JPH0525281A - 有機シリコン高分子及びその製造方法 - Google Patents
有機シリコン高分子及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0525281A JPH0525281A JP20352791A JP20352791A JPH0525281A JP H0525281 A JPH0525281 A JP H0525281A JP 20352791 A JP20352791 A JP 20352791A JP 20352791 A JP20352791 A JP 20352791A JP H0525281 A JPH0525281 A JP H0525281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymethylphenylsilane
- organosilicon polymer
- organosilicon
- polymer
- ppm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジスト、光導波路材料、シリコンカ
ーバイドの前駆体、半導体、電子写真感光体、非線型光
学材料、発光材料として期待されるポリメチルフェニル
シランを母体とした有機シリコン高分子を提供する。 【構成】 重量平均分子量２０００以上〔ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフ法、単分散ポリスチレン基
準〕、29Ｓｉ−ＦＴＮＭＲ（クロロホルム溶液中、テト
ラメチルシラン基準）で−３０から−３５ｐｐｍ付近
に、ポリメチルフェニルシランに特徴的な−４０ｐｐｍ
以外のピークを持つポリメチルフェニルシラン構造を含
む有機シリコン高分子。及びメチルフェニルジクロロシ
ランと、モル分率０．０１〜０．５０のｎ−ブチルトリ
クロロシランとを金属Ｎａ存在下に縮合させる有機シリ
コン高分子の製造方法。
ーバイドの前駆体、半導体、電子写真感光体、非線型光
学材料、発光材料として期待されるポリメチルフェニル
シランを母体とした有機シリコン高分子を提供する。 【構成】 重量平均分子量２０００以上〔ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフ法、単分散ポリスチレン基
準〕、29Ｓｉ−ＦＴＮＭＲ（クロロホルム溶液中、テト
ラメチルシラン基準）で−３０から−３５ｐｐｍ付近
に、ポリメチルフェニルシランに特徴的な−４０ｐｐｍ
以外のピークを持つポリメチルフェニルシラン構造を含
む有機シリコン高分子。及びメチルフェニルジクロロシ
ランと、モル分率０．０１〜０．５０のｎ−ブチルトリ
クロロシランとを金属Ｎａ存在下に縮合させる有機シリ
コン高分子の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトレジスト、光導
波路材料、シリコンカーバイドの前駆体、半導体、電子
写真感光体、非線型光学材料、発光材料として、炭素を
骨格とする従来の高分子材料にはないユニークな特徴を
持つ新しいタイプの機能性材料である、シリコンを骨格
とする可溶性有機ポリシリレン高分子に関する。
波路材料、シリコンカーバイドの前駆体、半導体、電子
写真感光体、非線型光学材料、発光材料として、炭素を
骨格とする従来の高分子材料にはないユニークな特徴を
持つ新しいタイプの機能性材料である、シリコンを骨格
とする可溶性有機ポリシリレン高分子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年シリコンを骨格とする高分子である
可溶性有機ポリシリレンは、フォトレジスト、光導波路
材料、シリコンカーバイドの前駆体、半導体、電子写真
感光体、非線型光学材料、発光材料として、炭素を骨格
とする従来の高分子材料にはないユニークな特徴を持つ
新しいタイプの機能性材料として多くの注目を集めてい
る。有機ポリシリレンが興味を引いた原因の一つは有機
溶剤に溶解し、繊維や薄膜に容易に加工できるためであ
る。しかしながらこれまで知られている有機ポリシリレ
ンのほとんどは、Ｓｉに有機置換基が２個導入された
（ＳｉＲ1 Ｒ2 ）（Ｒ1 ，Ｒ2 は有機置換基）を繰返し
単位とする化学構造である。そのため、例えば、光化学
的な開裂反応や架橋反応を利用したフォトレジストや光
導波路のような数ミクロン程度の厚みの薄膜加工に対し
て、感度が十分でなく、また３００から４００ｎｍ付近
に現われるＳｉ−Ｓｉ結合に由来する強い紫外吸収帯に
