JPH0526802Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526802Y2 JPH0526802Y2 JP1986170673U JP17067386U JPH0526802Y2 JP H0526802 Y2 JPH0526802 Y2 JP H0526802Y2 JP 1986170673 U JP1986170673 U JP 1986170673U JP 17067386 U JP17067386 U JP 17067386U JP H0526802 Y2 JPH0526802 Y2 JP H0526802Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- input
- inner conductor
- conductor
- dielectric filter
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は比較的高周波帯、特にVHF帯、
UHF帯およびマイクロ波帯で多く用いられる誘
電体フイルタに関するものである。
UHF帯およびマイクロ波帯で多く用いられる誘
電体フイルタに関するものである。
第９図は例えば特開昭55−143801号に示された
従来の誘電体フイルタを示す図であり、同図ａは
一部欠載した平面図、同図ｂは縦断面図である。
図において、１，２は外導体、３は内導体、４は
周波数調整ネジ、５は誘電体、６は入出力ルー
プ、P1，P2は入出力端子である。
従来の誘電体フイルタを示す図であり、同図ａは
一部欠載した平面図、同図ｂは縦断面図である。
図において、１，２は外導体、３は内導体、４は
周波数調整ネジ、５は誘電体、６は入出力ルー
プ、P1，P2は入出力端子である。
内導体３は一端が外導体１に接地され、他端は
開放端とされ、周波数調整ネジ４による容量負荷
が設けられている。また内導体３は、容量負荷の
効果により長さが1/4波長より短かくなつており、
主として磁界結合によつて相互に結合している。
結合量は２つの内導体３間の距離によつて調整さ
れる。また、内導体３と入出力ループ６もその平
行に近接されている区間の長さが1/4波長以下で
あるため主として磁界によつて結合している。
開放端とされ、周波数調整ネジ４による容量負荷
が設けられている。また内導体３は、容量負荷の
効果により長さが1/4波長より短かくなつており、
主として磁界結合によつて相互に結合している。
結合量は２つの内導体３間の距離によつて調整さ
れる。また、内導体３と入出力ループ６もその平
行に近接されている区間の長さが1/4波長以下で
あるため主として磁界によつて結合している。
いま、内導体３の長さと周波数調整ネジ４を調
整することによつて全ての内導体３が同一周波数
0で共振するものとすれば、周波数0では、共振
状態にある内導体３は相互に、かつ入出力ループ
６と強く結合し、同軸端子P1への入射波は端子
P2に導かれることとなる。しかし、0以外の周波
数では、内導体３は相互の、及び入出力ループ６
との結合が非常に弱く、端子P1あるいはP2への
入射波はほとんどの電力が反射されることとな
る。従つて第９図に示した誘電体フイルタは帯域
通過フイルタとして機能することとなる。
整することによつて全ての内導体３が同一周波数
0で共振するものとすれば、周波数0では、共振
状態にある内導体３は相互に、かつ入出力ループ
６と強く結合し、同軸端子P1への入射波は端子
P2に導かれることとなる。しかし、0以外の周波
数では、内導体３は相互の、及び入出力ループ６
との結合が非常に弱く、端子P1あるいはP2への
入射波はほとんどの電力が反射されることとな
る。従つて第９図に示した誘電体フイルタは帯域
通過フイルタとして機能することとなる。
このような従来の誘電体フイルタは、誘電体５
として比誘電率の大きい誘電体を用いること、及
び周波数調整ネジ４による容量負荷を設けること
によつて小形化されているが、これを機械的に安
