JPH052742B2 - - Google Patents
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- JPH052742B2 JPH052742B2 JP4961786A JP4961786A JPH052742B2 JP H052742 B2 JPH052742 B2 JP H052742B2 JP 4961786 A JP4961786 A JP 4961786A JP 4961786 A JP4961786 A JP 4961786A JP H052742 B2 JPH052742 B2 JP H052742B2
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- water
- solution
- hydrogen peroxide
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は砒化インジウムアルミニウムのエツチ
ング液に関する。
ング液に関する。
砒化インジウムアルミニウムIn1-xAlxAs、（０
＜Ｘ＜１）、特にIno0.52Al0.48AsはIn0.53Ga0.47As
とのヘテロ接合構造体として、特に光通信用素子
や高性能マイクロ波素子に使用する材料として注
目されている。しかし、In1-xAlxAsについてはほ
とんどエツチング液に関する報告がなされておら
ずデバイス製造上重要なプロセスであるエツチン
グの制御が困難であつた。
＜Ｘ＜１）、特にIno0.52Al0.48AsはIn0.53Ga0.47As
とのヘテロ接合構造体として、特に光通信用素子
や高性能マイクロ波素子に使用する材料として注
目されている。しかし、In1-xAlxAsについてはほ
とんどエツチング液に関する報告がなされておら
ずデバイス製造上重要なプロセスであるエツチン
グの制御が困難であつた。
従来よく知られている−化合物半導体のエ
ツチング液としては硫酸と過酸化水素水と水の混
合液がある。しかしかかる混合液を用いてエツチ
ングを行なうとエツチング速度が速くエツチング
量の制御が難しいという問題点があつた。例えば
硫酸と過酸化水素水と水の混合比が３：１：１
（体積比）の混合液を用いた場合には液温25℃に
おいて、毎分5.5μｍ以上エツチングされてしまい
1000Å以下で制御は不可能であり通常数百Åの制
御を必要とするプロセス工程には歩留りを悪くす
る問題があつた。
ツチング液としては硫酸と過酸化水素水と水の混
合液がある。しかしかかる混合液を用いてエツチ
ングを行なうとエツチング速度が速くエツチング
量の制御が難しいという問題点があつた。例えば
硫酸と過酸化水素水と水の混合比が３：１：１
（体積比）の混合液を用いた場合には液温25℃に
おいて、毎分5.5μｍ以上エツチングされてしまい
1000Å以下で制御は不可能であり通常数百Åの制
御を必要とするプロセス工程には歩留りを悪くす
る問題があつた。
本発明の目的は、InA ｌ Asを毎分数千Å程
度まで制御可能なエツチング液を提供することに
ある。
度まで制御可能なエツチング液を提供することに
ある。
本発明の砒化インジウムアルミニウムのエツチ
ング液は、アンモニア水と過酸化水素水と水とか
らなる混合液である。
ング液は、アンモニア水と過酸化水素水と水とか
らなる混合液である。
半導体をエツチングするのはアンモニア水と過
酸化水素水であり水は緩和剤である。また、エツ
チングは酸化剤である過酸化水素水で酸化し、そ
れをアンモニア水で除去するメカニズムで説明で
きる。また水は緩和剤であることからこの量が多
い程エツチング速度を下げることができる。
酸化水素水であり水は緩和剤である。また、エツ
チングは酸化剤である過酸化水素水で酸化し、そ
れをアンモニア水で除去するメカニズムで説明で
きる。また水は緩和剤であることからこの量が多
い程エツチング速度を下げることができる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図は本発明の第１の実施例によるIn0.52
Al0.48Asのエツチング時間とエツチング深さの関
係を示す特性図である。
Al0.48Asのエツチング時間とエツチング深さの関
係を示す特性図である。
この実施例は30cm3のアンモニア水（29％）と70
cm3の過酸化水素水（30％）と50cm3の水とからなる
混合液である。
cm3の過酸化水素水（30％）と50cm3の水とからなる
混合液である。
この混合液を用いてIn0.52Al0.48Asのエツチング
を室温（約20℃）で行なつた結果を示したのが第
１図であり、エツチング時間とエツチング深さと
はほぼ直線関係にあり、時間によりエツチング深
さを制御できることがわかる。このことはエツチ
ングの制御が非常に楽であることを意味してい
る。
を室温（約20℃）で行なつた結果を示したのが第
