の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04179242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0626723A1 (en) * | 1993-05-11 | 1994-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin sheet for encapsulating semiconductor device |
| DE10355065B4 (de) * | 2002-11-26 | 2015-05-28 | Fujitsu Semiconductor Ltd. | Verfahren zum Vergießen mit Harz sowie Harzmaterial für das Verfahren |
-
1990
- 1990-11-13 JP JP2307529A patent/JPH04179242A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0626723A1 (en) * | 1993-05-11 | 1994-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin sheet for encapsulating semiconductor device |
| US5424250A (en) * | 1993-05-11 | 1995-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of encapsulating semiconductor device using two resin sheets having convex portions |
| DE10355065B4 (de) * | 2002-11-26 | 2015-05-28 | Fujitsu Semiconductor Ltd. | Verfahren zum Vergießen mit Harz sowie Harzmaterial für das Verfahren |
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