よる自己吸収のため膜厚を厚くできず、従来の炭素系高
分子材料に比べ特性的に満足ではなかった。高感度化を
達成するためには、光化学的に活性なＳｉ−Ｓｉ結合を
有する高分子であることが必要である。また、従来知ら
れている可視域発光シリコン材料としては、波長４２０
から５００ｎｍの発光域を持つポリメチルフェニルシラ
ンやネットワークアルキルポリシリンがある〔カガワ
Ｔ．( Kagawa, Ｔ．）ほか、ソリッド ステート コミ
ュニケーションズ（ Solid State Commun. )、第５７
巻、第６３５頁（１９８６）、フルカワＫ．(Furukawa,
Ｋ．）ほか、マクロモレキュールス（ Macromolecules
) 、第２３巻、第３４２３頁（１９９０）〕。
可溶性有機ポリシリレンは、フォトレジスト、光導波路
材料、シリコンカーバイドの前駆体、半導体、電子写真
感光体、非線型光学材料、発光材料として、炭素を骨格
とする従来の高分子材料にはないユニークな特徴を持つ
新しいタイプの機能性材料として多くの注目を集めてい
る。有機ポリシリレンが興味を引いた原因の一つは有機
溶剤に溶解し、繊維や薄膜に容易に加工できるためであ
る。しかしながらこれまで知られている有機ポリシリレ
ンのほとんどは、Ｓｉに有機置換基が２個導入された
（ＳｉＲ1 Ｒ2 ）（Ｒ1 ，Ｒ2 は有機置換基）を繰返し
単位とする化学構造である。そのため、例えば、光化学
的な開裂反応や架橋反応を利用したフォトレジストや光
導波路のような数ミクロン程度の厚みの薄膜加工に対し
て、感度が十分でなく、また３００から４００ｎｍ付近
に現われるＳｉ−Ｓｉ結合に由来する強い紫外吸収帯に
よる自己吸収のため膜厚を厚くできず、従来の炭素系高
分子材料に比べ特性的に満足ではなかった。高感度化を
達成するためには、光化学的に活性なＳｉ−Ｓｉ結合を
有する高分子であることが必要である。また、従来知ら
れている可視域発光シリコン材料としては、波長４２０
から５００ｎｍの発光域を持つポリメチルフェニルシラ
ンやネットワークアルキルポリシリンがある〔カガワ
Ｔ．( Kagawa, Ｔ．）ほか、ソリッド ステート コミ
ュニケーションズ（ Solid State Commun. )、第５７
巻、第６３５頁（１９８６）、フルカワＫ．(Furukawa,
Ｋ．）ほか、マクロモレキュールス（ Macromolecules
) 、第２３巻、第３４２３頁（１９９０）〕。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらポリメチ
ルフェニルシランは３５０ｎｍ付近に強い発光があり４
２０から５００ｎｍの発光強度が相対的に弱いという欠
点を有していた。ネットワークアルキルポリシリンにお
いては、アルキル置換基のみであるため機械的特性に欠
け、劣化が非常に激しいという欠点を有していた。本発
明の目的は、フォトレジスト、光導波路材料、シリコン
カーバイドの前駆体、半導体、電子写真感光体、非線型
光学材料、発光材料として期待されるポリメチルフェニ
ルシランを母材とした有機シリコン高分子を提供するこ
とにある。
ルフェニルシランは３５０ｎｍ付近に強い発光があり４
２０から５００ｎｍの発光強度が相対的に弱いという欠
点を有していた。ネットワークアルキルポリシリンにお
いては、アルキル置換基のみであるため機械的特性に欠
け、劣化が非常に激しいという欠点を有していた。本発
明の目的は、フォトレジスト、光導波路材料、シリコン
カーバイドの前駆体、半導体、電子写真感光体、非線型
光学材料、発光材料として期待されるポリメチルフェニ
ルシランを母材とした有機シリコン高分子を提供するこ
とにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明は有機シリコン高分子に関する発明で
あって、ポリメチルフェニルシラン構造を含む有機シリ
コン高分子において、単分散ポリスチレンを基準にした
ゲルパーミエーションクロマトグラフ法により求めた方
法で重量平均分子量の値が２０００以上で、かつ29Ｓｉ
−ＦＴＮＭＲ（クロロホルム溶液中、テトラメチルシラ
ン基準）で−３０から−３５ｐｐｍ付近に、ポリメチル
フェニルシランに特徴的な−４０ｐｐｍ以外のピークを
持つことを特徴とする。また、本発明の第２の発明は、
有機シリコン高分子の製造方法に関する発明であって、
メチルフェニルジクロロシランに対してモル分率でｎ−
ブチルトリクロロシランを０．０１から０．５０共存さ
せ、金属ナトリウム存在下脱塩縮合反応によって製造す
