JPH05282934A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
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- JPH05282934A JPH05282934A JP4077236A JP7723692A JPH05282934A JP H05282934 A JPH05282934 A JP H05282934A JP 4077236 A JP4077236 A JP 4077236A JP 7723692 A JP7723692 A JP 7723692A JP H05282934 A JPH05282934 A JP H05282934A
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】複数の透明導電膜の間で透光性や導電性のバラ
ツキがなく、均一な特性が得られた。 【構成】透明導電膜用の液状金属化合物を超音波振動が
印加されたノズルを介して霧状にし、その霧状金属化合
物を被着用基体の表面に吹き付けて金属化合物膜を形成
し、その後、該金属化合物膜を空気中あるいは酸素を含
む雰囲気中で２００〜６００℃で加熱し酸化させること
により透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電
膜の形成方法。
ツキがなく、均一な特性が得られた。 【構成】透明導電膜用の液状金属化合物を超音波振動が
印加されたノズルを介して霧状にし、その霧状金属化合
物を被着用基体の表面に吹き付けて金属化合物膜を形成
し、その後、該金属化合物膜を空気中あるいは酸素を含
む雰囲気中で２００〜６００℃で加熱し酸化させること
により透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電
膜の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスプレー法により膜厚ム
ラのない透明導電膜の形成方法に関するものである。
ラのない透明導電膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近時、透明導電膜はイメージセンサー、
液晶表示装置、タッチパネル等に盛んに用いられてい
る。この透明導電膜の材料にはＩｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ化合物、ＴｉＯ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 等が提案
され、その一部は既に実用化されている。この透明導電
膜の形成方法として、真空蒸着、スパッタリング
法、反応性スパッタリング法、スプレー法（噴霧熱
分解法）、グロー放電酸化法、ＣＶＤ法等が提案さ
れている。
液晶表示装置、タッチパネル等に盛んに用いられてい
る。この透明導電膜の材料にはＩｎ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、
Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ化合物、ＴｉＯ3 、Ｓｂ2 Ｏ3 等が提案
され、その一部は既に実用化されている。この透明導電
膜の形成方法として、真空蒸着、スパッタリング
法、反応性スパッタリング法、スプレー法（噴霧熱
分解法）、グロー放電酸化法、ＣＶＤ法等が提案さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、これ
らの提案の透明導電膜の形成方法のうち、、、、
、はいずれも真空装置を必要として、その設備に多
大な費用を要し、また、そのメンテナンスにも時間や経
費を要すという問題点があった。更にこれらの方法では
成膜面を大面積化することは困難であるという問題点も
ある。しかも、、、、ではターゲット材を用い
るが、その用意したターゲット材のすべてが透明導電膜
用に使われるのではなく、通常６０〜７０％は未使用の
ままになり、その分、製造コストを高めるという問題点
もある。
らの提案の透明導電膜の形成方法のうち、、、、
、はいずれも真空装置を必要として、その設備に多
大な費用を要し、また、そのメンテナンスにも時間や経
費を要すという問題点があった。更にこれらの方法では
成膜面を大面積化することは困難であるという問題点も
ある。しかも、、、、ではターゲット材を用い
るが、その用意したターゲット材のすべてが透明導電膜
用に使われるのではなく、通常６０〜７０％は未使用の
ままになり、その分、製造コストを高めるという問題点
もある。
【０００４】これに対しての方法では、Ｉｎ、Ｓｎ、
Ｓｂ等の金属の有機物や錯体をスプレーで塗布し、次い
