JPH0526475Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔概要〕 セラミツク成形体を焼成してセラミツク基板を
形成する焼成工程において、セラミツク成形体の
全面にわたつて均一に加熱するため、加熱炉内を
進行するセラミツク焼成体を回転しながら加熱す
る構成とし、炉内の温度差による加熱温度の相違
を解消するようにしている。

〔産業上の利用分野〕

本考案はセラミツク基板の焼成装置に関し、特
に加熱炉内の温度分布の相違を解消して均一な温
度加熱を行うようにしたセラミツク基板の焼成装
置に関するものである。

電子機器等の配線基板に用いられるセラミツク
基板は、セラミツク成形体を焼成して形成され
る。このセラミツク成形体の焼成工程において、
セラミツク成形体の全面を均一な温度で加熱しな
いと、加熱温度差によつてセラミツク成形体に歪
が発生し、高精度なセラミツク基板が得られな
い。

かかるゆえに、炉内の温度分布を均一とするよ
うにしているが、現在の加熱炉では均一な温度分
布を得ることが難しい。そこで、加熱炉の簡単な
改造によつてセラミツク成形体の全面に均一な温
度加熱が得られる焼成装置は要望されている。

〔従来の技術〕

第３図はセラミツク基板の焼成装置の模式図、
第４図は焼成装置の加熱温度特性図、第５図は従
来のセラミツク成形体搬送模式図を示している。

第３図に示すように、セラミツク基板の焼成装
置は、例えば20個の加熱炉１−１〜１−20を直列
状に配設し、各加熱炉の温度を、第４図の加熱温
度特性図で示すように、加熱炉１−１から１−10
と順次高くし、加熱炉１−10で最高温度のT₃と
した後、加熱炉１−10から１−20と順次温度を低
くし、加熱炉１−20において最初の加熱炉１−１
の温度T₁と同じ温度としている。

このように直列状に配設された加熱炉１−１〜
１−20内を順次、第５図に示す、コンベア４が所
定の速度で移動する。コンベア４上にはセラミツ
ク成形体２を載置するセター３が固定されてお
り、加熱炉１−１〜１−20を通過することによつ
てセラミツク成形体２が焼成されてセラミツク基
板が形成される。

〔考案が解決しようとする問題点〕

上記、従来の焼成装置においては、各加熱炉内
部を均一な規定温度とすることが難しく、各炉内
において温度差が発生する。それがために、セラ
ミツク成形体２面で加熱温度差ができて焼成時に
歪が発生し、高精度なセラミツク基板が得られな
いといつた問題がある。

本考案はこのような点に鑑みて創作されたもの
で、焼成装置に大幅な改造を施すことなく、セラ
ミツク成形体面に均一な温度を加熱して高精度な
セラミツク基板が得られる焼成装置を提供するこ
とを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本考案のセラミツク基板焼成装置の模
式図を示しており、各加熱炉内に所定の間隔を持
つて当金５−１，５−２を設けるとともに、前記
セラミツク成形体２を載置したコンベア４の移動
に伴つて前記当金５−１，５−２と当接して前記
セラミツク成形体２を回転せしめる回転台６を前
記コンベア４上に備えた構成としている。

〔作用〕

コンベア４が矢印方向に移動するに伴つて回転
台６の突起部（図では６−１）が当金５−１に当
接し、回転台６が点線矢印で示す方向に1/4回転
する。更にコンベア４が移動すると当金５−２に
回転台６の突起部６−４が当接し、回転台６はさ
らに1/4回転する。このように所定の間隔を持つ
て設けられた当金に回転台６の突起部が順次当接
する毎に回転台６は1/4回転づつ回転し、その上
に載置されているセラミツク成形体２も同時に回
転する。

このセラミツク成形体２の回転により、加熱炉
内の不均一な温度もセラミツク成形体２面では略
均一化され、セラミツク成形体２の全面にわたつ
て略均一な加熱温度となり、高精度なセラミツク
基板の焼成が可能となる。

〔実施例〕

第１図は本考案の一実施例の模式図、第２図は
一実施例の回転台の模式図を示している。

第１図において、回転台６は、その形状を巴型
とし、４つの突起部６−１〜６−４を設けてい
る。

また、第２図に示すように、回転台６は、その
重心位置に回転軸７を設け、回転軸７をコンベア
４に嵌入し、回転軸７を中心として回転台６を回
転自在としている。

また、各加熱炉の側壁に突起部間の回転距離
より長い距離１（＜１）の間隔を持つて当
金５−１，５−２を設けている。

いま、コンベア４が矢印方向に移動すると回転
台６の突起部６−１が当金５−１に当接し、コン
ベア４の移動に伴つて回転台６が点線矢印で示す
方向に約1/4回転する。更にコンベア４が矢印方
向に移動すると当金５−２が回転台６の突起部６
−４に当接し、回転台６は更に約1/4回転する。
このように所定の間隔を持つて設けられた当金に
回転台６の突起部が順次当接する毎に回転台６は
１／４回転づつ回転し、その上に載置されているセ
ラミツク焼成体２も同時に1/4づつ回転する。

このように加熱炉内をセラミツク成形体２が回
転することによつて加熱炉内の不均一な温度もセ
ラミツク成形体２面では略均一化され、セラミツ
ク焼成体全面にわたつて略均一な加熱温度とな
り、高精度なセラミツク基板の焼成が可能とな
る。

なお、本実施例では当金間の間隔１を突起部
間の回転距離との関係＜１を満足する最短距
離とし、加熱炉内での回転数を多くしている。

〔考案の効果〕

以上説明したように本考案によれば、焼成装置
の簡易な改造により、セラミツク成形体全面が略
均一な加熱温度となり、高精度なセラミツク基板
が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案のセラミツク焼成体搬送模式
図、第２図は一実施例の回転台の模式図、第３図
は焼成装置の模式図、第４図は焼成装置の加熱温
度特性図、第５図は従来のセラミツク焼成体搬送
模式図である。 図において、１−１〜１−20は加熱炉、２はセ
ラミツク成形体、３はセター、４はコンベア、５
−１，５−２は当金、６は回転台、６−１〜６−
４は突起部を示している。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 移動するコンベア４上にセラミツク成形体２を
   載置し、複数個の加熱炉１−１〜１−10を通して
   セラミツク基板を焼成する焼成装置において、 前記各加熱炉内に所定の間隔を持つて当金５−
   １，５−２を設けるとともに、前記セラミツク成
   形体２を載置したコンベア４の移動に伴つて前記
   当金５−１，５−２と当接して前記セラミツク成
   形体を回転せしめる回転台６を前記コンベア４上
   に備えてなることを特徴とするセラミツク基板の
   焼成装置。