ることを特徴とする。
発明の第１の発明は有機シリコン高分子に関する発明で
あって、ポリメチルフェニルシラン構造を含む有機シリ
コン高分子において、単分散ポリスチレンを基準にした
ゲルパーミエーションクロマトグラフ法により求めた方
法で重量平均分子量の値が２０００以上で、かつ29Ｓｉ
−ＦＴＮＭＲ（クロロホルム溶液中、テトラメチルシラ
ン基準）で−３０から−３５ｐｐｍ付近に、ポリメチル
フェニルシランに特徴的な−４０ｐｐｍ以外のピークを
持つことを特徴とする。また、本発明の第２の発明は、
有機シリコン高分子の製造方法に関する発明であって、
メチルフェニルジクロロシランに対してモル分率でｎ−
ブチルトリクロロシランを０．０１から０．５０共存さ
せ、金属ナトリウム存在下脱塩縮合反応によって製造す
ることを特徴とする。
【０００５】本発明で重要な概念は、ポリメチルフェニ
ルシラン構造に対して、芳香族系置換シリンを導入する
ことによって、Ｓｉ−Ｓｉ連鎖から構成される一次元半
導体のバンド構造の中に局在準位を形成すること、ある
いはまたＳｉ結合電子の局在化を促進することにある。
したがって、脂肪族置換基として、ここでとりあげたｎ
−ブチル基のみならず、より大きな主鎖構造の乱れを引
起こす、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｉｓｏ−
プロピル基など、炭素数１以上のアルキル基であればな
んでも良い。
ルシラン構造に対して、芳香族系置換シリンを導入する
ことによって、Ｓｉ−Ｓｉ連鎖から構成される一次元半
導体のバンド構造の中に局在準位を形成すること、ある
いはまたＳｉ結合電子の局在化を促進することにある。
したがって、脂肪族置換基として、ここでとりあげたｎ
−ブチル基のみならず、より大きな主鎖構造の乱れを引
起こす、ｉｓｏ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｉｓｏ−
プロピル基など、炭素数１以上のアルキル基であればな
んでも良い。
【０００６】下記実施例１及び応用例１に示したものと
同様にして、他の有機シリコン高分子共重合体組成を持
つ有機シリコン高分子共重合体の発光スペクトルを調べ
ると、幅広い発光帯を得るためには、共重合のモル分率
に強く依存するが、メチルフェニルジクロロシランに対
しｎ−ブチルトリクロロシランの割合が０．００１から
０．５０、好ましくは、０．０１から０．１０程度が十
分であることがわかった。その値が０．１０を越える
と、酸化劣化が起こりやすく、発光材料としては不適で
ある。一方、他の有機シリコン高分子共重合体組成を持
つ有機シリコン高分子共重合体の酸化劣化特性は、レジ
ストや導波路形成にも関係することであるが、その値が
０．００１から０．５０、好ましくは、０．０１以上で
あれば、感度良く分解促進されることがわかった。
同様にして、他の有機シリコン高分子共重合体組成を持
つ有機シリコン高分子共重合体の発光スペクトルを調べ
ると、幅広い発光帯を得るためには、共重合のモル分率
に強く依存するが、メチルフェニルジクロロシランに対
しｎ−ブチルトリクロロシランの割合が０．００１から
０．５０、好ましくは、０．０１から０．１０程度が十
分であることがわかった。その値が０．１０を越える
と、酸化劣化が起こりやすく、発光材料としては不適で
ある。一方、他の有機シリコン高分子共重合体組成を持
つ有機シリコン高分子共重合体の酸化劣化特性は、レジ
ストや導波路形成にも関係することであるが、その値が
０．００１から０．５０、好ましくは、０．０１以上で
あれば、感度良く分解促進されることがわかった。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を実施例及び応用例によって更
に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。
【０００８】実施例１
以下、本発明を合成例によって更に具体的に説明する。
反応操作及び精製操作はすべてアルゴンガス雰囲気下及
び室内光をカットして行った。反応容器内を十分に脱水
脱気し、アルゴンガス置換した後、金属ナトリウム分散
液（トルエン３０％）３．７５ｇとトルエン５０mlをフ
ラスコに入れた。油浴温度１１０℃において、メチルフ
ェニルジクロロシラン（１）５．６２ｇとｎ−ブチルト
リクロロシラン（２）０．１１ｇの混合モノマーを一気
に添加し、添加後更に１０分間反応させた。反応混合溶
液を加圧ろ過し、脱気した冷イソプロピルアルコールに
ろ液を加えた。生じた白色沈殿を遠心分離機で回収し、
