JPH05243727A

JPH05243727A - 回路基板の製造方法

Info

Publication number: JPH05243727A
Application number: JP33691992A
Authority: JP
Inventors: Toshiji Shimamoto; 敏次島本; Junichi Ito; 順一伊藤; Tomoki Okamoto; 朋己岡本; Seiji Katou; 誠司賀藤
Original assignee: Tokuyama Corp
Current assignee: Tokuyama Corp
Priority date: 1991-12-19
Filing date: 1992-12-17
Publication date: 1993-09-21

Abstract

(57)【要約】【目的】スルーホールを有する回路基板の製造方法にお
いて、電気的接続の信頼性及び耐久性が高い回路基板
を、簡便な方法によって得ることが可能な回路基板の製
造方法を提供する。【構成】絶縁基板１にスルーホール用貫通孔２を設け、
該貫通孔に導電性を有する硬化体を与える硬化性導電物
質を充填して硬化させた後、該絶縁基板と硬化性導電物
質の硬化体３によって構成される表面を平滑に研削し、
次いで該平滑化された硬化体及び絶縁基板表面に無電解
メッキ（及び電解メッキ）を施して導電層４を形成した
後、エッチングを行う等の方法により配線パターンを形
成することよりなる回路基板の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回路基板の新規な製造
方法に関する。詳しくは、スルーホールを有する回路基
板の製造方法において、電気的接続の信頼性及び耐久性
が高い回路基板を、簡便な方法によって得ることが可能
な回路基板の製造方法である。

【０００２】

【従来の技術】従来、回路基板の製造において、基板の
両面に形成された回路を電気的に接続するスルーホール
の形成は、一般に、両面に銅箔を積層して形成された導
電層を有する絶縁基板に、ドリリングやパンチングによ
り貫通孔を形成し、該貫通孔に無電解メッキ・電気メッ
キを施すか、或いは銀ペーストに代表される硬化性導電
組成物を充填する方法により形成されている。ところ
が、上記の方法は、該貫通孔の周辺の導電層にバリが生
じ、後工程である配線パターンの形成において、特に、
スルーホール周辺の信頼性を低下させるという問題を有
していた。上記問題を解決するため、絶縁基板の両面に
導電層を形成することなく貫通孔を設け、スルーホール
を有する回路基板を製造する方法が提案されている。か
かる方法は、絶縁基板に形成された貫通孔に無電解メッ
キ及び電気メッキを行い絶縁基板の両面に導電層を形成
すると同時にスルーホールを形成し、該導電層に配線パ
ターンを形成する方法である。

【０００３】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、絶縁
基板に貫通孔を設けた後、導電層及びスルーホールを形
成する方法においては、絶縁基板に形成される第１層の
導電層として形成される無電解メッキによる導電層は、
熱履歴に対する耐久性が悪いため、続く電気メッキを数
十μｍという厚みで設ける必要があった。一般に、電気
メッキは、厚みの均一性が悪いため、上記基板表面への
電気メッキにより形成される導電層の厚みムラの発生を
招き、配線パターンの形成において、良好なファインパ
ターンを形成することが困難であるという問題を有する
ばかりでなく、得られた回路基板は、熱履歴に対する耐
久性の面でも未だ改善の余地があった。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、絶縁基板
に貫通孔を設けた後、スルーホールを含む配線パターン
を形成する方法おける上記課題を解決すべく研究を重ね
た。その結果、スルーホールを有する絶縁基板と該絶縁
基板の表面に接触する界面の歪について、スルーホール
内では極めて大きく、基板表面における該界面の歪が小
さいという知見を得た。そして、絶縁基板の貫通孔に導
電性樹脂を充填して、確実に導通を確保すると共に、該
絶縁基板と硬化性導電物質によって構成される表面を平
滑に研削し、該平滑化された硬化性導電物質を含む絶縁
基板表面に配線パターンを形成することにより、熱履歴
に対する耐久性の優れた、信頼性の高い回路基板を得る
ことができることを見い出し、本発明を完成するに至っ
た。

