JPH0526182B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526182B2 JPH0526182B2 JP59135203A JP13520384A JPH0526182B2 JP H0526182 B2 JPH0526182 B2 JP H0526182B2 JP 59135203 A JP59135203 A JP 59135203A JP 13520384 A JP13520384 A JP 13520384A JP H0526182 B2 JPH0526182 B2 JP H0526182B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- exposure
- photosensitive material
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は磁気バブルメモリ素子等のパターン作
成方法に関するのである。
成方法に関するのである。
技術の背景
以下、磁気バブルメモリ素子に例をとり説明す
る。近時、磁気バブルメモリ素子はその高密度化
が進むにつれて情報蓄積部ではバブル転送用パタ
ーンが小型化し、４メガビツトチツプでは１周期
が4μｍ程度になつて来ている。一方スワツプゲ
ート、レプリケートゲート、ジエネレータ等の機
能部ではコンダクタパターンとの位置合わせ精度
を考慮して例えば16μｍ周期のような大きなパタ
ーンを用いている。このように１つのチツプ内に
大きさの異なる転送パターンを用いると、パター
ンの大きさによりバブル駆動力に相違があるため
特性上問題が生ずる。これを改善するため大きな
パターン部には厚いスペーサを用い、小さなパタ
ーン部には薄いスペーサを用いて駆動力の差を調
整するようにしたデユアルスペーサ方式が開発さ
れている。
る。近時、磁気バブルメモリ素子はその高密度化
が進むにつれて情報蓄積部ではバブル転送用パタ
ーンが小型化し、４メガビツトチツプでは１周期
が4μｍ程度になつて来ている。一方スワツプゲ
ート、レプリケートゲート、ジエネレータ等の機
能部ではコンダクタパターンとの位置合わせ精度
を考慮して例えば16μｍ周期のような大きなパタ
ーンを用いている。このように１つのチツプ内に
大きさの異なる転送パターンを用いると、パター
ンの大きさによりバブル駆動力に相違があるため
特性上問題が生ずる。これを改善するため大きな
パターン部には厚いスペーサを用い、小さなパタ
ーン部には薄いスペーサを用いて駆動力の差を調
整するようにしたデユアルスペーサ方式が開発さ
れている。
従来技術と問題点
第６図は従来のデユアルスペーサ方式を説明す
るための図である。この方式は、バブル用結晶２
０上にSiO2層２１をスパツタにより形成し、そ
の上にAuの機能ゲート制御用導体パターン２２
を作成し、その導体パターンの段差を平坦化する
目的でPOLS樹脂２３を塗布・熱硬化したのち、
情報蓄積部の領域ａのPOLS樹脂及びSiO2をエツ
チングしてバブル用結晶２０の表面を露出させ、
次いで全面にSiO2層２４を形成し、その上にパ
ーマロイ等の軟磁性材料を蒸着した後、そのパー
マロイ層をホトリソグラフイ法及びイオンエツチ
ング法を用いてバブル転送用パターン２５，２６
を形成するのである。ところが上記製造工程にお
いてSiO2層２１とPOLS樹脂層２３をエツチング
した段差部分２７の角度θが90°近く急峻である
と、その後のSiO2層２４にもその急峻さが残る。
そのためパーマロイ層をエツチングするとき段差
部分にエツチング残りが生ずる。このエツチング
残りを防止するため、従来は投影型露光装置を用
いてレジストに露光する場合、ウエーハとレンズ
との距離をデイフオーカスにしてレジストパター
ンのエツジをダラす方法がとられていた。しかし
この場合は、ダレに対する再現性の問題が起つて
いた。第７図はフオーカスとパターン寸法の関係
を示したものであるが、矢印で示すべストフオー
カス以外の点ではフオーカス値に対するパターン
幅の変動が大きいことが分る。これが再現性を得
にくくしている理由である。
るための図である。この方式は、バブル用結晶２
０上にSiO2層２１をスパツタにより形成し、そ
の上にAuの機能ゲート制御用導体パターン２２
を作成し、その導体パターンの段差を平坦化する
目的でPOLS樹脂２３を塗布・熱硬化したのち、
情報蓄積部の領域ａのPOLS樹脂及びSiO2をエツ
チングしてバブル用結晶２０の表面を露出させ、
次いで全面にSiO2層２４を形成し、その上にパ
ーマロイ等の軟磁性材料を蒸着した後、そのパー
マロイ層をホトリソグラフイ法及びイオンエツチ
ング法を用いてバブル転送用パターン２５，２６