６０℃で真空乾燥した。収量は０．９５ｇであった。単
分散ポリスチレンを基準にしたゲルパーミエーションク
ロマトグラフ法により求めた重量平均分子量が１０８０
０、分散度（＝重量平均重合度／数平均重合度）が２．
３の単峰性の高分子が得られた。得られた有機シリコン
高分子共重合体３（１／２＝０．９７／０．０３）はス
ピンコート法や溶媒キャスト法で容易に薄膜を形成する
ことができた。
反応操作及び精製操作はすべてアルゴンガス雰囲気下及
び室内光をカットして行った。反応容器内を十分に脱水
脱気し、アルゴンガス置換した後、金属ナトリウム分散
液（トルエン３０％）３．７５ｇとトルエン５０mlをフ
ラスコに入れた。油浴温度１１０℃において、メチルフ
ェニルジクロロシラン（１）５．６２ｇとｎ−ブチルト
リクロロシラン（２）０．１１ｇの混合モノマーを一気
に添加し、添加後更に１０分間反応させた。反応混合溶
液を加圧ろ過し、脱気した冷イソプロピルアルコールに
ろ液を加えた。生じた白色沈殿を遠心分離機で回収し、
６０℃で真空乾燥した。収量は０．９５ｇであった。単
分散ポリスチレンを基準にしたゲルパーミエーションク
ロマトグラフ法により求めた重量平均分子量が１０８０
０、分散度（＝重量平均重合度／数平均重合度）が２．
３の単峰性の高分子が得られた。得られた有機シリコン
高分子共重合体３（１／２＝０．９７／０．０３）はス
ピンコート法や溶媒キャスト法で容易に薄膜を形成する
ことができた。
【０００９】溶媒キャスト法で作製した３（１／２＝
０．９７／０．０３）とポリメチルフェニルシランの薄
膜のＦＴ−ＩＲ吸収スペクトルを図１及び図２に示す。
すなわち、図１は実施例１で合成された有機シリコン高
分子共重合体３（１／２＝０．９７／０．０３）の、図
２はポリメチルフェニルシラン薄膜の、それぞれＦＴ−
ＩＲ吸収スペクトルを、吸光度（縦軸）と波数（cm-1、
横軸）との関係で示す図である（基板：ＫＢｒ）。帰属
は以下の通りである。芳香族及び脂肪族Ｃ−Ｈ伸縮振動
が３１００から２８５０cm-1に、芳香族Ｃ＝Ｃ伸縮振動
が１６００から１５００cm-1付近に、Ｓｉ−Ｓｉ伸縮振
動が４５０cm-1付近に現われている。また、Ｓｉ−Ｏ−
Ｓｉに基づく１０００−１１００cm-1付近の吸収がほと
んど認められない。Ｓｉ−ＯＨ伸縮振動に由来する３３
００cm-1付近の吸収は認められない。３（１／２＝０．
９７／０．０３）とポリメチルフェニルシランに比較し
て、脂肪族Ｃ−Ｈ伸縮振動に基づく２９００から２８５
０cm-1付近の吸収が少しだけ強い。
０．９７／０．０３）とポリメチルフェニルシランの薄
膜のＦＴ−ＩＲ吸収スペクトルを図１及び図２に示す。
すなわち、図１は実施例１で合成された有機シリコン高
分子共重合体３（１／２＝０．９７／０．０３）の、図
２はポリメチルフェニルシラン薄膜の、それぞれＦＴ−
ＩＲ吸収スペクトルを、吸光度（縦軸）と波数（cm-1、
横軸）との関係で示す図である（基板：ＫＢｒ）。帰属
は以下の通りである。芳香族及び脂肪族Ｃ−Ｈ伸縮振動
が３１００から２８５０cm-1に、芳香族Ｃ＝Ｃ伸縮振動
が１６００から１５００cm-1付近に、Ｓｉ−Ｓｉ伸縮振
動が４５０cm-1付近に現われている。また、Ｓｉ−Ｏ−
Ｓｉに基づく１０００−１１００cm-1付近の吸収がほと
んど認められない。Ｓｉ−ＯＨ伸縮振動に由来する３３
００cm-1付近の吸収は認められない。３（１／２＝０．
９７／０．０３）とポリメチルフェニルシランに比較し
て、脂肪族Ｃ−Ｈ伸縮振動に基づく２９００から２８５
０cm-1付近の吸収が少しだけ強い。
【００１０】得られた有機シリコン高分子共重合体３
（１／２＝０．９７／０．０３）とポリメチルフェニル
シランの電子吸収スペクトル（テトラヒドロフラン溶液
中、室温）を図３及び図４に示す。すなわち、図３は実
施例１で合成された有機シリコン高分子共重合体３（１
／２＝０．９７／０．０３）の、図４はポリメチルフェ
ニルシランの、それぞれ電子吸収スペクトルを吸光度
（縦軸）とエネルギー（ｅＶ、横軸）との関係で示す図
である。共重合体３は、ホモポリマーであるポリメチル
フェニルシランと見掛上ほとんど全く同一の吸収スペク
トルを示す。唯一異なる点は、３の吸収極大がポリメチ
ルフェニルシランに比べ、０．０４５ｅＶだけブルーシ
フトしていることである。
（１／２＝０．９７／０．０３）とポリメチルフェニル
シランの電子吸収スペクトル（テトラヒドロフラン溶液
中、室温）を図３及び図４に示す。すなわち、図３は実
施例１で合成された有機シリコン高分子共重合体３（１