【０００５】即ち、本発明は、絶縁基板にスルーホール
用の貫通孔を設け、該貫通孔に導電性を有する硬化体を
与える硬化性導電物質を充填して硬化させた後、該導電
層及び硬化性導電物質の硬化体によって構成される表面
を平滑に研削し、次いで該平滑化された面に配線パター
ンを形成することを特徴とする回路基板の製造方法であ
る。

【０００６】本発明において、絶縁基板は特に制限され
ず、公知の材質、構造を有するものが制限なく使用され
る。代表的なものを例示すれば、紙基材−フェノール樹
脂積層基板、紙基材−エポキシ樹脂積層基板、紙基材−
ポリエステル樹脂積層基板、ガラス基材−エポキシ樹脂
積層基板、紙基材−テフロン樹脂積層基板、ガラス基材
−ポリイミド樹脂積層基板、ガラス基材−ＢＴ（ビスマ
レイミド−トリアジン）レジン樹脂積層基板、コンポジ
ット樹脂基板等の合成樹脂基板や、ポリイミド樹脂、ポ
リエステル樹脂等のフレキシブル基板、セラミックス基
板等が挙げられる。特に、本発明の製造方法において
は、配線パターンを形成する前に硬化性導電物質の充
填、硬化を行うため該硬化における加熱により基板内の
揮発成分の発散が多い紙基材−フェノール樹脂積層基板
を用いた場合でも、配線パターン或いは配線パターンの
形成前の導電層の膨れを起こすことなく、本発明の方法
を適用することができる。

【０００７】上記の絶縁基板には、先ずスルーホール用
貫通孔が設けられる。上記貫通孔の径は、硬化性導電物
質を充填することが可能な程度の孔径であれば特に制限
されない。一般には、０．２ｍｍ以上、好ましくは、
０．３〜２ｍｍより選択することが好ましい。

【０００８】上記スルーホール用の貫通孔の形成方法と
しては、ドリリング加工、パンチング加工、レーザー加
工等の通常の回路基板の製造と同様の公知の手段が特に
限定されずに用いられる。

【０００９】本発明において、上記貫通孔には、導電性
を有する硬化体を与える硬化性導電物質を充填して硬化
させる。該硬化性導電物質は、金、銀、銅、ニッケル、
鉛、カーボン等の導電性フィラーとエポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂等の架橋性の熱硬化性樹脂とを必要により有
機溶剤と共に混合してペースト状とした公知の硬化性導
電物質を使用することができる。これらの硬化性導電物
質の中から、後記する回路パターンの形成のためのエッ
チングに使用するエッチング液により実質的に溶解され
ない硬化体を与えるものを選択して使用すれば良い。

【００１０】また、上記硬化性導電物質は、良好なスル
ーホール抵抗を得るために、硬化後の電気抵抗が、１×
１０^-2Ω・ｃｍ以下となるように、導電材料の選択、及
び使用量を調節することが好ましい。具体的には、熱硬
化性樹脂１００容量部に対して、導電性フィラー１５０
〜２０００容量部である。

【００１１】上記硬化性導電物質の絶縁基板の貫通孔へ
の充填は、該硬化性導電物質が貫通孔の全空間を満た
し、且つ導電層の両表面より若干、具体的には、０．１
ｍｍ以上、好ましくは、０．１〜２ｍｍ突出する程度に
充填する方法であれば特に制限されない。硬化性導電物
質の代表的な充填法を例示すれば、印刷法によって１回
或いは複数回の塗布を行う方法、絶縁基板の表裏両面側
から表裏一対のスキージで圧入する方法、ロールコータ
ー或いはカーテンコーターによって充填し、余分の塗料
をスキージで掻き取る方法等の手段が好適に用いられ
る。

【００１２】また、貫通孔に充填された硬化性導電物質
の硬化は、熱風炉、赤外線炉、遠赤外線炉、紫外線硬化
炉、電子線硬化炉等の公知の硬化方法より、硬化性導電
物質の硬化に適するものを適宜選んで硬化させれば良
い。

