JPH0527464A

JPH0527464A - 画像形成装置

Info

Publication number: JPH0527464A
Application number: JP20572591A
Authority: JP
Inventors: Shunji Murano; 俊次村野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1991-07-23
Filing date: 1991-07-23
Publication date: 1993-02-05

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は感光体ドラムに露光手段を内挿した
画像形成装置において、前記露光手段に光出力の小さい
ＰＬＺＴアレイを背面露光装置に用いた場合でも、前記
光導電体層に前記露光電荷を効率よく且つ確実に捕足
し、容易に画像鮮明化を達成し得る画像形成装置を提供
することを目的とする。【構成】前記画像形成装置において、４５０〜６００
ｎｍの間の短波長可視光を出力可能な光源と、該光源よ
りの出力光を透過／遮断制御可能な光シャッタアレイと
を用いて前記露光手段を構成するとともに、前記感光体
の光導電層を膜厚を５μｍ以下に設定したアモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成した事を特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電子写真方式を採るプリ
ンタ、ファクシミリ、複写機等に使用される画像形成装
置に係り、特に透光性支持体上に透光性導電層と光導電
体層を積層してなる感光体の背面側（前記透光性支持体
と対面する側）に、画像情報に対応した光出力を生成す
る露光手段を配し、該露光手段により前記光導電体層に
露光像を形成する画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より例えば透光性支持体上に透光性
導電層と光導電体層を積層してなる感光体ドラムの内周
側に、画像情報に対応した光出力を生成する露光手段を
配し、該露光手段の光出力を集束化して前記光導電体層
に潜像を結像すると同時若しくはその直後に前記感光体
ドラムと対面配置させた現像手段により前記潜像を可視
像（トナー像）化した後、該トナー像を転写ローラその
他の転写手段を介して普通紙に転写可能に構成した画像
形成装置は公知である。（特開昭58ー153957号他、）

【０００３】この種の画像形成装置においては、露光手
段を感光体ドラム外周面上に配置した公知の電子写真装
置と異なり、露光手段を感光体ドラムに内挿する構成を
取るためにポリゴンミラー等によるビーム展開する露光
手段を用いる事が出来ず、この為従来装置においては多
数のＬＥＤ素子をドラム軸方向に沿って列状に配し、該
ＬＥＤ素子を画像情報に対応させて選択的に点灯制御可
能に構成したＬＥＤヘッドを用いて露光像を形成する装
置が多く提案されている。

【０００４】しかしながら露光手段にＬＥＤヘッドを用
いた装置においては、ＬＥＤ素子群を配列したヘッドア
レイの完成歩留りが悪いのみならず、個々の素子間の光
量、波長のバラツキ、発熱劣化等が生じ易い。又ＬＥＤ
ヘッドはそれ自体で発熱が伴い、この様な発熱体を挟口
径に形成した感光体ドラム内に内挿させて露光動作を行
うと、ドラム内温度が上昇して画像品質に悪影響を及ぼ
すのみならず、特に前記ドラム内はトナー等の塵埃の侵
入を防ぐために一般にドラム両端を密閉する構成を取る
為に前記欠点が一層増長される。

【０００５】一方、近年選択的波長感度記録紙を用いた
カラー記録装置、より具体的には複数の異なる波長に有
効な感度を有し、該波長に対応させた光照射により複数
の異なる色を発する感光材料を用いて模様露光を行なう
記録装置が存在し、該記録装置の露光手段として光源と
結像レンズ間に光シャッタアレイ（ＰＬＺＴアレイ）を
配置し、該シャッタアレイに画素情報に対応した制御電
圧を印加しながら該光源よりの出力光を透過／遮断制御
可能に構成した露光手段を用いた技術が開示されてい
る。（特開昭６３ー２２１０６０号他）

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】さて前記露光手段にお
いては例え光源の光強度を大にしてもその光強度はＰＬ
ＺＴ素子の通過時に制限を受けるために、該ＰＬＺＴア
レイより出力される光強度は必然的に小さくなり、この
為該露光手段をそのまま電子写真装置に適用した場合に
は光導電体層に蓄積される電荷も小さくなり、好ましい
鮮明画像を形成し得ないという問題を有す。而も背面露
光装置の場合は他の電子写真装置と異なり、前記露光手
段の光出力を直接光導電体層に透過させるのではなく、
その背面側より透光性支持体と透光性導電層を介して露
光する構成を取るために、前記光導電体層に蓄積される
電荷は一層小さくなり、鮮明画像を形成する上で致命傷
となる。