定した構造とし、かつ周波数調整ネジを取り付け
るためには、外導体１，２に所定の肉厚が必要で
あるため、小形化する上で限度があつた。
として比誘電率の大きい誘電体を用いること、及
び周波数調整ネジ４による容量負荷を設けること
によつて小形化されているが、これを機械的に安
定した構造とし、かつ周波数調整ネジを取り付け
るためには、外導体１，２に所定の肉厚が必要で
あるため、小形化する上で限度があつた。
また、外導体１，２、内導体３、周波数調整ネ
ジ４等は全て個別の部品であるため、部品数が多
く製造組立が複雑であつた。
ジ４等は全て個別の部品であるため、部品数が多
く製造組立が複雑であつた。
さらに、外導体１，２および内導体３と誘電体
５の線膨脹係数の差によつて温度変化が生じると
共振周波数が変化するという問題があつた。
５の線膨脹係数の差によつて温度変化が生じると
共振周波数が変化するという問題があつた。
この考案は上記のような従来のものの問題点を
解消するためになされたもので、部品数が少なく
容易に製作でき、かつ小形化でき、温度変化に対
して安定に作動でき、３倍高調波に対して減衰量
を得ることのできる誘電体フイルタを提供するこ
とを目的とする。
解消するためになされたもので、部品数が少なく
容易に製作でき、かつ小形化でき、温度変化に対
して安定に作動でき、３倍高調波に対して減衰量
を得ることのできる誘電体フイルタを提供するこ
とを目的とする。
この考案に係る誘電体フイルタは、その内部に
その上下両面と平行にかつ各々並列に複数の貫通
孔が形成された誘電体ブロツクの表面及び該貫通
孔の内面を導体膜で覆つて内導体及び外導体を形
成するとともに、上記誘電体ブロツクの上下両面
の少なくとも一方に上記内導体と交叉する方向に
溝又は段差を設けたものである。
その上下両面と平行にかつ各々並列に複数の貫通
孔が形成された誘電体ブロツクの表面及び該貫通
孔の内面を導体膜で覆つて内導体及び外導体を形
成するとともに、上記誘電体ブロツクの上下両面
の少なくとも一方に上記内導体と交叉する方向に
溝又は段差を設けたものである。
この考案においては、比誘電率の大きい誘電体
を用いることによつて波長が短縮され、外導体及
び内導体が誘電体の表面に密着した導体膜で形成
されるので、薄くすることができ、非常に小形化
することができる。
を用いることによつて波長が短縮され、外導体及
び内導体が誘電体の表面に密着した導体膜で形成
されるので、薄くすることができ、非常に小形化
することができる。
また、導体膜が誘電体に密着しているので線膨
脹係数は誘電体の線膨脹係数で決まり、これは
銅、アルミニウムのような導電性の良い金属より
小さいため、従来の誘電体フイルタの場合のよう
に導体と誘電体間の隙間の影響がなく、しかも誘
電体は比誘電率温度係数が小さい材料が得られる
ため、温度特性は非常に良好となる。
脹係数は誘電体の線膨脹係数で決まり、これは
銅、アルミニウムのような導電性の良い金属より
小さいため、従来の誘電体フイルタの場合のよう
に導体と誘電体間の隙間の影響がなく、しかも誘
電体は比誘電率温度係数が小さい材料が得られる
ため、温度特性は非常に良好となる。
また、誘電体ブロツクと導体膜によつて誘電体
フイルタが構成されるので部品数が少なく、構造
も簡単であり、製造組立が容易となる。
フイルタが構成されるので部品数が少なく、構造
も簡単であり、製造組立が容易となる。
また、内導体の軸方向と交叉する方向に設けら
れた溝あるいは段差の効果によつて、基本波の３
倍の周波数においても減衰量を得ることができる
と共に、内導体間に内導体と平行に設けられた結
合量調整用の溝または穴が不要となる。
れた溝あるいは段差の効果によつて、基本波の３
倍の周波数においても減衰量を得ることができる
と共に、内導体間に内導体と平行に設けられた結
合量調整用の溝または穴が不要となる。
以下、この考案の実施例を図について説明す
る。
る。
第１図はこの考案の第１の実施例による誘電体