【００１３】本発明において、硬化性導電物質を硬化
後、絶縁基板及び硬化性導電物質の硬化体によって構成
される表面を平滑に研削することが重要である。即ち、
かかる研削により、後工程である配線パターンの形成に
おいて、エッチングレジスト及びメッキレジストによる
パターンの形成を精度良く行うことができる。そのた
め、スルーホールの周囲にランドを形成することなく該
スルーホールの導通をとることができ、極めて有利にフ
ァインパターンを形成することができる。絶縁基板及び
硬化性導電物質によって構成される表面を平滑に研削す
る方法としては、スラリー研磨、バフ研磨、スクラブ研
磨等の通常の導電層の研磨に用いられる方法が好適に用
いられる。

【００１４】本発明において、スルーホール部分を含む
絶縁層の平滑化された面上には、配線パターンが形成さ
れる。上記配線パターンの形成法は、特に制限されな
い。代表的な配線パターンの形成方法として、次の方法
が挙げられる。

【００１５】即ち、（Ａ）平滑化された面上に、無電解
メッキを行って導電層を形成し、次いで、該導電層をエ
ッチングして配線パターンを形成する方法、（Ｂ）
（Ａ）の方法において、無電解メッキによる導電層の形
成後、更に電気メッキにより導電層を形成する方法、
（Ｃ）平滑化された面にメッキレジスト層を形成した
後、無電解メッキ法で、配線パターンを形成する方法、
（Ｄ）平滑化された面に無電解メッキにより薄い導電層
を形成した後、該導電層表面に配線パターンを与えるメ
ッキレジスト層を形成し、該表面に電気メッキを施し、
該メッキレジストを除去した後、メッキレジスト層の下
層の導電層のエッチングを行い配線パターンを形成する
方法等が挙げられる。

【００１６】以上のように平滑化された面に配線パター
ンを形成することにより、スルーホールと配線パターン
との電気的接続を確実に行うことができる。また、熱履
歴に対して歪の発生が小さい、該面上にのみメッキによ
る配線パターンが形成されることにより、得られる回路
基板の熱履歴に対する耐久性を著しく向上することがで
きる。

【００１７】上記Ａの方法において、無電解メッキによ
る導電層の形成方法は、無電解メッキでスルーホール部
分を含む絶縁層の全面にメッキを施すことにより実施さ
れる。

【００１８】尚、無電解メッキに際して、基板表面は、
触媒活性化処理が施されるのが一般的である。かかる触
媒活性化処理は、公知の方法が特に制限されずに用いら
れる。一般的には、パラジウムをベースとした触媒と、
エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ゴム、フィラーか
らなる接着剤を、浸漬法、カーテンコーティング法、印
刷法などによって、基板に塗布する方法が一般的であ
る。

【００１９】上記無電解メッキ層の材質は、公知の導電
性金属が特に制限されずに用いられるが、一般には、前
記導電性を有する硬化体を与える硬化性導電物質の材質
として使用される銅等の導電性金属と同じ材質を選択す
るのが好ましい。該メッキ層の厚みは、特に制限はない
が、過度に厚くするとエッチングが困難となったり、メ
ッキによる厚みムラが多少生ずるため、１００μｍ以
下、好ましくは、５０μｍ以下が好ましく、また、スル
ーホールの信頼性の確保するため、５μｍ以上、好まし
くは、１０μｍ以上が好ましい。上記導電層の形成は、
厚みムラの少ない無電解メッキにより、導電層が形成さ
れるため、ファインパターンの形成が容易である。上記
無電解メッキは、公知の方法が特に制限なく実施され
る。