【０００７】本発明はかかる従来技術の欠点に鑑み、光
出力の小さいＰＬＺＴアレイを背面露光装置に用いた場
合でも、前記光導電体層に前記露光電荷を効率よく且つ
確実に捕足し、容易に画像鮮明化を達成し得る画像形成
装置を提供することを目的とする。又本発明の他の目的
とする所は、前記感光体の耐摩耗性と耐環境性を向上
し、これにより経時的な画像品質の低下を防止し得る画
像形成装置を提供する事にある。

【０００８】

【課題を解決する為の手段】前記したようにＰＬＺＴア
レイは、ＬＥＤヘッド等に比較して発光光量が小さいと
いう問題がある。そこでこの様なＰＬＺＴアレイを露光
手段として用いた場合には、その受光側でこれを効率よ
く補足する必要がある。そこで本発明は、露光手段に前
記光源とＰＬＺＴアレイを用いつつ、これを受光する感
光体側の光導電体層にａ−Ｓｉ系材料を用いた点を第一
の特徴とする。

【０００９】即ちａ−Ｓｉ系光導電体層は、他のＳｅＡ
ｓ、ＳｅＴｅ、ＣｄＳ、ＯＰＣ等の感光体材料に比べて
光吸収能と光キャリア発生能が高く、而も発生したキャ
リアの移動度が高い為に、低輝度の光出力でも効率よく
光電変換が可能となる。

【００１０】さて前記した背面露光装置は帯電、露光、
現像同時方式の為に、従来のカールソン方式の電子写真
装置のように感光体の帯電電圧の電圧降下がなく、この
為前記背面露光装置においては、現像バイアスや帯電電
圧をその分低下させる事が可能であるが、逆に帯電電圧
を低下させた場合、光導電層厚を薄くして電界強度を高
める必要がある。

【００１１】しかしながら前記光導電層をａ−Ｓｉ材で
形成した場合、例えば前記ＰＬＺＴアレイに組込む光源
に、従来のＬＥＤアレイと一致する波長６６０nm前後の
光源を選択し、該波長からなる光出力を前記ａ−Ｓｉ系
露光像に結像させた場合、例えばａ−Ｓｉ：Ｈ材の入射
光の９０％が吸収されるまでの膜厚深さは約２．２μｍ
であり、このため前記入射光の吸収効率を更に高めよう
とすると前記膜厚深さは一層大になり、結果として帯電
電圧を上げなければ所定の電界強度を維持できず、結果
として背面露光装置としての特有の効果が滅失してしま
う。

【００１２】そこで本発明は、前記ＰＬＺＴアレイに組
込む光源に４５０〜６００ｎｍ、より好ましくは４５０
〜５５０ｎｍの間の短波長可視光を出力可能な光源を用
いつつ、前記アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料
で形成した光導電層を５μｍ以下に設定した点を第２の
特徴とする。

【００１３】即ち前記光出力の波長が５００〜５５０ｎ
ｍ波長の光出力を照射した場合、前記ａ−Ｓｉ：Ｈ材の
入射光の９０％が吸収されるまでの膜厚深さは約０．３
〜０．４μｍ、又６００nmの波長の光出力の場合でも前
記膜厚深さは約０．８μｍ、と前記ＬＥＤに比較して数
段薄膜化が可能であり、この為前記光導電層の膜厚を５
μｍ以下、好ましくは３μｍ以下に設定しても高度な吸
収効率を得る事が出来、而も前記膜厚は薄膜であるため
に帯電電圧を低くしても十分なる電界強度を維持する事
が可能となる。