で空気中あるいは酸素を含む雰囲気中で２００〜６００
℃で加熱して酸化させることによりＩｎ2 Ｏ3 等を基板
上に形成するという方法であり、この方法であれば、メ
タルマスク等を使用することで（或いはスクリーン印
刷）することによりフォトリソなしでパターンを形成す
ることができる。
Ｓｂ等の金属の有機物や錯体をスプレーで塗布し、次い
で空気中あるいは酸素を含む雰囲気中で２００〜６００
℃で加熱して酸化させることによりＩｎ2 Ｏ3 等を基板
上に形成するという方法であり、この方法であれば、メ
タルマスク等を使用することで（或いはスクリーン印
刷）することによりフォトリソなしでパターンを形成す
ることができる。
【０００５】このの方法では、真空装置を必要としな
いので、上記の問題点が解消できるが、その反面、スプ
レーを使用することにより透明導電膜の厚みのムラが生
じ、これにより、多数に配列された透明導電膜の間で透
光性や導電性のバラツキができるという問題点があっ
た。
いので、上記の問題点が解消できるが、その反面、スプ
レーを使用することにより透明導電膜の厚みのムラが生
じ、これにより、多数に配列された透明導電膜の間で透
光性や導電性のバラツキができるという問題点があっ
た。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明の透明導電膜の
形成方法は、透明導電膜用の液状金属化合物を圧縮ガス
を用いて超音波振動が印加されたノズルより霧状に噴出
させ、その霧状金属化合物を被着用基体の表面に吹き付
けて金属化合物膜を形成し、その後、該金属化合物膜を
空気中あるいは酸素を含む雰囲気中で２００〜６００℃
で加熱し酸化させることにより透明導電膜を形成するこ
とを特徴とする。
形成方法は、透明導電膜用の液状金属化合物を圧縮ガス
を用いて超音波振動が印加されたノズルより霧状に噴出
させ、その霧状金属化合物を被着用基体の表面に吹き付
けて金属化合物膜を形成し、その後、該金属化合物膜を
空気中あるいは酸素を含む雰囲気中で２００〜６００℃
で加熱し酸化させることにより透明導電膜を形成するこ
とを特徴とする。
【０００７】
【作用】この透明導電膜の形成方法であれば、超音波振
動をノズルに印加しているので、発生した霧状金属化合
物の径が小さくなるとともに均一化し、そのような霧状
金属化合物が被着用基体の表面に効率的に付着し、これ
により、厚みのムラがきわめて小さくなった良質の透明
導電膜を形成することができる。
動をノズルに印加しているので、発生した霧状金属化合
物の径が小さくなるとともに均一化し、そのような霧状
金属化合物が被着用基体の表面に効率的に付着し、これ
により、厚みのムラがきわめて小さくなった良質の透明
導電膜を形成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を述べる。
【０００９】図１は本発明の透明導電膜の形成方法を示
す概要図であり、図２はこの形成方法に用いられるノズ
ルの断面図である。
す概要図であり、図２はこの形成方法に用いられるノズ
ルの断面図である。
【００１０】図１においては、１は透明導電膜用の液状
金属化合物２が入ったタンクであり、３はスプレーであ
る。また、４はメタルマスク、５は被着用基体であり、
６は被着用基体５の表面に成膜された未加熱処理の透明
導電用膜を示す。
金属化合物２が入ったタンクであり、３はスプレーであ
る。また、４はメタルマスク、５は被着用基体であり、
６は被着用基体５の表面に成膜された未加熱処理の透明
導電用膜を示す。
【００１１】このような構成において、タンク１内の液
状金属化合物２は適度にスプレーノズル３に送られ、こ
のスプレーノズル３により該液状金属化合物２が霧状７
となって被着用基体５に向かう。そして、メタルマスク
４により所定の形状に成膜される。
状金属化合物２は適度にスプレーノズル３に送られ、こ
のスプレーノズル３により該液状金属化合物２が霧状７
となって被着用基体５に向かう。そして、メタルマスク
４により所定の形状に成膜される。
【００１２】図２に示すノズル３によれば、８は液状金
属化合物２の注入口、９は霧化面であり、この注入口８
から霧化面９に向かって液状金属化合物２が輸送され
る。また、１０は圧電素子、１１はこの圧電素子１０に
電気的に印加するための入力端子である。
属化合物２の注入口、９は霧化面であり、この注入口８
から霧化面９に向かって液状金属化合物２が輸送され
る。また、１０は圧電素子、１１はこの圧電素子１０に
電気的に印加するための入力端子である。
【００１３】このような構成のノズル３において、注入
口８から霧化面９に向かって輸送される液状金属化合物
２に、圧電素子１０により発生した超音波振動エネルギ
ーが加わり、その霧化が促進される。その超音波振動に
振幅が霧化面９で最大になるように設計することにより