フイルタを示し、同図ａは概略構成を示す斜視
図、同図ｂは同図ａのＡ−A′断面図、同図ｃは
その断面での内導体に沿つた電界分布を示す図で
ある。また、第２図は本実施例の誘電体フイルタ
の電界分布をモデル的に説明するための図であ
る。両図において、１０は外導体、３０は内導
体、５０は誘電体ブロツク、５１は誘電体ブロツ
ク５０の上面、５２は同じく下面、５３〜５６は
同じく側面、６ａ，６ｂは入出力内導体、７は導
体膜、８は導体膜７のない誘電体ブロツク５０の
部分的な露出面、９は溝である。
フイルタを示し、同図ａは概略構成を示す斜視
図、同図ｂは同図ａのＡ−A′断面図、同図ｃは
その断面での内導体に沿つた電界分布を示す図で
ある。また、第２図は本実施例の誘電体フイルタ
の電界分布をモデル的に説明するための図であ
る。両図において、１０は外導体、３０は内導
体、５０は誘電体ブロツク、５１は誘電体ブロツ
ク５０の上面、５２は同じく下面、５３〜５６は
同じく側面、６ａ，６ｂは入出力内導体、７は導
体膜、８は導体膜７のない誘電体ブロツク５０の
部分的な露出面、９は溝である。
外導体１０は、誘電体ブロツク５０の外周面の
うち上下両面５１，５２及び側面５４〜５６に密
着した導体膜７で形成されている。又、内導体３
０は、誘電体ブロツク５０の上下両面５１，５２
に平行に、かつ相互に並列に配列された貫通孔の
内周面に導体膜７を密着し、側面５４側にて該導
体膜７を外導体１０の導体膜７と継目なく接続し
て形成されており、外導体１０とともに一端開
放、一端短絡の1/4波長共振器を構成している。
うち上下両面５１，５２及び側面５４〜５６に密
着した導体膜７で形成されている。又、内導体３
０は、誘電体ブロツク５０の上下両面５１，５２
に平行に、かつ相互に並列に配列された貫通孔の
内周面に導体膜７を密着し、側面５４側にて該導
体膜７を外導体１０の導体膜７と継目なく接続し
て形成されており、外導体１０とともに一端開
放、一端短絡の1/4波長共振器を構成している。
溝９は、誘電体ブロツク５０の上下両面５１，
５２に設けられ、内導体３０の軸と直角の方向に
連続した形状となつている。溝９の位置は、開放
端側である側面５３から内導体３０の軸長の約1/
３の位置である。
５２に設けられ、内導体３０の軸と直角の方向に
連続した形状となつている。溝９の位置は、開放
端側である側面５３から内導体３０の軸長の約1/
３の位置である。
内導体３０と外導体１０で構成される共振器に
溝９を設けた場合、共振器内部の電界は第２図ａ
に示すように溝９の部分に集中した分布となる。
即ち、この電界分布は、第２図ｂに示すような
TEMモードと第２図ｃに示す局所的なTMモー
ドとが合成されたものである。また、第２図ｂの
TEMモードでは、内導体の長さが1/4波長の場合
は電界結合と磁界結合が打ち消し合つて内導体３
０間の結合がなくなるが、第２図ｃの局所的TM
モードにより開放端を同一方向に位置した内導体
３０間の結合が得られることとなる。局所的TM
モードの発生量は溝９の深さによつて変化し、又
このモードは発生点から離れると減衰するモード
であるので、結合量は溝９の深さ、及び内導体３
０相互の間隔d1〜d3によつて調整することができ
る。このように本発明の誘電体フイルタでは、溝
９によつて結合量を得、溝９の深さ及び内導体間
隔により結合量を調整するため、内導体間に内導
体と平行に設けられた結合量調整用の溝または穴
が不要となり、構造が簡単である。本実施例の誘
電体フイルタでは、必要なフイルタ特性を得るた
め間隔d1〜d3を不等間隔にしている。又、入出力
回路は入出力内導体６ａ，６ｂを内導体３０に接
続して、内導体３０に流れる電流の一部を分流す
ることによつて実現している。
溝９を設けた場合、共振器内部の電界は第２図ａ
に示すように溝９の部分に集中した分布となる。
即ち、この電界分布は、第２図ｂに示すような
TEMモードと第２図ｃに示す局所的なTMモー
ドとが合成されたものである。また、第２図ｂの
TEMモードでは、内導体の長さが1/4波長の場合
は電界結合と磁界結合が打ち消し合つて内導体３
０間の結合がなくなるが、第２図ｃの局所的TM
モードにより開放端を同一方向に位置した内導体
３０間の結合が得られることとなる。局所的TM
モードの発生量は溝９の深さによつて変化し、又
このモードは発生点から離れると減衰するモード
であるので、結合量は溝９の深さ、及び内導体３
０相互の間隔d1〜d3によつて調整することができ
る。このように本発明の誘電体フイルタでは、溝
９によつて結合量を得、溝９の深さ及び内導体間
隔により結合量を調整するため、内導体間に内導
体と平行に設けられた結合量調整用の溝または穴
が不要となり、構造が簡単である。本実施例の誘
電体フイルタでは、必要なフイルタ特性を得るた
め間隔d1〜d3を不等間隔にしている。又、入出力
回路は入出力内導体６ａ，６ｂを内導体３０に接
続して、内導体３０に流れる電流の一部を分流す
ることによつて実現している。
このような構成になる誘電体フイルタでは、い
ま、内導体３０の長さを調整することによつて全
ての内導体３０が同一周波数0で共振するものと
すれば、周波数0では共振状態にある内導体３０
は相互に、及び入出力内導体６ａ，６ｂと強く結
合し、入出力内導体６ａに接続される入出力端子
への入射波が入出力内導体６ｂに接続される入出
力端子に導かれることとなる。しかし、0以外の
周波数では、内導体３０は相互の、及び入出力内
導体６ａ，６ｂとの結合が非常に弱く、入出力内
導体６ａ，６ｂに接続される入出力端子への入射
波はほとんどの電力が反射されることとなる。こ
のように、本実施例の誘電体フイルタは帯域通過
フイルタとしての機能を果たすものである。
ま、内導体３０の長さを調整することによつて全
ての内導体３０が同一周波数0で共振するものと
すれば、周波数0では共振状態にある内導体３０
は相互に、及び入出力内導体６ａ，６ｂと強く結
合し、入出力内導体６ａに接続される入出力端子
への入射波が入出力内導体６ｂに接続される入出
力端子に導かれることとなる。しかし、0以外の
周波数では、内導体３０は相互の、及び入出力内
導体６ａ，６ｂとの結合が非常に弱く、入出力内
導体６ａ，６ｂに接続される入出力端子への入射
波はほとんどの電力が反射されることとなる。こ
のように、本実施例の誘電体フイルタは帯域通過
フイルタとしての機能を果たすものである。
また、このような誘電体フイルタでは、比誘電
率の大きい誘電体ブロツク５０を用いることによ
つて波長を短縮することができ、また、外導体１
０及び内導体３０、入出力内導体６ａ，６ｂを誘
電体ブロツク５０の表面に密着した導体膜７によ
り形成しているので、フイルタ自体を薄い構成の
ものとすることができ、周波数調整ネジが不要で
あるのでさらに小形化することができる。
率の大きい誘電体ブロツク５０を用いることによ
つて波長を短縮することができ、また、外導体１
０及び内導体３０、入出力内導体６ａ，６ｂを誘
電体ブロツク５０の表面に密着した導体膜７によ
り形成しているので、フイルタ自体を薄い構成の
ものとすることができ、周波数調整ネジが不要で
あるのでさらに小形化することができる。
また、導体膜７が誘電体ブロツク５０に密着し
ているので線膨脹係数は誘電体ブロツク５０の線
膨脹係数で決まり、これは銅、アルミニウムのよ
うな導電性の良い金属より小さいため、従来の誘
電体フイルタの場合のように導体と誘電体間の隙
間の影響はなく、しかも誘電体ブロツク５０には
比誘電率の温度係数が小さい材料を使用できるた
め、温度特性は非常に良好となる。
ているので線膨脹係数は誘電体ブロツク５０の線
膨脹係数で決まり、これは銅、アルミニウムのよ
うな導電性の良い金属より小さいため、従来の誘
電体フイルタの場合のように導体と誘電体間の隙
間の影響はなく、しかも誘電体ブロツク５０には
比誘電率の温度係数が小さい材料を使用できるた
め、温度特性は非常に良好となる。
また、本実施例の誘電体フイルタは、誘電体ブ
ロツクが溝、貫通孔、導体膜とによつて構成され
るので、部品数が少なく構造も簡単となり、製造
組立が容易となる。
ロツクが溝、貫通孔、導体膜とによつて構成され
るので、部品数が少なく構造も簡単となり、製造
組立が容易となる。
また、溝９は内導体３例の開放端側から約1/3
の位置、すなわち第１図ｂに示すように３倍高調
波の電位が零の位置に設けられているため、溝９
と内導体３０の間に生じる静電容量は、３倍高調
波に影響を与えず、基本波の共振周波数だけを低
下させることとなる。従つて、基本波と３倍高調
波の周波数間隔が広がり、基本波の共振周波数を
所定の周波数とした場合、基本波の３倍の周波数
においても減衰量を得ることができる。
の位置、すなわち第１図ｂに示すように３倍高調
波の電位が零の位置に設けられているため、溝９
と内導体３０の間に生じる静電容量は、３倍高調
波に影響を与えず、基本波の共振周波数だけを低
下させることとなる。従つて、基本波と３倍高調
波の周波数間隔が広がり、基本波の共振周波数を
所定の周波数とした場合、基本波の３倍の周波数
においても減衰量を得ることができる。
第３図はこの考案の第２の実施例による誘電体
フイルタを示し、同図ａは概略構成を示す斜視
図、同図ｂは同図ａのＡ−A′断面図であり、矢
印は共振器内の電界分布を示している。本実施例
は誘電体ブロツク５０の上下両面５１，５２に、
内導体３０の軸方向と直角方向に連続したステツ
プ９０を設けたものである。
フイルタを示し、同図ａは概略構成を示す斜視
図、同図ｂは同図ａのＡ−A′断面図であり、矢
印は共振器内の電界分布を示している。本実施例
は誘電体ブロツク５０の上下両面５１，５２に、
内導体３０の軸方向と直角方向に連続したステツ
プ９０を設けたものである。
本実施例では、第１図に示した誘電体フイルタ
と同様に、ステツプ９０において局所的TMモー
ドが発生し、内導体３０間の結合が得られる。結
合量はステツプ９０の高さ及び内導体相互３０間
の距離d1〜d3を変えることによつて調整できる。
このため、第１図に示した誘電体フイルタと同様
に内導体間に内導体と平行に設けられた結合量調
整用の溝または穴が不要となり、構造が簡単であ
る。又、電磁界分布の違いにより、基本波と３倍
波に対するステツプの効果が異なるので、３倍波
に対する減衰量を得ることもできる。
と同様に、ステツプ９０において局所的TMモー
ドが発生し、内導体３０間の結合が得られる。結
合量はステツプ９０の高さ及び内導体相互３０間
の距離d1〜d3を変えることによつて調整できる。
このため、第１図に示した誘電体フイルタと同様
に内導体間に内導体と平行に設けられた結合量調
整用の溝または穴が不要となり、構造が簡単であ
る。又、電磁界分布の違いにより、基本波と３倍
波に対するステツプの効果が異なるので、３倍波
に対する減衰量を得ることもできる。
第４図はこの考案の第３の実施例による誘電体
フイルタを示し、同図ａは概略構成を示す斜視
図、同図ｂは同図ａのＡ−A′断面図、同図ｃは
その断面での内導体に沿つた電位分布を示す図で
ある。本実施例は溝９を内導体３０の短絡端側か
ら内導体全長の約1/3の位置に設けたものである。
フイルタを示し、同図ａは概略構成を示す斜視
図、同図ｂは同図ａのＡ−A′断面図、同図ｃは
その断面での内導体に沿つた電位分布を示す図で
ある。本実施例は溝９を内導体３０の短絡端側か
ら内導体全長の約1/3の位置に設けたものである。
本実施例では、溝９の位置では基本波の電位よ
りも３倍高調波の電位の方が大きいため、溝９と
内導体３０の間に生じる静電容量を基本波の周波
数よりも３倍高調波の周波数をより低下させる。
従つて、基本波と３倍高調波の周波数間隔が狭く
なり、基本波の周波数を所定の周波数とした場
合、基本波の３倍の周波数においても減衰量を得
ることができる。
りも３倍高調波の電位の方が大きいため、溝９と
内導体３０の間に生じる静電容量を基本波の周波
数よりも３倍高調波の周波数をより低下させる。
従つて、基本波と３倍高調波の周波数間隔が狭く
なり、基本波の周波数を所定の周波数とした場