【００１４】次に電荷保持についても考える必要があ
る。即ち前記の様に効率よく光電変換された露光電荷は
現像及び転写位置に至るまでこれを保持する必要がある
が、前記光導電体層の背面側には電極として機能し得る
透光性導電層を有するために、光導電体層を介して前記
導電層と対面する現像スリーブに印加される現像バイア
スが正の場合には該導電層から電子が注入され、又現像
バイアスが負の場合には導電層から正孔が注入され、結
果として露光像の電位度の低下により現像の際に画像濃
度の低下や地かぶりが生じ易い。

【００１５】そこで本発明の好ましい実施例において
は、前記光導電体層の境界側に高抵抗薄層若しくは絶縁
性の注入阻止層を形成した点を特定している。かかる構
成によれば、前記電子や正孔の注入が阻止され前記電位
度が低下する事なく現像の際に画像濃度の低下や地かぶ
りが防止される。そして前記注入阻止層は、高硬度で化
学的安定性の高いａ−ＳｉＣ材で形成するのがよく、こ
れにより耐摩耗性と耐環境性が向上し、経時的な画像品
質の劣化を防ぐ事が出来るとともに、特に前記注入阻止
層にαーＳｉＣ層を用いる事により光導電体層と透光性
導電層との間の密着性が高まる。

【００１６】さて前記の様な背面露光装置は一般に導電
性トナーを用い、現像位置上流側に形成されたトナー溜
まりを介して感光体側に電荷注入を行いながら光導電体
層の帯電を行うように構成している為、前記導電性トナ
ーが光導電層と直接接触する事により前記導電層上の露
光電荷が低減し易く、特に前記の様に光導電体層を薄く
し荷電容量を小に設定した場合においては前記露光電荷
の低減は、即、画像品質に大きく影響する。

【００１７】そこでこの様な場合には、導電性トナーを
用いた画像形成装置において、前記光導電体層の表面側
にも前記高抵抗若しくは絶縁層を形成する事により、現
像スリーブ側からの電荷の注入を効果的に阻止でき、前
記欠点の解消が図れると共に帯電能を高める事が出来
る。

【００１８】更に本発明は、前記光導電体層を単層の層
領域とする事なく、光キャリア発生の機能を高めた層領
域と、その表面側に形成したキャリア輸送の機能を持た
せた層領域とを積層したものとする事により、光感度と
耐電圧等を共に高めることが出来る。

【００１９】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を例示
的に詳しく説明する。但しこの実施例に記載されている
構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に
特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみ
に限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。図１
は本発明の基本構成図で、１はドラム状若しくはベルト
状に形成される感光体の拡大断面図で、透光性支持体１
ａ上に透光性導電層１ｂ、表面阻止層１ｅ、光導電体層
１ｃ、及び表面層１ｆが積層されて形成されている。そ
して前記感光体１の背面側（ドラム内周側）に、光源と
一対の偏向板間に配設されたＰＬＺＴアレイからなる露
光ヘッド２と、該露光ヘッド２よりの光出力を集束化さ
せて前記感光体ドラム１の光導電層１Ｃに結像させるセ
ルフォックレンズ（商標名）その他の集束レンズ２０が
配設されている。

【００２０】次に前記各部位について詳細に説明する。
透光性支持体１ａは、ガラス（パイレックスガラス、ホ
ウ珪酸ガラス、ソーダガラス等）、石英、サファイア等
の透明な無機材料や、弗素樹脂、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト、ビニロン、エポキシ、マイラー等の透明な樹脂等が
あり、ドラム状等の形状である。透光性導電層１ｂは、
ＩＴＯ（インジウム・スズ・酸化物）、酸化鉛、酸化イ
ンジウム、ヨウ化銅等の透明導電性材料を用いたり、Ａ
Ｉ、Ｎｉ、Ａｕ等の金属を半透明になる程度に薄く形成
してもよい。

【００２１】光導電体層１ｃはａ−Ｓｉ：Ｈからなる光
導電体を用い、そして現像バイアスが正の場合には電子
の移動度を高める為、ノンドープ又はＶａ族元素を含有
させ、又現像バイアスが負の場合には正孔の移動度を高
めるため、IIIａ族元素を含有させるのが好ましい。又
必要に応じて暗導電率や光導電率等の電気的特性、光学
的バンドギャップ等について所望の特性を得るために、
Ｃ，Ｏ，Ｎ等の元素を含有させても良い。

