JPH0524566B2 - - Google Patents
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- JPH0524566B2 JPH0524566B2 JP63055162A JP5516288A JPH0524566B2 JP H0524566 B2 JPH0524566 B2 JP H0524566B2 JP 63055162 A JP63055162 A JP 63055162A JP 5516288 A JP5516288 A JP 5516288A JP H0524566 B2 JPH0524566 B2 JP H0524566B2
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Description
産業上の利用分野
本発明は、書き換え可能な光学的情報記録媒体
上に信号を記録消去する方法、とりわけ古い信号
を消去しながら同時に新しい信号を記録する方法
（オーバーライト）に関する。 従来の技術 書き換え可能な相変化型の光学情報記録媒体上
にオーバーライトする方法は、大別して２つの方
法が提案されている。 １つは、記録媒体上に記録レベルと消去レベル
の二つのレベルの間で変調されたレーザー光線を
照射することで、既に書かれている古い信号を消
去しながら、その上に新しい信号を直接記録して
いく方法である（特開昭56−145530号公報）。す
なわち高いレーザーパワーで照射された部位は一
旦メルトしたのち急冷されてアモルフアス化し、
いつぽう低いレーザーパワーで照射された部位は
融点を越えることなくアニールされて結晶化す
る。この方法によればレーザー光線を照射するま
えの状態がアモルフアスであつたか、結晶であつ
たかには拘わらず新しい信号が記録できる、すな
わち、単一のレーザースポツトでオーバーライト
することがができるというものである。 もう１つは、トラツク上に２つ以上のレーザー
スポツトを設置して、先行するスポツトで古い信
号を消去し、改めて後続するスポツトで新しい信
号を記録するというものである（プロシーデイン
グス オブ エス ピー アイ イー
（Proceedings of SPIE）Volume 420 P.173〜
P.177（1983））。すなわち、消去と記録をそれぞれ
独立したスポツトで実行し、疑似オーバーライト
を行うものである。 発明が解決しようとする課題 単一レーザースポツトでのオーバーライト機能
は光学系が簡単であり、制御システムも簡単にな
るというメリツトを有しているが、一方では十分
な消去率が得られないという問題点があつた。 またトラツク上に２つ以上のレーザースポツト
を設置し、信号の記録と消去を独立したスポツト
で実行する方法は、先行する消去専用スポツトの
効果によつて、単一レーザースポツトによるオー
バーライトよりも大きな消去率を得ることができ
る。しかしながら、一般にトラツキングコントロ
ールはシステムを簡単にするため、１つのスポツ
トについてのみ行われ、他のスポツトはそれに追
従するように設計されている。そのため、２つ以
上のスポツトを間隔を開けてトラツク上に正確に
設置するのはスポツト間隔が広がるほど困難であ
り、特に量産を考えた場合には大きな問題とな
る。 課題を解決するための手段 記録トラツク上に２つ以上の円形あるいは略円
形のスポツトを近接して設置し、古い信号の消去
は先頭のスポツトを記録薄膜が溶融するパワー以
上に高めることにより行い、新しい信号の記録は
後続のスポツトを信号により変調して、先頭のス
ポツトにより溶融された部分の冷却速度を変化さ
せることにより行う。 作 用 相変化型の書き換え可能な記録媒体において
は、照射部を一旦溶融させることでその部分のそ
れまでの履歴をほぼ消去することができる。した
がつて、先頭のスポツトにより古い信号を充分に
消去し、かつ後続のスポツトで溶融部分の冷却速
度をコントロールして結晶とアモルフアスの２つ
の状態を実現し、信号を記録するというものであ
る。この方法によれば大きな消去率が得られると
同時に、レーザースポツトが非常に近接して設置
されるため（場合によつては一部重なり合つてい
る）、同一トラツク上に設置することが容易にな
る。 実施例 単一レーザースポツトでのオーバーライト記録
の場合に消去率が低いことの理由としては、古い
