JPH05267391A - 析出半田法を用いた部品の実装方法 - Google Patents
析出半田法を用いた部品の実装方法Info
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- JPH05267391A JPH05267391A JP4060605A JP6060592A JPH05267391A JP H05267391 A JPH05267391 A JP H05267391A JP 4060605 A JP4060605 A JP 4060605A JP 6060592 A JP6060592 A JP 6060592A JP H05267391 A JPH05267391 A JP H05267391A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は所望の膜厚を有する半田の形成と信頼
性の高い基板電極と部品電極間の接合とを同時に行うこ
とのできる部品実装方法を提供することを目的とする。 【構成】析出半田法により基板１１上に部品１４を実装
する方法において、該基板１１の部品実装部上に析出半
田用のペースト１７を塗布し、基板１１と部品１４との
間に半田高さ調整用のスペーサ１６，１９，２０を介在
させて基板１１と部品１４とを離間させながら基板電極
１２と部品電極１５との位置合わせを行い、所定温度に
加熱することにより、基板電極１２側及び部品電極１５
側から半田を析出させ、基板電極１２と部品電極１５と
の接合を行うように構成する。
性の高い基板電極と部品電極間の接合とを同時に行うこ
とのできる部品実装方法を提供することを目的とする。 【構成】析出半田法により基板１１上に部品１４を実装
する方法において、該基板１１の部品実装部上に析出半
田用のペースト１７を塗布し、基板１１と部品１４との
間に半田高さ調整用のスペーサ１６，１９，２０を介在
させて基板１１と部品１４とを離間させながら基板電極
１２と部品電極１５との位置合わせを行い、所定温度に
加熱することにより、基板電極１２側及び部品電極１５
側から半田を析出させ、基板電極１２と部品電極１５と
の接合を行うように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細部品の基板への実装
方法に関する。通信装置等の電子機器の小型化への要求
に伴い、部品の小型化やフォトリソグラフィ技術を用い
た微細配線の形成等による高密度実装化が急ピッチで進
んでいる。これに応じて、微細化した部品電極パッドと
基板電極パッド間を接合する部品実装においても、微細
接合技術の確立が要望されている。
方法に関する。通信装置等の電子機器の小型化への要求
に伴い、部品の小型化やフォトリソグラフィ技術を用い
た微細配線の形成等による高密度実装化が急ピッチで進
んでいる。これに応じて、微細化した部品電極パッドと
基板電極パッド間を接合する部品実装においても、微細
接合技術の確立が要望されている。
【０００２】
【従来の技術】図６はコンデンサ等の小型部品の従来の
実装方法を示している。まず、図６（ａ）に示すよう
に、基板１の電極パッド２上に半田バンプ３を形成し、
次に（ｂ）に示すように部品４を位置合わせして半田バ
ンプ３上に搭載し、リフローによって半田バンプ３を溶
融・固化させて、図６（ｃ）に示すように半田７により
基板電極パッド２と部品電極パッド５との間の接合を行
っている。
実装方法を示している。まず、図６（ａ）に示すよう
に、基板１の電極パッド２上に半田バンプ３を形成し、
次に（ｂ）に示すように部品４を位置合わせして半田バ
ンプ３上に搭載し、リフローによって半田バンプ３を溶
融・固化させて、図６（ｃ）に示すように半田７により
基板電極パッド２と部品電極パッド５との間の接合を行
っている。
【０００３】また、ベアチップ実装方法の中でも、特に
実装面積の低減に効果のあるフリップチップ実装方法を
図７を参照して説明する。まず図６の従来例と同様に、
図７（ａ）で基板１の電極パッド２上に半田バンプ３を
形成し、次に（ｂ）に示すように電極５上にバンプ６を
形成したベアチップ部品４をバンプ６を基板１の半田バ
ンプ３に位置合わせして基板上に搭載し、次いで、半田
バンプ３を溶融・固化させて、図７（ｃ）に示すように
半田７により基板電極パッド２と部品電極パッド５との
間の接合を行っている。
実装面積の低減に効果のあるフリップチップ実装方法を
図７を参照して説明する。まず図６の従来例と同様に、
図７（ａ）で基板１の電極パッド２上に半田バンプ３を