合、基本波の３倍の周波数においても減衰量を得
ることができる。
第５図はこの考案の第４の実施例による誘電体
フイルタを示し、同図ａは概略構成を示す斜視
図、同図ｂは同図Ａ−A′断面図である。本実施
例では、溝９がその深さが部分的に異なるように
形成されているため、局所的なTMモードの発生
量が変わることとなり、内導体３０間の距離d1〜
d3を等間隔にしても、結合量の調整を行うことが
できる。
フイルタを示し、同図ａは概略構成を示す斜視
図、同図ｂは同図Ａ−A′断面図である。本実施
例では、溝９がその深さが部分的に異なるように
形成されているため、局所的なTMモードの発生
量が変わることとなり、内導体３０間の距離d1〜
d3を等間隔にしても、結合量の調整を行うことが
できる。
第６図はこの考案の第５の実施例による誘電体
フイルタを示す。本実施例では、溝９の幅が部分
的に異なるように形成されているため、第５図に
示す誘電体フイルタと同様に内導体３０間の距離
d1〜d3を等間隔にしても結合量の調整を行うこと
ができる。
フイルタを示す。本実施例では、溝９の幅が部分
的に異なるように形成されているため、第５図に
示す誘電体フイルタと同様に内導体３０間の距離
d1〜d3を等間隔にしても結合量の調整を行うこと
ができる。
第７図はこの考案の第６の実施例による誘電体
フイルタを示し、本実施例は入出力端子１１を円
筒状の絶縁体１２を介して両端にある内導体３０
中に挿入することにより、入出力端子を内導体中
に設けて入出力回路を構成したものである。本実
施例では、入出力端子１１と内導体３０は静電容
量によつて結合しており、結合量は入出力端子１
１の内導体３０中への挿入長を変えることにより
容易に調整することができる。
フイルタを示し、本実施例は入出力端子１１を円
筒状の絶縁体１２を介して両端にある内導体３０
中に挿入することにより、入出力端子を内導体中
に設けて入出力回路を構成したものである。本実
施例では、入出力端子１１と内導体３０は静電容
量によつて結合しており、結合量は入出力端子１
１の内導体３０中への挿入長を変えることにより
容易に調整することができる。
第８図はこの考案の第７の実施例による誘電体
フイルタを示す。本実施例では、溝９をその位置
が内導体３０の軸方向に部分的に異なるように設
けることによつて、局所的TMモードの発生量を
変化させ、内導体３０間隔d1〜d3を等間隔にして
もフイルタとして必要な内導体３０間結合量を得
ることができる。
フイルタを示す。本実施例では、溝９をその位置
が内導体３０の軸方向に部分的に異なるように設
けることによつて、局所的TMモードの発生量を
変化させ、内導体３０間隔d1〜d3を等間隔にして
もフイルタとして必要な内導体３０間結合量を得
ることができる。
なお、上記第１〜第７実施例では、溝９あるい
はステツプ９０を誘電体ブロツク５０の上下両面
５１，５２に設けた場合について述べたが、これ
は誘電体ブロツク５０の上面又は下面のみに設け
てもよく、同様の効果を奏する。また内導体の数
が４本の場合について述べたが、これは３本ある
いは５本以上であつてもよい。また、入出力回路
については、内導体に流れる電流を分流する場合
および静電容量によつて結合する場合について述
べたが、本考案は磁界による結合を用いる場合に
も適用することができる。
はステツプ９０を誘電体ブロツク５０の上下両面
５１，５２に設けた場合について述べたが、これ
は誘電体ブロツク５０の上面又は下面のみに設け
てもよく、同様の効果を奏する。また内導体の数
が４本の場合について述べたが、これは３本ある
いは５本以上であつてもよい。また、入出力回路
については、内導体に流れる電流を分流する場合
および静電容量によつて結合する場合について述
べたが、本考案は磁界による結合を用いる場合に
も適用することができる。
以上のように、この考案によれば、その内部に
その上下両面と平行にかつ各々並列に複数の貫通
孔が形成された誘電体ブロツクの表面及び該貫通