効率的に霧化され、これにより、より細粒化するととも
に均一化させることができる。
口８から霧化面９に向かって輸送される液状金属化合物
２に、圧電素子１０により発生した超音波振動エネルギ
ーが加わり、その霧化が促進される。その超音波振動に
振幅が霧化面９で最大になるように設計することにより
効率的に霧化され、これにより、より細粒化するととも
に均一化させることができる。
【００１４】上記液状金属化合物２の成分としては、金
属有機物や金属錯体等があり、例えばネオデカン酸Ｉ
ｎ、ネオデカン酸Ｓｎ、オクチル酸Ｓｎ、ネオデカン酸
Ｓｂ、オクチル酸Ｓｂ等があり、これらを単独でもしく
は組み合わせて用いる。そして、この成分をブタノー
ル、トルエン、アセチルアセトン、トリクロルトリフル
オロエタン、ノーマルブチルアセテート等の溶剤に溶か
す。
属有機物や金属錯体等があり、例えばネオデカン酸Ｉ
ｎ、ネオデカン酸Ｓｎ、オクチル酸Ｓｎ、ネオデカン酸
Ｓｂ、オクチル酸Ｓｂ等があり、これらを単独でもしく
は組み合わせて用いる。そして、この成分をブタノー
ル、トルエン、アセチルアセトン、トリクロルトリフル
オロエタン、ノーマルブチルアセテート等の溶剤に溶か
す。
【００１５】かくして上記構成の透明導電膜の形成方法
によれば、より細粒化するとともに均一化させた霧状液
状金属有機物を被着用基体５の表面に塗布でき、これに
より、厚みのムラがきわめて小さくなった透明導電用膜
６を形成することができる。また、この形成方法によれ
ば、霧化効率が高く、細粒化されるので、粒子の運動量
との関係で質量が小さくなるので、被着用基体５の表面
での反跳が小さくなり、これによっても厚みのムラがき
わめて小さくなった透明導電用膜６を形成することがで
きる。
によれば、より細粒化するとともに均一化させた霧状液
状金属有機物を被着用基体５の表面に塗布でき、これに
より、厚みのムラがきわめて小さくなった透明導電用膜
６を形成することができる。また、この形成方法によれ
ば、霧化効率が高く、細粒化されるので、粒子の運動量
との関係で質量が小さくなるので、被着用基体５の表面
での反跳が小さくなり、これによっても厚みのムラがき
わめて小さくなった透明導電用膜６を形成することがで
きる。
【００１６】次にこの透明導電用膜６を空気中あるいは
酸素を含む雰囲気中で２００〜６００℃で加熱し酸化さ
せることにより透明導電膜を形成することができ、これ
により、多数に配列された透明導電膜の間で透光性や導
電性のバラツキがなく、均一な特性が得られた。
酸素を含む雰囲気中で２００〜６００℃で加熱し酸化さ
せることにより透明導電膜を形成することができ、これ
により、多数に配列された透明導電膜の間で透光性や導
電性のバラツキがなく、均一な特性が得られた。
【００１７】本発明者等は上記の技術的思想に基づき、
下記の実験を行った。
下記の実験を行った。
【００１８】（例１）先ず液状金属化合物２には、ネオ
デカン酸インジウムＩｎ（Ｃ9 Ｈ19ＣＯＯ）3 と、ネオ
デカン酸スズＳｎ（Ｃ9 Ｈ19ＣＯＯ）4 との混合物を用
いて、その混合比率はＩｎとＳｎの原子比率でもってＩ
ｎ／Ｓｎ＝９５／５、その混合物の溶剤にはアセチルア
セトンを用いた。また、ノズル３には岩下エンジニアリ
ング株式会社製のソノテックシステムを用いて、その超
音波振動の周波数は、ｆ＝１２０ＫＨｚ、中間粒子径２
０μｍ、有効粒子径５０μｍに設定した。被着用基体５
には、コーニング製♯７０５９のガラス基板を用いた。
デカン酸インジウムＩｎ（Ｃ9 Ｈ19ＣＯＯ）3 と、ネオ
デカン酸スズＳｎ（Ｃ9 Ｈ19ＣＯＯ）4 との混合物を用
いて、その混合比率はＩｎとＳｎの原子比率でもってＩ
ｎ／Ｓｎ＝９５／５、その混合物の溶剤にはアセチルア
セトンを用いた。また、ノズル３には岩下エンジニアリ
ング株式会社製のソノテックシステムを用いて、その超
音波振動の周波数は、ｆ＝１２０ＫＨｚ、中間粒子径２
０μｍ、有効粒子径５０μｍに設定した。被着用基体５
には、コーニング製♯７０５９のガラス基板を用いた。
【００１９】図１の透明導電膜の形成方法により上記条
件に従って被着用基体５の上にゾル状の金属有機化合物
の薄膜（透明導電用膜６）を作製した。
件に従って被着用基体５の上にゾル状の金属有機化合物
の薄膜（透明導電用膜６）を作製した。
【００２０】次いで、この透明導電用膜６が形成された
基体５を加熱器（図示せず）に投入し、空気中で５００
℃に加熱し、この透明導電用膜６を加熱酸化し、インジ
ウムとスズの複合酸化物からなる透明導電膜へ化学変化
させた。この透明導電膜は厚み１０μｍ以下で、抵抗率
が２〜１０キロオーム／□の範囲内の均質な成膜になっ
た。また、この透明導電膜の可視光領域での光学的透過
率が９０〜１００％と良好であり、しかも、膜面にわた
って均一であった。
基体５を加熱器（図示せず）に投入し、空気中で５００