形成し、次に（ｂ）に示すように電極５上にバンプ６を
形成したベアチップ部品４をバンプ６を基板１の半田バ
ンプ３に位置合わせして基板上に搭載し、次いで、半田
バンプ３を溶融・固化させて、図７（ｃ）に示すように
半田７により基板電極パッド２と部品電極パッド５との
間の接合を行っている。
【０００４】上述したいずれの実装方法でも、基板又は
部品電極上に予めバンプを形成することが必要である
が、電極パッドの微細化、狭ピッチ化に対し半田ペース
トの印刷では対応が困難なため、金の転写バンプ等が使
用されるが、半田材料と比較してコストが高いこと、接
合に際して高温加熱が必要なこと等の問題があった。
部品電極上に予めバンプを形成することが必要である
が、電極パッドの微細化、狭ピッチ化に対し半田ペース
トの印刷では対応が困難なため、金の転写バンプ等が使
用されるが、半田材料と比較してコストが高いこと、接
合に際して高温加熱が必要なこと等の問題があった。
【０００５】そこで、メッキ法を用いた半田バンプ形成
方法が提案されているが、工数が多くかかったり、形成
したバンプ高さや表面形状が不均一なため位置合わせが
難しく、接続不良や半田ブリッジを起こす危険性がある
等の問題があった。
方法が提案されているが、工数が多くかかったり、形成
したバンプ高さや表面形状が不均一なため位置合わせが
難しく、接続不良や半田ブリッジを起こす危険性がある
等の問題があった。
【０００６】一方、微細化、狭ピッチ化した基板電極パ
ッドへの半田バンプ形成方法として、特開平１−１５７
７９６号で析出半田法が提案されている。析出半田法
は、化学反応により電極パッド上にのみ半田を析出さ
せ、半田ボールやブリッジの発生がなく、しかも微細で
狭ピッチ（７５μｍ幅、１５０μｍピッチ）パッドへの
対応が可能な半田形成法として注目されている。
ッドへの半田バンプ形成方法として、特開平１−１５７
７９６号で析出半田法が提案されている。析出半田法
は、化学反応により電極パッド上にのみ半田を析出さ
せ、半田ボールやブリッジの発生がなく、しかも微細で
狭ピッチ（７５μｍ幅、１５０μｍピッチ）パッドへの
対応が可能な半田形成法として注目されている。
【０００７】析出半田法は、有機酸鉛と錫粉を主成分と
するペーストを、金属パッド上に塗布し、化学反応によ
り金属パッド上のみに半田を析出させるプロセスであ
り、ＰｂとＳｎのイオン化傾向の違いにより半田合金が
形成され、続いてこの合金と金属パッド（例えばＣｕ）
上の金属塩とが反応し、金属パッド上にのみ半田を析出
させるものである。
するペーストを、金属パッド上に塗布し、化学反応によ
り金属パッド上のみに半田を析出させるプロセスであ
り、ＰｂとＳｎのイオン化傾向の違いにより半田合金が
形成され、続いてこの合金と金属パッド（例えばＣｕ）
上の金属塩とが反応し、金属パッド上にのみ半田を析出
させるものである。
【０００８】析出半田法を用いた部品実装の従来例を図
８を用いて説明する。図８（ａ）に示すように基板１の
電極２上に部品４のリード電極５′を接触させ、次いで
（ｂ）に示すように有機酸鉛と錫粉を主成分とする析出
半田用のペースト８を基板電極２上に塗布する。
８を用いて説明する。図８（ａ）に示すように基板１の
電極２上に部品４のリード電極５′を接触させ、次いで
（ｂ）に示すように有機酸鉛と錫粉を主成分とする析出
半田用のペースト８を基板電極２上に塗布する。
【０００９】次いで、１８５〜２２５℃程度に加熱する
と、Ｃｕ（電極２，５′）とペースト中の活性剤とが反
応して、Ｃｕ塩が形成される。ペースト中の有機酸鉛と
錫粉との間では、そのイオン化傾向の違いにより鉛が析
出し、瞬時に錫粉中に鉛が拡散して半田合金が形成され
る。続いて、半田合金とＣｕ塩間で拡散反応が起こり、
図８（ｃ）に示すように基板電極２及び部品電極５′上
のみに半田９が析出する。
と、Ｃｕ（電極２，５′）とペースト中の活性剤とが反
応して、Ｃｕ塩が形成される。ペースト中の有機酸鉛と
錫粉との間では、そのイオン化傾向の違いにより鉛が析
出し、瞬時に錫粉中に鉛が拡散して半田合金が形成され
る。続いて、半田合金とＣｕ塩間で拡散反応が起こり、
図８（ｃ）に示すように基板電極２及び部品電極５′上
のみに半田９が析出する。
【００１０】ペースト残滓及び電極２，５′と未反応の
半田ボールは洗浄により容易に除去することができる。
洗浄剤としては、クロロセン系溶剤、アルコール系溶剤
のいずれも使用可能である。
半田ボールは洗浄により容易に除去することができる。
洗浄剤としては、クロロセン系溶剤、アルコール系溶剤
