JPH05281715A - ネガ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 現像性、パターン形状、耐熱性等に優れ、且
つエキシマレーザーを含む各種の放射線に感応しうる微
細加工用レジストとして有用な新規ネガ型感放射線性樹
脂組成物を提供する。 【構成】 ネガ型感放射線性樹脂組成物は、（イ）アル
カリ可溶性樹脂、（ロ）放射線の照射により酸を発生す
る化合物並びに（ハ）下記式で示されるオキサゾリン誘
導体 【化１】 および／または下記式で示されるオキサジン誘導体 【化２】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、エキシマレーザー光等
の遠紫外線を含む各種放射線に感応する微細加工用レジ
ストとして有用なネガ型感放射線性樹脂組成物に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、近
年では、０．５μｍ以下の微細加工を再現性よく行なう
ことができるリソグラフィープロセスの開発が進められ
ており、最近では、レジストを位相シフトリソグラフィ
ープロセスに適用することにより、高解像度が達成され
ることが見出された。しかしながら、ポジ型レジストを
上記プロセスに適用すると、孤立パターンを形成する際
に、位相シフトに用いるシフターの境界領域における位
相のズレにより放射線の強度が減衰するため、本来現像
により除去されなければならない部分が残ってしまうと
いう問題が認められていた。一方、０．５μｍ以下の微
細加工においては、波長の短い（例えば３００ｎｍ以下
の）、例えば水銀の輝線スペクトル（２５４ｎｍ）およ
びＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）に代表される
遠紫外線等の放射線が使用され、特にエキシマレーザー
を使用するリソグラフィーが、その大出力、高効率特性
等のため、微細加工の″鍵″として注目されており、ネ
ガ型レジストについても、例えば化学増幅型レジスト
等、このエキシマレーザーに適したものが開発されてい
る。しかしながら、従来の化学増幅型ネガ型レジストで
あるアルカリ可溶性樹脂、放射線の照射により酸を発生
する化合物および架橋剤を含有する組成物では、一般に
架橋剤の熱安定性が不十分であるため、ネガ型レジスト
層をウエハー上に形成させる際に、加熱により熱架橋反
応を起こして解像度の低下を招き、またはパターンが形
成された放射線照射部の膜減り、現像時のパターンの膨
潤や蛇行を生じ勝ちであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、改良
された新規なネガ型感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、現像性、パターン形
状、解像度、耐熱性、残膜性等に優れ、遠紫外線以下の
短波長の放射線露光にも好適に使用することができるネ
ガ型感放射線性樹脂組成物を提供することにある。本発
明のさらに他の目的は、従来の化学増幅型のネガ型レジ
ストにおける課題であった架橋剤の熱安定性、放射線照
射部の膜減り、現像時のパターンの膨潤および蛇行等を
解決できるネガ型感放射線性樹脂組成物を提供すること
にある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、（イ）アルカリ可溶性樹脂、（ロ）放射線の照射
により酸を発生する化合物（以下、「酸発生剤」とい
う。）、並びに（ハ）下記一般式（１）で示されるオキ
サゾリン誘導体

【化１】および／または下記一般式（２）で示されるオ
キサジン誘導体

【化２】〔一般式（１）および（２）において、ｍは２
〜４の整数であり、Raはｍ価の脂肪族、脂環族もしくは
芳香族の炭化水素基を示すか、またはｍ＝２のときは直
接結合でもよく、R¹〜R⁶は同一でも異なってもよい水素
原子、脂肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基を示
す。〕を含有することを特徴とするネガ型感放射線性樹
脂組成物により達成される。以下、本発明を具体的に説
明するが、これにより、本発明の目的、構成および効果
が明確となるであろう。

【０００５】架橋剤 本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は前記組成からな
るものであるが、その最も重要な特徴は、架橋剤成分の
選択にある。即ち、本発明におけるオキサゾリン誘導体
および／またはオキサジン誘導体（以下これらをまとめ
て、「架橋剤（Ａ）」という。）は、放射線の照射によ
って発生する酸の存在下でアルカリ可溶性樹脂に架橋反
応を生起する架橋剤として作用する。

【０００６】まず、オキサゾリン誘導体は、前記一般式
（１）で示される構造を有する。式中、ｍは２〜４の整
数であり、特にｍが２のものが好ましい。Raはｍ価の脂
肪族、脂環族もしくは芳香族の炭化水素基を示すか、ま
たはｍ＝２のときは直接結合でもよい。Raの具体例とし
ては、ｍ＝２の場合は、エチレン、トリメチレン、プロ
ピレン、テトラメチレン、ヘキサメチレン、ネオペンチ
レン、ｐ−フェニレン、ｍ−フェニレン、シクロヘキシ
レン等が、ｍ＝３の場合は、下記式

【式３】、

【式４】、

【式５】等で示される基が、さらにｍ＝４の場合は、下
記式

【式６】、

【式７】、

【式８】等で示される基が、挙げられる。

【０００７】これらのRaのうち、炭素数１０以下の脂肪
族炭化水素基、炭素数１０以下の脂環族炭化水素基、炭
素数１２以下の芳香族炭化水素基が好ましい。

【０００８】R¹〜R⁴は、それぞれ水素原子、脂肪族炭化
水素基、好ましくは炭素数３以下のもの、または芳香族
炭化水素基、好ましくは炭素数７以下のもの、を示し、
互いに同一でも異なってもよい。炭素数３以下の脂肪族
炭化水素基の例には、メチル基、エチル基等があり、炭
素数７以下の芳香族炭化水素基の例には、フェニル基、
トリル基等がある。R¹〜R⁴は、そのすべてが水素原子で
あるか、あるいはそのうちの任意の少なくとも１つがメ
チル基であることが好まく、特に、そのすべてが水素原
子であることが好ましい。