を形成するのである。ところが上記製造工程にお
いてSiO2層２１とPOLS樹脂層２３をエツチング
した段差部分２７の角度θが90°近く急峻である
と、その後のSiO2層２４にもその急峻さが残る。
そのためパーマロイ層をエツチングするとき段差
部分にエツチング残りが生ずる。このエツチング
残りを防止するため、従来は投影型露光装置を用
いてレジストに露光する場合、ウエーハとレンズ
との距離をデイフオーカスにしてレジストパター
ンのエツジをダラす方法がとられていた。しかし
この場合は、ダレに対する再現性の問題が起つて
いた。第７図はフオーカスとパターン寸法の関係
を示したものであるが、矢印で示すべストフオー
カス以外の点ではフオーカス値に対するパターン
幅の変動が大きいことが分る。これが再現性を得
にくくしている理由である。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、パターンエ
ツジの角度を緩くし、且つその再現性が良好なパ
ターン形成方法を提供することを目的とするもの
である。
ツジの角度を緩くし、且つその再現性が良好なパ
ターン形成方法を提供することを目的とするもの
である。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、ホトリソグ
ラフイ法によりマスクパターンをウエーハ上の感
光物質に転写したのちエツチングしてパターンを
作成するパターン作成方法において、露光を２回
に分け、その第１回目の露光を所要の露光量の1/
２で行ない、その後、所望のパターンエツジにダ
レを生じさせる方向にマスクを微小量移動させて
第２回目の露光を残りの露光量で行ない、マスク
パターンを感光物質に転写し、該感光物質をマス
クにしてウエーハ上の薄膜をエツチングし、所望
のパターンエツジにダレを有するパターンを形成
することを特徴とするパターン作成方法を提供す
ることによつて達成される。
ラフイ法によりマスクパターンをウエーハ上の感
光物質に転写したのちエツチングしてパターンを
作成するパターン作成方法において、露光を２回
に分け、その第１回目の露光を所要の露光量の1/
２で行ない、その後、所望のパターンエツジにダ
レを生じさせる方向にマスクを微小量移動させて
第２回目の露光を残りの露光量で行ない、マスク
パターンを感光物質に転写し、該感光物質をマス
クにしてウエーハ上の薄膜をエツチングし、所望
のパターンエツジにダレを有するパターンを形成
することを特徴とするパターン作成方法を提供す
ることによつて達成される。
発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によつて詳述する。
第１図は本発明によるパターン作成方法の原理
を説明するため図であり、ａは通常の露光を行な
つた場合のレジスト内の位置と露光量を示したも
の、ｂは本発明による露光を行なつた場合のレジ
スト内の位置と、露光量の関係を示したものであ
る。
を説明するため図であり、ａは通常の露光を行な
つた場合のレジスト内の位置と露光量を示したも
の、ｂは本発明による露光を行なつた場合のレジ
スト内の位置と、露光量の関係を示したものであ
る。
ａ図において、レジスト内位置０はマスクパタ
ーンのエツジに相当する位置であり、露光量は
0.5（50％）となる。露光量はレンズの性能により
レジスト内でダレた分布を持つ。ｂ図に示す本発
明の場合はＡ、B2回の露光を行ない、各露光の
露光量を従来の1/2とし、またマスクパターンを
1μｍずらして行なつたものである。この場合Ａ
＋Ｂで表わされる露光分布をレジスト内に生じこ
れがレジストパターンのダレとなる。
ーンのエツジに相当する位置であり、露光量は
0.5（50％）となる。露光量はレンズの性能により
レジスト内でダレた分布を持つ。ｂ図に示す本発
明の場合はＡ、B2回の露光を行ない、各露光の
露光量を従来の1/2とし、またマスクパターンを
1μｍずらして行なつたものである。この場合Ａ
＋Ｂで表わされる露光分布をレジスト内に生じこ
れがレジストパターンのダレとなる。
第２図は本発明によるパターン作成方法の実施
例を説明するための図であり、ａはマスクパター
ンをＸ、Ｙ方向に等しくずらした場合、ｂはＸ方
向にだけずらした場合である。
例を説明するための図であり、ａはマスクパター
ンをＸ、Ｙ方向に等しくずらした場合、ｂはＸ方
向にだけずらした場合である。
同図において、Ａは１回目の露光、Ｂはマスク
パターンをずらして露光した２回目の露光を示し
たものでハツチングを施した部分がダレを生ずる
部分である。従つてａ図においては２点、ｂ図に
おいては２直線にダレの少ない部分を生じてい
る。
パターンをずらして露光した２回目の露光を示し