のいずれも使用可能である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように析出半田法
を用いてリード部品の半田付を半田析出と同時に行うこ
とが特開平１−１５７７９６号で提案されているが、フ
リップチップボンディングのような部品電極と基板パッ
ド間にある一定の間隔（半田高さ）が必要な実装部品の
場合は、基板電極と部品電極とを接触させる特開平１−
１５７７９６号記載の部品実装方法では対応が不可能で
あった。
を用いてリード部品の半田付を半田析出と同時に行うこ
とが特開平１−１５７７９６号で提案されているが、フ
リップチップボンディングのような部品電極と基板パッ
ド間にある一定の間隔（半田高さ）が必要な実装部品の
場合は、基板電極と部品電極とを接触させる特開平１−
１５７７９６号記載の部品実装方法では対応が不可能で
あった。
【００１２】そこで従来と同様に、十分な半田高さを得
るために基板電極上に半田バンプを形成した後で部品を
実装しており、部品と基板との熱膨張係数の差によって
生ずる剪断応力により半田破壊を受けやすくなってしま
う欠点があった。
るために基板電極上に半田バンプを形成した後で部品を
実装しており、部品と基板との熱膨張係数の差によって
生ずる剪断応力により半田破壊を受けやすくなってしま
う欠点があった。
【００１３】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、所望の膜厚を有す
る半田の形成と信頼性の高い基板電極と部品電極間の接
合とを同時に行うことのできる析出半田法を用いた部品
の実装方法を提供することである。
のであり、その目的とするところは、所望の膜厚を有す
る半田の形成と信頼性の高い基板電極と部品電極間の接
合とを同時に行うことのできる析出半田法を用いた部品
の実装方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、析出半田法により基板上に部品を実
装する方法において、該基板の部品実装部上に析出半田
用のペーストを塗布し、基板と部品との間に半田高さ調
整用のスペーサを介在させて基板と部品とを離間させな
がら基板電極と部品電極との位置合わせを行い、所定温
度に加熱することにより、基板電極側及び部品電極側か
ら半田を析出させ、基板電極と部品電極との接合を行う
ことを特徴とする部品の実装方法を提供する。
ために、本発明は、析出半田法により基板上に部品を実
装する方法において、該基板の部品実装部上に析出半田
用のペーストを塗布し、基板と部品との間に半田高さ調
整用のスペーサを介在させて基板と部品とを離間させな
がら基板電極と部品電極との位置合わせを行い、所定温
度に加熱することにより、基板電極側及び部品電極側か
ら半田を析出させ、基板電極と部品電極との接合を行う
ことを特徴とする部品の実装方法を提供する。
【００１５】基板と部品との間に半田高さ調整用のスペ
ーサを介在させる代わりに、基板上に半田高さ調整用の
突起を形成するか、又は実装すべき部品に半田高さ調整
用の突起を設けるようにしてもよい。
ーサを介在させる代わりに、基板上に半田高さ調整用の
突起を形成するか、又は実装すべき部品に半田高さ調整
用の突起を設けるようにしてもよい。
【００１６】
【作用】本発明は、スペーサを介して非接触とした基板
電極及び部品電極上に、それぞれ対向する電極側の半田
と接合するまで半田を析出させて両電極間の接合を行う
ため、部品電極と基板電極間にある一定の間隔が必要な
実装部品の場合に、希望する膜厚を有する半田接合を行
うことができる。
電極及び部品電極上に、それぞれ対向する電極側の半田
と接合するまで半田を析出させて両電極間の接合を行う
ため、部品電極と基板電極間にある一定の間隔が必要な
実装部品の場合に、希望する膜厚を有する半田接合を行
うことができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。まず図１を参照すると、本発明の第１実施
例の部品実装方法が示されている。図１（Ａ）に示すよ
うに、基板１１の電極１２が形成されている部品実装部
に析出半田用ペースト１７を塗布する。基板１１として
はガラスエポキシ基板、アルミナ基板等、半田析出、接
合時の加熱に対して耐熱性を有する基板が使用可能であ
る。
に説明する。まず図１を参照すると、本発明の第１実施
例の部品実装方法が示されている。図１（Ａ）に示すよ
うに、基板１１の電極１２が形成されている部品実装部
に析出半田用ペースト１７を塗布する。基板１１として