℃に加熱し、この透明導電用膜６を加熱酸化し、インジ
ウムとスズの複合酸化物からなる透明導電膜へ化学変化
させた。この透明導電膜は厚み１０μｍ以下で、抵抗率
が２〜１０キロオーム／□の範囲内の均質な成膜になっ
た。また、この透明導電膜の可視光領域での光学的透過
率が９０〜１００％と良好であり、しかも、膜面にわた
って均一であった。
【００２１】（例２）上記の（例２）において、超音波
振動をノズルに印加しないで、その他は同じ方法により
インジウムとスズの複合酸化物からなる透明導電膜を形
成したところ、この抵抗率は５〜１００キロオーム／□
の範囲内であり、その値は膜の部位によりばらつきが大
きかった。しかも、この透明導電膜の可視光領域での光
学的透過率が６０〜９０％と部位によるばらつきが大き
く、品質の悪い膜となった。
振動をノズルに印加しないで、その他は同じ方法により
インジウムとスズの複合酸化物からなる透明導電膜を形
成したところ、この抵抗率は５〜１００キロオーム／□
の範囲内であり、その値は膜の部位によりばらつきが大
きかった。しかも、この透明導電膜の可視光領域での光
学的透過率が６０〜９０％と部位によるばらつきが大き
く、品質の悪い膜となった。
【００２２】（例３）上記の（例１）において、液状金
属化合物２には、ネオデカン酸アンチモンＳｂ（Ｃ9 Ｈ
19ＣＯＯ）4 と、ネオデカン酸スズＳｎ（Ｃ9 Ｈ19ＣＯ
Ｏ）4 との混合物を用いて、その混合比率はＳｂとＳｎ
の原子比率でもってＳｎ／Ｓｂ＝９２／８、その混合物
の溶剤にはアセチルアセトンを用いた。そして、その他
は同じ方法によりアンチモンとスズの複合酸化物からな
る透明導電膜を形成したところ、この各ラインの抵抗率
は２〜１６キロオーム／□であり、また、この透明導電
膜の可視光領域での光学的透過率が９３〜１００％であ
り、この膜全体にわたって均質であった。
属化合物２には、ネオデカン酸アンチモンＳｂ（Ｃ9 Ｈ
19ＣＯＯ）4 と、ネオデカン酸スズＳｎ（Ｃ9 Ｈ19ＣＯ
Ｏ）4 との混合物を用いて、その混合比率はＳｂとＳｎ
の原子比率でもってＳｎ／Ｓｂ＝９２／８、その混合物
の溶剤にはアセチルアセトンを用いた。そして、その他
は同じ方法によりアンチモンとスズの複合酸化物からな
る透明導電膜を形成したところ、この各ラインの抵抗率
は２〜１６キロオーム／□であり、また、この透明導電
膜の可視光領域での光学的透過率が９３〜１００％であ
り、この膜全体にわたって均質であった。
【００２３】
【発明の効果】以上の通り、本発明の透明導電膜の形成
方法によれば、超音波振動をノズルに印加するスプレー
法であるので、発生した霧状金属化合物の径が小さくな
るとともに均一化し、そのような霧状金属化合物が被着
用基体の表面に効率的に付着し、これにより、厚みのム
ラがきわめて小さくなった透明導電膜を形成することが
でき、その結果、多数に配列された透明導電膜の間で透
光性や導電性のバラツキがなく、均一な特性が得られ
た。
方法によれば、超音波振動をノズルに印加するスプレー
法であるので、発生した霧状金属化合物の径が小さくな
るとともに均一化し、そのような霧状金属化合物が被着
用基体の表面に効率的に付着し、これにより、厚みのム
ラがきわめて小さくなった透明導電膜を形成することが
でき、その結果、多数に配列された透明導電膜の間で透
光性や導電性のバラツキがなく、均一な特性が得られ
た。
【００２４】また、この透明導電膜の形成方法であれ
ば、真空装置を必要とせず、その設備費用を不要し、ま
た、そのメンテナンスも不要し、更に成膜面を大面積化
することも容易になった。
ば、真空装置を必要とせず、その設備費用を不要し、ま
た、そのメンテナンスも不要し、更に成膜面を大面積化
することも容易になった。
【図１】本発明の透明導電膜の形成方法を示す説明図で
ある。
ある。
【図２】図１に示すノズルの断面図である。
２・・・・液状金属化合物 ３・・・・スプレー ５・・・・ノズル ６・・・・透明導電用膜 ９・・・・霧化面 １０・・・圧電素子
Claims (1)
- 【請求項１】透明導電膜用の液状金属化合物を圧縮ガス
を用いて超音波振動が印加されたノズルより霧状に噴出
させ、その霧状金属化合物を被着用基体の表面に吹き付
けて金属化合物膜を形成し、その後、該金属化合物膜を
空気中あるいは酸素を含む雰囲気中で２００〜６００℃
で加熱し酸化させることにより透明導電膜を形成するこ