／２＝０．９７／０．０３）の、図４はポリメチルフェ
ニルシランの、それぞれ電子吸収スペクトルを吸光度
（縦軸）とエネルギー（ｅＶ、横軸）との関係で示す図
である。共重合体３は、ホモポリマーであるポリメチル
フェニルシランと見掛上ほとんど全く同一の吸収スペク
トルを示す。唯一異なる点は、３の吸収極大がポリメチ
ルフェニルシランに比べ、０．０４５ｅＶだけブルーシ
フトしていることである。
【００１１】得られた有機シリコン高分子共重合体３
（１／２＝０．９７／０．０３）とポリメチルフェニル
シランの29Ｓｉ−ＦＴＮＭＲ（クロロホルム溶液中、テ
トラメチルシラン基準）を図５及び図６に示す。すなわ
ち、図５は実施例１で合成された有機シリコン高分子共
重合体３（１／２＝０．９７／０．０３）の、図６はポ
リメチルフェニルシランの、それぞれ29Ｓｉ−ＦＴＮＭ
Ｒ（プロトンノイズデカップリング法）を、信号強度
（縦軸）と化学シフト（ｐｐｍ、横軸）との関係で示す
図である。共重合体３は、ポリメチルフェニルシランに
特徴的な−４０ｐｐｍ付近の３本の強いピークに加え
て、−３５ｐｐｍ付近のサテライトピークが少し強い。
このことは、３はポリメチルフェニルシランの鎖状骨格
に分岐Ｓｉ構造を意図的に導入できたことを意味する。
（１／２＝０．９７／０．０３）とポリメチルフェニル
シランの29Ｓｉ−ＦＴＮＭＲ（クロロホルム溶液中、テ
トラメチルシラン基準）を図５及び図６に示す。すなわ
ち、図５は実施例１で合成された有機シリコン高分子共
重合体３（１／２＝０．９７／０．０３）の、図６はポ
リメチルフェニルシランの、それぞれ29Ｓｉ−ＦＴＮＭ
Ｒ（プロトンノイズデカップリング法）を、信号強度
（縦軸）と化学シフト（ｐｐｍ、横軸）との関係で示す
図である。共重合体３は、ポリメチルフェニルシランに
特徴的な−４０ｐｐｍ付近の３本の強いピークに加え
て、−３５ｐｐｍ付近のサテライトピークが少し強い。
このことは、３はポリメチルフェニルシランの鎖状骨格
に分岐Ｓｉ構造を意図的に導入できたことを意味する。
【００１２】以上の結果を総合的に判断すると、得られ
た有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝０．９７／
０．０３）は、Ｓｉ−Ｓｉ結合がシロキサン構造に転化
することなく、Ｓｉ主鎖骨格に少量の分岐Ｓｉ構造を導
入できていると推定される。
た有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝０．９７／
０．０３）は、Ｓｉ−Ｓｉ結合がシロキサン構造に転化
することなく、Ｓｉ主鎖骨格に少量の分岐Ｓｉ構造を導
入できていると推定される。
【００１３】応用例１
得られた有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝０．
９７／０．０３）及びポリメチルフェニルシランホモポ
リマーの発光スペクトルの励起エネルギー依存性を図７
及び図８に示す。すなわち、図７は実施例１で合成され
た有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝０．９７／
０．０３）薄膜の、図８はポリメチルフェニルシラン薄
膜の、それぞれ発光スペクトルの励起エネルギー依存性
を、発光強度（縦軸）とエネルギー（ｅＶ、横軸）との
関係で示す図である（測定温度４Ｋ）。励起エネルギー
にあまり依存せずに、有機シリコン高分子共重合体３は
ポリメチルフェニルシランホモポリマーに比べ、実質的
に２．０から３．３ｅＶ付近に幅広い発光帯のみが現わ
れている。
９７／０．０３）及びポリメチルフェニルシランホモポ
リマーの発光スペクトルの励起エネルギー依存性を図７
及び図８に示す。すなわち、図７は実施例１で合成され
た有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝０．９７／
０．０３）薄膜の、図８はポリメチルフェニルシラン薄
膜の、それぞれ発光スペクトルの励起エネルギー依存性
を、発光強度（縦軸）とエネルギー（ｅＶ、横軸）との
関係で示す図である（測定温度４Ｋ）。励起エネルギー
にあまり依存せずに、有機シリコン高分子共重合体３は
ポリメチルフェニルシランホモポリマーに比べ、実質的
に２．０から３．３ｅＶ付近に幅広い発光帯のみが現わ
れている。
【００１４】有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝
０．９７／０．０３）及びポリメチルフェニルシランホ