信号の痕跡が結晶粒径の差として残つているため
と考えられる。すなわち、融点以下でアニールさ
れた部分において、以前に記録ビツトがあつたか
否かにより結晶状態が異なり、これが光学特性の
差異となるのである。つまり古い信号を充分に消
去するためには、記録トラツクをレーザー光を連
続的に照射することにより一旦溶融して、それま
での履歴を消してしまえば良いことになる。これ
が本発明における先頭のスポツトの役割である。 レーザー光を連続的に照射した部分が、最終的
にアモルフアス状態になるか結晶状態になるかは
記録薄膜によつて異なる。本発明にはアモルフア
ス状態になる記録薄膜を用いる（最終的にアモル
フアス状態になるか結晶状態になるかは記録薄膜
の組成のみで決るものではなく、例えば、記録薄
膜の膜厚や、保護膜の材質等によつてもコントロ
ールすることができる）。これは冷却速度が大き
すぎて、結晶化できない場合に実現される。ここ
で、もし一時的に冷却速度を小さくすることがで
きれば、その部分は結晶化させることができるは
ずである。これが２つ目（あるいは２つ目以降）
のレーザースポツトの役割である。すなわち、２
つ目のレーザースポツトがオフのときは、溶融部
分は急冷となりアモルフアス状態になるが、オン
のときは溶融部分は徐冷となり結晶状態となる。
つまり２つ目のレーザースポツトを信号に対応さ
せてオン・オフ間で変調すれば、新しい信号の記
録が可能となる。この方法は消去スポツト照射部
分の冷却速度をコントロールして新しい信号を記
録するものであり、従来例の２つ以上のレーザー
スポツトを用いて、先行するスポツトで古い信号
を消去し、改めて後続のスポツトで新しい信号を
記録する方法とは異なる。従来例では、消去スポ
ツトと記録スポツトが熱的に影響しあわないよう
な間隔が必要であつたが、本発明では非常に接近
して設置できるため、レーザースポツトの位置決
めが非常に容易になるというメリツトがある。 第１図に本発明の光学的情報記録消去方法を実
施するためのレーザースポツトの構成と照射方法
の例を示す。 第１図ａはトラツク３上に二本の円形のレーザ
ースポツトを配置した場合の実施例である。先行
するレーザースポツト１は、記録薄膜を一旦溶融
させるためのものであり、一定パワーで連続的に
照射される。また、後続のレーザースポツト２は
記録信号によつて変調され、オン状態のときの温
度プロフアイルは第１図ｂのようになり、オフ状
態のときの温度プロフアイルは第１図ｃのように
なる。すなわち、オン状態のときにはその照射部
分は徐冷となり結晶化するが、オフ状態のときに
は急冷のためアモルフアス化するため、変調信号
に応じて反射率の高い状態と低い状態を作り出す
ことができる。 なお、本明細書におけるレーザースポツト径は
すべてエネルギー密度の半値幅で示すものとす
る。 またスポツト間隔はできる限り近いほうが２つ
のスポツトを同時にトラツク上に設置しやすいた
め、本実施例ではスポツト１と２が一部重なる場
合について示した。しかし、溶融部分の冷却速度
を制御することにより信号を記録する、という条
件が満たされれば、スポツト１と２は離れていて
もかまわない。 さらに、本実施例では、スポツト形状はともに
円形としたが略円形であつてもかまわない。特に
後続のスポツト２の形状がトラツク方向に長い略
円形の場合には、スポツト２がオン状態のとき
と、オフ状態のときの冷却速度の差が大きくなる
ため、円形スポツトでは結晶化しにくいような記
録薄膜でも充分に結晶化できるようになる。しか
しながら、最短記録ビツト長は、スポツト２のト
ラツク方向の長さにほぼ比例するため、トラツク
方向に長くしすぎることは、最短記録ビツト長を
長くするため記録密度を低下させることになる、
ということに注意しなければならない。 ここで、現在実用化されているレーザーダイオ
ードの発光パターンが、楕円形１：２程度の略円
形であることを考慮して、スポツト２の形状をこ
の程度の略円形に選べば簡単なレンズ系で効率良
く集光することが可能である。すなわち、高い伝
送効率と安価な光学系を実現できる。 本発明の光学的情報記録消去方法は、アモルフ
アス−結晶、結晶−結晶間の可逆的相変化を応用
したあらゆる記録媒体に有効に適用される。アモ
ルフアス−結晶間の相変化材料では非常に高速に
結晶化が進む材料としてGeTe，GeSb2Te4，Ge2