【００２２】又前記光導電体層１ｃは、背面側より光キ
ャリア発生の機能を高めた光励起層領域１ｃ１と、キャ
リア輸送の機能を持たせた層領域１ｃ２との２層により
形成する事により光感度と耐電圧を高めることが出来
る。尚、光励起層領域１ｃ１は、成膜時において低成膜
速度で成膜する。Ｈ₂やＨｅでの希釈率を高める、ドー
プする元素を輸送層よりも多く含有させる等により光キ
ャリア発生の機能を高めることができる。

【００２３】又、キャリア輸送層領域１ｃ２は前記領域
と逆の方法で生成する事が出来、そしてこの層は主に感
光体の耐圧を高めると共に励起層１ｃ１から注入された
キャリアを感光体表面へスムーズに走行させる役割を持
つが、この層においても光励起層を透過してきた光によ
りキャリア生成が行なわれ、感光体１の光感度に寄与す
る。

【００２４】尚、光励起層領域１ｃ１の厚みは0.03〜5
μｍ、好適には0.5〜3μｍの範囲に設定するのが良く、
又輸送領域１ｃ２の厚みは0.05〜5μｍ、好適には1〜3
μｍの範囲が良い。又前記両層域からなるａ−Ｓｉ系光
導電体層１ｃの厚みは0.05〜5μｍ、好適には0.1〜3μ
ｍにするのがよい。

【００２５】表面阻止層１ｅと表面層１ｆは、αーＳｉ
Ｃ、αーＳｉＯ，αーＳｉＮ、αーＳｉＯＮ、αーＳｉ
ＣＯＮ等のａ−Ｓｉ系の無機高抵抗若しくは絶縁材料、
ポリエチレンテレフタレート、パリレン、ポリ四フッ化
エチレン、ポリイミド、ポリフッ化エチレンプロピレン
等の有機高抵抗若しくは絶縁材料を用いるのがよく、特
に高抵抗のａ−ＳｉＣ層を用いると、絶縁耐圧や耐摩耗
性、耐環境性等の特性が高められるのみならず、透光性
導電層１ｂと光導電体層１ｃ間の密着性能が高まる。こ
のａ−Ｓｉ_1-xＣ_xのｘ値は0.3≦ｘ＜1.0、好適には0.5
≦ｘ≦0.95に設定する事により１０¹² 〜１０¹³Ω・ｃ
ｍ範囲の抵抗値で高耐湿性を得る事が出来、この場合層
内でＣ量に勾配を持たせてもよい。またＣと同時にＮ，
Ｏ，Ｇｅを含有させる事により耐湿性を更に高めること
が出来る。

【００２６】表面阻止層１ｅの厚みは0.01〜5μｍ、好
適には0.1〜3μｍの範囲内が良く、又表面層１ｆの厚み
は0.05〜5μｍ、好適には0.1〜3μｍの範囲内が良い。
尚前記表面阻止層１ｅにａ−Ｓｉ系を用いる場合には、
現像バイアスが正の場合には導電層からの電子の注入を
阻止するためにIIIａ族元素（１〜100000ppm、好適には
100〜5000ppm）を、現像バイアスが負の場合には導電層
１ｂからの正孔の注入を阻止するためにＶａ族元素（50
00ppm以下、好適には300〜3000ppm）を含有させるのが
よく、又、Ｏ，Ｎを0.01〜30原子％含有させることによ
り、透光性導電層１ｂとの密着性が一層向上する。

【００２７】さて前記各部位の説明より既に明らかにな
ったが、感光体全体の膜厚は、必要な帯電および絶縁耐
圧の確保や、露光された光の吸収や残留電位の抑制等か
ら、１〜１５μｍ、好適には２〜１０μｍの範囲に設定
するのが良い。又前記ａ−Ｓｉ系光導電体層１ｃ、ａ−
Ｓｉ系表面阻止層１ｅ及び表面層１ｆは、グロー放電分
解法、スパッタリング法、ＥＣＲ法、蒸着法等により成
膜し、その膜形成に当って、ダングリングボンド終端用
の元素、例えば（Ｈ）やハロゲンを含有させるのがよ
い。