【０００９】オキサゾリン誘導体の具体例としては、
２，２′−ビス（２−オキサゾリン）、２，２′−エチ
レンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−テトラメチ
レンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−ヘキサメチ
レンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−オクタメチ
レンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−１，４−シ
クロヘキシレンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−
ビス（４−メチル−２−オキサゾリン）、２，２′−ビ
ス（５−メチル−２−オキサゾリン）、２，２′−ｍ−
フェニレンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−ｐ−
フェニレンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−ｍ−
フェニレンビス（４−メチル−２−オキサゾリン）、
２，２′−ｍ−フェニレンビス（５−メチル−２−オキ
サゾリン）、２，２′−ｐ−フェニレンビス（４−メチ
ル−２−オキサゾリン）、２，２′−ｐ−フェニレンビ
ス（５−メチル−２−オキサゾリン）、１，３，５−ト
リス（２−オキサゾリニル−２）ベンゼン等が挙げられ
る。

【００１０】これらのオキサゾリン誘導体のうち、２，
２′−ビス（２−オキサゾリン）、２，２′−テトラメ
チレンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−ｍ−フェ
ニレンビス（２−オキサゾリン）、２，２′−ｐ−フェ
ニレンビス（２−オキサゾリン）等が好ましい。

【００１１】次に、オキサジン誘導体は、前記一般式
（２）で示される構造を有する。式中、RaおよびR¹〜R⁴
は、一般式（１）におけるものと同義であり、R⁵および
R⁶は、R¹〜R⁴と同義である。これらのR¹〜R⁶は、互いに
同一でも異なってもよい。

【００１２】オキサジン誘導体の具体例としては、２，
２′−ビス（５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサ
ジン）、２，２′−エチレンビス（５，６−ジヒドロ−
４Ｈ−１，３−オキサジン）、２，２′−テトラメチレ
ンビス（５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジ
ン）、２，２′−ヘキサメチレンビス（５，６−ジヒド
ロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）、２，２′−オクタメ
チレンビス（５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサ
ジン）、２，２′−１，４−シクロヘキシレンビス
（５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）、
２，２′−ビス（４−メチル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ
−１，３−オキサジン）、２，２′−ビス（５−メチル
−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）、
２，２′−ビス（６−メチル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ
−１，３−オキサジン）、２，２′−ｍ−フェニレンビ
ス（５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）、
２，２′−ｐ−フェニレンビス（５，６−ジヒドロ−４
Ｈ−１，３−オキサジン）、２，２′−ｍ−フェニレン
ビス（４−メチル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−
オキサジン）、２，２′−ｍ−フェニレンビス（５−メ
チル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジ
ン）、２，２′−ｍ−フェニレンビス（６−メチル−
５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）、２，
２′−ｐ−フェニレンビス（４−メチル−５，６−ジヒ
ドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）、２，２′−ｐ−フ
ェニレンビス（５−メチル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−
１，３−オキサジン）、２，２′−ｐ−フェニレンビス
（６−メチル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキ
サジン）等が挙げられる。

【００１３】これらのオキサジン誘導体のうち、２，
２′−ビス（５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサ
ジン）、２，２′−テトラメチレンビス（５，６−ジヒ
ドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）、２，２′−ｍ−フ
ェニレンビス（５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキ
サジン）、２，２′−ｐ−フェニレンビス（５，６−ジ
ヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）等が好ましい。

【００１４】これらの架橋剤（Ａ）は、単独でまたは２
種以上を混合して使用され、その配合量は、アルカリ可
溶性樹脂１００重量部に対して、通常１０〜１００重量
部、好ましくは１５〜７５重量部、さらに好ましくは２
０〜５０重量部である。配合量が１０重量部未満では、
架橋反応が十分進行せず、現像時のパターン形状の劣
化、膜減り等を招きやすく、また１００重量部を超える
と、組成物溶液としての塗布性が低下する場合がある。

【００１５】また、本発明においては、組成物の架橋密
度を制御し、感度を調節するために、架橋剤（Ａ）に加
えて、下記一般式（３）で示されるオキサゾリン誘導体

【化９】 〔ここで、Rcは１価の脂肪族、脂環族または芳香族の炭
化水素基を示し、R¹〜R⁴は、一般式（１）におけるもの
と同義である。〕および／または下記一般式（４）で示
されるオキサジン誘導体

【化１０】 〔ここで、Rcは１価の脂肪族、脂環族または芳香族の炭
化水素基を示し、R¹〜R⁶は、一般式（２）と同義であ
る。〕を添加することもできる。

【００１６】前記一般式（３）で示されるオキサゾリン
誘導体の具体例としては、２−メチル−２−オキサゾリ
ン、２−エチル−２−オキサゾリン、２−プロペニル−
２−オキサゾリン、２−フェニル−２−オキサゾリン、
２−トリル−２−オキサゾリン、２，４−ジメチル−２
−オキサゾリン、２，５−ジメチル−２−オキサゾリ
ン、２−フェニル−５−メチル−２−オキサゾリン等を
挙げることができる。