１図であり、エツチング時間とエツチング深さと
はほぼ直線関係にあり、時間によりエツチング深
さを制御できることがわかる。このことはエツチ
ングの制御が非常に楽であることを意味してい
る。
第２図は本発明の第２の実施例によるIn0.52
Al0.48Asのエツチング深さとエツチング時間の関
係を示す特性図である。
Al0.48Asのエツチング深さとエツチング時間の関
係を示す特性図である。
この実施例は60cm3のアンモニア水（29％）と40
cm3の過酸化水素水（30％）と50cmの水とからなる
混合液である。
cm3の過酸化水素水（30％）と50cmの水とからなる
混合液である。
この混合液を用いてIn0.52Al0.48Asのエツチング
を室温（約20℃）で行なつた結果を示したのが第
２図であり、エツチング時間とエツチング深さと
はほぼ直線関係にあり、時間によりエツチング深
さを制御できることがわかる。
を室温（約20℃）で行なつた結果を示したのが第
２図であり、エツチング時間とエツチング深さと
はほぼ直線関係にあり、時間によりエツチング深
さを制御できることがわかる。
第３図は本発明のエツチング液の組成とエツチ
ング速度の関係を示す特性相関図である。
ング速度の関係を示す特性相関図である。
これらのデータは、アンモニア水（29％）と過
酸化水素水（30％）の体積の和を100cm3一定にし
て比率を変え、緩和剤としての水を50cm3加えて全
体積を150cm3として作成した各種のエツチング液
を使用して求めたものである。横軸はエツチング
液150cm3中のアンモニア水の体積（cm3）、縦軸はエ
ツチング速度（μｍ／分）を示す。組成は変化さ
せることにより１桁程度エツチング速度を変化さ
せることができる。またアンモニア水が過酸化水
素に比べ同程度から２倍程度多いときにエツチン
グ速度が最大となることがわかる。又、エツチン
グ液の組成によらずエツチング面は鏡面が得ら
れ、エツチングによる凹凸は観察されなかつた。
酸化水素水（30％）の体積の和を100cm3一定にし
て比率を変え、緩和剤としての水を50cm3加えて全
体積を150cm3として作成した各種のエツチング液
を使用して求めたものである。横軸はエツチング
液150cm3中のアンモニア水の体積（cm3）、縦軸はエ
ツチング速度（μｍ／分）を示す。組成は変化さ
せることにより１桁程度エツチング速度を変化さ
せることができる。またアンモニア水が過酸化水
素に比べ同程度から２倍程度多いときにエツチン
グ速度が最大となることがわかる。又、エツチン
グ液の組成によらずエツチング面は鏡面が得ら
れ、エツチングによる凹凸は観察されなかつた。
次に、本発明の応用例について述べる。
第４図ａ〜ｃは本発明のエツチング液を使用す
る受光素子の製造方法を説明するために工程順に
示した半導体チツプの断面図である。
る受光素子の製造方法を説明するために工程順に
示した半導体チツプの断面図である。
まず、第４図ａに示すように、ｎ型で不純物濃
度１×1018cm-3のｎ−InP基板１上にMBE法でn-
−In0.53Ga0.47As層（不純物濃度１×1015cm-3）２
を厚さ4μｍ、ｎ−In0.52Al0.48As層（不純物濃度
１×1016cm-3）３を厚さ0.5μｍそれぞれ連続成長
した。その後、第４図ｂに示すように、CVD−
SiO2膜3000Åからなるマスク４を形成し、Znを
選択拡散してp+領域５をn-−InGAs層２中の0.5μ
ｍの深さに達するまで形成した。このとき拡散に
よる熱でn-−In Al As層３表面に熱劣化層６が
形成され、この熱劣化層６を残しておくと、暗電
流が多く流れ、使用不可能となるためにエツチン
グにより除去することが必要になる。
度１×1018cm-3のｎ−InP基板１上にMBE法でn-
−In0.53Ga0.47As層（不純物濃度１×1015cm-3）２
を厚さ4μｍ、ｎ−In0.52Al0.48As層（不純物濃度
１×1016cm-3）３を厚さ0.5μｍそれぞれ連続成長
した。その後、第４図ｂに示すように、CVD−
SiO2膜3000Åからなるマスク４を形成し、Znを
選択拡散してp+領域５をn-−InGAs層２中の0.5μ
ｍの深さに達するまで形成した。このとき拡散に
よる熱でn-−In Al As層３表面に熱劣化層６が
形成され、この熱劣化層６を残しておくと、暗電
流が多く流れ、使用不可能となるためにエツチン
グにより除去することが必要になる。
次に、第４図ｃに示すように、マスク４を除去
し、本発明のエツチング液を用いて熱劣化層６を
除去した。エツチング液は前述の第１の実施例と
同じのアンモニア水30cm3、過酸化水素水70cm3、水
50cm3の組成で、液温は室温とし、10秒間エツチン
グし、約500Å除去することにより熱劣化層６を
取り除いた。このようにして、僅か数百Åのエツ
チングも制御性良く行うことができる。このよう
な精密な制御は従来の硫酸−過酸化水素水−水の