Sb2Te5，InSe系、InSeTlCo系等、比較的高速に
結晶化が進む材料としてGeSnTeAu系、
GeSbTeSe系、GeSnTeO系、SeTeSn系等を用
いることができる。また結晶−結晶間の相変化材
料としてはInSb系、AgZn系等を用いることがで
きる。 次に具体例をもつて本発明を詳述する。 実施例 １ 第２図に実験に用いた光デイスクの断面図を示
す。 厚さ1.2mm、直径130mmのポリカーボネイト基板
１の上に100nmのZnS保護層２、60nmのGeSb2
Te4記録層３、200nmのZnS保護層４、20nmの
Au反射層５を順次積層し、その上に基板と同じ
ポリカーボネイトのバツクカバー７を接着材６で
張り合わせて光デイスクを準備した。各層は１×
10-4Ｐ程度の真空下で蒸着により形成した。記録
層の形成には三つのソースを用い、それぞれの蒸
着レールをコントロールし、基板が順次各ソース
の上を通過するべく回転させる。基板上には光ガ
イド用のトラツク溝があらかじめ形成されてい
る。 デイスクを用いた記録消去テストでは、本発明
によるレーザースポツトを備えたダイナミツクテ
スター（デツキ）と、従来例によるレーザースポ
ツトを備えたダイナミツクテスターを比較しなが
ら行つた。 本発明によるレーザースポツトの構成を第３図
ａに示す。つまり記録膜を溶融するための先行ス
ポツト８としては用としては波長830nmのレーザ
ー光線を半値幅0.9umの円い光スポツトに絞りこ
んで用いた。また信号で変調することにより冷却
速度をコントロールして、情報を記録するための
後続スポツト９としては、波長780nmのレーザー
光線を半値幅0.8umの丸い光スポツトに絞りこん
だものを用いた。２つのスポツトの中心距離は約
0.7μmとしたため、１部が重なつている。そのた
め、２つのスポツトの先頭から最後部までの距離
は1.5μm程度である。 従来例によるレーザースポツトの構成を第３図
ｂに示す。先行する長円のスポツト（波長
830nm、半値幅約１×7μm）は消去用であり、ト
ラツク溝上を徐熱・徐冷してアモルフアスマーク
を結晶化させることにより古い信号を消去する。
後続のスポツト（波長780nm、半値幅約0.8μm）
は記録用であり、記録膜を融点以上に昇温後急冷
してアモルフアスマークを形成することにより信
号を記録する。この場合記録用スポツトの照射部
分の急冷条件が妨げられないように、消去スポツ
トと記録スポツトは約5μm離して設置した。すな
わち２つのスポツトの先頭から最後部までの距離
は約13μmである。 デイスクは3600rpmで回転し、線速度にして
15m／secのポイントでオーバーライトの実験を
行つた。実験手順を以下に示す。 ａ 最初にトラツク上に周波数5MHzの信号を記
録する。このときの信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）は
約53dBであつた。 ｂ オーバーライトにより5MHzの信号を消去し
ながら新たに3MHzの信号を記録する。このと
き各スポツトのパワーは本発明の構成の場合、
先行スポツトが16mW、後続スポツトが7mW、
従来例による構成の場合先行スポツトが
20mW、後続スポツトが18mWとした。 ｃ 消録された5MHzの信号の消去率と新しく記
録された3MHzの信号のＣ／Ｎを、スペクトロ
アナライザーで測定し、評価する。 実験結果を第１表に示す。
上に信号を記録消去する方法、とりわけ古い信号
を消去しながら同時に新しい信号を記録する方法
（オーバーライト）に関する。 従来の技術 書き換え可能な相変化型の光学情報記録媒体上
にオーバーライトする方法は、大別して２つの方
法が提案されている。 １つは、記録媒体上に記録レベルと消去レベル
の二つのレベルの間で変調されたレーザー光線を
照射することで、既に書かれている古い信号を消
去しながら、その上に新しい信号を直接記録して
いく方法である（特開昭56−145530号公報）。す
なわち高いレーザーパワーで照射された部位は一
旦メルトしたのち急冷されてアモルフアス化し、
いつぽう低いレーザーパワーで照射された部位は
融点を越えることなくアニールされて結晶化す
る。この方法によればレーザー光線を照射するま
えの状態がアモルフアスであつたか、結晶であつ
たかには拘わらず新しい信号が記録できる、すな