はガラスエポキシ基板、アルミナ基板等、半田析出、接
合時の加熱に対して耐熱性を有する基板が使用可能であ
る。
【００１８】基板電極１２の材料としては、Ｃｕ，Ａｕ
等の一般的な電極材料が使用でき、バンプレス基板を用
いることもできる。析出半田用ペースト１７の塗布厚
は、希望する半田析出膜厚にもよるが、約５０μｍの半
田を析出させる場合５００μｍ程度である。
等の一般的な電極材料が使用でき、バンプレス基板を用
いることもできる。析出半田用ペースト１７の塗布厚
は、希望する半田析出膜厚にもよるが、約５０μｍの半
田を析出させる場合５００μｍ程度である。
【００１９】次に、基板１１上の部品実装部内の電極部
以外の領域に、半田高さ調整用のスペーサ１６を置く。
スペーサ１６は、希望半田高さ、基板及び部品形状に応
じた粒径を有する耐熱性のガラスビーズである。
以外の領域に、半田高さ調整用のスペーサ１６を置く。
スペーサ１６は、希望半田高さ、基板及び部品形状に応
じた粒径を有する耐熱性のガラスビーズである。
【００２０】スペーサ１６を介して部品１４をその電極
１５と基板側電極１２とが対向するように位置合わせを
する。この位置合わせは例えば目視により行われる。そ
の後、析出半田に応じた温度で両極側からそれぞれの半
田が接合するまで析出反応を進行させ、図１（Ｃ）に示
すように析出半田１８で基板電極１２と部品電極１５と
の間の接合を行う。
１５と基板側電極１２とが対向するように位置合わせを
する。この位置合わせは例えば目視により行われる。そ
の後、析出半田に応じた温度で両極側からそれぞれの半
田が接合するまで析出反応を進行させ、図１（Ｃ）に示
すように析出半田１８で基板電極１２と部品電極１５と
の間の接合を行う。
【００２１】図１（Ｂ）は図１（Ａ）の透視斜視図であ
る。反応温度は、析出半田の溶融温度＋３０℃程度が望
ましい。即ち、溶融温度１８０℃程度の半田を析出させ
る場合、約２１０℃が望ましい。反応時間は析出半田量
にもよるが約６０秒程度である。
る。反応温度は、析出半田の溶融温度＋３０℃程度が望
ましい。即ち、溶融温度１８０℃程度の半田を析出させ
る場合、約２１０℃が望ましい。反応時間は析出半田量
にもよるが約６０秒程度である。
【００２２】析出反応後、ペースト残滓をクロロセン
系、或いはアルコール系の溶剤で洗浄する。搭載部品
は、半田析出反応に対する耐熱性を持つことが望まれる
が、バンプレス部品、或いはバンプを形成した部品、リ
ード部品等の部品も使用可能である。
系、或いはアルコール系の溶剤で洗浄する。搭載部品
は、半田析出反応に対する耐熱性を持つことが望まれる
が、バンプレス部品、或いはバンプを形成した部品、リ
ード部品等の部品も使用可能である。
【００２３】図２を参照すると、半田高さ調整用スペー
サの第２の実施例が示されている。基板１１と部品１４
との間に半田高さに応じた厚さを有するポリイミド等の
耐熱性フィルムから形成した直方体スペーサ１９又は１
９′を介装し、予め部品電極面の外周の一部、或いは基
板側の該当部に貼り付けておく。
サの第２の実施例が示されている。基板１１と部品１４
との間に半田高さに応じた厚さを有するポリイミド等の
耐熱性フィルムから形成した直方体スペーサ１９又は１
９′を介装し、予め部品電極面の外周の一部、或いは基
板側の該当部に貼り付けておく。
【００２４】ＳｉＣ等の熱伝導率がＡｌと同等に高い材
料をスペーサとして用いることによって、部品の放熱効
果（基板側或いは放熱部材への熱伝導効果）を高めるこ
とも可能である。
料をスペーサとして用いることによって、部品の放熱効
果（基板側或いは放熱部材への熱伝導効果）を高めるこ
とも可能である。
【００２５】図３を参照すると、半田高さ調整用スペー
サの第３の実施例が示されており、耐熱性樹脂で作成し
た爪部材２０を部品１４の四隅に取り付け、この爪部材
２０を介して部品１４を基板１１上に搭載する。この爪
部材２０は、半田析出反応終了後取り外してもよいし、
また基板１１に部品１４を位置合わせして接着し、部品
１４の固定台としても使用できる。
サの第３の実施例が示されており、耐熱性樹脂で作成し
た爪部材２０を部品１４の四隅に取り付け、この爪部材
２０を介して部品１４を基板１１上に搭載する。この爪
部材２０は、半田析出反応終了後取り外してもよいし、
また基板１１に部品１４を位置合わせして接着し、部品
１４の固定台としても使用できる。
【００２６】図４は半田高さ調整用の第４実施例を示し
ている。この実施例は基板作成段階において基板材料の