【００２８】図４は本実施例の要部構成たる露光ヘッド
２の構成を示す。該露光ヘッド２は、ドラム軸方向に延
設する管状光源２１と、該管状光源２１の光路上に配し
たＰＬＺＴ光シャッタアレー２２、該アレー２２の入射
側と出射側に夫々配した一対の偏向板２３、２４からな
る。

【００２９】光源２１は、例えば波長５００ｎｍに対応
する出力光を有する蛍光菅、若しくは周囲にシアン（波
長５００ｎｍ）が発色可能なカラーフィルタを介装した
キセノンランプその他の管状ランプを用いている。一対
の偏向板２３、２４は夫々偏向角を９０度ずらして配置
する。ＰＬＺＴアレイ２２は画素数に対応させて多数の
ＰＬＺＴ素子が列状に配列され、該ＰＬＺＴ素子に電圧
印加する事により、前記出力光がＰＬＺＴ素子を通過す
る際に９０度回転偏向可能に構成している。

【００３０】そしてかかる露光ヘッド２によれば、電源
回路２５を介して制御回路２６よりの出力信号に基づい
て、画像情報に対応させて選択的に前記ＰＬＺＴ素子に
電圧を印加する事により、電圧印加されたＰＬＺＴ素子
については、第１の偏向板２３、２４を通過した前記出
力光が前記ＰＬＺＴ素子を通過する際に９０度回転偏向
されるために、そのまま出射側の偏向板２３、２４を通
過し、集束レンズ２０により集束化されて前記光導電層
１Ｃにドット状の露光電荷を形成する事が出来る。

【００３１】一方、電圧印加されていないＰＬＺＴ素子
については、第１の偏向板２３を通過した前記出力光が
前記ＰＬＺＴ素子を通過する際に９０度回転偏向される
事なくそのまま通過する為に、出射側の偏向板２４を通
過する事が出来ず、これにより画像情報に対応した露光
画像が光導電層１Ｃに結像可能となる。尚、前記第２の
偏向板２４通過後の光出力は光源２１と同様の５００ｎ
ｍ前後のの短波長可視光の光出力である。

【００３２】次に本発明の効果を確認する為に、下記の
ような実験を試みた。先ず感光体ドラム１として３０φ
で軸方向に３００ｍｍの長さを有する透明な円筒状ガラ
ス基板１ａの外周面に、透光精導電層１ｂとしてＩＴＯ
層を活性反応蒸着法により１０００Åの厚みで形成し、
次いで、その上に容量結合型グロー放電分解装置を用い
て、図３の成膜条件によりａ−ＳｉＣ表面阻止層１ｅと
ａ−Ｓｉ光導電体層１ｃとａ−ＳｉＣ表面層１ｆとを順
次積層した感光体を作成した。

【００３３】そして前記のように形成した感光体ドラム
１を図２に示す装置に組込んで所定の画像形成を行う。
即ちその構成を簡単に説明するに、２は蛍光ドットアレ
イで、前記感光体ドラム１内に内挿され、図４に示す露
光ヘッド２２２と集束性レンズ２０（商品名：セルフォ
ックレンズ）からなる露光系を構成し、そして前記露光
系の結像位置は感光体ドラム1と後記現像スリーブ３の
軸心を結ぶ焦点線上に位置する光導電体層１ｃに結像す
るように構成されている。

【００３４】３は固定磁石集成体３２を内包する現像ス
リーブで、該スリーブ３を矢印方向に回転させることに
より、トナー容器３１内のトナーが、前記露光系２２−
２０の結像位置と対応する現像位置に導かれるように構
成している。尚、感光体ドラム1と現像スリーブ３は相
対的に速度差が生じる様な回転速度を以て逆方向に回転
可能に構成している。

【００３５】そして前記現像スリーブ３にはバイアス電
圧が印加されており、現像スリーブ３と感光体ドラム１
間の相対的速度差により感光体ドラム１表面を摺擦しな
がら感光体ドラム１の現像位置上流側に形成したトナー
溜まりを介してスリーブ３に印加されたバイアス電圧を
感光体ドラム１側に注入し、均一帯電を行うように構成
している。