【００２０】上記Ｂの方法は、Ａの方法において形成さ
れる無電解メッキ層耐久性を向上させるために該無電解
メッキ層の表面に電気メッキを行う方法である。かかる
電気メッキの方法は、銅、金、ニッケル等の導電層を形
成することが可能な公知の方法が特に制限なく採用され
る。また、電気メッキによって形成される導電層の厚み
は、余り厚くすると、メッキの厚さムラが大きく発現す
るため、前記したように回路パターン形成のためのエッ
チング工程において、ファインパターンの形成が困難と
なる。従って、かかる電気メッキにより形成する導電層
の厚みは、５０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下に
止めることが好ましい。

【００２１】また、上記Ａ及びＢの方法により形成され
た、スルーホール部分を含む導電層の面上に、配線パタ
ーンを形成する方法は、エッチングレジストによりエッ
チングパターンを形成し、エッチングを行う方法が一般
的である。ここで用いられるエッチングレジストはドラ
イフィルム、レジストインク等が特に制限なく使用さ
れ、パターンのファイン度によって適宜選択して使用す
れば良い。また、エッチングレジストパターンはエッチ
ング法によってポジパターン或いはネガパターンを適宜
採用すれば良い。例えば、テンティング法に代表される
エッチング法ではポジパターンを、半田剥離法、ＳＥＳ
法に代表されるエッチング法ではネガパターンを採用す
れば良い。上記のエッチングに使用するエッチング液
は、公知のものが特に制限なく使用される。例えば、塩
化第二鉄エッチング液、塩化第二銅エッチング液、過硫
酸アンモニウムエッチング液、過硫酸ナトリウムエッチ
ング液、過硫酸カリウムエッチング液、過酸化水素／硫
酸エッチング液、硫酸アンモニウム錯イオンを主成分と
するアルカリ性エッチング液等のエッチング液が挙げら
れる。

【００２２】また、上記Ｃの方法において、該配線パタ
ーンを除く部分に形成されるメッキレジスト層の形成
は、公知の方法が特に制限されずに用いられる。具体的
に例示すれば、ドライフィルム、レジストインク等を使
用した方法が特に制限なく使用され、配線パターンのフ
ァイン度によって適宜選択すれば良い。スルーホール部
分を含む絶縁層のメッキレジスト層を除く面上には、配
線パターンが形成される。該配線パターンの形成は、無
電解メッキで形成するのが一般的である。尚、無電解メ
ッキに際して、前記した触媒活性化処理が行われる。ま
た、無電解メッキは、前記Ａの方法におけるメッキ方法
が特に制限なく採用される。更に、形成されるメッキ層
の厚みは、特に制限はないが、メッキによるスルーホー
ルの信頼性が向上し、且つメッキ層の厚みむらが生じな
い程度の厚みが好ましい。具体的に例示すれば、１００
μｍ以下、また、スルーホールの信頼性の向上を考慮す
ると、５μｍ以上が好ましい。特に好ましくは、５〜５
０μｍである。

【００２３】上記Ｄの方法において、無電解メッキによ
って形成される薄い導電層は、次の電気メッキが実施さ
れる程度の厚みであればよく、一般には、０．２〜１μ
ｍの厚みが好適である。また、上記方法において、無電
解メッキ、メッキレジスト層の形成、電解メッキ及びエ
ッチングの方法は、前記Ａの方法に示した方法が特に制
限なく採用される。

【００２４】本発明の方法において、上述した方法で配
線パターンを形成した後、該配線パターン上に絶縁層を
形成し、更に第２の配線パターンを形成することによ
り、多層の回路基板を製造することが可能である。

【００２５】上記絶縁層の形成方法は、特に限定され
ず、公知の方法が制限なく採用される。一般にはドライ
フィルム、液状レジスト、ドライフィルム・液状レジス
ト併用等の種々の形態の硬化性絶縁樹脂を使用した方法
が採用される。上記の方法で、絶縁層の形成にドライフ
ィルムを用いると、絶縁樹脂層の厚み精度もよく、表・
裏面同時に形成できるため、より効率的に且つ高精度で
絶縁層を形成することができる。また、該絶縁層の形成
方法としては、印刷法、写真法等をファイン度によって
適宜採用すればよい。