一部で図４（Ａ）に示すような突起２１を形成し、この
突起２１上に部品１４を搭載したものである。フォトリ
ソグラフィによるポリイミド多層化技術を使用すれば、
微細で精度のよい突起を形成することができる。また、
このとき図４（Ｂ）に示すような段差を有する突起２２
を形成すれば、位置合わせ用のガイドとしても利用する
ことができる。
ている。この実施例は基板作成段階において基板材料の
一部で図４（Ａ）に示すような突起２１を形成し、この
突起２１上に部品１４を搭載したものである。フォトリ
ソグラフィによるポリイミド多層化技術を使用すれば、
微細で精度のよい突起を形成することができる。また、
このとき図４（Ｂ）に示すような段差を有する突起２２
を形成すれば、位置合わせ用のガイドとしても利用する
ことができる。
【００２７】図５に半田高さ調整用の第５実施例を示
す。この第５実施例は部品側で半田高さを調整しようと
するものである。即ち、図５（Ａ）に示すようにリード
部品２４（ＴＡＢ等も含む）において、リード２５のフ
ォーミングでリード２５と基板１１の電極１２間の距離
を調整する。または図５（Ｂ），（Ｃ）に示すように、
部品３４の下面（基板側）に突起３６又は３６′を設
け、これらの突起によって部品３４のリード３５と基板
１１の電極１２との間の距離を調整する。
す。この第５実施例は部品側で半田高さを調整しようと
するものである。即ち、図５（Ａ）に示すようにリード
部品２４（ＴＡＢ等も含む）において、リード２５のフ
ォーミングでリード２５と基板１１の電極１２間の距離
を調整する。または図５（Ｂ），（Ｃ）に示すように、
部品３４の下面（基板側）に突起３６又は３６′を設
け、これらの突起によって部品３４のリード３５と基板
１１の電極１２との間の距離を調整する。
【００２８】他の実施例としては、スペーサ等を使用せ
ずに基板と部品間の距離、及び位置を制御する治具を使
用することも可能である。
ずに基板と部品間の距離、及び位置を制御する治具を使
用することも可能である。
【００２９】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように、スペーサ
を介して非接触とした基板電極と部品電極間に析出タイ
プの半田を析出させることによって、ある一定の間隔
（半田高さ）が必要な基板電極及び部品電極間への半田
形成と電極同士の接合を同時に行うことができる。
を介して非接触とした基板電極と部品電極間に析出タイ
プの半田を析出させることによって、ある一定の間隔
（半田高さ）が必要な基板電極及び部品電極間への半田
形成と電極同士の接合を同時に行うことができる。
【００３０】このように半田高さを制御できるため、接
続不良やブリッジ等を起こす心配がなく、接続信頼性が
向上し、また、複雑な工程を経て微細バンプを基板上、
或いは部品上に形成する必要がなくなる。
続不良やブリッジ等を起こす心配がなく、接続信頼性が
向上し、また、複雑な工程を経て微細バンプを基板上、
或いは部品上に形成する必要がなくなる。
【図１】本発明の第１実施例の実装方法を説明する図で
ある。
ある。
【図２】第２実施例の半田高さ調整方法を示す図であ
る。
る。
【図３】第３実施例の半田高さ調整方法を示す図であ
る。
る。
【図４】第４実施例の半田高さ調整方法を示す図であ
る。
る。
【図５】第５実施例の半田高さ調整方法を示す図であ
る。
る。
【図６】従来の部品実装方法説明図である。
【図７】他の従来例説明図である。
【図８】さらに他の従来例説明図である。
１１ 基板 １２ 基板電極 １４ 部品 １５ 部品電極 １６ ガラスビーズスペーサ １７ 析出半田用ペースト １８ 析出半田 １９，１９′ 直方体スペーサ ２０ 爪部材 ２１，２２，３６，３６′ 突起
Claims (5)
- 【請求項１】 析出半田法により基板(11)上に部品(14)
を実装する方法において、 該基板(11)の部品実装部上に析出半田用のペースト(17)
を塗布し、 基板(11)と部品(14)との間に半田高さ調整用のスペーサ
(16,19,20)を介在させて基板(11)と部品(14)とを離間さ
せながら基板電極(12)と部品電極(15)との位置合わせを
行い、 所定温度に加熱することにより、基板電極(12)側及び部
品電極(15)側から半田を析出させ、基板電極(12)と部品
電極(15)との接合を行うことを特徴とする部品の実装方
法。 - 【請求項２】 前記スペーサとしてガラスビーズ(16)を
用いることを特徴とする請求項１記載の部品の実装方
法。 - 【請求項３】 前記スペーサとして直方体形状の耐熱性
