JPH0525620A - スパツタリングターゲツト - Google Patents
スパツタリングターゲツトInfo
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- JPH0525620A JPH0525620A JP17796491A JP17796491A JPH0525620A JP H0525620 A JPH0525620 A JP H0525620A JP 17796491 A JP17796491 A JP 17796491A JP 17796491 A JP17796491 A JP 17796491A JP H0525620 A JPH0525620 A JP H0525620A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- copper
- brazing
- cooling member
- target material
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】１と４のターゲット材と冷却部材のろう接合に
おいて、ターゲット材１の接合面にめっき又は蒸着の前
処理を行ない、緩衝材２を、ろう材３と共に、両者の間
に挿入し、ろう接合を行なう。 【効果】ろう材に濡れにくいターゲットの接合を容易に
し、また、ターゲット材と冷却部材とのろう接合を反り
を生じさせることなく実施できる。
おいて、ターゲット材１の接合面にめっき又は蒸着の前
処理を行ない、緩衝材２を、ろう材３と共に、両者の間
に挿入し、ろう接合を行なう。 【効果】ろう材に濡れにくいターゲットの接合を容易に
し、また、ターゲット材と冷却部材とのろう接合を反り
を生じさせることなく実施できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はターゲット材料と銅，銅
合金等よりなる冷却部材とを、ろう接合するスパッタリ
ングターゲットに関する。
合金等よりなる冷却部材とを、ろう接合するスパッタリ
ングターゲットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、特開平1−262088 号公報の様に
ろう接合の冷却過程の反り等の変形に対処するのに、冷
却過程におけるターゲット材及び冷却部材の収縮量が同
一になる温度にそれぞれを加熱するのであるが、両方の
温度管理が、難しい。
ろう接合の冷却過程の反り等の変形に対処するのに、冷
却過程におけるターゲット材及び冷却部材の収縮量が同
一になる温度にそれぞれを加熱するのであるが、両方の
温度管理が、難しい。
【０００３】また、特開平1−262089 号公報の様に、ろ
う接合の冷却過程に、熱膨張の差異から接合体に生じる
反りの方向と、逆方向に反り量に格に与えつつろう接合
を行うが、反り量に応じた反りを適格に与えるのは、難
しく、現実的には作業が困難である。
う接合の冷却過程に、熱膨張の差異から接合体に生じる
反りの方向と、逆方向に反り量に格に与えつつろう接合
を行うが、反り量に応じた反りを適格に与えるのは、難
しく、現実的には作業が困難である。
【０００４】また、特開平2−11759号公報は、冷却部材
よりターゲットにその熱膨張係数が、近い固定用冷却治
具を用いて、接合するのであるが、ターゲットの材質に
より、接合の可否が左右されるので、汎用性に欠ける。
よりターゲットにその熱膨張係数が、近い固定用冷却治
具を用いて、接合するのであるが、ターゲットの材質に
より、接合の可否が左右されるので、汎用性に欠ける。
【０００５】本発明の目的は、特殊な拘束用治具を用い
ることなく、ろう材に濡れにくいターゲット材に、表面
処理（めっき又は蒸着）を施すことにより、接合が容易
に行なえ、ろう接合の際の冷却過程で熱膨張係数の差異
による反り等の変形，剥離・割れを、銅又は銀箔を緩衝
材として用い、防止することにある。
ることなく、ろう材に濡れにくいターゲット材に、表面
処理（めっき又は蒸着）を施すことにより、接合が容易
に行なえ、ろう接合の際の冷却過程で熱膨張係数の差異
による反り等の変形，剥離・割れを、銅又は銀箔を緩衝
材として用い、防止することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、特殊な治工具を必要
とせず、多種類にわたるターゲット材に応用できること
にある。
とせず、多種類にわたるターゲット材に応用できること
にある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】スパッタリングターゲ
ット材は、銅及び銅合金の冷却部材に接合し、スパッタ
リング装置に装着し、水冷して使用するのが、通例であ
る。
ット材は、銅及び銅合金の冷却部材に接合し、スパッタ
リング装置に装着し、水冷して使用するのが、通例であ
る。
【０００８】スパッタリングターゲット材の接合に供す
るろう材は、装置内の汚染の問題から、通常の半田では
なく、Ｉn系の半田を使用する。
るろう材は、装置内の汚染の問題から、通常の半田では
なく、Ｉn系の半田を使用する。
【０００９】ターゲット材の材質により、例えば、Ｃo
系では、Ｉn半田に濡れず接合が難しい。
系では、Ｉn半田に濡れず接合が難しい。
【００１０】又、ターゲット材と、冷却部材である銅又
は銅系合金では、熱膨張係数に差異がある場合には、ろ
う接合の冷却過程時に、その差異のため反りが発生し、
スパッタリング装置に装着できないという問題があっ
た。
は銅系合金では、熱膨張係数に差異がある場合には、ろ
う接合の冷却過程時に、その差異のため反りが発生し、
スパッタリング装置に装着できないという問題があっ
た。
【００１１】
【課題を解決するための手段】ろう材に、濡れにくい材
質のターゲットには、その形状に応じて冷却部材と同材
質である銅又は金を、蒸着又はめっきを施して、表面改
質を行なう。
質のターゲットには、その形状に応じて冷却部材と同材
質である銅又は金を、蒸着又はめっきを施して、表面改
質を行なう。
【００１２】ターゲット材と、銅等の冷却部材とに、熱
膨張係数に差異がある場合に、ろう接合冷却時の反りの
発生を防止するため、緩衝材として、銀又は銅の箔を介