【００２６】また、絶縁層上への第２の配線パターンの
形成方法も、特に制限されるものではないが、前記電解
メッキ及び／又は無電解メッキにより５〜３５μｍの導
電層を形成した後、前記したパターンの形成方法と同様
にして配線パターンを形成するのが一般的である。

【００２７】

【効果】本発明の方法によれば、熱履歴に対する耐久性
の優れた、信頼性の高い回路基板を得ることができる。
また、スルーホール部上の平滑化された表面に導電層が
形成されているため、エッチングレジストによるパター
ンの形成及びエッチングを精度よく行うことができ、そ
の結果特にスルーホール周辺部に実質上ランドを設ける
ことなく、配線パターンを形成することができ、配線の
高密度化も可能である。更に、本発明によって得られた
回路基板は、該スルーホール上に直接、部品をはんだ付
け等により搭載できるため、より配線密度の高い回路基
板の製造において極めて有用である。また、本発明にお
いて、絶縁基板上に形成された配線パターン上に絶縁層
を介して第２の配線パターンを形成して、更に高密度化
された回路基板とすることもできる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を具体的に説明するために実施
例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。

【００２９】実施例１以下の方法により、導電性を有する硬化体を与える硬化
性導電物質を調製し、回路基板の製造を実施した。即
ち、平均粒径６．８μｍ、タップ密度２．９９ｇ／ｃｍ
³、比表面積４２００ｃｍ²／ｇの樹枝状電解銅粉に、リ
ノール酸を銅粉表面に対し、０．２５×１０^-5ｍｍｏｌ
／ｃｍ²の割合で配合し、窒素雰囲気下で１５分間、乳
鉢により予備混合した。このようにして得た前処理銅粉
を、ネオペンチルグリコールギリシジルエーテル（エポ
キシ当量＝１５０）／ノボラック型フェノール樹脂（ヒ
ドロキシ当量＝１０５）＝７４／２６（重量比）のバイ
ンダー１００重量部に対し、４５６重量部添加し、更
に、２−エチル−４−メチルイミダゾールを、バインダ
ー１００重量部に対し、２．８重量部添加した後、３本
ロールミルで３０分間混練して硬化性導電組成物（銅ペ
ースト）とした。

【００３０】図１に示す工程に従って回路基板の製造を
実施した。即ち、（ａ）絶縁基板１として、厚さ１．６
ｍｍのガラス基材エポキシ樹脂積層板を使用して、
（ｂ）直径０．８ｍｍの貫通孔３をドリル加工により作
成した。（ｃ）該貫通孔３に硬化性導電物質４として、
上記の方法で調製した銅ペーストをスクリーン印刷法に
より充填した。該銅ペーストを最高温度２４０℃に温調
した遠赤外コンベア炉で２０分間で硬化した。（ｄ）次
に３２０番及び６００番のバフを順次使用して、硬化し
た銅ペーストの硬化体が突出した面を研磨し、該硬化体
を含む絶縁基板表面を平滑化した。（ｅ）次いで平滑化
された絶縁基板表面に、厚さ１５μｍの厚付け無電解銅
メッキ層４を形成した。（ｆ）次に、無電解メッキ面に
エッチングレジスト層６としてドライフィルム（ハーキ
ュレス（株）社製「アクアマーＣＦ」１．５mil）をラ
ミネートし、露光してスルーホール部に接続するエッチ
ングポジパターン（ランド部が実質的にない）を形成し
た。（ｇ）その後、塩化第２銅エッチング液でエッチン
グを行い、（ｈ）エッチングレジスト層を剥離して配線
パターンを形成した。

【００３１】形成されたスルーホールの抵抗値は、該ス
ルーホールに表裏で接続する配線パターン間の抵抗を測
定したものであり、６４穴の測定を行い、平均で８．７
ｍΩ標準偏差が１．２４ｍΩであった。２０℃−１５秒
・２６０℃−５秒の繰り返し熱衝撃試験を行った。繰り
返し回数１００回後のスルーホール抵抗値の変化率の平
均値は、３％であり、ほとんど変化がなかった。