とを特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4077236A JPH05282934A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4077236A JPH05282934A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05282934A true JPH05282934A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13628235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4077236A Pending JPH05282934A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05282934A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0682988A1 (en) * | 1994-05-18 | 1995-11-22 | Xerox Corporation | Acoustic deposition of material layers |
| JP2006245134A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Clean Venture 21:Kk | 光電変換装置およびその光電変換素子の製造方法 |
| KR100932297B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2009-12-16 | 한국생산기술연구원 | 초음파를 이용한 액정 적하 장치 |
| WO2015056874A1 (ko) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 주식회사 펩트론 | 무균공정용 초음파 분무장치 |
| WO2015056873A1 (ko) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 주식회사 펩트론 | 무균공정용 초음파 분무장치 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4077236A patent/JPH05282934A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0682988A1 (en) * | 1994-05-18 | 1995-11-22 | Xerox Corporation | Acoustic deposition of material layers |
| US5591490A (en) * | 1994-05-18 | 1997-01-07 | Xerox Corporation | Acoustic deposition of material layers |
| JP2006245134A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Clean Venture 21:Kk | 光電変換装置およびその光電変換素子の製造方法 |
| KR100932297B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2009-12-16 | 한국생산기술연구원 | 초음파를 이용한 액정 적하 장치 |
| WO2011019186A3 (ko) * | 2009-08-10 | 2011-06-30 | 한국생산기술연구원 | 초음파를 이용한 액정 적하 장치 |
| US8888548B2 (en) | 2009-08-10 | 2014-11-18 | Korea Institute Of Industrial Technology | Apparatus of dispensing liquid crystal using the ultrasonic wave |
| WO2015056874A1 (ko) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 주식회사 펩트론 | 무균공정용 초음파 분무장치 |
| WO2015056873A1 (ko) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 주식회사 펩트론 | 무균공정용 초음파 분무장치 |
| US9757757B2 (en) | 2013-10-17 | 2017-09-12 | Peptron, Inc. | Ultrasonic atomizer for aseptic process |
| US9776201B2 (en) | 2013-10-17 | 2017-10-03 | Peptron, Inc. | Ultrasonic atomizer for aseptic process |
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