わち、単一のレーザースポツトでオーバーライト
することがができるというものである。 もう１つは、トラツク上に２つ以上のレーザー
スポツトを設置して、先行するスポツトで古い信
号を消去し、改めて後続するスポツトで新しい信
号を記録するというものである（プロシーデイン
グス オブ エス ピー アイ イー
（Proceedings of SPIE）Volume 420 P.173〜
P.177（1983））。すなわち、消去と記録をそれぞれ
独立したスポツトで実行し、疑似オーバーライト
を行うものである。 発明が解決しようとする課題 単一レーザースポツトでのオーバーライト機能
は光学系が簡単であり、制御システムも簡単にな
るというメリツトを有しているが、一方では十分
な消去率が得られないという問題点があつた。 またトラツク上に２つ以上のレーザースポツト
を設置し、信号の記録と消去を独立したスポツト
で実行する方法は、先行する消去専用スポツトの
効果によつて、単一レーザースポツトによるオー
バーライトよりも大きな消去率を得ることができ
る。しかしながら、一般にトラツキングコントロ
ールはシステムを簡単にするため、１つのスポツ
トについてのみ行われ、他のスポツトはそれに追
従するように設計されている。そのため、２つ以
上のスポツトを間隔を開けてトラツク上に正確に
設置するのはスポツト間隔が広がるほど困難であ
り、特に量産を考えた場合には大きな問題とな
る。 課題を解決するための手段 記録トラツク上に２つ以上の円形あるいは略円
形のスポツトを近接して設置し、古い信号の消去
は先頭のスポツトを記録薄膜が溶融するパワー以
上に高めることにより行い、新しい信号の記録は
後続のスポツトを信号により変調して、先頭のス
ポツトにより溶融された部分の冷却速度を変化さ
せることにより行う。 作 用 相変化型の書き換え可能な記録媒体において
は、照射部を一旦溶融させることでその部分のそ
れまでの履歴をほぼ消去することができる。した
がつて、先頭のスポツトにより古い信号を充分に
消去し、かつ後続のスポツトで溶融部分の冷却速
度をコントロールして結晶とアモルフアスの２つ
の状態を実現し、信号を記録するというものであ
る。この方法によれば大きな消去率が得られると
同時に、レーザースポツトが非常に近接して設置
されるため（場合によつては一部重なり合つてい
る）、同一トラツク上に設置することが容易にな
る。 実施例 単一レーザースポツトでのオーバーライト記録
の場合に消去率が低いことの理由としては、古い
信号の痕跡が結晶粒径の差として残つているため
と考えられる。すなわち、融点以下でアニールさ
れた部分において、以前に記録ビツトがあつたか
否かにより結晶状態が異なり、これが光学特性の
差異となるのである。つまり古い信号を充分に消
去するためには、記録トラツクをレーザー光を連
続的に照射することにより一旦溶融して、それま
での履歴を消してしまえば良いことになる。これ
が本発明における先頭のスポツトの役割である。 レーザー光を連続的に照射した部分が、最終的
にアモルフアス状態になるか結晶状態になるかは
記録薄膜によつて異なる。本発明にはアモルフア
ス状態になる記録薄膜を用いる（最終的にアモル
フアス状態になるか結晶状態になるかは記録薄膜
の組成のみで決るものではなく、例えば、記録薄
膜の膜厚や、保護膜の材質等によつてもコントロ
ールすることができる）。これは冷却速度が大き
すぎて、結晶化できない場合に実現される。ここ
で、もし一時的に冷却速度を小さくすることがで
きれば、その部分は結晶化させることができるは
ずである。これが２つ目（あるいは２つ目以降）
のレーザースポツトの役割である。すなわち、２
つ目のレーザースポツトがオフのときは、溶融部
分は急冷となりアモルフアス状態になるが、オン
のときは溶融部分は徐冷となり結晶状態となる。
つまり２つ目のレーザースポツトを信号に対応さ
せてオン・オフ間で変調すれば、新しい信号の記
録が可能となる。この方法は消去スポツト照射部
分の冷却速度をコントロールして新しい信号を記
録するものであり、従来例の２つ以上のレーザー
スポツトを用いて、先行するスポツトで古い信号
を消去し、改めて後続のスポツトで新しい信号を
記録する方法とは異なる。従来例では、消去スポ
ツトと記録スポツトが熱的に影響しあわないよう
な間隔が必要であつたが、本発明では非常に接近