することにより、冷却時の応力を緩和して、ターゲット
材を装置に装着するのに、支障が無い程度に、反りの発
生を防止する。
膨張係数に差異がある場合に、ろう接合冷却時の反りの
発生を防止するため、緩衝材として、銀又は銅の箔を介
することにより、冷却時の応力を緩和して、ターゲット
材を装置に装着するのに、支障が無い程度に、反りの発
生を防止する。
【００１３】
【作用】ろう材に濡れにくいターゲット材を、どのよう
なろう材にも濡れやすい、金又は銅を、めっきもしくは
蒸着等の表面改質を行ない、濡れ性を改善し、ろう接合
を容易にしている。
なろう材にも濡れやすい、金又は銅を、めっきもしくは
蒸着等の表面改質を行ない、濡れ性を改善し、ろう接合
を容易にしている。
【００１４】熱膨張係数に差異がある場合には、拡散接
合を除く一般的なろう接合では、接合後に反りが生じ
る。本発明の対象品であるスパッタリングターゲット
は、８″〜１５″の円形や、短辺が３００〜４００ｍ
ｍ、長辺が４００〜６００ｍｍの大型品が多く、反り量
も大きくなる傾向にある。
合を除く一般的なろう接合では、接合後に反りが生じ
る。本発明の対象品であるスパッタリングターゲット
は、８″〜１５″の円形や、短辺が３００〜４００ｍ
ｍ、長辺が４００〜６００ｍｍの大型品が多く、反り量
も大きくなる傾向にある。
【００１５】この反りを防止するには、塑性変形をおこ
し、応力を緩和するために、１００ｍ〜３ｍｍの銅又は
銀の箔を間に介し、反りを防止している。
し、応力を緩和するために、１００ｍ〜３ｍｍの銅又は
銀の箔を間に介し、反りを防止している。
【００１６】
【実施例】Ｃｏが７０〜８０ｗｔ％を含むターゲット材
では、ろう材には、濡れない。ターゲット材の形状が、
８″の大きさまでは、Ｎｉ／Ａｕ、又はＮｉ／Ｃｕをそ
れぞれ０.２ μｍ〜１μｍの蒸着が行なえる。こうして
大きいターゲット材には、無電解Ｎｉめっきを、膜厚約
２〜３μｍ、その上にＣｕ又はＡｕの無電解めっきを２
〜４μｍ施した。
では、ろう材には、濡れない。ターゲット材の形状が、
８″の大きさまでは、Ｎｉ／Ａｕ、又はＮｉ／Ｃｕをそ
れぞれ０.２ μｍ〜１μｍの蒸着が行なえる。こうして
大きいターゲット材には、無電解Ｎｉめっきを、膜厚約
２〜３μｍ、その上にＣｕ又はＡｕの無電解めっきを２
〜４μｍ施した。
【００１７】テープ剥離テストの結果、どちらの場合に
も、剥離は認められなかった。
も、剥離は認められなかった。
【００１８】又、無電解めっきでは、ターゲット全面
に、めっきされるので、接合面示外には、全て、マスキ
ングを行ない、選択めっきを行なった。
に、めっきされるので、接合面示外には、全て、マスキ
ングを行ない、選択めっきを行なった。
【００１９】次に、Ｃｏ７０〜８０ｗｔ％のターゲット
と銅の冷却部材との接合について述べる。ろう材として
は、Ｉｎ半田，緩衝材として、０.５ｍｍの銅板と銀板
を用いた。
と銅の冷却部材との接合について述べる。ろう材として
は、Ｉｎ半田，緩衝材として、０.５ｍｍの銅板と銀板
を用いた。
【００２０】前処理が終わったターゲットの接合面にＩ
ｎ半田箔を置き、ターゲット材を１８０〜２００℃に加
熱し、接合面上に、溶融したＩｎ半田をターゲット全面
に薄くのばす。
ｎ半田箔を置き、ターゲット材を１８０〜２００℃に加
熱し、接合面上に、溶融したＩｎ半田をターゲット全面
に薄くのばす。
【００２１】この方法と同様にして、銅の冷却部材にも
Ｉｎ半田を塗布する。
Ｉｎ半田を塗布する。
【００２２】次に、銅冷却部材と、ターゲット材の間
に、銅板を挿入し、下から順に銅冷却部材，Ｉｎ半田
箔，銅板，Ｉｎ半田箔，ターゲットを積層し、更に形状
に応じて５〜５０ｋｇのおもしを乗せて、雰囲気温度２
００〜２３０℃の炉の中に、銀板を緩衝材として、接合
を行なった。
に、銅板を挿入し、下から順に銅冷却部材，Ｉｎ半田
箔，銅板，Ｉｎ半田箔，ターゲットを積層し、更に形状
に応じて５〜５０ｋｇのおもしを乗せて、雰囲気温度２
００〜２３０℃の炉の中に、銀板を緩衝材として、接合
を行なった。
【００２３】いづれの場合も、反り，剥離，変形のない
接合が行なえた。
接合が行なえた。
【００２４】この接合品の放射線検査を行なったとこ
ろ、面積率９５％以上の密着が確認された。
ろ、面積率９５％以上の密着が確認された。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、緩衝材を介することにより、
熱膨張係数差を吸収し、ターゲット材と冷却部材とのろ
う接合を反りを生じさせることなく実施できる。
熱膨張係数差を吸収し、ターゲット材と冷却部材とのろ
う接合を反りを生じさせることなく実施できる。
【００２６】Ｃｏ系のターゲット材のように、ろう材に
濡れにくい材質に、めっき又は、蒸着を施して、ろう接
合が容易に出来る。
濡れにくい材質に、めっき又は、蒸着を施して、ろう接
合が容易に出来る。
【図１】接合前の各部材の積層を示す説明図。
【図２】実施例における接合された状態を示す説明図。
１…ターゲット材、２…緩衝材、３…ろう材、４…冷却
部材。
部材。
Claims (2)
- 【請求項１】ターゲット材と銅，銅合金等よりなる冷却
部材との間にろう材を介させ、これを加熱，冷却してろ
う接合するスパッタリングターゲットにおいて、前記タ
ーゲット材に、銅および銅合金を、蒸着又はめっきを施
して前記ろう材との濡れ性を改善することを特徴とする
スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】請求項１において、前処理を行なった後、
前記ターゲット材と前記冷却部材の間に、銅及び銀箔又
は、銅−炭素複合材を挿入して、前記ターゲット材と前
記冷却部材との熱膨張差を緩和し、反りを生じさせない
スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17796491A JPH0525620A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | スパツタリングターゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17796491A JPH0525620A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | スパツタリングターゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0525620A true JPH0525620A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16040158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17796491A Pending JPH0525620A (ja) | 1991-07-18 | 1991-07-18 | スパツタリングターゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525620A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006512479A (ja) * | 2002-07-10 | 2006-04-13 | テクマシーン | 真空スパッタリング用カソード |
| WO2008096648A1 (ja) | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
| DE112006003537B4 (de) | 2005-12-28 | 2017-07-06 | Plansee Se | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargetaufbaus |
| US11538673B2 (en) | 2019-02-12 | 2022-12-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly |
-
1991
- 1991-07-18 JP JP17796491A patent/JPH0525620A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006512479A (ja) * | 2002-07-10 | 2006-04-13 | テクマシーン | 真空スパッタリング用カソード |
| DE112006003537B4 (de) | 2005-12-28 | 2017-07-06 | Plansee Se | Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargetaufbaus |
| WO2008096648A1 (ja) | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
| JPWO2008096648A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2010-05-20 | 日鉱金属株式会社 | 高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
| JP2012136779A (ja) * | 2007-02-09 | 2012-07-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
| EP2806048A2 (en) | 2007-02-09 | 2014-11-26 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Target formed of sintering-resistant material of high-melting point metal alloy, high-melting point metal silicide, high-melting point metal carbide, high-melting point metal nitride, or high-melting point metal boride, process for producing the target, assembly of the sputtering target-backing plate, and process for producing the same |
| US9677170B2 (en) | 2007-02-09 | 2017-06-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Target formed of sintering-resistant material of high-melting point metal alloy, high-melting point metal silicide, high-melting point metal carbide, high-melting point metal nitride, or high-melting point metal boride, process for producing the target, assembly of the sputtering target-backing plate, and process for producing the same |
| US10344373B2 (en) | 2007-02-09 | 2019-07-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Process for producing a target formed of a sintering-resistant material of a high-melting point metal alloy, silicide, carbide, nitride or boride |
| US11538673B2 (en) | 2019-02-12 | 2022-12-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly |
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