たものでハツチングを施した部分がダレを生ずる
部分である。従つてａ図においては２点、ｂ図に
おいては２直線にダレの少ない部分を生じてい
る。
第３図は本発明を磁気バブルメモリのデユアル
スペーサ方式の段差部に応用した例を示した図で
あり、ａはホトレジストパターン作成後、ｂは
SiO2、POLS層のエツチング後の状態をそれぞれ
示す。
スペーサ方式の段差部に応用した例を示した図で
あり、ａはホトレジストパターン作成後、ｂは
SiO2、POLS層のエツチング後の状態をそれぞれ
示す。
同図において、１はバブル用結晶、２はSiO2
層、３は導体パターン、４はPOLS樹脂層、５は
ホトレジストをそれぞれ示す。
層、３は導体パターン、４はPOLS樹脂層、５は
ホトレジストをそれぞれ示す。
本応用例は第３図ａに示す様にSiO2層２、導
体パターン３作成、POLS樹脂４塗布後、情報蓄
積部領域６（4μｍ周期パターン部）のSiO2層２
とPOLS樹脂層４をエツチング除去するためホト
レジスト５を塗布し、本発明方法を用いてパター
ンニングし傾斜したエツジ部７を得る。このパタ
ーンニングしたホトレジスト５をマスクとして
SiO2層２及びPOLS樹脂層４をドライエツチング
すればｂ図の如くホトレジスト５のエツジ部の角
度に対応した角度θでSiO2層２及びPOLS樹脂層
４の段差部８が得られる。この場合ホトレジスト
５のエツジのテーパ角θと２回露光のマスクパタ
ーンのずらし量ｄとの関係は第４図に示す如くに
なる。デユアルスペーサ段差部８の角度θは65°
以下が特性上好ましいことが分つており、これよ
りｄは1.0μｍ以上が良いことが分る。
体パターン３作成、POLS樹脂４塗布後、情報蓄
積部領域６（4μｍ周期パターン部）のSiO2層２
とPOLS樹脂層４をエツチング除去するためホト
レジスト５を塗布し、本発明方法を用いてパター
ンニングし傾斜したエツジ部７を得る。このパタ
ーンニングしたホトレジスト５をマスクとして
SiO2層２及びPOLS樹脂層４をドライエツチング
すればｂ図の如くホトレジスト５のエツジ部の角
度に対応した角度θでSiO2層２及びPOLS樹脂層
４の段差部８が得られる。この場合ホトレジスト
５のエツジのテーパ角θと２回露光のマスクパタ
ーンのずらし量ｄとの関係は第４図に示す如くに
なる。デユアルスペーサ段差部８の角度θは65°
以下が特性上好ましいことが分つており、これよ
りｄは1.0μｍ以上が良いことが分る。
また本発明は導体パターンの作成にも適用可能
である。即ち、第５図に示すようにパーマロイパ
ターン１０が横切る導体パターン１１のエツヂに
傾斜（ハツチングを付して示した部分）を付けパ
ーマロイパターン１０に生ずる段差を緩和するこ
とも可能である。
である。即ち、第５図に示すようにパーマロイパ
ターン１０が横切る導体パターン１１のエツヂに
傾斜（ハツチングを付して示した部分）を付けパ
ーマロイパターン１０に生ずる段差を緩和するこ
とも可能である。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明のパターン
形成方法はホトレジストに対しマスクパターンを
ずらして２度露光することにより、レジストのパ
ターンエツジ部の角度を緩くし、そのレジストを
マスクとして薄膜をエツチングした場合の薄膜パ
ターンのエツジ部の角度を緩くすることを再現性
良く実現することができるといつた効果大なるも
のである。
形成方法はホトレジストに対しマスクパターンを
ずらして２度露光することにより、レジストのパ
ターンエツジ部の角度を緩くし、そのレジストを
マスクとして薄膜をエツチングした場合の薄膜パ
ターンのエツジ部の角度を緩くすることを再現性
良く実現することができるといつた効果大なるも
のである。
第１図は本発明によるパターン作成方法の原理
を説明するための図、第２図は本発明によるパタ
ーン作成方法の実施例を説明するための図、第３
図は本発明によるパターン作成方法の応用例とし
てデユアルスペーサ方式の磁気バブルメモリを説
明するための図、第４図はマスクパターンのずら
し量とホトレジストのパターンエツジのテーパ角
との関係を示した図、第５図は本発明のパターン
作成方法を導体パターンに応用した例を説明する
ための図、第６図は従来のデユアルスペーサ方式
の磁気バブルメモリを説明するための図、第７図
はフオーカスとパターン寸法の関係を示した図で
ある。 図面において、１はバブル用結晶、２はSiO2
層、３は導体パターン、４はPOLS樹脂層、５は
ホトレジスト、６は情報蓄積領域、７，８はエツ
ジ部をそれぞれ示す。
を説明するための図、第２図は本発明によるパタ
ーン作成方法の実施例を説明するための図、第３
図は本発明によるパターン作成方法の応用例とし