【００１７】これらのオキサゾリン誘導体のうち、２−
メチル−２−オキサゾリン、２−エチル−２−オキサゾ
リン、２−フェニル−２−オキサゾリン、２−トリル−
２−オキサゾリン等が好ましい。

【００１８】また、前記一般式（４）で示されるオキサ
ジン誘導体の具体例としては、２−メチル−５，６−ジ
ヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン、２−エチル−５，
６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン、２−プロペ
ニル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン、
２−フェニル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキ
サジン、２−トリル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３
−オキサジン、２−フェニル−４−メチル−５，６−ジ
ヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン、２−フェニル−５
−メチル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジ
ン、２−フェニル−６−メチル−５，６−ジヒドロ−４
Ｈ−１，３−オキサジン等を挙げることができる。

【００１９】これらのオキサジン誘導体のうち、２−メ
チル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン、
２−エチル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサ
ジン、２−フェニル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−１，３
−オキサジン、２−トリル−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−
１，３−オキサジン等が好ましい。

【００２０】これらの一般式（３）で示されるオキサゾ
リン誘導体および／または一般式（４）で示されるオキ
サジン誘導体の配合量は、アルカリ可溶性樹脂１００重
量部に対して、通常２０重量部以下、好ましくは１０重
量部以下、さらに好ましくは５重量部以下である。

【００２１】アルカリ可溶性樹脂 本発明におけるアルカリ可溶性樹脂（以下、「樹脂
（Ａ）という。）は、アルカリ現像液に可溶な性質を有
するものであれば特に限定されないが、その好ましい例
には、ノボラック樹脂、ポリ（ヒドロキシスチレン）系
樹脂等が挙げられる。

【００２２】前記ノボラック樹脂は、フェノール類とア
ルデヒド類とを酸触媒の存在下で重縮合したものであ
る。前記フェノール類としては、例えばフェノール、ｏ
−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−
エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチル
フェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノ
ール、ｐ−ブチルフェノール、２，３−キシレノール、
２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４
−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−
トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノ
ール、ｐ−フェニルフェノール、ハイドロキノン、カテ
コール、レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、
ピロガロール、１−ナフトール、２−ナフトール、ビス
フェノールＡ、ジヒドロキシ安息香酸エステル、没食子
酸エステル等を挙げることができる。これらのフェノー
ル類は、単独でまたは２種以上を混合して用いられる。

【００２３】また、前記アルデヒド類としては、例えば
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、
α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピ
ルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−
ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベ
ンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｏ−ニ
トロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズアルデヒド、
ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデ
ヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズ
アルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブ
チルベンズアルデヒド、フルフラール等が用いられる。
これらのうち、特にホルムアルデヒドが好ましい。

【００２４】アルデヒドとしてホルムアルデヒドを使用
する場合のホルムアルデヒド発生源としては、例えばホ
ルマリン、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、ヘミ
ホルマール類（例えばメチルヘミホルマール、エチルヘ
ミホルマール、プロピルヘミホルマール、ブチルヘミホ
ルマール、フェニルヘミホルマール等）等を挙げること
ができる。これらのうち、特にホルマリンおよびブチル
ヘミホルマールが好ましい。 これらのアルデヒド類は
単独でまたは２種以上を混合して用いられる。アルデヒ
ド類の使用量は、フェノール類１モルに対して、０．７
〜３モルが好ましく、さらに好ましくは０．７５〜１．
３モルである。

【００２５】前記フェノール類とアルデヒド類との重縮
合に使用される酸触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫
酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸、パラトルエンスルホン酸等
を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量は、
通常、フェノール類１モルに対して１×１０^-4〜５×１
０^-1モルである。

【００２６】フェノール類とアルデヒド類との重縮合に
際しては、通常、反応媒質として水が使用されるが、用
いられるフェノール類がアルデヒド類の水溶液に溶解せ
ず、反応初期から不均一となる場合は、親水性溶媒を反
応媒質として使用することもできる。この親水性溶媒と
しては、例えばメタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられる。これ
らの反応媒質の使用量は、通常、反応原料１００重量部
当たり２０〜１，０００重量部である。

【００２７】フェノール類とアルデヒド類との重縮合方
法としては、フェノール類、アルデヒド類、反応触媒等
を一括して仕込む方法、反応触媒の存在下でフェノール
類、アルデヒド類等を反応中徐々に添加する方法等を採
用することができる。また、フェノール類とアルデヒド
類との重縮合の温度は、通常１０〜２００°Ｃである。
重縮合の終了後、例えば反応系を１３０〜２３０°Ｃに
昇温させ、減圧下で揮発分を除去して、生成したノボラ
ック樹脂を回収する。

【００２８】本発明において使用されるノボラック樹脂
のポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」と
いう。）は、通常２，０００〜２５，０００であり、好
ましくは３，５００〜１５，０００である。Ｍｗが２，
０００未満では、現像性、耐熱性等が低下する傾向を示
し、２５，０００を超えると、現像性、感度、解像度等
が悪化する場合がある。

