JPH0528044U - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH0528044U JPH0528044U JP8379791U JP8379791U JPH0528044U JP H0528044 U JPH0528044 U JP H0528044U JP 8379791 U JP8379791 U JP 8379791U JP 8379791 U JP8379791 U JP 8379791U JP H0528044 U JPH0528044 U JP H0528044U
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- Japan
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- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路装置で、内部の電子回路を動
作させたときに生ずる信号の漏洩による隣接回路への干
渉を防止する。 【構成】 電子回路２ａの周囲に溝部３を形成し、この
溝部３に導体金属５を絶縁膜４を介して充填し、また電
子回路２ａの上面にも同様にして導体金属５を形成し、
この金属膜５を回路の最低電位点６に接続する。回路２
ａの動作による信号の漏洩は、回路２ａを覆って被着形
成された導体金属膜５により最低電位へ吸収され他回路
２ｂへの干渉はなくなる。
作させたときに生ずる信号の漏洩による隣接回路への干
渉を防止する。 【構成】 電子回路２ａの周囲に溝部３を形成し、この
溝部３に導体金属５を絶縁膜４を介して充填し、また電
子回路２ａの上面にも同様にして導体金属５を形成し、
この金属膜５を回路の最低電位点６に接続する。回路２
ａの動作による信号の漏洩は、回路２ａを覆って被着形
成された導体金属膜５により最低電位へ吸収され他回路
２ｂへの干渉はなくなる。
Description
【０００１】
本考案は半導体集積回路装置に関し、特に半導体基板内に集積化された回路相 互間の絶縁分離構造に関するものである。
【０００２】
従来のこの種の半導体集積回路装置では、装置内に形成された電子回路相互間 を良好に絶縁分離するために、各回路の周囲に溝を形成してこの溝部の中に酸化 物等の絶縁物を充填した構造が採用されることがある。
【０００３】 かかる従来の絶縁物による回路相互間の絶縁分離構造では、電子回路を動作さ せたときに生ずる信号電流の漏洩により、回路相互間に干渉が生ずることは避け られず、よって回路動作が悪化するという欠点がある。
【０００４】
本考案の目的は、電子回路相互間の絶縁分離を完全として相互干渉を除去した 半導体集積回路装置を提供することである。
【０００５】
本考案による半導体集積回路装置は、半導体基板内に形成された回路を取囲む ようにその周囲に設けられた溝部と、前記溝部に充填された導体金属と、この導 体金属と電気的に接続され前記回路の上面に絶縁膜を介して被着形成された導体 金属膜と、前記導体金属膜を回路の最低電位に接続する手段とを含むことを特徴 とする。
【０００６】
以下に、図面を用いて本考案の実施例を説明する。
【０００７】 図１は本考案の実施例の断面図であり、図２はその平面図である。シリコン基 板１の一主面に電子回路２ａ，２ｂが形成されている。この電子回路２ａ，２ｂ のうちの少なくとも一方、例えば回路２ａの周囲を取囲むように、エッチング技 術によって略Ｕ字状の溝部３を形成する。
【０００８】 次に、この溝部３の露出表面を全て覆うべく、酸化膜４を形成し、しかる後に 溶解または拡散により金属を充填して導体金属膜５を生成する。この金属膜５は 電子回路２ａの上面全体に亘って被覆するように被着形成し、シリコン基板１の 一主面上に設けてある回路の最低電位点６まで延長して蒸着形成する。
【０００９】 そして、金属膜５の上面全面に亘って表面保護膜８を膜形成技術を用いて形成 する。内部配線導体７は金属膜５と表面保護膜８とを介して２層配線構造として 電子回路２ｂに接続することができる。
【００１０】 こうすることで、電子回路２ａが導体金属膜５で上面及び側面が全て取囲まれ るので、回路の動作により発生する信号の漏洩がこの導体膜５に吸収される。よ って、回路相互間の干渉がなくなるのである。
【００１１】
叙上の如く、本考案によれば、集積回路基板内の電子回路を全て導体金属膜で 覆うように構成したので、回路の動作時に生ずる信号の漏洩が全てこの導体金属 膜に吸収され、よって回路相互間の干渉がなくなり、信頼度の向上が図れると共 に、隣接回路同士を更に近接して配置することができ、集積度の向上が可能とな るという効果がある。
【図１】本考案の実施例の平面図である。
【図２】本考案の実施例の断面図である。
１ シリコン基板 ２ａ，２ｂ 電子回路 ３ 溝部 ４ 絶縁膜 ５ 導体金属膜 ６ 最低電位点 ７ 導体配線 ８ 保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板内に形成された回路を取囲む
ようにその周囲に設けられた溝部と、前記溝部に充填さ
れた導体金属と、この導体金属と電気的に接続され前記
回路の上面に絶縁膜を介して被着形成された導体金属膜
と、前記導体金属膜を回路の最低電位に接続する手段と
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8379791U JPH0528044U (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8379791U JPH0528044U (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528044U true JPH0528044U (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=13812648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8379791U Pending JPH0528044U (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528044U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011030597A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP8379791U patent/JPH0528044U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011030597A1 (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
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