樹脂(19,19′) を用いることを特徴とする請求項１記載
の部品の実装方法。 - 【請求項４】 析出半田法により基板(11)上に部品(14)
を実装する方法において、 基板(11)上に半田高さ調整用の突起(21,22) を形成し、 基板(11)の部品実装部上に析出半田用のペースト(17)を
塗布し、 実装すべき部品(14)を前記突起(21,22) 上に搭載して基
板(11)と部品(14)とを離間させながら基板電極(12)と部
品電極(15)との位置合わせを行い、 所定温度に加熱することにより、基板電極(12)側及び部
品電極(15)側から半田を析出させ、基板電極(12)と部品
電極(15)との接合を行うことを特徴とする部品の実装方
法。 - 【請求項５】 析出半田法により基板(11)上に部品(34)
を実装する方法において、 実装すべき部品(34)に半田高さ調整用の突起(36,36′)
を設け、 基板(11)の部品実装部上に析出半田用のペースト(17)を
塗布し、 該部品(34)を前記突起(36,36′) を下にして基板(11)上
に搭載して基板電極(12)と部品電極(35)との位置合わせ
を行い、 所定温度に加熱することにより、基板電極(12)側及び部
品電極(35)側から半田を析出させ、基板電極(12)と部品
電極(35)との接合を行うことを特徴とする部品の実装方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060605A JPH05267391A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 析出半田法を用いた部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4060605A JPH05267391A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 析出半田法を用いた部品の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267391A true JPH05267391A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13147054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4060605A Withdrawn JPH05267391A (ja) | 1992-03-17 | 1992-03-17 | 析出半田法を用いた部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267391A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105327913A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-02-17 | 谢文娟 | 一种带有水位监测的试管清洗及甩干装置 |
| WO2024155292A1 (en) * | 2023-01-18 | 2024-07-25 | Microchip Technology Incorporated | Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board |
-
1992
- 1992-03-17 JP JP4060605A patent/JPH05267391A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105327913A (zh) * | 2015-12-11 | 2016-02-17 | 谢文娟 | 一种带有水位监测的试管清洗及甩干装置 |
| WO2024155292A1 (en) * | 2023-01-18 | 2024-07-25 | Microchip Technology Incorporated | Integrated circuit package, system comprising printed circuit board and integrated circuit package, method of soldering integrated circuit package to printed circuit board |
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