【００２９】また、前記ポリ（ヒドロキシスチレン）系
樹脂は、ヒドロキシスチレン類のビニル基が開裂した構
造に相当する繰返し単位を有する重合体である。前記ヒ
ドロキシスチレン類としては、例えばｏ−ヒドロキシス
チレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチ
レン、３−クロロ−４−ヒドロキシスチレン、４−クロ
ロ−３−ヒドロキシスチレン、４−ブロモ−３−ヒドロ
キシスチレン、３−エチル−４−ヒドロキシスチレン、
３−プロピル−４−ヒドロキシスチレン、３−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシスチレン、３−フェニル−４−ヒド
ロキシスチレン、３−ナフチル−４−ヒドロキシスチレ
ン、３−ベンジル−４−ヒドロキシスチレン、スチリル
−４−ヒドロキシスチレン、３−ビニル−４−ヒドロキ
シスチレン、３−プロペニル−４−ヒドロキシスチレ
ン、３−クミル−４−ヒドロキシスチレン、２−メチル
−４−ヒドロキシスチレン、２，６−ジメチル−４−ヒ
ドロキシスチレン等が挙げられる。

【００３０】ポリ（ヒドロキシスチレン）系樹脂は、前
記の繰返し単位の他に、例えばアクリル酸メチル、メタ
クリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチ
ル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、
アクリル酸プロピル、メタクリル酸プロピル、メチルビ
ニルエーテル、ｔ−ブチルビニルエーテル、スチレン、
α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、クロロスチ
レン、無水マレイン酸、酢酸ビニル、ビニルピリジン、
ビニルピロリドン、アクリロニトリル、メタクリロニト
リル、アクリルアミド、メタクリルアミド、メチルビニ
ルケトン、エチルビニルケトン、ビニルジメチルアミ
ン、ビニルジエチルアミン、メチルビニルチオエーテ
ル、エチルビニルチオエーテル等の不飽和結合が開裂し
た繰返し単位を含んでいてもよい。

【００３１】本発明において使用されるポリ（ヒドロキ
シスチレン）系樹脂のＭｗは、通常５，０００〜３０
０，０００、好ましくは１０，０００〜１５０，０００
である。Ｍｗが５，０００未満では、耐熱性が低下し、
３００，０００を超えると、現像性、解像度、塗布性等
が低下する傾向がある。

【００３２】樹脂（Ａ）は、水素添加物としても用いる
ことができる。その水素添加率は、通常７０％以下、好
ましくは５０％以下、さらに好ましくは４０％以下であ
る。水素添加率が７０％を超えると、アルカリに対する
溶解性やドライエッチング耐性が低下するおそれがあ
る。

【００３３】酸発生剤 本発明において用いられる、酸発生剤としては、例えば
オニウム塩、ハロアルキル基含有化合物、キノンジアジ
ド化合物、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルス
ルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、ニトロベン
ジルスルホネート化合物、ジニトロベンジルスルホネー
ト化合物等を挙げることができる。それらの具体例に
は、以下に示す化合物がある。

【００３４】オニウム塩：ヨードニウム塩、スルホニウ
ム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム
塩等。好ましいオニウム塩は、下記式（５）〜（７）で
示される化合物である。

【００３５】

【化１１】

【００３６】

【化１２】

【００３７】

【化１３】

【００３８】〔式（５）〜（７）において、R⁷〜R⁹は同
一でも異なってもよい水素原子、アミノ基、ニトロ基、
シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜
４のアルコキシ基を示し、X はSbF₆、AsF₆、PF₆ 、BF
₄ 、CF₃CO₂、ClO₄、CF₃SO₃、

【化１４】 （ここで、R¹⁰ は水素原子、アミノ基、アニリノ基、炭
素数１〜４のアルキル基もしくは炭素数１〜４のアルコ
キシ基である）、

【化１５】 （ここで、R¹¹ およびR¹² は同一でも異なってもよい炭
素数１〜４のアルコキシ基である）、

【化１６】 （ここで、R¹³ は水素原子、アミノ基、アニリノ基、炭
素数１〜４のアルキル基もしくは炭素数１〜４のアルコ
キシ基である。）または

【化１７】 を示す。〕

【００３９】ハロアルキル基含有化合物：ハロアルキル
基含有炭化水素系化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環
状化合物等。好ましいハロアルキル基含有化合物は、下
記式（８）または（９）で示される化合物である。

【化１８】 〔式（８）において、R¹⁴ はトリクロロメチル基、フェ
ニル基、メトキシフェニル基、ナフチル基またはメトキ
シナフチル基を示す。〕

【００４０】

【化１９】 〔式（９）において、R¹⁵ 〜R¹⁷ は同一でも異なっても
よい水素原子、ハロゲン原子、メチル基、メトキシ基ま
たは水酸基を示す。〕

【００４１】キノンジアジド化合物：ジアゾベンゾキノ
ン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等。好ましいキノ
ンジアジド化合物は、下記式（１０）〜（１３）で示さ
れる化合物である。

【化２０】

【００４２】

【化２１】

【００４３】

【化２２】 〔式（１２）において、R¹⁸ は-CH₂- 、-(CH₃)₂-、-CO-
または-SO₂- を示し、ｑは１〜６の整数、ｒは０〜５の
整数で、ｑ＋ｒ＝１〜６である。〕

【００４４】

【化２３】 〔式（１３）において、R¹⁹ は水素原子またはメチル基
を示し、R²⁰ は-CH₂- 、-C(CH₃)₂- 、-CO-または-SO₂-
を示し、ｓは１〜６の整数、ｔは０〜５の整数で、ｓ＋
ｔ＝１〜６である。〕