【００３６】４は転写ローラで感光体ドラム１と同期し
て回転しながら前記現像装置により感光体ドラム１側に
担持させたトナー像を、普通紙上に転写可能に構成す
る。尚、図中９は普通紙に転写された未定着トナー像の
画像定着を行なう定着ローラである。

【００３７】かかる装置において、現像スリーブ３１と
感光体ドラム１の透光性導電層１ｂとの間に＋３０Ｖの
電圧を印加しながら、波長５０５nm、露光量０．４μＪ
／ｃｍ²の条件で画像露光を行ない、感光体ドラム１上
にトナー像を形成し、そのトナー像を記録紙に転写し、
熱定着を行なって画像を得た。この画像を評価したとこ
ろ、Ｉ．Ｄ．が１．３の画像濃度を有し、バックのかぶ
りのない、解像度の良好な画像であった。次に前記実施
例において５０００枚の連続ランニング試験を行った
が、感光体ドラム１内温度の上昇は見られず、又画像品
質の劣化も見られなかった。

【００３８】又前記表面阻止層１ｅがない点を除いては
前記実施例と同様に製作した感光体ドラム１を用いて前
記と同様な試験を行った所Ｉ．Ｄ．が０．６と大幅に低
下している事が確認された。又前記表面層１ｆがない点
を除いては前記実施例と同様に製作した感光体ドラムを
用いて前記と同様な試験を行った所やはりＩ．Ｄ．が
０．８と大幅に低下している事が確認された。従って前
記実験結果より本発明の効果が確認された。

【００３９】

【効果】従って本発明によれば、ＬＥＤ等の他の光源に
比べて発光光量が小さいＰＬＺＴアレイを用いた場合で
も、高感度でキャリア移動度も大きいａ−Ｓｉ系光導電
体層を有する感光体と組合せる事により、画像品質を低
下させる事なく低消費電力で小型の画像形成装置を得る
事が出来る。而もａ−Ｓｉ系光導電体層は、光吸収が高
く、光キャリア発生やキャリアの移動に優れているの
で、ＰＬＺＴアレイの光出力に対応させて光導電体層を
５μｍ以下に薄膜化しても良好な画像が得られるととも
に、特に前記ＰＬＺＴアレイの使用波長を５５０nm以下
に短波長化する事により前記膜厚を薄膜化した場合でも
露光された光吸収性が低下する事なく、高度な吸収効率
を得る事が出来、而も前記膜厚は薄膜であるために帯電
電圧を低くしても十分なる電界強度を維持する事が出来
る。等の種々の著効を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基本構成図で、感光体と露光ヘッドと
の関係を示す。

【図２】本発明の実施例に係る画像形成装置を組込んだ
画像形成装置

【図３】本発明の実施例に係る感光体ドラムの製造条件
を示す表図である。

【図４】図１及び図２の装置に組込まれる露光ヘッドの
拡大断面図である。

【符号の説明】

１感光体２露光ヘッド（２１光源、２２ＰＬＺＴアレイ）１ａ透光性支持体、１ｂ透光性導電層、１ｃ光導電体１ｄ表面阻止層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性支持体上に透光性導電層と光導電
体層を積層してなる感光体の背面側に、画像情報に対応
した光出力を生成する露光手段を配し、該露光手段によ
り前記光導電体層に露光像を形成可能に構成した画像形
成装置において、４５０〜６００ｎｍの間の短波長可視
光を出力可能な光源と、該光源よりの出力光を透過／遮
断制御可能な光シャッタアレイとを用いて前記露光手段
を構成するとともに、前記感光体の光導電層を膜厚を５
μｍ以下に設定したアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
系材料で形成した事を特徴とする画像形成装置
【請求項２】前記感光体の光導電体層と透光性導電層
との境界側に高抵抗若しくは絶縁性の注入阻止層を介在
させた事を特徴とする請求項１記載の画像形成装置
【請求項３】導電性トナーを用いた画像形成装置にお
いて、前記光導電体層の表面側に高抵抗若しくは絶縁性
薄膜層を形成した事を特徴とする請求項１記載の画像形
成装置