孔の内面を導体膜で覆つて内導体と外導体を形成
するとともに、上記誘電体ブロツクの上下両面の
少なくとも一方に上記内導体と交叉する方向に溝
または段差を設けたので、小形で、温度特性が良
好であり、部品数が少なく製造組立が容易であ
り、かつ従来と同様に３倍高調波に対して減衰特
性を有し、開放端を同一方向に配置しても内導体
間の結合が得られ、従つて、内導体間に内導体と
平行に設けられた結合量調整用の溝または穴が不
要であり、構造が簡単な誘電体フイルタを得るこ
とができる効果がある。
その上下両面と平行にかつ各々並列に複数の貫通
孔が形成された誘電体ブロツクの表面及び該貫通
孔の内面を導体膜で覆つて内導体と外導体を形成
するとともに、上記誘電体ブロツクの上下両面の
少なくとも一方に上記内導体と交叉する方向に溝
または段差を設けたので、小形で、温度特性が良
好であり、部品数が少なく製造組立が容易であ
り、かつ従来と同様に３倍高調波に対して減衰特
性を有し、開放端を同一方向に配置しても内導体
間の結合が得られ、従つて、内導体間に内導体と
平行に設けられた結合量調整用の溝または穴が不
要であり、構造が簡単な誘電体フイルタを得るこ
とができる効果がある。
第１図ａはこの考案の第１の実施例による誘電
体フイルタを示す斜視図、第１図ｂは上記実施例
の断面図、第１図ｃは該断面での電界分布を示す
図、第２図ａ，ｂ，ｃは上記実施例の電界分布を
説明するための図、第３図ａはこの考案の第２の
実施例による誘電体フイルタを示す斜視図、第３
図ｂは上記実施例の電界分布を示す図、第４図ａ
はこの考案の第３の実施例による誘電体フイルタ
を示す斜視図、第４図ｂは上記実施例の断面図、
第４図ｃは該断面での電界分布を示す図、第５図
ａはこの考案の第４の実施例による誘電体フイル
タを示す斜視図、第５図ｂは上記実施例の断面
図、第６図はこの考案の第５の実施例による誘電
体フイルタを示す斜視図、第７図はこの考案の第
６の実施例による誘電体フイルタを示す斜視図、
第８図はこの考案の第７の実施例による誘電体フ
イルタを示す斜視図、第９図ａは従来の誘電体フ
イルタを示す一部欠載した平面図、第９図ｂは上
記従来例の断面図である。 図におい、６ａ，６ｂは入出力内導体、７は導
体膜、９は溝、９０はステツプ、１０は外導体、
３０は内導体、５０は誘電体ブロツク、５１は誘
電体ブロツク５０の上面、５２は同じく下面、５
３〜５５は同じく側面である。なお図中同一符号
は同一又は相当部分を示す。
体フイルタを示す斜視図、第１図ｂは上記実施例
の断面図、第１図ｃは該断面での電界分布を示す
図、第２図ａ，ｂ，ｃは上記実施例の電界分布を
説明するための図、第３図ａはこの考案の第２の
実施例による誘電体フイルタを示す斜視図、第３
図ｂは上記実施例の電界分布を示す図、第４図ａ
はこの考案の第３の実施例による誘電体フイルタ
を示す斜視図、第４図ｂは上記実施例の断面図、
第４図ｃは該断面での電界分布を示す図、第５図
ａはこの考案の第４の実施例による誘電体フイル
タを示す斜視図、第５図ｂは上記実施例の断面
図、第６図はこの考案の第５の実施例による誘電
体フイルタを示す斜視図、第７図はこの考案の第
６の実施例による誘電体フイルタを示す斜視図、
第８図はこの考案の第７の実施例による誘電体フ
イルタを示す斜視図、第９図ａは従来の誘電体フ
イルタを示す一部欠載した平面図、第９図ｂは上
記従来例の断面図である。 図におい、６ａ，６ｂは入出力内導体、７は導
体膜、９は溝、９０はステツプ、１０は外導体、
３０は内導体、５０は誘電体ブロツク、５１は誘
電体ブロツク５０の上面、５２は同じく下面、５
３〜５５は同じく側面である。なお図中同一符号
は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) その内部にその上下両面と平行にかつ各々並
列に設けられた複数の貫通孔、および上下両面
の少なくとも一方の面の、上記貫通孔の一方の
開放端から上記貫通孔の軸方向に該軸長の略1/
３の位置に上記貫通孔と交叉する方向に設けら