【００３２】実施例２図２に示す工程に従って回路基板の製造を実施した。即
ち、（ａ）絶縁基板１として、厚さ１．６ｍｍのガラス
基材エポキシ樹脂積層板を使用して、（ｂ）直径０．８
ｍｍの貫通孔３をドリル加工により作成した。（ｃ）該
貫通孔３に硬化性導電物質４として、実施例１と同様の
方法で調製した銅ペーストをスクリーン印刷法により充
填した。該銅ペーストを最高温度２４０℃に温調した遠
赤外コンベア炉で２０分間で硬化した。（ｄ）次に３２
０番及び６００番のバフを順次使用して、硬化した銅ペ
ーストの硬化体が突出した面を研磨し、該硬化体を含む
絶縁基板表面を平滑化した。（ｅ）次いで平滑化された
絶縁基板表面に、無電解銅メッキを０．３μｍの厚みで
施した。（ｆ）更に、該無電解メッキ面に、電気メッキ
によって厚さ１５μｍの銅メッキ層を形成した。（ｇ）
次に、電気メッキ面にエッチングレジスト層６としてド
ライフィルム（ハーキュレス（株）社製「アクアマーＣ
Ｆ」１．５mil）をラミネートし、露光してスルーホー
ル部に接続するエッチングポジパターン（ランド部が実
質的にない）を形成した。（ｈ）その後、塩化第２銅エ
ッチング液でエッチングを行い、（ｉ）エッチングレジ
スト層を剥離して配線パターンを形成した。

【００３３】形成されたスルーホールの抵抗値は、該ス
ルーホールに表裏で接続する配線パターン間の抵抗を測
定したものであり、６４穴の測定を行い、平均で８．８
ｍΩ標準偏差が１．３０ｍΩであった。２０℃−１５秒
・２６０℃−５秒の繰り返し熱衝撃試験を行った。繰り
返し回数１００回後のスルーホール抵抗値の変化率の平
均値は、２％であり、ほとんど変化がなかった。

【００３４】実施例３図３に示す工程に従って回路基板の製造を実施した。即
ち、（ａ）絶縁基板１として、厚さ１．６ｍｍのガラス
基材エポキシ樹脂積層板を使用して、（ｂ）直径，０．
８ｍｍの貫通孔２をドリル加工により作成した。（ｃ）
該貫通孔２に硬化性導電物質３として、上記の方法で調
製した銅ペーストをスクリーン印刷法により充填した。
該銅ペーストを最高温度２４０℃に温調した遠赤外コン
ベア炉で２０分間で硬化した。（ｄ）次に３２０番及び
６００番のバフを順次使用して、硬化した銅ペーストの
硬化体が突出した面を研磨し、該硬化体を含む絶縁基板
表面を平滑化した。（ｅ）次いで平滑化された絶縁基板
表面にスクリーン印刷法により、メッキレジスト１１を
施した。（ｆ）ついで、厚さ１５μｍの厚付け無電解メ
ッキ層６により配線パターンを形成した。

【００３５】形成されたスルーホールの抵抗値は、該ス
ルーホールに表裏で接続する配線パターン間の抵抗を測
定したものであり、６４穴の測定を行い、平均で９．５
ｍΩ標準偏差が２．３１ｍΩであった。２０℃１５秒・
２６０℃５秒の繰り返し熱衝撃試験を行った。繰り返し
回数１００回後のスルーホール抵抗値の変化率の平均値
は、５％であり、ほとんど変化がなかった。