エツチング液では行えなかつたものである。
し、本発明のエツチング液を用いて熱劣化層６を
除去した。エツチング液は前述の第１の実施例と
同じのアンモニア水30cm3、過酸化水素水70cm3、水
50cm3の組成で、液温は室温とし、10秒間エツチン
グし、約500Å除去することにより熱劣化層６を
取り除いた。このようにして、僅か数百Åのエツ
チングも制御性良く行うことができる。このよう
な精密な制御は従来の硫酸−過酸化水素水−水の
エツチング液では行えなかつたものである。
以上の説明は、In0.52Al0.48Asを用いて行つた
が、一般にIn1-xAlxAs、（０＜ｘ＜１）、に本発明
を適用できる。
が、一般にIn1-xAlxAs、（０＜ｘ＜１）、に本発明
を適用できる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
エツチング量の制御性が良く、鏡面が得られる
In1-xAlxAs、（０＜ｘ＜１）、のエツチング液が得
られるという効果がある。
エツチング量の制御性が良く、鏡面が得られる
In1-xAlxAs、（０＜ｘ＜１）、のエツチング液が得
られるという効果がある。
第１図及び第２図はそれぞれ本発明の第１及び
第２の実施例によるIn0.52Al0.48Asのエツチング時
間とエツチング深さの関係を示す特性図、第３図
は本発明のエツチング液の組成とエツチング速度
の関係を示す特性相関図、第４図ａ〜ｃは本発明
のエツチング液を使用する受光素子の製造方法を
説明するために工程順に示した半導体チツプの断
面図である。 １……ｎ−InP基板、２……n-−InGaAs層、
３……n-−InAlAs層、４……マスク、５……p+
領域、６……熱劣化層。
第２の実施例によるIn0.52Al0.48Asのエツチング時
間とエツチング深さの関係を示す特性図、第３図
は本発明のエツチング液の組成とエツチング速度
の関係を示す特性相関図、第４図ａ〜ｃは本発明
のエツチング液を使用する受光素子の製造方法を
説明するために工程順に示した半導体チツプの断
面図である。 １……ｎ−InP基板、２……n-−InGaAs層、
３……n-−InAlAs層、４……マスク、５……p+
領域、６……熱劣化層。
Claims (1)
- １ アンモニア水と過酸化水素水と水とからなる
混合液であることを特徴とする砒化インジウムア
ルミニウムのエツチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4961786A JPS62207887A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 砒化インジウムアルミニウムのエツチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4961786A JPS62207887A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 砒化インジウムアルミニウムのエツチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62207887A JPS62207887A (ja) | 1987-09-12 |
| JPH052742B2 true JPH052742B2 (ja) | 1993-01-13 |
Family
ID=12836193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4961786A Granted JPS62207887A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 砒化インジウムアルミニウムのエツチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62207887A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2730684B2 (ja) * | 1991-08-21 | 1998-03-25 | 本田技研工業株式会社 | 化合物半導体の製造方法 |
| KR20050034491A (ko) * | 2003-10-09 | 2005-04-14 | (주)이엠피테크놀로지 | 세라믹 코팅용 알루미늄 전처리제 조성물 및 전처리 방법 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4961786A patent/JPS62207887A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62207887A (ja) | 1987-09-12 |
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