して設置できるため、レーザースポツトの位置決
めが非常に容易になるというメリツトがある。 第１図に本発明の光学的情報記録消去方法を実
施するためのレーザースポツトの構成と照射方法
の例を示す。 第１図ａはトラツク３上に二本の円形のレーザ
ースポツトを配置した場合の実施例である。先行
するレーザースポツト１は、記録薄膜を一旦溶融
させるためのものであり、一定パワーで連続的に
照射される。また、後続のレーザースポツト２は
記録信号によつて変調され、オン状態のときの温
度プロフアイルは第１図ｂのようになり、オフ状
態のときの温度プロフアイルは第１図ｃのように
なる。すなわち、オン状態のときにはその照射部
分は徐冷となり結晶化するが、オフ状態のときに
は急冷のためアモルフアス化するため、変調信号
に応じて反射率の高い状態と低い状態を作り出す
ことができる。 なお、本明細書におけるレーザースポツト径は
すべてエネルギー密度の半値幅で示すものとす
る。 またスポツト間隔はできる限り近いほうが２つ
のスポツトを同時にトラツク上に設置しやすいた
め、本実施例ではスポツト１と２が一部重なる場
合について示した。しかし、溶融部分の冷却速度
を制御することにより信号を記録する、という条
件が満たされれば、スポツト１と２は離れていて
もかまわない。 さらに、本実施例では、スポツト形状はともに
円形としたが略円形であつてもかまわない。特に
後続のスポツト２の形状がトラツク方向に長い略
円形の場合には、スポツト２がオン状態のとき
と、オフ状態のときの冷却速度の差が大きくなる
ため、円形スポツトでは結晶化しにくいような記
録薄膜でも充分に結晶化できるようになる。しか
しながら、最短記録ビツト長は、スポツト２のト
ラツク方向の長さにほぼ比例するため、トラツク
方向に長くしすぎることは、最短記録ビツト長を
長くするため記録密度を低下させることになる、
ということに注意しなければならない。 ここで、現在実用化されているレーザーダイオ
ードの発光パターンが、楕円形１：２程度の略円
形であることを考慮して、スポツト２の形状をこ
の程度の略円形に選べば簡単なレンズ系で効率良
く集光することが可能である。すなわち、高い伝
送効率と安価な光学系を実現できる。 本発明の光学的情報記録消去方法は、アモルフ
アス−結晶、結晶−結晶間の可逆的相変化を応用
したあらゆる記録媒体に有効に適用される。アモ
ルフアス−結晶間の相変化材料では非常に高速に
結晶化が進む材料としてGeTe，GeSb2Te4，Ge2
Sb2Te5，InSe系、InSeTlCo系等、比較的高速に
結晶化が進む材料としてGeSnTeAu系、
GeSbTeSe系、GeSnTeO系、SeTeSn系等を用
いることができる。また結晶−結晶間の相変化材
料としてはInSb系、AgZn系等を用いることがで
きる。 次に具体例をもつて本発明を詳述する。 実施例 １ 第２図に実験に用いた光デイスクの断面図を示
す。 厚さ1.2mm、直径130mmのポリカーボネイト基板
１の上に100nmのZnS保護層２、60nmのGeSb2
Te4記録層３、200nmのZnS保護層４、20nmの
Au反射層５を順次積層し、その上に基板と同じ
ポリカーボネイトのバツクカバー７を接着材６で
張り合わせて光デイスクを準備した。各層は１×
10-4Ｐ程度の真空下で蒸着により形成した。記録
層の形成には三つのソースを用い、それぞれの蒸
着レールをコントロールし、基板が順次各ソース
の上を通過するべく回転させる。基板上には光ガ
イド用のトラツク溝があらかじめ形成されてい
る。 デイスクを用いた記録消去テストでは、本発明
によるレーザースポツトを備えたダイナミツクテ
スター（デツキ）と、従来例によるレーザースポ
ツトを備えたダイナミツクテスターを比較しなが
ら行つた。 本発明によるレーザースポツトの構成を第３図
ａに示す。つまり記録膜を溶融するための先行ス
ポツト８としては用としては波長830nmのレーザ
ー光線を半値幅0.9umの円い光スポツトに絞りこ
んで用いた。また信号で変調することにより冷却
速度をコントロールして、情報を記録するための
後続スポツト９としては、波長780nmのレーザー
光線を半値幅0.8umの丸い光スポツトに絞りこん
だものを用いた。２つのスポツトの中心距離は約
0.7μmとしたため、１部が重なつている。そのた
め、２つのスポツトの先頭から最後部までの距離
