JPH05244342A - 密着型イメージセンサ - Google Patents
密着型イメージセンサInfo
- Publication number
- JPH05244342A JPH05244342A JP4078984A JP7898492A JPH05244342A JP H05244342 A JPH05244342 A JP H05244342A JP 4078984 A JP4078984 A JP 4078984A JP 7898492 A JP7898492 A JP 7898492A JP H05244342 A JPH05244342 A JP H05244342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving element
- image sensor
- light receiving
- optical fiber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光素子の受光面へ遮光が入るのを阻止する
と共に、受光素子の基板への装着が容易である密着型イ
メージセンサを提供すること。 【構成】 光ファイバアレイ４と受光素子５の間に、受
光素子位置決め用ガイド９を有する遮光体８を設けた密
着型イメージセンサ。
と共に、受光素子の基板への装着が容易である密着型イ
メージセンサを提供すること。 【構成】 光ファイバアレイ４と受光素子５の間に、受
光素子位置決め用ガイド９を有する遮光体８を設けた密
着型イメージセンサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリやイメー
ジスキャナーなどの文字、画像情報入力装置として用い
られる密着型イメージセンサに関するものである。
ジスキャナーなどの文字、画像情報入力装置として用い
られる密着型イメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】文字、画像情報の読み取りには、ＣＣＤ
センサやＭＯＳ型センサなどの縮小結像型イメージセン
サが用いられている。しかしながら、上記の縮小結像型
イメージセンサでは、例えば２２〜２６ｃｍの原稿幅に
対して、センサ部が２〜４ｃｍと小さいために、一般に
１／５〜１／１０の光学的縮小が必要となり、原稿から
センサ部までの光路長が長くなってしまうという欠点が
ある。また、縮小率が大きくなるに従いレンズの収差が
問題となり、かかる光学系の設計が装置全体の設計簡易
化を阻害する結果となっている。
センサやＭＯＳ型センサなどの縮小結像型イメージセン
サが用いられている。しかしながら、上記の縮小結像型
イメージセンサでは、例えば２２〜２６ｃｍの原稿幅に
対して、センサ部が２〜４ｃｍと小さいために、一般に
１／５〜１／１０の光学的縮小が必要となり、原稿から
センサ部までの光路長が長くなってしまうという欠点が
ある。また、縮小率が大きくなるに従いレンズの収差が
問題となり、かかる光学系の設計が装置全体の設計簡易
化を阻害する結果となっている。
【０００３】そこで近年、上記のような縮小結像型イメ
ージセンサにかわり、長尺イメージセンサとオプティカ
ルファイバレンズアレイを用いて、等倍結像させて読み
取る密着型イメージセンサが開発された。
ージセンサにかわり、長尺イメージセンサとオプティカ
ルファイバレンズアレイを用いて、等倍結像させて読み
取る密着型イメージセンサが開発された。
【０００４】図２は、従来の密着型イメージセンサの一
例を示す断面図であり、光源１より原稿２を照射した光
は原稿面で反射し、透明基板３に埋め込まれた光ファイ
バアレイ４を通って受光素子５に導かれる。また、受光
素子５は半田バンプ６により外部回路７と電気的に接続
されている。
例を示す断面図であり、光源１より原稿２を照射した光
は原稿面で反射し、透明基板３に埋め込まれた光ファイ
バアレイ４を通って受光素子５に導かれる。また、受光
素子５は半田バンプ６により外部回路７と電気的に接続
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図２に示すように、光
ファイバアレイ４の上にＩＣチップの形をしている受光
素子５を装着する場合、基板３上に形成された外部回路
７の厚みと半田バンプ６の厚みにより、受光素子５と光
ファイバアレイ４の表面との間に、数十μｍの空隙がで
き、そこから受光面に入る迷光が増加して、クロストー
クが発生したり、ＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒ
ａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が低下したりするこ
とになる。この迷光には、光源からの直接の迷光と光フ
ァイバの開口角以上の入射角で受光面に入射する迷光と
がある。しかも基板３上に受光素子５を装着するのに、
数十μｍ程度の装着精度を要する。
ファイバアレイ４の上にＩＣチップの形をしている受光
素子５を装着する場合、基板３上に形成された外部回路
７の厚みと半田バンプ６の厚みにより、受光素子５と光
ファイバアレイ４の表面との間に、数十μｍの空隙がで
き、そこから受光面に入る迷光が増加して、クロストー
クが発生したり、ＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒ
ａｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が低下したりするこ
とになる。この迷光には、光源からの直接の迷光と光フ
ァイバの開口角以上の入射角で受光面に入射する迷光と
がある。しかも基板３上に受光素子５を装着するのに、
数十μｍ程度の装着精度を要する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
を解決するために、種々検討を重ねた結果、受光素子の
装着位置決め用ガイドを兼ねた遮光体を設けることを着
想し、本発明を完成した。
を解決するために、種々検討を重ねた結果、受光素子の
装着位置決め用ガイドを兼ねた遮光体を設けることを着
想し、本発明を完成した。
【０００７】即ち、本発明は、受光素子と読みとるべき
原稿を照らす光源と、該受光素子と原稿との間に設けた
光ファイバアレイとを有する密着型イメージセンサにお
いて、該光ファイバアレイと該受光素子の間に受光素子
位置決め用ガイドを有する遮光体を設けたことを特徴と
する密着型イメージセンサである。
原稿を照らす光源と、該受光素子と原稿との間に設けた
光ファイバアレイとを有する密着型イメージセンサにお
いて、該光ファイバアレイと該受光素子の間に受光素子
位置決め用ガイドを有する遮光体を設けたことを特徴と
する密着型イメージセンサである。
【０００８】
【作用】本発明においては、光ファイバアレイと受光素
子との間に、受光素子位置決めガイドを有する遮光体を
設けたので、光源から、直接受光面に入る迷光を抑制す
ることができ、しかも、受光面に対して直接入る光の入
射角範囲が狭くなるので、大きな入射角を有する迷光を
抑え、ＳＮ比を上げることができると共に、受光素子の