【００３６】実施例４図４に示す工程に従って回路基板の製造を実施した。即
ち、（ａ）絶縁基板１として、厚さ１．６ｍｍのガラス
基材エポキシ樹脂積層板を使用して、（ｂ）直径、０．
８ｍｍの貫通孔２をドリル加工により作成した。（ｃ）
該貫通孔２に硬化性導電物質３として、実施例１と同様
の方法で調製した銅ペーストをスクリーン印刷法により
充填した。該銅ペーストを最高温度２４０℃に温調した
遠赤外コンベア炉で２０分間で硬化した。（ｄ）次に３
２０番及び６００番のバフを順次使用して、硬化した銅
ペーストの硬化体が突出した面を研磨し、該硬化体を含
む絶縁基板表面を平滑化した。（ｅ）次いで平滑化され
た絶縁基板表面に、薄い無電解メッキ層１２を形成し
た。（ｆ）次いで、該無電解メッキ層に、配線パターン
に対応するメッキレジスト層１１を形成した。（ｇ）次
ぎに、該無電解メッキ面上に厚さ１５ミクロンの電気メ
ッキ層５を形成した。（ｈ）その後、メッキレジストを
除去した。（ｉ）最後に、塩化第２鉄エッチング液で、
薄い無電解メッキ層をエッチングし、配線パターンを形
成した。

【００３７】形成されたスルーホールの抵抗値は、該ス
ルーホールに表裏で接続する配線パターン間の抵抗を測
定したものであり、６４穴の測定を行い、平均で１１．
２ｍΩ標準偏差が０．９８ｍΩであった。２０℃１５秒
・２６０℃５秒の繰り返し熱衝撃試験を行った。繰り返
し回数１００回後のスルーホール抵抗値の変化率の平均
値は、４％であり、ほとんど変化がなかった。

【００３８】本発明によって製造された回路基板は、図
５に示すように、スルーホール上に半田８による電子部
品９の実装が可能である。従って、スルーホールの間隔
を縮めることができ部品の実装密度を高くすることが可
能である。これに対して、従来のスルーホール（図６）
では、スルーホール形成後も銅メッキスルーホール１０
が存在するため、上記実装は困難で、スルーホール内の
貫通孔から半田が流れ出るのを防止する程度にスルーホ
ールから離れた位置に電子部品を実装する必要があり、
しかも、ソルダーレジスト層７により堰を設ける必要が
あった。そのため、実装相密度を上げることが困難であ
った。

【００３９】比較例１実施例１において、スルーホール用貫通孔に硬化性導電
物質を充填せずに、絶縁基板に、厚み０．３μｍの無電
解銅メッキ、次いで厚み１５μｍの電気メッキによる銅
メッキ層を設けて導電層及びスルーホールを同時に形成
した以外は、同様にして回路基板を製造した。

【００４０】得られた回路基板に対し、２０℃−１５秒
・２６０℃−５秒の繰り返し熱衝撃試験を行った。繰り
返し回数１００回後、スルーホールは完全に断線してい
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の方法の代表的な態様を示す工
程図である。

【図２】図２は、本発明の方法の代表的な態様を示す工
程図である。

【図３】図３は、本発明の方法の代表的な態様を示す工
程図である。

【図４】図４は、本発明の方法の代表的な態様を示す工
程図である。

【図５】図５は、本発明の方法における代表的な表面実
装部品実装時の断面図である。

【図６】図６は、一般的な回路基板の表面実装部品実装
時の断面図である。

【符号の説明】

１絶縁基板２貫通孔３硬化性導電物質４無電解メッキ層５電気メッキ層６エッチングレジスト層７ソルダーレジスト層８半田９電子部品１０銅メッキスルーホール１１メッキレジスト層１２薄い無電解メッキ層

フロントページの続き (72)発明者賀藤誠司山口県徳山市御影町１番１号徳山曹達株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板にスルーホール用貫通孔を設け、
該貫通孔に導電性を有する硬化体を与える硬化性導電物
質を充填して硬化させた後、該絶縁基板と硬化性導電物
質の硬化体によって構成される表面を平滑に研削し、次
いで該平滑化された表面に配線パターンを形成すること
を特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の回路基板の製造方法にお
いて、配線パターンを形成後、該配線パターン上に絶縁
層を形成し、第２の配線パターンを形成する回路基板の
製造方法。