は1.5μm程度である。 従来例によるレーザースポツトの構成を第３図
ｂに示す。先行する長円のスポツト（波長
830nm、半値幅約１×7μm）は消去用であり、ト
ラツク溝上を徐熱・徐冷してアモルフアスマーク
を結晶化させることにより古い信号を消去する。
後続のスポツト（波長780nm、半値幅約0.8μm）
は記録用であり、記録膜を融点以上に昇温後急冷
してアモルフアスマークを形成することにより信
号を記録する。この場合記録用スポツトの照射部
分の急冷条件が妨げられないように、消去スポツ
トと記録スポツトは約5μm離して設置した。すな
わち２つのスポツトの先頭から最後部までの距離
は約13μmである。 デイスクは3600rpmで回転し、線速度にして
15m／secのポイントでオーバーライトの実験を
行つた。実験手順を以下に示す。 ａ 最初にトラツク上に周波数5MHzの信号を記
録する。このときの信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）は
約53dBであつた。 ｂ オーバーライトにより5MHzの信号を消去し
ながら新たに3MHzの信号を記録する。このと
き各スポツトのパワーは本発明の構成の場合、
先行スポツトが16mW、後続スポツトが7mW、
従来例による構成の場合先行スポツトが
20mW、後続スポツトが18mWとした。 ｃ 消録された5MHzの信号の消去率と新しく記
録された3MHzの信号のＣ／Ｎを、スペクトロ
アナライザーで測定し、評価する。 実験結果を第１表に示す。
【表】
第１表から分かるように、本発明による構成で
は従来例に比べ、消去率は大きくＣ／Ｎは遜色が
ない。本発明による構成の方が消去率が大きいの
は、先行のスポツトにより記録膜が一度溶融させ
るため、古い信号がほぼ完全に消去できるためと
考えられる。 つまり本発明によれば、従来例と同等以上の記
録消去特性を、２つのスポツトを非常に接近した
状態（本実施例では約0.7μm）で実現できること
が分かる。 発明の効果 本発明によれば、大きな消去率が得られると同
時に、レーザースポツトが非常に近接して設置さ
れるため（場合によつては一部重なり合つてい
る）、同一トラツク上に設置することが容易にな
り、量産しやすい光学情報の記録再生消去装置を
提供することができる。
は従来例に比べ、消去率は大きくＣ／Ｎは遜色が
ない。本発明による構成の方が消去率が大きいの
は、先行のスポツトにより記録膜が一度溶融させ
るため、古い信号がほぼ完全に消去できるためと
考えられる。 つまり本発明によれば、従来例と同等以上の記
録消去特性を、２つのスポツトを非常に接近した
状態（本実施例では約0.7μm）で実現できること
が分かる。 発明の効果 本発明によれば、大きな消去率が得られると同
時に、レーザースポツトが非常に近接して設置さ
れるため（場合によつては一部重なり合つてい
る）、同一トラツク上に設置することが容易にな
り、量産しやすい光学情報の記録再生消去装置を
提供することができる。
第１図は、本発明の光学的情報記録消去方法に
適用されるレーザー光スポツトの形と配置および
その役割を説明する図、第２図は光デイスクの構
造を示す断面図、第３図は具体的実施例に用いた
本発明によるスポツト構成と、従来例によるスポ
ツト構成を示す図である。 １……スポツト１、２……スポツト２、３……
トラツク溝。
適用されるレーザー光スポツトの形と配置および
その役割を説明する図、第２図は光デイスクの構
造を示す断面図、第３図は具体的実施例に用いた
本発明によるスポツト構成と、従来例によるスポ
ツト構成を示す図である。 １……スポツト１、２……スポツト２、３……
トラツク溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光線の照射条件に対応して光学的特性が可逆
的に変化する相変化型の記録材料薄膜を基板上に
備えた可逆的光学情報記録媒体上に、古い信号を
消去しながら同時に新しい信号をオーバーライト
する方法であつて、記録トラツク上に２つ以上の
円形あるいは略円形のスポツトを近接して設置
し、古い信号の消去は先頭のスポツトを記録薄膜
が溶融するパワー以上に高めて連続的に照射する
ことにより行い、新しい信号の記録は後続のスポ
ツトを前記先頭のスポツトより弱いパワー密度で
信号により変調して、先頭のスポツトにより溶融