装着を高精度で簡単に行うことが可能となる。
子との間に、受光素子位置決めガイドを有する遮光体を
設けたので、光源から、直接受光面に入る迷光を抑制す
ることができ、しかも、受光面に対して直接入る光の入
射角範囲が狭くなるので、大きな入射角を有する迷光を
抑え、ＳＮ比を上げることができると共に、受光素子の
装着を高精度で簡単に行うことが可能となる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の密着型イメージセンサの一
例を示す断面図であり、１は光源、２は原稿、３は透明
基板、４は透明基板３に埋め込まれた光ファイバアレ
イ、５は受光素子、６は受光素子５と外部回路７とを電
気的に接続する半田バンプ、８は受光素子位置決め用ガ
イド９を有する遮光体である。
例を示す断面図であり、１は光源、２は原稿、３は透明
基板、４は透明基板３に埋め込まれた光ファイバアレ
イ、５は受光素子、６は受光素子５と外部回路７とを電
気的に接続する半田バンプ、８は受光素子位置決め用ガ
イド９を有する遮光体である。
【００１０】いま、光源１より原稿２を照射した光は、
原稿面で反射し、光ファイバアレイ４を通って受光素子
５に導かれる。光ファイバアレイ４と受光素子５との間
には遮光体８が設けられているため、迷光が受光素子５
の受光面に入るのを阻止することができる。
原稿面で反射し、光ファイバアレイ４を通って受光素子
５に導かれる。光ファイバアレイ４と受光素子５との間
には遮光体８が設けられているため、迷光が受光素子５
の受光面に入るのを阻止することができる。
【００１１】また、遮光体８には、受光素子位置決め用
ガイド９が設けられており、受光素子５を装着する際に
は、このガイド９に合わせて受光素子５を取り付ければ
よく、極めて正確に、しかも迅速簡単に受光素子５の装
着作業を行うことができる。
ガイド９が設けられており、受光素子５を装着する際に
は、このガイド９に合わせて受光素子５を取り付ければ
よく、極めて正確に、しかも迅速簡単に受光素子５の装
着作業を行うことができる。
【００１２】光ファイバアレイ４としては、通常、石英
系あるいは多成分系のガラスファイバを多数本帯状に集
束形成したものが用いられる。遮光体８としては、例え
ば、シリコーン樹脂などに黒色顔料等の光吸収体を添加
したものが好適に用いられる。受光素子位置決め用ガイ
ド９を有する遮光体８は、外部回路７と共に、厚膜印刷
技術により透明基板３上に形成され、次いでガイド９に
合致させて受光素子５を配置し、リフローボンディング
法により半田バンプ６を介して受光素子５と外部回路７
とを接続する。
系あるいは多成分系のガラスファイバを多数本帯状に集
束形成したものが用いられる。遮光体８としては、例え
ば、シリコーン樹脂などに黒色顔料等の光吸収体を添加
したものが好適に用いられる。受光素子位置決め用ガイ
ド９を有する遮光体８は、外部回路７と共に、厚膜印刷
技術により透明基板３上に形成され、次いでガイド９に
合致させて受光素子５を配置し、リフローボンディング
法により半田バンプ６を介して受光素子５と外部回路７
とを接続する。
【００１３】この方法によれば、外部回路７の形成工程
において、同時に遮光体を形成することができるので、
製造コストの上昇を抑制することができる。
において、同時に遮光体を形成することができるので、
製造コストの上昇を抑制することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明の密着型イメージセンサによれ
ば、受光素子の受光面に迷光が入るのを阻止し、分解能
特性を良好に保持することができ、しかも遮光体に受光
素子位置決め用ガイドの機能を持たせることで、受光素
子の基板への装着が容易となる。
ば、受光素子の受光面に迷光が入るのを阻止し、分解能
特性を良好に保持することができ、しかも遮光体に受光
素子位置決め用ガイドの機能を持たせることで、受光素
子の基板への装着が容易となる。
【図１】本発明の密着型イメージセンサの一例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】従来の密着型イメージセンサの一例を示す断面
図である。
図である。
【符号の説明】 １ 光源 ２ 原稿 ４ 光ファイバアレイ ５ 受光素子 ８ 遮光体 ９ 受光素子位置決め用ガイド
Claims (1)
- 【請求項１】 受光素子と読みとるべき原稿を照らす光
源と、該受光素子と原稿との間に設けた光ファイバアレ
イとを有する密着型イメージセンサにおいて、該光ファ
イバアレイと該受光素子の間に、受光素子位置決め用ガ
イドを有する遮光体を設けたことを特徴とする密着型イ
メージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4078984A JPH05244342A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 密着型イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4078984A JPH05244342A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 密着型イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05244342A true JPH05244342A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13677162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4078984A Pending JPH05244342A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 密着型イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05244342A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363511A (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011151412A (ja) * | 2011-04-04 | 2011-08-04 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4078984A patent/JPH05244342A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363511A (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011151412A (ja) * | 2011-04-04 | 2011-08-04 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
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