てデユアルスペーサ方式の磁気バブルメモリを説
明するための図、第４図はマスクパターンのずら
し量とホトレジストのパターンエツジのテーパ角
との関係を示した図、第５図は本発明のパターン
作成方法を導体パターンに応用した例を説明する
ための図、第６図は従来のデユアルスペーサ方式
の磁気バブルメモリを説明するための図、第７図
はフオーカスとパターン寸法の関係を示した図で
ある。 図面において、１はバブル用結晶、２はSiO2
層、３は導体パターン、４はPOLS樹脂層、５は
ホトレジスト、６は情報蓄積領域、７，８はエツ
ジ部をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ホトリソグラフイ法によりマスクパターンを
ウエーハ上の感光物質に転写したのちエツチング
してパターンを作成するパターン作成方法におい
て、露光を２回に分け、その第１回目の露光を所
要の露光量の1/2で行ない、その後、所望のパタ
ーンエツジにダレを生じさせる方向にマスクを微
小量移動させて第２回目の露光を残りの露光量で
行ない、マスクパターンを感光物質に転写し、該
感光物質をマスクにしてウエーハ上の薄膜をエツ
チングし、所望のパターンエツジにダレを有する
パターンを形成することを特徴とするパターン作
成方法。 ２ 上記マスクパターンの露光に投影型ステツパ
ー方式を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のパターン作成方法。 ３ 上記マスクとウエーハとの相対位置のずらし
量がＸ方向とＹ方向とで異なることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のパターン作成方法。 ４ 上記薄膜のエツチングはイオンエツチングあ
るいはプラズマエツチング等のドライエツチング
法を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のパターン作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135203A JPS6115140A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | パタ−ン作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135203A JPS6115140A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | パタ−ン作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6115140A JPS6115140A (ja) | 1986-01-23 |
| JPH0526182B2 true JPH0526182B2 (ja) | 1993-04-15 |
Family
ID=15146260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59135203A Granted JPS6115140A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | パタ−ン作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6115140A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07113283B2 (ja) * | 1991-01-31 | 1995-12-06 | 鹿島建設株式会社 | 竪型地下駐車場 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5429976A (en) * | 1977-08-10 | 1979-03-06 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5968737A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型及びネガ型パタ−ンの同時形成方法 |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP59135203A patent/JPS6115140A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6115140A (ja) | 1986-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |