JPH03283385A - 薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置Info
- Publication number
- JPH03283385A JPH03283385A JP2085832A JP8583290A JPH03283385A JP H03283385 A JPH03283385 A JP H03283385A JP 2085832 A JP2085832 A JP 2085832A JP 8583290 A JP8583290 A JP 8583290A JP H03283385 A JPH03283385 A JP H03283385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display device
- thin film
- curvature
- glass substrate
- electroluminescence display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置(以
下薄膜EL表示装置という)に関する。
下薄膜EL表示装置という)に関する。
(従来の技術)
薄膜EL表示装置の基本構造を第5図に示す。
第5図によって薄膜EL表示装置の構造を具体的に説明
すると、ガラス基板等の透明基板lに格子状に配置した
透明電極2、スパッタリング法で作られたY、O,等の
誘電体3、蒸着法で作られたMn等をドープしたZnS
等の発光層4、誘電体3と同様の誘電体5、透明電極2
と直交するように配置したAI等の背面電極6によって
構成される。透明電極2と背面電極6に交流電圧を加え
ると電極の交差した部分が発光する。尚、誘電体3゜5
の1方は省略することができる。
すると、ガラス基板等の透明基板lに格子状に配置した
透明電極2、スパッタリング法で作られたY、O,等の
誘電体3、蒸着法で作られたMn等をドープしたZnS
等の発光層4、誘電体3と同様の誘電体5、透明電極2
と直交するように配置したAI等の背面電極6によって
構成される。透明電極2と背面電極6に交流電圧を加え
ると電極の交差した部分が発光する。尚、誘電体3゜5
の1方は省略することができる。
(発明が解決しようとする課題)
従来、薄膜EL表示装置の透明基板には、平面状のガラ
ス板が用いられてきた。しかし、ヘルメットの風防や掲
示板など表示装置が装着される装置によっては、より視
認性を上げる必要性がある。
ス板が用いられてきた。しかし、ヘルメットの風防や掲
示板など表示装置が装着される装置によっては、より視
認性を上げる必要性がある。
視認性を上げる為、従来は第3図に示す如く、小型パネ
ルを角度をもたせて配置していた。これでは各パネル間
の縦目は表示されず各パネル間の表示の速読性が得られ
ず視認性が悪いという問題点があった。
ルを角度をもたせて配置していた。これでは各パネル間
の縦目は表示されず各パネル間の表示の速読性が得られ
ず視認性が悪いという問題点があった。
本発明は視認性に優れる薄膜EL表示装置を提供するも
のである。
のである。
第2図、第4図に示す如く、透明基板に曲率をもたせた
事を特徴とする。曲率をもたせた部分は透明基板の一部
であっても良い。曲率をもたせることによりパネル間の
縦目を除くことができるので、速読性が向上し、視認性
を上げることができる。
事を特徴とする。曲率をもたせた部分は透明基板の一部
であっても良い。曲率をもたせることによりパネル間の
縦目を除くことができるので、速読性が向上し、視認性
を上げることができる。
以下、掲示板を1例にとり第4図に従って説明する。ガ
ラス基板lには第4図に示す様な半円形状のものを用い
た。その上に透明電極として錫添加酸化インジウム2(
ITO)をスッパタ法により作製し、フォトリソグラフ
ィにより、所定のパターンを形成した。その上に順次、
第一絶縁層として五酸化タンタル3 (Ta、O,)を
スパッタ法で、次に発光層としてマンガン添加硫化亜鉛
4(ZnS:Mn)を電子ビーム蒸着法により、次に第
2絶縁層としてTa、0.5をスパッタ法で、そして最
後に背面電極として、アルミニウム6(AI)をスパッ
タ法で順次堆積する。次にAIをフォトリソグラフィに
より、所定のパターンに形成し、最後に防湿封止を行う
。封止ガラスキャップをかぶせたこの基板を駆動回路と
接続することにより、第2図に示すように薄膜E L表
示装置付掲示板が完成する。
ラス基板lには第4図に示す様な半円形状のものを用い
た。その上に透明電極として錫添加酸化インジウム2(
ITO)をスッパタ法により作製し、フォトリソグラフ
ィにより、所定のパターンを形成した。その上に順次、
第一絶縁層として五酸化タンタル3 (Ta、O,)を
スパッタ法で、次に発光層としてマンガン添加硫化亜鉛
4(ZnS:Mn)を電子ビーム蒸着法により、次に第
2絶縁層としてTa、0.5をスパッタ法で、そして最
後に背面電極として、アルミニウム6(AI)をスパッ
タ法で順次堆積する。次にAIをフォトリソグラフィに
より、所定のパターンに形成し、最後に防湿封止を行う
。封止ガラスキャップをかぶせたこの基板を駆動回路と
接続することにより、第2図に示すように薄膜E L表
示装置付掲示板が完成する。
他の例として、第1図に示すヘルメットの風防を掲げる
。第1図(a)、(b)、(c)はそれぞれ斜視図、正
面図、上面図である。ガラス基板1の形状が第4図に示
すものと変わるだけで、作製法は同様である。
。第1図(a)、(b)、(c)はそれぞれ斜視図、正
面図、上面図である。ガラス基板1の形状が第4図に示
すものと変わるだけで、作製法は同様である。
風防の一部に例えば速度を表示するための薄膜EL表示
装置を取付ける。
装置を取付ける。
(発明の効果)
薄膜EL表示装置は表示に縦目がなく視認性に優れるも
のである。
のである。
第1図は本発明の一実施例を示すヘルメットを示すもの
で(a)、(b)、(c)はそれぞれ斜視図、正面図、
上面図、第2図は本発明の他の一実施例を示す掲示板の
斜視図、第3図は従来の掲示板を示す斜視図、第4図は
本発明の詳細な説明するための断面図、第5図は従来の
製法を説明するための断面図である。 符号の説明 1、透明基板 3、第一絶縁層 5、第二絶縁層 7、封止ガラスキャップ 9、風防 透明電極 発光層 背面電極 ヘルット 掲示板
で(a)、(b)、(c)はそれぞれ斜視図、正面図、
上面図、第2図は本発明の他の一実施例を示す掲示板の
斜視図、第3図は従来の掲示板を示す斜視図、第4図は
本発明の詳細な説明するための断面図、第5図は従来の
製法を説明するための断面図である。 符号の説明 1、透明基板 3、第一絶縁層 5、第二絶縁層 7、封止ガラスキャップ 9、風防 透明電極 発光層 背面電極 ヘルット 掲示板
Claims (1)
- 1.透明基板、透明電極、発光層、背面電極、発光層の
少なくとも片面に形成された誘電体とより構成される薄
膜エレクトロルミネッセンス表示装置において、透明基
板の少なくとも一部の曲率が零以外であることを特徴と
する薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085832A JPH03283385A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2085832A JPH03283385A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283385A true JPH03283385A (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=13869827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2085832A Pending JPH03283385A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03283385A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5632663A (en) * | 1994-03-31 | 1997-05-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent display having improved breakdown characteristics and manufacturing method thereof |
| KR100761131B1 (ko) * | 2005-10-11 | 2007-09-21 | 엘지전자 주식회사 | 양면 발광형 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법, 그에내장된 이동통신 단말기 |
| JP2015164130A (ja) * | 2001-12-28 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2085832A patent/JPH03283385A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5632663A (en) * | 1994-03-31 | 1997-05-27 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent display having improved breakdown characteristics and manufacturing method thereof |
| JP2015164130A (ja) * | 2001-12-28 | 2015-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9536901B2 (en) | 2001-12-28 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature |
| KR100761131B1 (ko) * | 2005-10-11 | 2007-09-21 | 엘지전자 주식회사 | 양면 발광형 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법, 그에내장된 이동통신 단말기 |
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