れた溝を有する誘電体ブロツクと、 上記誘電体ブロツクの上記貫通孔の一方の開
放端のある一側面を除く全表面を覆つて形成さ
れた導体膜からなる外導体と、 上記貫通孔の内面を覆つて形成された導体膜
からなる内導体と、 最も外側の上記貫通孔に入力および出力をそ
れぞれ結合するための入出力結合手段とを備え
たことを特徴とする誘電体フイルタ。 (2) 上記溝は、上記貫通孔と直角の方向に設けら
れていることを特徴とする実用新案登録請求の
範囲第１項記載の誘電体フイルタ。 (3) 上記溝は、該溝の深さ、幅が他の部分と異な
る部分を有するものであることを特徴とする実
用新案登録請求の範囲第１項又は第２項記載の
誘電体フイルタ。 (4) 上記入出力結合手段は、上記内導体に流れる
電流を分流して結合するものであることを特徴
とする実用新案登録請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれかに記載の誘電体フイルタ。 (5) 上記入出力結合手段は、入出力端子を上記内
導体中に挿入し、該入出力端子と該内導体との
間で静電容量を形成して結合するものであるこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項
ないし第３項のいずれかに記載の誘電体フイル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986170673U JPH0526802Y2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986170673U JPH0526802Y2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6374803U JPS6374803U (ja) | 1988-05-18 |
| JPH0526802Y2 true JPH0526802Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=31105608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986170673U Expired - Lifetime JPH0526802Y2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526802Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2576942Y2 (ja) * | 1990-05-25 | 1998-07-23 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体フィルタ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59161902A (ja) * | 1983-03-05 | 1984-09-12 | Fujitsu Ltd | 誘電体フイルタ |
| JPS61230404A (ja) * | 1985-04-03 | 1986-10-14 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体同軸共振器 |
| JPS6285502A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-20 | Fujitsu Ltd | 誘電体フイルタ |
-
1986
- 1986-11-06 JP JP1986170673U patent/JPH0526802Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6374803U (ja) | 1988-05-18 |
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