JPH0527996U - Ｅｌデイスプレイ素子 - Google Patents
Ｅｌデイスプレイ素子Info
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- JPH0527996U JPH0527996U JP7490691U JP7490691U JPH0527996U JP H0527996 U JPH0527996 U JP H0527996U JP 7490691 U JP7490691 U JP 7490691U JP 7490691 U JP7490691 U JP 7490691U JP H0527996 U JPH0527996 U JP H0527996U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光層の発光輝度が低くともＥＬディスプレ
イ素子の発光効率と発光輝度を高くする。 【構成】 発光層５において発生した光のうち基板面
（ディスプレイ面）に平行に進む光は基板１上の発光層
５下部に設けた反射面３により斜めに反射され、ディス
プレイ面側に出る。したがって、発光層５の発光輝度が
低くともＥＬディスプレイ素子の発光輝度と発光効率が
向上する。
イ素子の発光効率と発光輝度を高くする。 【構成】 発光層５において発生した光のうち基板面
（ディスプレイ面）に平行に進む光は基板１上の発光層
５下部に設けた反射面３により斜めに反射され、ディス
プレイ面側に出る。したがって、発光層５の発光輝度が
低くともＥＬディスプレイ素子の発光輝度と発光効率が
向上する。
Description
【０００１】
本考案は、ＥＬディスプレイ素子に関するものである。
【０００２】
従来、この分野の技術としては、例えば「ＳＤＩ ８９ ＤＩＧＥＳＴ，１８ ．５：Ｓｔａｂｌｅ Ｗｈｉｔｅ ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕ ＴＦＥＬ ｗｉｔ ｈ Ｆｉｌｔｅｒｓ ｆｏｒ Ｆｕｌｌ−Ｃｏｌｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ」に記載 されるものがあった。
【０００３】 図５は前記文献に記載された従来のＥＬディスプレイ素子の断面図で、１１は ガラス基板、１２はカラーフィルタ、１３はＩＴＯでストライプ状に形成された 透明電極、１４はＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 で構成された第１絶縁層、１５ はＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕで構成された発光層、１６はＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ 3 Ｎ4 で構成された第２絶縁層、１７はＡｌ薄膜で透明電極１３と交差するよう にストライプ状に構成された背面電極である。
【０００４】 このように構成されたＥＬディスプレイ素子では、透明電極１３と背面電極１ ７との間に、例えば２００Ｖ程度の交流電圧を印加することにより、両電極の交 差した部分に挟まれる発光層１５にてＥＬ発光が生じ、それをガラス基板１１を 通して観察する。
【０００５】
しかしながら、前記従来のＥＬディスプレイ素子においては、発光層が発生し た光のうちディスプレイ面（ガラス基板面）、及びディスプレイ面と正反対に進 む光の反射光を同時に利用するのみであったため、発光効率が悪く、発光輝度が 実用に適合する値よりも一桁低い５００ｃｄ／ｍ2 程度しか得られないという問 題点があった。また、カラーフィルタにより光量が２０％程度低下してしまうた め、ディスプレイ面から見た輝度はさらに低くなってしまうという問題点があっ た。
【０００６】 本考案は、前記問題点を解決するために、ディスプレイ面と平行方向に進む光 もディスプレイ面側に出力するようにして、発光層の発光輝度が低くとも発光効 率が良く、かつ、発光輝度の高いＥＬディスプレイ素子を提供することを目的と する。
【０００７】
前記問題点を解決するために、本考案は、基板と、基板上に形成された発光層 と、基板と発光層との間にストライプ状に形成された背面電極と、発光層上に背 面電極と交差するようにストライプ状に形成された透明電極とを備えたＥＬディ スプレイ素子において、基板と発光層との間に基板面に対し傾斜した光の反射面 を両電極の交差部ごとに設けたものである。
【０００８】
本考案によれば、以上のようにＥＬディスプレイ素子を構成したので、発光層 が発生した光のうち基板面（ディスプレイ面）に平行に進む光は基板上発光層下 部に設けた反射面により斜めに反射されディスプレイ面側に出る。したがって、 ＥＬディスプレイ素子の発光輝度と発光効率が向上する。
【０００９】
以下、本考案の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。 （第１実施例） 図１は本考案の第１実施例に係るＥＬディスプレイ素子の断面図で、１は無ア ルカリガラスで構成された基板、２はＡｌ薄膜でストライプ状に構成された背面 電極、３はＡｌ薄膜で構成された反射面、４はＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 で 構成された第１絶縁層、５はＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕで構成された発光層、６は ＺｎＳ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 で構成された第２絶縁層、７はＩＴＯで背面電極 ２と直交するように構成された透明電極、８はカラーフィルタである。
【００１０】 本実施例は以上のように構成されているので、背面電極２と透明電極７との間 にかけられた高電界により、発光層５が発生した光のうち発光層５と平行に進む 光は反射面３により反射されてカラーフィルタ８の方向に進む。従来のＥＬディ スプレイ素子と本実施例の発光輝度を比較すると、印加電圧１８０Ｖ、１ｋＨｚ の正弦波で発光輝度が従来の５００ｃｄ／ｍ2 から５０００ｃｄ／ｍ2 まで上昇 した。 図２は本考案の第１実施例に係るＥＬディスプレイ素子の作成方法の説 明図である。以下、図１及び図２を参照しながら、作成方法を説明する。
【００１１】 まず、図２（ａ）に示すように、ＥＬディスプレイ素子の背面電極２（１５０ μｍ幅）と背面電極２の間（２０μｍ幅）に相当する場所すべてに幅５μｍの有 機レジストパターンを作るべく、無アルカリガラスで構成された基板１に有機レ ジスト９を塗布し、露光現像する。 次に、図２（ｂ）に示すように、この有機レジスト９をマスクとして基板１を ＨＦ１５％水溶液、またはりん酸（１１０°Ｃ）を使用して、断面形状がほぼ傾 斜４５°の斜辺を有する台形になるように約２μの深さにエッチングする。
【００１２】 これ以降の製造工程は従来のフルカラー用ＥＬディスプレイ素子の作成方法と 全く同じなので、概略を説明する。 まず、図２（ｃ）に示すように、レジスト剥離後全面にＡ１を２０００Å真空 蒸着し、図２（ｄ）に示すように、通常のホトリソエッチングで背面電極２と反 射面３のパターンを形成する。
【００１３】 続いて、第１絶縁層４としてＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＺｎＳを連続でそれぞれ １０００Å、２０００Å，５００Å金属マスクを用いてスパッタする。 さらに、発光膜５はＳｒＳ：Ｃｅ，Ｋ，Ｅｕ材料をＥＢ蒸着法で１μ金属マス クを用いてパターン形成する。 次に、第１絶縁膜４と対称的にＺｎＳ，Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 からなる第２絶 縁膜６を形成し、最後に透明電極７（ＩＴＯ膜）を２０００Åの厚みで背面電極 ２に対して直角方向にパターン形成する。そして、カラーフィルタ８を設置する 。
【００１４】 （第２実施例） 図３は本考案の第２実施例に係るＥＬディスプレイ素子の断面図で、第１実施 例においては、断面が台形状に形成された基板１の上にＡｌの薄膜を蒸着して反 射面３を構成したのに対し、本実施例は基板１の上に蒸着したＡｌそのものの断 面を台形状に形成して反射面１０を構成している。他の部分の構成及び本実施例 の作用、効果は第１実施例と同様である。
【００１５】 図４は本考案の第２実施例に係るＥＬディスプレイ素子の作成方法の説明図で ある。 初めに、（ａ）に示すように、基板１上にＡｌを２μ蒸着し、次に、（ｂ）に 示すように、通常のホトリソ工程により断面が台形状のＡｌパターンを作成して 反射面１０とし、以後第１実施例と全く同様な工程でＥＬディスプレイ素子を作 成する。
【００１６】 なお、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、本考案の趣旨に基づき 種々の変形が可能であり、それらを本考案の範囲から排除するものではない。
【００１７】
以上、詳細に説明したように、本考案によれば、ディスプレイ面と平行方向に 進む光もディスプレイ面側に出力するようにしたので、発光層の発光輝度が低く とも、ディスプレイ面側から見たときには高い発光量を得ることができる。した がって、ＥＬディスプレイ素子の発光輝度と発光効率が大きく上がり、低電圧駆 動、低消費電力、高発光輝度のフルカラーＥＬディスプレイが実現できる。
【図１】本考案の第１実施例に係るＥＬディスプレイ素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図２】本考案の第１実施例に係るＥＬディスプレイ素
子の作成方法の説明図である。
子の作成方法の説明図である。
【図３】本考案の第２実施例に係るＥＬディスプレイ素
子の断面図である。
子の断面図である。
【図４】本考案の第２実施例に係るＥＬディスプレイ素
子の作成方法の説明図である。
子の作成方法の説明図である。
【図５】従来のＥＬディスプレイ素子の断面図である。
１ 基板 ２ 背面電極 ３，１０ 反射面 ５ 発光層 ７ 透明電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 長谷川 達志 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成された発光層
と、該基板と該発光層との間にストライプ状に形成され
た背面電極と、該発光層上に該背面電極と交差するよう
にストライプ状に形成された透明電極とを備えたＥＬデ
ィスプレイ素子において、 前記基板と前記発光層との間に前記基板面に対し傾斜し
た光の反射面を前記両電極の交差部ごとに設けたことを
特徴とするＥＬディスプレイ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7490691U JPH0527996U (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | Ｅｌデイスプレイ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7490691U JPH0527996U (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | Ｅｌデイスプレイ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527996U true JPH0527996U (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=13560904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7490691U Withdrawn JPH0527996U (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | Ｅｌデイスプレイ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0527996U (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189251A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Pioneer Electron Corp | ディスプレイ装置 |
| JP2003017273A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP2003031355A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-31 | Pioneer Electronic Corp | ディスプレイパネル |
| JP2004047446A (ja) * | 2002-05-15 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP7490691U patent/JPH0527996U/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10189251A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Pioneer Electron Corp | ディスプレイ装置 |
| JP2003017273A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| JP2003031355A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-31 | Pioneer Electronic Corp | ディスプレイパネル |
| JP2004047446A (ja) * | 2002-05-15 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19951130 |