【００４５】β−ケトスルホン化合物、β−スルホニル
スルホン化合物：好ましくは下記式（１４）で示される
化合物。

【化２４】 〔式（１４）において、Y は-CO-または-SO₂- を示し、
R²¹ 〜R²⁴ は同一でも異なってもよいハロゲン原子また
は炭素数１〜４のアルキル基を示し、ｕは０〜３の整数
である。〕

【００４６】ニトロベンジルスルホネート化合物、ジニ
トロベンジルスルホネート化合物：好ましくは下記式
（１５）で示される化合物。

【化２５】 〔式（１５）において、ｖは１〜３の整数であり、R²⁵
は炭素数１〜４のアルキル基を示し、R²⁶ は水素原子ま
たはメチル基を示し、R²⁷ は

【化２６】 （ここで、R²⁸ は水素原子またはメチル基である。）、

【化２７】 （ここで、R²⁹ およびR³⁰ は同一でも異なってもよい炭
素数１〜４のアルコキシ基である。）または

【化２８】 を示す。〕

【００４７】スルホン酸エステル化合物：アルキルスル
ホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、ア
リールスルホン酸エステル、イミノスルホナート等。好
ましいスルホン酸エステル化合物は、下記式（１６）〜
（１８）で示される化合物である。

【化２９】 〔式（１６）において、R³¹ およびR³² は同一でも異な
ってもよい水素原子、炭素数１〜４のアルキル基を示
し、R³³ およびR³⁴ 同一でも異なってもよい水素原子、
炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜２０のアリ
ール基を示す。〕

【００４８】

【化３０】 〔式（１７）において、R³⁵ は水素原子または炭素数１
〜４のアルキル基を示し、R³⁶ およびR³⁷ は同一でも異
なってもよい炭素数１〜４のアルキル基もしくは炭素数
６〜２０のアリール基を示すか、または相互に結合して
式（１５）中の窒素原子とともに形成した環の構成単位
を示す。〕

【００４９】

【化３１】 〔式（１８）において、Z はフッ素原子または塩素原子
を示す。〕

【００００】これらの酸発生剤のうち、特にオニウム
塩、キノンジアジド化合物が好ましい。

【００５０】これらの酸発生剤は単独でまたは２種以上
を混合して使用される。その配合量は、重合体（Ａ）１
００重量部に対して、好ましくは１〜７０重量部、さら
に好ましくは３〜５０重量部であり、特に３〜２０重量
部が好ましい。酸発生剤の配合量が１重量部未満では、
十分なパターン形成能が得られ難く、また７０重量部を
超えると、スカムが発生しやすくなり好ましくない。

【００５１】本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物に
は、場合により、溶解禁止剤、溶解促進剤、増感剤、界
面活性剤等の各種添加剤を配合することができる。

【００５２】溶解禁止剤は、樹脂（Ａ）のアルカリ可溶
性が高過ぎる場合に用いられる。その好ましい例として
は、ジフェニルスルホン、ジナフチルスルホン等のスル
ホン化合物、パラトルエンスルホン酸フェニルエステ
ル、１−ナフタレンスルホン酸フェニルエステル、２−
ナフタレンスルホン酸フェニルエステル等のスルホン酸
エステル化合物が挙げられる。これらの溶解禁止剤の配
合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、通常５０重
量部以下である。

【００５３】また溶解促進剤は、樹脂（Ａ）（これは水
素添加物であってもよい。）のアルカリ可溶性が低過ぎ
る場合に用いられる。その例には、低分子のフェノール
化合物が挙げられ、好ましい低分子フェノール化合物
は、２〜６個のベンゼン環を有する化合物である。溶解
促進剤の配合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、
通常５０重量部以下である。これらの溶解禁止剤および
溶解促進剤は、レジストのアルカリ可溶性を調節するこ
とにより、そのパターン形成能を改善または最適化する
作用を示すものであり、それ自身では焼成、露光、現像
等のパターン形成プロセスにおいて、ほとんど化学的に
変化しない安定な化合物が使用される。これらの溶解禁
止剤および溶解促進剤は、前記作用および性質を有する
ものであれば、特に限定されるものではない。

【００５４】増感剤は、放射線のエネルギーを吸収し、
そのエネルギーを酸発生剤に伝達して、酸の発生量を増
加させ、それにより、本発明の組成物のみかけの感度を
向上させる作用を示すものである。使用される増感剤
は、前記作用を有するものであれば、特に限定されない
が、その好ましい例には、アセトン、ベンゼン、アセト
フェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセ
チル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラ
セン類、フェノチアジン類等が挙げられる。増感剤の配
合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、通常５０重
量部以下である。

【００５５】界面活性剤は、本発明の組成物の塗布性、
現像性等を改良する作用を示すものである。このような
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチ
レンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウ
レート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノ
ニオン系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーであ
るＫＰ３４１（商品名、信越化学工業製）、アクリル酸
系またはメタクリル酸系の（共）重合体であるポリフロ
ーＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（商品名、共栄社油脂化学工
業製）のほか、商品名で、エフトップＥＦ３０１，ＥＦ
３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成製）、メガファックＦ
１７１，Ｆ１７２，Ｆ１７３（大日本インキ製）、フロ
ラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（以上、住友スリーエム
製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳー３８
２，ＳＣー１０１、ＳＣー１０２，ＳＣー１０３，ＳＣ
ー１０４，ＳＣー１０５，ＳＣー１０６（旭硝子製）等
のフッ素系界面活性剤が挙げられる。これらの界面活性
剤の配合量は、組成物の固形分１００重量部当たり、通
常２重量部以下である。