モポリマーの励起スペクトルのモニターエネルギー依存
性を図９及び図１０に示す。すなわち、図９は実施例１
で合成された有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝
０．９７／０．０３）薄膜の、図１０はポリメチルフェ
ニルシラン薄膜の、それぞれ励起スペクトルのモニター
エネルギー依存性を、モニター強度（縦軸）とエネルギ
ー（ｅＶ、横軸）との関係で示す図である（測定温度４
Ｋ）。２．０から３．３ｅＶ付近の幅広い発光帯の原因
に関して、有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝
０．９７／０．０３）はポリメチルフェニルシランホモ
ポリマーと同様に、主として４．０並びに４．８ｅＶ付
近のバンドが関与していることが明らかになった。すな
わち、有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝０．９
７／０．０３）の幅広い発光帯は、吸収スペクトルで見
えていた３．７ｅｖ付近の吸収が関与していないことを
意味している。
０．９７／０．０３）及びポリメチルフェニルシランホ
モポリマーの励起スペクトルのモニターエネルギー依存
性を図９及び図１０に示す。すなわち、図９は実施例１
で合成された有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝
０．９７／０．０３）薄膜の、図１０はポリメチルフェ
ニルシラン薄膜の、それぞれ励起スペクトルのモニター
エネルギー依存性を、モニター強度（縦軸）とエネルギ
ー（ｅＶ、横軸）との関係で示す図である（測定温度４
Ｋ）。２．０から３．３ｅＶ付近の幅広い発光帯の原因
に関して、有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝
０．９７／０．０３）はポリメチルフェニルシランホモ
ポリマーと同様に、主として４．０並びに４．８ｅＶ付
近のバンドが関与していることが明らかになった。すな
わち、有機シリコン高分子共重合体３（１／２＝０．９
７／０．０３）の幅広い発光帯は、吸収スペクトルで見
えていた３．７ｅｖ付近の吸収が関与していないことを
意味している。
【００１５】
【発明の効果】本発明で示したように、ポリメチルフェ
ニルシランホモポリマーに対して、ｎ−ブチルトリクロ
ロシランを共重合反応によって主鎖構造に組込むことに
よって、発光特性、光分解特性、酸化劣化特性が制御す
ることが可能となる。得られた有機シリコン高分子共重
合体はフォトレジスト、光導波路材料、シリコンカーバ
イドの前駆体、半導体、電子写真感光体、非線型光学材
料、発光材料として、幅広い分野の応用が期待される。
特に波長３００〜４００ｎｍにＳｉ−Ｓｉ連鎖に基づく
吸収帯が存在するため、微細加工用ネガ型材料として増
感材のいらない高分子厚膜のパターン化に適している。
また、可視光域発光材料としても有望である。
ニルシランホモポリマーに対して、ｎ−ブチルトリクロ
ロシランを共重合反応によって主鎖構造に組込むことに
よって、発光特性、光分解特性、酸化劣化特性が制御す
ることが可能となる。得られた有機シリコン高分子共重
合体はフォトレジスト、光導波路材料、シリコンカーバ
イドの前駆体、半導体、電子写真感光体、非線型光学材
料、発光材料として、幅広い分野の応用が期待される。
特に波長３００〜４００ｎｍにＳｉ−Ｓｉ連鎖に基づく
吸収帯が存在するため、微細加工用ネガ型材料として増
感材のいらない高分子厚膜のパターン化に適している。
また、可視光域発光材料としても有望である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１で合成された有機シリコン高
分子共重合体３（１／２＝０．９７／０．０３）のＦＴ
−ＩＲ吸収スペクトルを示す図である。
分子共重合体３（１／２＝０．９７／０．０３）のＦＴ
−ＩＲ吸収スペクトルを示す図である。
【図２】ポリメチルフェニルシラン薄膜のＦＴ−ＩＲ吸
収スペクトルを示す図である。
収スペクトルを示す図である。
【図３】図１の有機シリコン高分子共重合体３の電子吸
収スペクトルを示す図である。
収スペクトルを示す図である。
【図４】ポリメチルフェニルシランの電子吸収スペクト
ルを示す図である。
ルを示す図である。
【図５】図１の有機シリコン高分子共重合体３の29Ｓｉ
−ＦＴＮＭＲを示す図である。
−ＦＴＮＭＲを示す図である。
【図６】ポリメチルフェニルシランの29Ｓｉ−ＦＴＮＭ
Ｒを示す図である。
