JPH04243952A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPH04243952A JPH04243952A JP3029028A JP2902891A JPH04243952A JP H04243952 A JPH04243952 A JP H04243952A JP 3029028 A JP3029028 A JP 3029028A JP 2902891 A JP2902891 A JP 2902891A JP H04243952 A JPH04243952 A JP H04243952A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁器組成物に関し、特に
誘電率、絶縁抵抗が高く、誘電率の温度変化および直流
バイアスを印加したときの誘電率の減少率が小さく、か
つ１０５０℃以下の温度で焼結可能な磁器組成物に関す
るものである。
誘電率、絶縁抵抗が高く、誘電率の温度変化および直流
バイアスを印加したときの誘電率の減少率が小さく、か
つ１０５０℃以下の温度で焼結可能な磁器組成物に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】従来、高誘電率系磁器組
成物として、チタン酸バリウム［ＢａＴｉＯ３］系がよ
く知られており、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ３］
、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］などを添加、置換するこ
とにより温度特性の改善を図っているが、焼結温度が１
３００℃以上の高温であるため、積層セラミックコンデ
ンサに使用した場合、その内部電極には白金，パラジウ
ム等の高価な貴金属しか利用できなかった。
成物として、チタン酸バリウム［ＢａＴｉＯ３］系がよ
く知られており、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ３］
、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］などを添加、置換するこ
とにより温度特性の改善を図っているが、焼結温度が１
３００℃以上の高温であるため、積層セラミックコンデ
ンサに使用した場合、その内部電極には白金，パラジウ
ム等の高価な貴金属しか利用できなかった。
【０００３】また、従来の材料で温度変化率の小さい材
料を実現した場合、得られる誘電率はせいぜい２０００
程度にすぎず、コンデンサ用の材料としては小さすぎる
。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い材料として鉛
系複合ペロブスカイト化合物が報告されている。例えば
マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］、ニッケル・
ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］から
なる３成分組成物は、誘電率を室温で２００００以上と
高くすることが可能であることが報告されている。しか
しこの３成分系では誘電率の温度変化が大きく、かつ直
流バイアスを印加した時の容量の減少が大きいという問
題点がある。 そのため実用上、その使用範囲が限られていた。本発明
の目的は、上記の組成物の誘電率の温度特性を改善し、
かつ直流バイアス印加時の容量減少ができるだけ小さい
磁器組成物を提供することにある。
料を実現した場合、得られる誘電率はせいぜい２０００
程度にすぎず、コンデンサ用の材料としては小さすぎる
。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い材料として鉛
系複合ペロブスカイト化合物が報告されている。例えば
マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／
３）Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］、ニッケル・
ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］から
なる３成分組成物は、誘電率を室温で２００００以上と
高くすることが可能であることが報告されている。しか
しこの３成分系では誘電率の温度変化が大きく、かつ直
流バイアスを印加した時の容量の減少が大きいという問
題点がある。 そのため実用上、その使用範囲が限られていた。本発明
の目的は、上記の組成物の誘電率の温度特性を改善し、
かつ直流バイアス印加時の容量減少ができるだけ小さい
磁器組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マグネシウム
・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３
］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］および亜鉛・ニオブ酸
鉛［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］からなる３成
分組成物を主組成として［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）
Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２
／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現し
たとき、以下の組成点、（ｘ＝０．９８，ｙ＝０，
ｚ＝０．０２）…（ａ） （ｘ＝０．４３，ｙ＝０．５５，ｚ＝０．０２）…（ｂ
） （ｘ＝０．２０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．６０）…（ｃ
） （ｘ＝０．４０，ｙ＝０， ｚ＝０．６０）
…（ｄ） を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物であって、鉛イオン（Ｐｂ２＋）をスト
ロンチウムイオン（Ｓｒ２＋）、バリウムイオン（Ｂａ
２＋）のうち少なくとも１種類のイオンで０．０１〜３
０ｍｏｌ％置換したことを特徴とする磁器組成物である
。
・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３
］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］および亜鉛・ニオブ酸
鉛［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］からなる３成
分組成物を主組成として［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）
Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２
／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現し
たとき、以下の組成点、（ｘ＝０．９８，ｙ＝０，
ｚ＝０．０２）…（ａ） （ｘ＝０．４３，ｙ＝０．５５，ｚ＝０．０２）…（ｂ
） （ｘ＝０．２０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．６０）…（ｃ
） （ｘ＝０．４０，ｙ＝０， ｚ＝０．６０）
…（ｄ） を結ぶ線上、およびこの４点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物であって、鉛イオン（Ｐｂ２＋）をスト
ロンチウムイオン（Ｓｒ２＋）、バリウムイオン（Ｂａ
２＋）のうち少なくとも１種類のイオンで０．０１〜３
０ｍｏｌ％置換したことを特徴とする磁器組成物である
。
【０００５】本発明における主組成の組成範囲を表す３
成分組成図は図１で示される。図中、（ａ）〜（ｄ）は
各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲は図の斜線
で示す範囲、およびその境界線上である。本発明の主組
成の特許請求範囲外の組成では、容量が低くなる、キュ
リ−点が室温から高温側や低温側に片寄りすぎて容量の
温度特性が悪くなる、誘電損失が大きくなる、あるいは
比抵抗が小さくなるという弊害が現れる。またＳｒ２＋
、Ｂａ２＋の置換量を特許請求範囲以外にすると、容量
が小さくなりすぎるため、コンデンサ用の磁器組成物と
しては適さない。
成分組成図は図１で示される。図中、（ａ）〜（ｄ）は
各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲は図の斜線
で示す範囲、およびその境界線上である。本発明の主組
成の特許請求範囲外の組成では、容量が低くなる、キュ
リ−点が室温から高温側や低温側に片寄りすぎて容量の
温度特性が悪くなる、誘電損失が大きくなる、あるいは
比抵抗が小さくなるという弊害が現れる。またＳｒ２＋
、Ｂａ２＋の置換量を特許請求範囲以外にすると、容量
が小さくなりすぎるため、コンデンサ用の磁器組成物と
しては適さない。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について、詳細に説明
する。 実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化タングステン（
ＷＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（
Ｎｂ２Ｏ５）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ２）および炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸
バリウム（ＢａＣＯ３）を使用し、表１、表３、表５お
よび表７に示した配合比となるように各々秤量した。次
に秤量した各材料をボ−ルミル中で湿式混合したのち、
８００〜８５０℃で仮焼を行い、この粉末をボ−ルミル
で湿式粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整
粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板２
枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を作製し
た。円柱は焼結密度測定用に供した。次にプレスした円
板試料を９５０〜１０５０℃の温度で１時間焼成を行い
、焼成した円板の上下面に６００℃で銀電極を焼き付け
た。デジタルＬＣＲメ−タで周波数１ｋＨｚ、伝導率１
Ｖｒ．ｍ．ｓの交流を用いて室温で容量と誘電損失を測
定し、５０Ｖの直流電圧を１分間印加した時の電流値を
絶縁抵抗計で測定して試料の比抵抗を求めた。誘電率は
測定した容量値から求めた。さらに−３０℃と８５℃に
おける容量を測定し、２０℃の誘電率に対する誘電率の
変化率を求めた。
する。 実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化タングステン（
ＷＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（
Ｎｂ２Ｏ５）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ２）および炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３）、炭酸
バリウム（ＢａＣＯ３）を使用し、表１、表３、表５お
よび表７に示した配合比となるように各々秤量した。次
に秤量した各材料をボ−ルミル中で湿式混合したのち、
８００〜８５０℃で仮焼を行い、この粉末をボ−ルミル
で湿式粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整
粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板２
枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を作製し
た。円柱は焼結密度測定用に供した。次にプレスした円
板試料を９５０〜１０５０℃の温度で１時間焼成を行い
、焼成した円板の上下面に６００℃で銀電極を焼き付け
た。デジタルＬＣＲメ−タで周波数１ｋＨｚ、伝導率１
Ｖｒ．ｍ．ｓの交流を用いて室温で容量と誘電損失を測
定し、５０Ｖの直流電圧を１分間印加した時の電流値を
絶縁抵抗計で測定して試料の比抵抗を求めた。誘電率は
測定した容量値から求めた。さらに−３０℃と８５℃に
おける容量を測定し、２０℃の誘電率に対する誘電率の
変化率を求めた。
【０００７】このようにして得られた磁器の主成分［Ｐ
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ
［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚの配合比ｘ，
ｙ，ｚ、Ｐｂ２＋イオンを置換したＳｒ２＋，Ｂａ２＋
の量、および室温における誘電率、誘電損失、比抵抗、
および−３０℃、８５℃における誘電率の変化率（２０
℃における誘電率を基準）を表１から表８に示す。なお
表中、試料番号で＊はＳｒまたはＢａの置換量が本発明
の範囲外の組成のものを示し、＊＊は主成分組成が本発
明の範囲外の組成のものを示す。
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ
［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚの配合比ｘ，
ｙ，ｚ、Ｐｂ２＋イオンを置換したＳｒ２＋，Ｂａ２＋
の量、および室温における誘電率、誘電損失、比抵抗、
および−３０℃、８５℃における誘電率の変化率（２０
℃における誘電率を基準）を表１から表８に示す。なお
表中、試料番号で＊はＳｒまたはＢａの置換量が本発明
の範囲外の組成のものを示し、＊＊は主成分組成が本発
明の範囲外の組成のものを示す。
【０００８】表１〜８からも明らかなように、［Ｐｂ（
Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］−［Ｐ
ｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分系組成物のＰ
ｂ２＋をＳｒ２＋，Ｂａ２＋で置換した本発明の組成範
囲の磁器組成物は、高い誘電率、比抵抗の値を有し、か
つ誘電率の温度による変化が小さく、ＥＩＡ規格のＹ５
Ｕ特性、あるいはＹ５Ｔ特性を満足することが可能であ
る。さらに本発明の磁器組成物は１０５０℃以下の低い
温度で焼結できるため、積層セラミックコンデンサの内
部電極に安価な銀・パラジウム合金を用いることができ
る。
Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］−［Ｐ
ｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分系組成物のＰ
ｂ２＋をＳｒ２＋，Ｂａ２＋で置換した本発明の組成範
囲の磁器組成物は、高い誘電率、比抵抗の値を有し、か
つ誘電率の温度による変化が小さく、ＥＩＡ規格のＹ５
Ｕ特性、あるいはＹ５Ｔ特性を満足することが可能であ
る。さらに本発明の磁器組成物は１０５０℃以下の低い
温度で焼結できるため、積層セラミックコンデンサの内
部電極に安価な銀・パラジウム合金を用いることができ
る。
【０００９】
【表１】
試料番号１〜２０の配合量
─────────────────────────
─────────── 試料 Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３ ＰｂＴｉＯ３ Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３ Ｓｒ置換量 Ｂａ置換量 番
号 （ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％）────────────────
──────────────────── １＊
７０ ０
３０ ０
０ ２＊ ５０
１０ ４
０ ０ ０
３ ５０
１０ ４０
１０ ０ ４
５０ １０
４０ ０
１０ ５＊ ４０
１０ ５０
０ ０ ６
４０ １０
５０ ５
０ ７ ４０
１０ ５
０ ０ ５
８＊ ３０
１０ ６０
０ ０ ９＊＊
２５ １０
６５ ０
０１０＊ ４０
２０ ４０
０ ０１１
４０ ２０
４０ ０．０
１ ０１２ ４０
２０ ４０
１０ ０１３
４０ ２０
４０ ２
０ ０１４ ４０
２０ ４
０ ０ ０
．０１ １５ ４０
２０ ４０
０ １０１６
４０ ２０
４０ ０
２０１７＊ ３５
２０ ４５
０ ０１８＊
３０ ２０
５０ ０
０１９ ３０
２０ ５０
１０ ０２
０ ３０ ２０
５０
３０ ０────────────
────────────────────────
─────────── 試料 Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３ ＰｂＴｉＯ３ Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３ Ｓｒ置換量 Ｂａ置換量 番
号 （ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％）────────────────
──────────────────── １＊
７０ ０
３０ ０
０ ２＊ ５０
１０ ４
０ ０ ０
３ ５０
１０ ４０
１０ ０ ４
５０ １０
４０ ０
１０ ５＊ ４０
１０ ５０
０ ０ ６
４０ １０
５０ ５
０ ７ ４０
１０ ５
０ ０ ５
８＊ ３０
１０ ６０
０ ０ ９＊＊
２５ １０
６５ ０
０１０＊ ４０
２０ ４０
０ ０１１
４０ ２０
４０ ０．０
１ ０１２ ４０
２０ ４０
１０ ０１３
４０ ２０
４０ ２
０ ０１４ ４０
２０ ４
０ ０ ０
．０１ １５ ４０
２０ ４０
０ １０１６
４０ ２０
４０ ０
２０１７＊ ３５
２０ ４５
０ ０１８＊
３０ ２０
５０ ０
０１９ ３０
２０ ５０
１０ ０２
０ ３０ ２０
５０
３０ ０────────────
────────────────────────
【００１０】
【表２】
試料番号１〜２０の特性
─────────────────────────
─────────── 試料 ε
ｔａｎδ 比抵抗
△ε／ε（２０℃） 番号 （２０℃）
（２０℃） （Ω・ｃｍ） ───────
───────
（％）
−３０℃（％） ８５℃（％）──────────
─────────────────────────
─ １＊ ２８７０ ０．３
３．８×１０１４ ＋２０
．２ −３１．６ ２＊ ３７０
０ ０．１ ５．３×１
０１３ ＋１５．８ −２８．７
３ ３０５０ ０．１
１１．６×１０１４ ＋１７．
２ −２６．３ ４ ３２００
０．２ ８．０×１０
１３ ＋１６．２ −２７．０
５＊ ３９５０ ０．１
７．３×１０１３ ＋１６．５
−２７．４ ６ ３５００
０．１ １．２×１０１
４ ＋１６．０ −２５．１
７ ３７５０ ０．２
１．１×１０１４ ＋１６．２
−２６．３ ８＊ ３４００
０．９ ５．６×１０１２
−２１．１ −１８．５ ９
＊＊ ２９２０ ３．５
２．８×１０１１ −３６．３
−４．３１０＊ ６１８０
０．７ ８．８×１０１２
−８．５ −２９．８１１
６０５０ ０．５
１．２×１０１３ −７．０
−２８．５１２ ５２４０
０．２ ２．１×１０１３
＋０．１ −２８．１１３
４６００ ０．１ ３．
６×１０１３ ＋３．２ −２
７．６１４ ６０９０ ０．
６ １．０×１０１３ −
８．０ −２８．２１５ ５５３
０ ０．４ １．８×１
０１３ −２．５ −２７．５
１６ ４９６０ ０．３
２．２×１０１３ ＋０．１
−２６．９１７＊ ７４２０
１．９ ４．２×１０１２
−２８．５ −２７．５１８＊
８４８０ ３．８
２．６×１０１２ −４４．３
−１０．３１９ ７２１０
１．５ ７．８×１０１２
−３８．１ −９．２２０
４８２０ ０．６
２．７×１０１３ −１５．２
−７．４────────────────────
────────────────
─────────── 試料 ε
ｔａｎδ 比抵抗
△ε／ε（２０℃） 番号 （２０℃）
（２０℃） （Ω・ｃｍ） ───────
───────
（％）
−３０℃（％） ８５℃（％）──────────
─────────────────────────
─ １＊ ２８７０ ０．３
３．８×１０１４ ＋２０
．２ −３１．６ ２＊ ３７０
０ ０．１ ５．３×１
０１３ ＋１５．８ −２８．７
３ ３０５０ ０．１
１１．６×１０１４ ＋１７．
２ −２６．３ ４ ３２００
０．２ ８．０×１０
１３ ＋１６．２ −２７．０
５＊ ３９５０ ０．１
７．３×１０１３ ＋１６．５
−２７．４ ６ ３５００
０．１ １．２×１０１
４ ＋１６．０ −２５．１
７ ３７５０ ０．２
１．１×１０１４ ＋１６．２
−２６．３ ８＊ ３４００
０．９ ５．６×１０１２
−２１．１ −１８．５ ９
＊＊ ２９２０ ３．５
２．８×１０１１ −３６．３
−４．３１０＊ ６１８０
０．７ ８．８×１０１２
−８．５ −２９．８１１
６０５０ ０．５
１．２×１０１３ −７．０
−２８．５１２ ５２４０
０．２ ２．１×１０１３
＋０．１ −２８．１１３
４６００ ０．１ ３．
６×１０１３ ＋３．２ −２
７．６１４ ６０９０ ０．
６ １．０×１０１３ −
８．０ −２８．２１５ ５５３
０ ０．４ １．８×１
０１３ −２．５ −２７．５
１６ ４９６０ ０．３
２．２×１０１３ ＋０．１
−２６．９１７＊ ７４２０
１．９ ４．２×１０１２
−２８．５ −２７．５１８＊
８４８０ ３．８
２．６×１０１２ −４４．３
−１０．３１９ ７２１０
１．５ ７．８×１０１２
−３８．１ −９．２２０
４８２０ ０．６
２．７×１０１３ −１５．２
−７．４────────────────────
────────────────
【００１１】
【表３】
試料番号２１〜４０の配合量
─────────────────────────
─────────── 試料 Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３ ＰｂＴｉＯ３ Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３ Ｓｒ置換量 Ｂａ置換量 番
号 （ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％）────────────────
────────────────────２１
３０ ２０
５０ ０
１０２２ ３０
２０ ５０
０ ３０２３＊
２０ ２０
６０ ０
０２４ ２０
２０ ６０
０．０１ ０２５
２０ ２０
６０ ２
０２６ ２０
２０ ６０
１０ ０２７
２０ ２０
６０ ３
０ ０２８＊ ２０
２０ ６０
４０ ０２
９ ２０ ２０
６０
０ ０．０１３０
２０ ２０
６０ ０
１０３１ ２０
２０ ６０
０ ３０３２
２０ ２０
６０ ０
４０３３＊＊ １５
２０ ６５
０ ０３４＊
４０ ３０
３０ ０
０ ３５ ４０
３０ ３０
１０ ０３６
４０ ３０
３０ ３０
０３７ ４０
３０ ３０
０ １０３８
４０ ３０
３０ ０
３０３９＊ ３０
３０ ４０
０ ０４０＊＊
２５ ３０
４５ ０
０────────────────
────────────────────
─────────── 試料 Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３ ＰｂＴｉＯ３ Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３ Ｓｒ置換量 Ｂａ置換量 番
号 （ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％）────────────────
────────────────────２１
３０ ２０
５０ ０
１０２２ ３０
２０ ５０
０ ３０２３＊
２０ ２０
６０ ０
０２４ ２０
２０ ６０
０．０１ ０２５
２０ ２０
６０ ２
０２６ ２０
２０ ６０
１０ ０２７
２０ ２０
６０ ３
０ ０２８＊ ２０
２０ ６０
４０ ０２
９ ２０ ２０
６０
０ ０．０１３０
２０ ２０
６０ ０
１０３１ ２０
２０ ６０
０ ３０３２
２０ ２０
６０ ０
４０３３＊＊ １５
２０ ６５
０ ０３４＊
４０ ３０
３０ ０
０ ３５ ４０
３０ ３０
１０ ０３６
４０ ３０
３０ ３０
０３７ ４０
３０ ３０
０ １０３８
４０ ３０
３０ ０
３０３９＊ ３０
３０ ４０
０ ０４０＊＊
２５ ３０
４５ ０
０────────────────
────────────────────
【００１２】
【表４】
試料番号２１〜４０の特性
─────────────────────────
─────────── 試料 ε
ｔａｎδ 比抵抗
△ε／ε（２０℃） 番号 （２０℃）
（２０℃） （Ω・ｃｍ） ───────
───────
（％）
−３０℃（％） ８５℃（％）──────────
─────────────────────────
─２１ ７５３０ ２．４
５．６×１０１２ −４０．
１ −１０．４２２ ５１００
１．６ １．２×１０１
３ −２７．３ −８．２２３
＊ １００６０ ４．８
１．２×１０１２ −５５．６
−１．２２４ ９９８０
４．０ １．８×１０１２
−５１．２ −３．１２５
９５３０ ３．１
２．４×１０１２ −４４．７
−７．８２６ ９０２０
１．９ ４．４×１０１２
−３８．６ −１２．４２７
７２４０ ０．９ ６．
７×１０１２ −３３．５ −１
５．１２８＊ ５４７０ １．
５ ３．６×１０１２ −３
５．１ −１１．８２９ ９８７
０ ４．４ １．４×１
０１２ −５２．６ −３．８
３０ ９２４０ ３．９
１．９×１０１２ −４１．７
−６．１３１ ６６７０
２．７ ４．５×１０１２
−３８．１ −１０．６３２
４２１０ ３．２
１．７×１０１２ −４２．６
−６．１３３＊＊ ９８５０
５．６ ３．５×１０１１
−６５．１ ＋３．５３４＊
１０４００ ３．１
１．４×１０１３ −４５．６
−２８．０３５ ８５４０
１．６ ３．２×１０１３
−３４．１ −２９．１３６ ５
８４０ ０．９ ４．９
×１０１３ −２６．５ −２７
．３３７ ８７３０ ２．１
２．２×１０１３ −３７
．２ −２７．１３８ ５４８０
１．５ ３．０×１０
１３ −２５．３ −３０．７３
９＊ ８６８０ ４．５
３．６×１０１２ −２９．８
−１１．４４０＊＊ ７４２０
６．８ ５．６×１０１１
−１９．５ −２．６────
─────────────────────────
───────
─────────── 試料 ε
ｔａｎδ 比抵抗
△ε／ε（２０℃） 番号 （２０℃）
（２０℃） （Ω・ｃｍ） ───────
───────
（％）
−３０℃（％） ８５℃（％）──────────
─────────────────────────
─２１ ７５３０ ２．４
５．６×１０１２ −４０．
１ −１０．４２２ ５１００
１．６ １．２×１０１
３ −２７．３ −８．２２３
＊ １００６０ ４．８
１．２×１０１２ −５５．６
−１．２２４ ９９８０
４．０ １．８×１０１２
−５１．２ −３．１２５
９５３０ ３．１
２．４×１０１２ −４４．７
−７．８２６ ９０２０
１．９ ４．４×１０１２
−３８．６ −１２．４２７
７２４０ ０．９ ６．
７×１０１２ −３３．５ −１
５．１２８＊ ５４７０ １．
５ ３．６×１０１２ −３
５．１ −１１．８２９ ９８７
０ ４．４ １．４×１
０１２ −５２．６ −３．８
３０ ９２４０ ３．９
１．９×１０１２ −４１．７
−６．１３１ ６６７０
２．７ ４．５×１０１２
−３８．１ −１０．６３２
４２１０ ３．２
１．７×１０１２ −４２．６
−６．１３３＊＊ ９８５０
５．６ ３．５×１０１１
−６５．１ ＋３．５３４＊
１０４００ ３．１
１．４×１０１３ −４５．６
−２８．０３５ ８５４０
１．６ ３．２×１０１３
−３４．１ −２９．１３６ ５
８４０ ０．９ ４．９
×１０１３ −２６．５ −２７
．３３７ ８７３０ ２．１
２．２×１０１３ −３７
．２ −２７．１３８ ５４８０
１．５ ３．０×１０
１３ −２５．３ −３０．７３
９＊ ８６８０ ４．５
３．６×１０１２ −２９．８
−１１．４４０＊＊ ７４２０
６．８ ５．６×１０１１
−１９．５ −２．６────
─────────────────────────
───────
【００１３】
【表５】
試料番号４１〜６０の配合量
─────────────────────────
─────────── 試料 Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３ ＰｂＴｉＯ３ Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３ Ｓｒ置換量 Ｂａ置換量 番
号 （ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％）────────────────
────────────────────４１＊
４０ ４０
２０ ０
０４２ ４０
４０ ２０
１０ ０４３
４０ ４０
２０ ０
１０４４＊ ３５
４０ ２５
０ ０４５
３５ ４０
２５ ０
．０１ ０４６ ３５
４０ ２５
１ ０４７
３５ ４０
２５ １
０ ０４８ ３５
４０ ２５
３０ ０４
９＊ ３５ ４０
２５
４０ ０５０ ３５
４０ ２
５ ０ ０
．０１５１ ３５
４０ ２５
０ １５２
３５ ４０
２５ ０
１０５３ ３５
４０ ２５
０ ３０５４＊
３５ ４０
２５ ０
４０ ５５＊＊ ３０
４０ ３０
０ ０５６＊
４０ ５０
１０ ０
０５７ ４０
５０ １０
１ ０５８
４０ ５０
１０ １０
０５９ ４０
５０ １０
３０ ０６０
４０ ５０
１０ ０
１────────────────
────────────────────
─────────── 試料 Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３ ＰｂＴｉＯ３ Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３ Ｓｒ置換量 Ｂａ置換量 番
号 （ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％）────────────────
────────────────────４１＊
４０ ４０
２０ ０
０４２ ４０
４０ ２０
１０ ０４３
４０ ４０
２０ ０
１０４４＊ ３５
４０ ２５
０ ０４５
３５ ４０
２５ ０
．０１ ０４６ ３５
４０ ２５
１ ０４７
３５ ４０
２５ １
０ ０４８ ３５
４０ ２５
３０ ０４
９＊ ３５ ４０
２５
４０ ０５０ ３５
４０ ２
５ ０ ０
．０１５１ ３５
４０ ２５
０ １５２
３５ ４０
２５ ０
１０５３ ３５
４０ ２５
０ ３０５４＊
３５ ４０
２５ ０
４０ ５５＊＊ ３０
４０ ３０
０ ０５６＊
４０ ５０
１０ ０
０５７ ４０
５０ １０
１ ０５８
４０ ５０
１０ １０
０５９ ４０
５０ １０
３０ ０６０
４０ ５０
１０ ０
１────────────────
────────────────────
【００１４】
【表６】
試料番号４１〜６０の特性
─────────────────────────
─────────── 試料 ε
ｔａｎδ 比抵抗
△ε／ε（２０℃） 番号 （２０℃）
（２０℃） （Ω・ｃｍ） ───────
───────
（％）
−３０℃（％） ８５℃（％）──────────
─────────────────────────
─４１＊ ９６８０ ３．３
７．４×１０１２ −５１．
３ −１７．５４２ ８３４０
１．７ １．５×１０１
３ −３７．６ −２０．１４３
８５７０ ２．２
１．２×１０１３ −４１．７
−１６．６４４＊ １０２２０
３．８ ５．３×１０１２
−５４．７ −１３．５４５
１００４０ ３．２
７．１×１０１２ −５０．１
−１５．２４６ ９６７０
２．４ ９．６×１０１２
−４５．１ −１７．６４７
８５４０ １．１ ２．
２×１０１３ −４１．２ −１
８．５４８ ６３７０ ０．
６ ３．４×１０１３ −３
０．８ −２１．７４９＊ ４９２
０ １．３ １．１×１
０１３ −３６．５ −１７．３
５０ ９８３０ ３．５
５．８×１０１２ −５２．７
−１３．８５１ ９２７０
２．９ ７．７×１０１２
−４８．４ −１６．０５２
８１１０ ２．０
１．３×１０１３ −４４．６
−１８．２５３ ６４３０
１．２ １．９×１０１３
−３４．７ −２０．５５４＊
４２４０ ２．３
６．８×１０１２ −３８．２
−１８．７５５＊＊ ８１５０
５．０ ８．６×１０１１
−５９．８ −９．８５６＊ １
２５００ ３．９ ２．
１×１０１２ −５１．２ −１
６．３５７ １１７８０ ２．
６ ３．８×１０１２ −４
７．３ −１８．２５８ ９８９
０ １．９ ５．３×１
０１２ −４０．８ −２２．３
５９ ７１８０ ０．９
８．２×１０１２ −３１．３
−２４．２６０ １１４３０
４．２ ２．７×１０１２
−４８．６ −１７．１───
─────────────────────────
────────
─────────── 試料 ε
ｔａｎδ 比抵抗
△ε／ε（２０℃） 番号 （２０℃）
（２０℃） （Ω・ｃｍ） ───────
───────
（％）
−３０℃（％） ８５℃（％）──────────
─────────────────────────
─４１＊ ９６８０ ３．３
７．４×１０１２ −５１．
３ −１７．５４２ ８３４０
１．７ １．５×１０１
３ −３７．６ −２０．１４３
８５７０ ２．２
１．２×１０１３ −４１．７
−１６．６４４＊ １０２２０
３．８ ５．３×１０１２
−５４．７ −１３．５４５
１００４０ ３．２
７．１×１０１２ −５０．１
−１５．２４６ ９６７０
２．４ ９．６×１０１２
−４５．１ −１７．６４７
８５４０ １．１ ２．
２×１０１３ −４１．２ −１
８．５４８ ６３７０ ０．
６ ３．４×１０１３ −３
０．８ −２１．７４９＊ ４９２
０ １．３ １．１×１
０１３ −３６．５ −１７．３
５０ ９８３０ ３．５
５．８×１０１２ −５２．７
−１３．８５１ ９２７０
２．９ ７．７×１０１２
−４８．４ −１６．０５２
８１１０ ２．０
１．３×１０１３ −４４．６
−１８．２５３ ６４３０
１．２ １．９×１０１３
−３４．７ −２０．５５４＊
４２４０ ２．３
６．８×１０１２ −３８．２
−１８．７５５＊＊ ８１５０
５．０ ８．６×１０１１
−５９．８ −９．８５６＊ １
２５００ ３．９ ２．
１×１０１２ −５１．２ −１
６．３５７ １１７８０ ２．
６ ３．８×１０１２ −４
７．３ −１８．２５８ ９８９
０ １．９ ５．３×１
０１２ −４０．８ −２２．３
５９ ７１８０ ０．９
８．２×１０１２ −３１．３
−２４．２６０ １１４３０
４．２ ２．７×１０１２
−４８．６ −１７．１───
─────────────────────────
────────
【００１５】
【表７】
試料番号６１〜６５の配合量
─────────────────────────
─────────── 試料 Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３ ＰｂＴｉＯ３ Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３ Ｓｒ置換量 Ｂａ置換量 番
号 （ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％）────────────────
────────────────────６１
４０ ５０
１０ ０
１０６２ ４０
５０ １０
０ ３０６３＊
４９ ４９
２ ０
０６４ ４９
４９ ２
１０ ０６５
４９ ４９
２ ０
１０───────────────
─────────────────────
─────────── 試料 Ｐｂ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）Ｏ３ ＰｂＴｉＯ３ Ｐｂ（Ｚｎ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３ Ｓｒ置換量 Ｂａ置換量 番
号 （ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％） （ｍｏｌ％）
（ｍｏｌ％）────────────────
────────────────────６１
４０ ５０
１０ ０
１０６２ ４０
５０ １０
０ ３０６３＊
４９ ４９
２ ０
０６４ ４９
４９ ２
１０ ０６５
４９ ４９
２ ０
１０───────────────
─────────────────────
【００１
６】
６】
【表８】
試料番号６１〜６５の特性
─────────────────────────
─────────── 試料 ε
ｔａｎδ 比抵抗
△ε／ε（２０℃） 番号 （２０℃）
（２０℃） （Ω・ｃｍ） ───────
───────
（％）
−３０℃（％） ８５℃（％）──────────
─────────────────────────
─６１ ９２４０ ３．１
４．０×１０１２ −４４．
６ −２０．６６２ ６５００
１．８ ５．７×１０１
２ −３３．８ −２３．６６３
＊ ７８３０ ２．４
５．６×１０１２ −４６．８
−２８．３６４ ６４５０
１．３ １．４×１０１３
−３７．２ −３３．５６５
６０５０ １．９
８．１×１０１２ −３８．３
−３１．９───────────────────
─────────────────
─────────── 試料 ε
ｔａｎδ 比抵抗
△ε／ε（２０℃） 番号 （２０℃）
（２０℃） （Ω・ｃｍ） ───────
───────
（％）
−３０℃（％） ８５℃（％）──────────
─────────────────────────
─６１ ９２４０ ３．１
４．０×１０１２ −４４．
６ −２０．６６２ ６５００
１．８ ５．７×１０１
２ −３３．８ −２３．６６３
＊ ７８３０ ２．４
５．６×１０１２ −４６．８
−２８．３６４ ６４５０
１．３ １．４×１０１３
−３７．２ −３３．５６５
６０５０ １．９
８．１×１０１２ −３８．３
−３１．９───────────────────
─────────────────
【００１７】実施例２，３
［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３
］ｙ［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただし
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）３成分系磁器組成物において、（
ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．４０，０．４０，０．２０）とし
てＰｂ２＋をＳｒ２＋で１０ｍｏｌ％置換した組成物（
実施例２）、および（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．４５，０．
３５，０．２０）としてＰｂ２＋をＢａ２＋で１０ｍｏ
ｌ％置換した組成物（実施例３）となるように、酸化鉛
、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化チタン、
酸化亜鉛、酸化ニオブ、炭酸ストロンチウムおよび炭酸
バリウムを正確に秤量し、実施例１で示した方法と同様
な方法で誘電体粉末を合成した。得られた誘電体粉末を
有機溶媒中に分散させ、有機バインダと混練してスラリ
−を作製し、スラリ−を通常のドクタ−ブレ−ド法を用
いて４０μｍの厚さに成膜した。さらに通常のスクリ−
ン印刷法で内部電極ペ−ストを印刷し、所定の形状に打
ち抜いた後積層、熱プレスを行って得た積層体を一定の
形状に切断してコンデンサのグリ−ンチップを作製した
。グリ−ンチップを所定の温度条件で脱バインダ、焼成
を行い、さらに銀ペ−ストを用いて外部電極を被着、形
成した。コンデンサにデジタルマルチメ−タで０〜５０
Ｖの直流バイアスを印加した状態でデジタルＬＣＲメ−
タを用いて１ｋＨｚ、１Ｖｒ．ｍ．ｓの交流で、室温で
コンデンサの容量を測定した。測定結果を図２に示した
。
］ｙ［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただし
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）３成分系磁器組成物において、（
ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．４０，０．４０，０．２０）とし
てＰｂ２＋をＳｒ２＋で１０ｍｏｌ％置換した組成物（
実施例２）、および（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．４５，０．
３５，０．２０）としてＰｂ２＋をＢａ２＋で１０ｍｏ
ｌ％置換した組成物（実施例３）となるように、酸化鉛
、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化チタン、
酸化亜鉛、酸化ニオブ、炭酸ストロンチウムおよび炭酸
バリウムを正確に秤量し、実施例１で示した方法と同様
な方法で誘電体粉末を合成した。得られた誘電体粉末を
有機溶媒中に分散させ、有機バインダと混練してスラリ
−を作製し、スラリ−を通常のドクタ−ブレ−ド法を用
いて４０μｍの厚さに成膜した。さらに通常のスクリ−
ン印刷法で内部電極ペ−ストを印刷し、所定の形状に打
ち抜いた後積層、熱プレスを行って得た積層体を一定の
形状に切断してコンデンサのグリ−ンチップを作製した
。グリ−ンチップを所定の温度条件で脱バインダ、焼成
を行い、さらに銀ペ−ストを用いて外部電極を被着、形
成した。コンデンサにデジタルマルチメ−タで０〜５０
Ｖの直流バイアスを印加した状態でデジタルＬＣＲメ−
タを用いて１ｋＨｚ、１Ｖｒ．ｍ．ｓの交流で、室温で
コンデンサの容量を測定した。測定結果を図２に示した
。
【００１８】比較例１，２
［Ｐｂ（Ｍｇ３／１Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ
３］ｙ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただ
しｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で示される３成分系磁器組成物
において、ｘ＝０．２０、ｙ＝０．２０、ｚ＝０．６０
となるような組成物（比較例１）、および［Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（
Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）で示される３成分系磁器組成物において、ｘ＝
０．４０、ｙ＝０．３０、ｚ＝０．３０となるような組
成物（比較例２）を用いて、実施例２，３で示した方法
でコンデンサを作製し、同様の方法で直流バイアス印加
時の容量を測定した。測定結果を実施例２，３の結果と
同時に図２に示す。
３］ｙ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただ
しｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）で示される３成分系磁器組成物
において、ｘ＝０．２０、ｙ＝０．２０、ｚ＝０．６０
となるような組成物（比較例１）、および［Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（
Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）で示される３成分系磁器組成物において、ｘ＝
０．４０、ｙ＝０．３０、ｚ＝０．３０となるような組
成物（比較例２）を用いて、実施例２，３で示した方法
でコンデンサを作製し、同様の方法で直流バイアス印加
時の容量を測定した。測定結果を実施例２，３の結果と
同時に図２に示す。
【００１９】図２に示したように、比較例１で示した組
成の磁器組成物を用いたコンデンサは直流バイアス印加
時の容量減少が著しい。また本発明の主組成と同一であ
る比較例２の磁器組成物を用いたコンデンサは、直流バ
イアス印加時の容量減少が比較例１よりは小さいことが
わかる。それに対してＰｂ２＋イオンをＳｒ２＋イオン
、Ｂａ２＋イオンで置換した本発明の磁器組成物を用い
たコンデンサは、Ｐｂ２＋イオンを置換しない組成物を
用いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れている
ことがわかる。
成の磁器組成物を用いたコンデンサは直流バイアス印加
時の容量減少が著しい。また本発明の主組成と同一であ
る比較例２の磁器組成物を用いたコンデンサは、直流バ
イアス印加時の容量減少が比較例１よりは小さいことが
わかる。それに対してＰｂ２＋イオンをＳｒ２＋イオン
、Ｂａ２＋イオンで置換した本発明の磁器組成物を用い
たコンデンサは、Ｐｂ２＋イオンを置換しない組成物を
用いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れている
ことがわかる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の磁器組成物は、誘電率が高く、
温度による誘電率の変化も小さく、かつ直流バイアス印
加時の容量減少が小さい。また良好な誘電損失の値を持
ち、低い温度で焼結が可能である。従って温度特性の優
れた積層セラミックコンデンサを製造することが可能で
あり、かつコンデンサの内部電極に安価な銀−パラジウ
ムを用いることができる。さらに直流バイアス印加時の
容量減少が小さいため、スイッチング電源など直流バイ
アスを印加した条件で使用される積層セラミックコンデ
ンサ用の磁器組成物として用いることが可能である。
温度による誘電率の変化も小さく、かつ直流バイアス印
加時の容量減少が小さい。また良好な誘電損失の値を持
ち、低い温度で焼結が可能である。従って温度特性の優
れた積層セラミックコンデンサを製造することが可能で
あり、かつコンデンサの内部電極に安価な銀−パラジウ
ムを用いることができる。さらに直流バイアス印加時の
容量減少が小さいため、スイッチング電源など直流バイ
アスを印加した条件で使用される積層セラミックコンデ
ンサ用の磁器組成物として用いることが可能である。
【図１】本発明の組成範囲を示す３成分組成図である。
【図２】本発明の実施例による磁器組成物を用いて作製
したコンデンサの直流バイアス印加時の容量の変化率を
積層セラミックコンデンサの１層あたりの直流電界強度
に対してプロットした図である。
したコンデンサの直流バイアス印加時の容量の変化率を
積層セラミックコンデンサの１層あたりの直流電界強度
に対してプロットした図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴ
ｉＯ３］および亜鉛・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物を主組成として
［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３
］ｙ［Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただし
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、以下の組成点、 （ｘ＝０．９８，ｙ＝０， ｚ＝０．０２）
（ｘ＝０．４３，ｙ＝０．５５，ｚ＝０．０２）（ｘ＝
０．２０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．６０）（ｘ＝０．４
０，ｙ＝０， ｚ＝０．６０）を結ぶ線上、
およびこの４点に囲まれる組成範囲内にある主成分組成
物であって、鉛イオン（Ｐｂ２＋）をストロンチウムイ
オン（Ｓｒ２＋）、バリウムイオン（Ｂａ２＋）のうち
少なくとも１種類のイオンで０．０１〜３０ｍｏｌ％置
換したことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029028A JPH04243952A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3029028A JPH04243952A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243952A true JPH04243952A (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=12264961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3029028A Pending JPH04243952A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04243952A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874569A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-05-06 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6226705A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS62254310A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-11-06 | マルコン電子株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPH0264055A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
| JPH02252649A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-11 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3029028A patent/JPH04243952A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874569A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-05-06 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| JPS6226705A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-04 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS62254310A (ja) * | 1986-04-21 | 1987-11-06 | マルコン電子株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPH0264055A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
| JPH02252649A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-11 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
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