【００５６】さらに本発明においては、染料や顔料を配
合することにより、放射線照射（以下、「露光」とい
う。）部の潜像を可視化させて、露光時のハレーション
の影響を低減することができ、また、接着助剤を配合す
ることにより、基材との接着性を改善することができ
る。また必要に応じて、存安定剤、消泡剤等の他の添加
剤を配合することもできる。

【００５７】本発明の組成物は、前述した樹脂（Ａ）、
酸発生剤および架橋剤（Ａ）、並びに必要により配合さ
れる各種添加剤を含有するものであるが、その使用に際
しては、溶剤に溶解したのち、例えば孔径０．２μｍ程
度のフィルターで濾過することによって、溶液として調
製される。したがって、本発明でいう組成物とは、１つ
の態様においては、重合体（Ａ）、酸発生剤および架
橋剤（Ａ）、並びに場合により配合される各種添加剤か
らなるものを意味し、また他の態様においては、前記
の成分を溶剤に溶解した溶液を意味することは、理解
されなければならない。

【００５８】前記溶液の調製に使用される溶剤として
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノプロピルエーテルアセテート、トルエ
ン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノ
ン、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキ
シプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプ
ロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢
酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３
−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオ
ン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチル、ピルビン酸エチル等を挙げることが
できる。これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を混合
して使用される。

【００５９】さらに前記溶剤には、必要に応じて、Ｎ−
メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、
ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロ
ン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等
の高沸点溶剤を添加することもできる。

【００６０】本発明の組成物を用いてレジストパターン
を形成する際には、前記溶剤に溶解し濾過した溶液を、
回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の手段によって、例
えばシリコンウエハー、アルミニウムが被覆されたウエ
ハー等の基板上に塗布する。その際の溶液濃度は、全固
形分濃度として、通常５〜５０重量％である。ついで、
所定のマスクパターンを介して露光したのち、現像液で
現像することにより、レジストパターンを形成する。使
用する放射線は、例えば紫外線、遠紫外線（エキシマレ
ーザーを含む）、Ｘ線、ガンマ線、電子線、分子線、プ
ロトンビーム等から適宜に選択することができる。その
際、基板上に塗布後、予備焼成および露光を行ない、つ
いで、７０〜１４０°Ｃで加熱する操作を行なったの
ち、現像することが好ましい。

【００６１】次に、本発明の組成物に対する現像液とし
ては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸
ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、ア
ンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエ
チルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、コリン、ピロール、ピペリジン、１，８−ジアザビ
シクロ−［５，４，０］−７−ウンデセン、１，５−ジ
アザビシクロ−［４，３，０］−５−ノナン等のアルカ
リ性化合物を、濃度が、通常１〜１０重量％、好ましく
は２〜５重量％となるように溶解したアルカリ性水溶液
が使用される。また前記現像液には、水溶性有機溶剤
（例えばメタノール、エタノール等のアルコール類）、
界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、この
ようにアルカリ性水溶液からなる現像液を用いて現像し
た場合には、一般に、現像後水で洗浄する。

【００６２】

【実施例】以下実施例および比較例を挙げて、本発明を
さらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例
のみに限定されるものではない。Ｍｗの測定およびレジ
ストとしての評価は、下記の方法により行なった。 Ｍｗ：東ソー社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ_XL：２
本、Ｇ３０００Ｈ_XL：１本、Ｇ４０００Ｈ_XL：１本）を
用い、流量１．０ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラ
ン、カラム温度４０°Ｃの分析条件で、単分散ポリスチ
レンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ
法により測定した。 最適露光量：２．３８重量％のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液で現像後、水洗、乾燥して、ウエ
ハー上にレジストパターンを形成させたときの、０．６
μｍのライン・アンド・スペースパターン（ＩＬＩＳ）
を１対１の幅に形成する露光量を、最適露光量とした。
露光装置は、ＫｒＦエキシマレーザー照射には、アドモ
ントサイエンス製「ＭＢＫ−４００ＴＬ−Ｎ」を、ｉ線
照射には、ニコン製「ＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ（レンズ
開口数：０．４５）」を、ｇ線照射には、ニコン製「Ｎ
ＳＲ−１５０５Ｇ４Ｄ」を、それぞれ使用した。 解像度：最適露光量で露光したときに解像されるレジス
トパターンの最小寸法を、解像度とした。 残膜率：最適露光量で露光したときの、現像前のレジス
ト膜の厚さに対する現像後のパターンの厚さの割合
（％）を、残膜率とした。 現像性：未露光部のスカムや現像残りの程度、露光部の
レジストパターンの膨潤および蛇行の程度で評価した。 耐熱性：レジストパターンを形成したウエハーをクリー
ンオーブン中に入れて、１５０°Ｃに加熱したときにパ
ターンが型崩れしない場合を、耐熱性が良好とした。

【００６３】合成例１ ｐ−ｔ−ブトキシスチレン１７６ｇ（１．０モル）およ
びアゾビスイソブチロニトリル８．２ｇ（０．０５モ
ル）をジオキサン１００ｍｌに溶解し、液温を７０°Ｃ
に保って２４時間反応させた。反応後、再沈澱処理を数
回行って、未反応モノマーを除去し、ポリ（ｐ−ｔ−ブ
トキシスチレン）を得た。ついで、このポリ（ｐ−ｔ−
ブトキシスチレン）を酸により加水分解して、ポリ（ｐ
−ヒドロキシスチレン）樹脂（Ｍｗ＝３０，０００）を
得た。この樹脂を、樹脂（Ａ１）とする。

【００６４】合成例２ ｐ−クレゾール８６．５ｇ（０．８モル）、ビスフェノ
ールＡ４５．６ｇ（０．２モル）および３７重量％ホル
マリン７３ｇ（ホルムアルデヒド：０．９モル）を、３
５重量％塩酸水溶液２ｇを触媒として、１００°Ｃに保
って２時間反応させた。ついで、３０ｍｍＨｇの減圧下
で１時間蒸留することにより、未反応モノマー、ホルム
アルデヒド、水等を除去して、ノボラック樹脂（Ｍｗ＝
３，２００）を得た。この樹脂を、樹脂（Ａ２）とす
る。

【００６５】合成例３ ｍ−クレゾール１６２ｇ（１．５モル）および３７重量
％ホルマリン５７．８ｇ（ホルムアルデヒド：０．７１
モル）を、シュウ酸２水和物０．１８９ｇ（１．５×１
０^-3モル）を触媒として、１００°Ｃに保って１時間反
応させたのち、３７重量％ホルマリン５７．８ｇ（ホル
ムアルデヒド：０．７１モル）およびシュウ酸２水和物
１．７０１ｇ（１．３５×１０^-2モル）を加えて、さら
に２時間反応させた。ついで、３０ｍｍＨｇの減圧下で
１時間蒸留することにより、未反応モノマー、ホルムア
ルデヒド、水等を除去して、ノボラック樹脂（Ｍｗ＝
６，２００）を得た。この樹脂を、樹脂（Ａ３）とす
る。

【００６６】実施例１ 樹脂（Ａ１）１００重量部、酸発生剤としてトリフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート５重量
部および架橋剤として２，２′−ｍ−フェニレンビス
（２−オキサゾリン）４０重量部を２−ヒドロキシプロ
ピオン酸エチル５１４重量部に溶解したのち、孔径０．
２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、レジスト溶
液を調製した。このレジスト溶液をシリコンウエハー上
にスピナーを用いて塗布したのち、９０°Ｃで１００秒
間予備焼成して、膜厚０．７μｍのレジスト膜を形成し
た。このレジスト膜にパターンを密着させてＫｒＦエキ
シマレーザーで露光したのち、１２０°Ｃで１２０秒
間、露光後焼成を行なった。次いで、２３°Ｃで１分
間、浸漬法により現像したのち、超純水で３０秒間洗浄
して、レジストパターンを形成させた。その結果、最適
露光量は１２０ｍＪ／ｃｍ² であり、解像度０．３５μ
ｍの微細なライン・アンド・スペースネガパターンが良
好な形状で形成された。未露光部の現像残りはなく、露
光部のパターンの膨潤および蛇行も観察されず、現像性
は良好であった。露光部の残膜率は９８％であった。ま
た、１５０°Ｃでもパターンの変形は全く見られず、耐
熱性も良好であった。

【００６７】実施例２ 樹脂（Ａ１）１００重量部、酸発生剤として１，１，３
−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）−３−フェニルプロパンの１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル（平均エステル化率＝
８０％）７重量部および架橋剤として２，２′−ｐ−フ
ェニレンビス（２−オキサゾリン）４０重量部を、２−
ヒドロキシプロピオン酸エチル４００重量部およびＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド１２０重量部からなる溶媒に
溶解したのち、孔径０．２μｍのメンブレンフィルター
で濾過して、レジスト溶液を調製した。このレジスト溶
液を、実施例１と同様に処理して、レジストパターンを
形成させた。その結果、最適露光量は１００ｍＪ／ｃｍ
² であり、解像度０．３５μｍの微細なライン・アンド
・スペースネガパターンが良好な形状で得られた。未露
光部の現像残りはなく、露光部のパターンの膨潤および
蛇行も観察されず、現像性は良好であった。露光部の残
膜率は９５％であった。また、１５０°Ｃでもパターン
の変形は全く見られず、耐熱性も良好であった。

【００６８】実施例３ 樹脂（Ａ２）１００重量部、酸発生剤としてトリフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロメタンアンチモネート３
重量部および架橋剤として２，２′−ｍ−フェニレンビ
ス（４−メチル−２−オキサゾリン）４０重量部を３−
メトキシプロピオン酸メチル５０７重量部に溶解したの
ち、孔径０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過し
て、レジスト溶液を調製した。このレジスト溶液を、実
施例１と同様に処理して、レジストパターンを形成させ
た。その結果、最適露光量は１４０ｍＪ／ｃｍ² であ
り、解像度０．３５μｍの微細なライン・アンド・スペ
ースネガパターンが良好な形状で得られた。未露光部の
現像残りはなく、露光部のパターンの膨潤および蛇行も
観察されず、現像性は良好であった。露光部の残膜率は
９７％であった。また、１５０°Ｃでもパターンの変形
は全く見られず、耐熱性も良好であった。