Ｒを示す図である。
【図７】図１の有機シリコン高分子共重合体３薄膜の発
光スペクトルの励起エネルギー依存性を示す図である。
光スペクトルの励起エネルギー依存性を示す図である。
【図８】ポリメチルフェニルシラン薄膜の発光スペクト
ルの励起エネルギー依存性を示す図である。
ルの励起エネルギー依存性を示す図である。
【図９】図１の有機シリコン高分子共重合体３薄膜の励
起スペクトルのモニターエネルギー依存性を示す図であ
る。
起スペクトルのモニターエネルギー依存性を示す図であ
る。
【図１０】ポリメチルフェニルシラン薄膜の励起スペク
トルのモニターエネルギー依存性を示す図である。
トルのモニターエネルギー依存性を示す図である。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所
Ｇ０３Ｇ 5/07 8305−2Ｈ
Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】 ポリメチルフェニルシラン構造を含む有
機シリコン高分子において、単分散ポリスチレンを基準
にしたゲルパーミエーションクロマトグラフ法により求
めた方法で重量平均分子量の値が２０００以上で、かつ
29Ｓｉ−ＦＴＮＭＲ（クロロホルム溶液中、テトラメチ
ルシラン基準）で−３０から−３５ｐｐｍ付近に、ポリ
メチルフェニルシランに特徴的な−４０ｐｐｍ以外のピ
ークを持つことを特徴とする有機シリコン高分子。 - 【請求項２】 メチルフェニルジクロロシランに対して
モル分率でｎ−ブチルトリクロロシランを０．０１から
０．５０共存させ、金属ナトリウム存在下脱塩縮合反応
によって製造することを特徴とする有機シリコン高分子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20352791A JPH0525281A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 有機シリコン高分子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20352791A JPH0525281A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 有機シリコン高分子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0525281A true JPH0525281A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16475633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20352791A Pending JPH0525281A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 有機シリコン高分子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525281A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5997637A (en) * | 1993-06-18 | 1999-12-07 | Nippon Oil Co., Ltd. | Method of producing a semiconducting material |
| JP2007145879A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-06-14 | Nippon Soda Co Ltd | 分岐型ポリシラン化合物の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP20352791A patent/JPH0525281A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5997637A (en) * | 1993-06-18 | 1999-12-07 | Nippon Oil Co., Ltd. | Method of producing a semiconducting material |