された部分の冷却速度を変化させることにより行
うことを特徴とする光学的情報記録消去方法。 ２ ２つ以上の円形あるいは略円形のスポツトが
互いに重なりあつていることを特徴とする請求項
１記載の光学的情報記録消去方法。 ３ スポツトの数が２つであることを特徴とする
請求項１記載の光学的情報記録消去方法。 ４ 後続のレーザースポツトの形状が楕円率１：
１〜２：１の略円形であることを特徴とする請求
項１記載の光学的情報記録消去方法。 ５ 相変化型記録材料薄膜にアモルフアスー結晶
間の可逆的相変化を応用したものを用いることを
特徴とする請求項１記載の光学的情報記録消去方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63055162A JPH01229425A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 光学的情報記録消去方法 |
| DE3888296T DE3888296T2 (de) | 1987-11-25 | 1988-11-15 | Optisches Informationsaufzeichnungs- und -löschverfahren. |
| EP88310790A EP0318200B1 (en) | 1987-11-25 | 1988-11-15 | Optical information recording and erasing method |
| US07/272,253 US4980879A (en) | 1987-11-25 | 1988-11-17 | Optical information recording and erasing method using two laser beams on a phase change optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63055162A JPH01229425A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | 光学的情報記録消去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01229425A JPH01229425A (ja) | 1989-09-13 |
| JPH0524566B2 true JPH0524566B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=12991046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63055162A Granted JPH01229425A (ja) | 1987-11-25 | 1988-03-09 | 光学的情報記録消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01229425A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100813942B1 (ko) | 2000-12-07 | 2008-03-14 | 삼성전자주식회사 | 고속 광 기록방법 및 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61133053A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Hitachi Ltd | 光学情報記録装置 |
| JPS61133051A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Hitachi Ltd | 光デイスク記憶装置 |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP63055162A patent/JPH01229425A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01229425A (ja) | 1989-09-13 |
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