【００６９】実施例４ 樹脂（Ａ１）１００重量部、酸発生剤としてピロガロー
ルのメタンスルホン酸トリエステル４重量部および架橋
剤として２，２′−ｍ−フェニレンビス（５，６−ジヒ
ドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）４０重量部を、３−
エトキシプロピオン酸エチル４９０重量部およびγ−ブ
チロラクトン３０重量部からなる溶媒に溶解したのち、
孔径０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、レ
ジスト溶液を調製した。このレジスト溶液を、実施例１
と同様に処理して、レジストパターンを形成させた。そ
の結果、最適露光量は１５０ｍＪ／ｃｍ² であり、解像
度０．３５μｍの微細なライン・アンド・スペースネガ
パターンが良好な形状で得られた。未露光部の現像残り
はなく、露光部のパターンの膨潤および蛇行も観察され
ず、現像性は良好であった。露光部の残膜率は９４％で
あった。また、１５０°Ｃでもパターンの変形は全く見
られず、耐熱性も良好であった。

【００７０】実施例５ 樹脂（Ａ３）１００重量部、酸発生剤として２，３，４
−トリヒドロキシベンゾフェノンの１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル（平均エステル化
率＝８７％）５重量部および架橋剤として２，２′−ｍ
−フェニレンビス（２−オキサゾリン）３０重量部をピ
ルビン酸エチル４０５重量部からなる溶媒に溶解したの
ち、孔径０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過し
て、レジスト溶液を調製した。このレジスト溶液を、実
施例１と同様にして塗布、予備焼成したのち、ｇ線で露
光し、１２０°Ｃで１２０秒間、露光後焼成を行ない、
その後実施例１と同様にして現像、洗浄を行なって、レ
ジストパターンを形成させた。その結果、最適露光量は
３００ｍ秒であり、解像度０．４８μｍの微細なライン
・アンド・スペースネガパターンが良好な形状で得られ
た。未露光部の現像残りはなく、露光部のパターンの膨
潤および蛇行も観察されず、現像性は良好であった。露
光部の残膜率は９５％であった。また、１５０°Ｃでも
パターンの変形は全く見られず、耐熱性も良好であっ
た。

【００７１】実施例６ 樹脂（Ａ３）１００重量部、酸発生剤として２−（４′
−メトキシ−１′−ナフチル）−４，６−ビス（トリク
ロロメチル）−１，３，５−トリアジン５重量部および
架橋剤として２，２′−ｐ−フェニレンビス（５，６−
ジヒドロ−４Ｈ−１，３−オキサジン）３０重量部を３
−エトキシプロピオン酸メチル４０５重量部に溶解した
のち、孔径０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過し
て、レジスト溶液を調製した。このレジスト溶液を、実
施例１と同様にして塗布、予備焼成したのち、ｉ線で露
光し、１２０°Ｃで１２０秒間、露光後焼成を行ない、
その後実施例１と同様にして現像、洗浄を行なって、レ
ジストパターンを形成させた。その結果、最適露光量は
２００ｍ秒であり、解像度０．３８μｍの微細なライン
・アンド・スペースネガパターンが良好な形状で得られ
た。未露光部の現像残りはなく、露光部のパターンの膨
潤および蛇行も観察されず、現像性は良好であった。露
光部の残膜率は９６％であった。また、１５０°Ｃでも
パターンの変形は全く見られず、耐熱性も良好であっ
た。

【００７２】比較例１ 樹脂（Ａ１）１００重量部、酸発生剤としてトリフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート３重量
部および架橋剤として２，６−ジ（ヒドロキシメチル）
−４−メチルフェノール２５重量部を２−ヒドロキシプ
ロピオン酸エチル３７０重量部に溶解したのち、孔径
０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、レジス
ト溶液を調製した。このレジスト溶液を、実施例１と同
様に処理して、レジストパターンを形成させた。その結
果、熱架橋によると考えられる未露光部の現像残りが著
しく、良好なネガパターンは形成されなかった。

【００７３】

【発明の効果】本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物
は、０．５μｍ以下の微細パターンを形成しうるレジス
トとして、十分な熱安定性を有し、現像性に優れ、現像
時にパターンが膨潤および蛇行を起こすこともなく、良
好な形状のパターンを形成することができ、また残膜性
および耐熱性も良好である。しかも、エキシマレーザー
（波長２４８μｍ）を含む遠紫外線以下の短波長光、Ｘ
線、ガンマ線、電子線、分子線、プロトンビーム等の広
範囲の放射線を使用する位相シフトリソグラフィ−プロ
セスにおいて、好適に使用しうるものである。したがっ
て、今後さらに微細化が進行すると予想される、半導体
デバイス等の高集積回路製造用レジストとして極めて有
用である。

【化３】

【化４】

【化５】

【化６】

【化７】

【化８】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 孝夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（イ）アルカリ可溶性樹脂、（ロ）放射線
   の照射により酸を発生する化合物、並びに（ハ）下記一
   般式（１）で示されるオキサゾリン誘導体 【化１】 および／または下記一般式（２）で示されるオキサジン
   誘導体 【化２】 〔一般式（１）および（２）において、ｍは２〜４の整
   数であり、Raはｍ価の脂肪族、脂環族もしくは芳香族の
   炭化水素基を示すか、またはｍ＝２のときは直接結合で
   もよく、R¹〜R⁶は同一でも異なってもよい水素原子、脂
   肪族炭化水素基または芳香族炭化水素基を示す。〕を含
   有することを特徴とするネガ型感放射線性樹脂組成物。