| JP2007145879A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-06-14 | Nippon Soda Co Ltd | 分岐型ポリシラン化合物の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7750176B2 (en) | Multi-functional cyclic siloxane compound and process for preparing dielectric film by using siloxane-based polymer prepared from the compound | |
| US8168742B2 (en) | Crosslinkable fluorinated aromatic prepolymer and its uses | |
| US5240813A (en) | Polysilphenylenesiloxane, production process thereof, and resist material and semiconductor device formed thereof | |
| KR20050034309A (ko) | 다반응성 환형 실리케이트 화합물, 상기 화합물로부터제조된 실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법 | |
| JPH0525281A (ja) | 有機シリコン高分子及びその製造方法 | |
| JPH0525282A (ja) | 有機シリコン高分子及びその製造方法 | |
| Watanabe et al. | Effect of Si-skeleton dimensionality on optical and electrical properties of poly (methylpenylsilylene) and poly (phenylsilyne) | |
| US5759638A (en) | Process for forming electronic circuit | |
| JPH04264132A (ja) | ヒドロフェニルポリシラン及びその製造方法 | |
| KR100453312B1 (ko) | 불소함유실리콘네트워크폴리머,그의절연막및그를이용한전자장치 | |
| KR102115976B1 (ko) | 자가-치유가 가능한 폴리실세스퀴옥산 및 이를 이용한 하이브리드 필름 | |
| Tang et al. | Synthesis and optical properties of a series of chromophore functionalized polysilanes | |
| JPH04264131A (ja) | アルキル置換ジフェニルポリシラン及びその製造方法 | |
| JPH04264133A (ja) | アルキル置換ジフェニルポリシラン及びその製造方法 | |
| JPH0368587A (ja) | 芳香族ポリイミドシラノール、その前駆物質及びそのポリマー | |
| JPH04264130A (ja) | アルキル置換ジフェニルポリシラン及びその製造方法 | |
| US5802233A (en) | Polysilane optical device | |
| Ban et al. | The importance of organosilane polymer photo‐oxidation in resist pattern fabrication | |
| Hu et al. | Synthesis and properties of novel conjugated poly (silylacetylene silazane) s | |
| JP3468717B2 (ja) | 低誘電率材料及び層間絶縁膜の製造方法 | |
| KR100660265B1 (ko) | 다반응성 환형 실록산 화합물, 상기 화합물로부터 제조된실록산계 중합체 및 상기 중합체를 이용한 절연막제조방법 | |
| Park et al. | Optically Active Poly [{methyl (1‐naphthyl) silylene}(o‐phenylene) methylene]‐Poly (ethylene glycol) Block Copolymer Micelles | |
| JP3534575B2 (ja) | 有機絶縁膜材料及びその製造方法 | |
| JPH11111062A (ja) | 架橋性ポリシラン組成物及びその成形膜 | |
| JPH08283415A (ja) | ポリシランの製造方法 |