JPH0528332B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は音叉発振器を用いて光スペクトル強度
測定における輝線または吸収ピークの測定感度を
上昇させた波長走査型発光スペクトル分析器に関
する。

［発明の技術的背景］ 例えば半導体のIC素子等の製造工程における
プラズマエツチング・プラズマアツシング、リア
クテイブイオンエツチング等において、エツチン
グ処理が終了したことを検出する手段として、エ
ツチング処理期間中に微量に放出されるエツチン
グされる物質のプラズマスペクトルの変化を検出
する方法がある。

例えばIC素子のアルミ配線パターンをプラズ
マエツチング処理する場合、第６図ａに示すよう
に、発光スペクトル分析器を用いてエツチング処
理中に放出されるプラズマスペクトル特性を測定
する。そして、測定されたスペクトル特性中にお
ける顕著な3082Åの輝線スペクトルＡに検出波長
λを固定してこの輝線スペクトルＡの強度を連続
測定する。そして、第６図ｂに示すようにこの波
長3082Åの輝線スペクトルＡの強度が大きく変化
した時刻をエツチング終了時刻としてエツチング
処理を停止する。

しかしなかがら、一般にプラズマスペクトル特
性には目的物質以外の物質からの種々の波長を有
するスペクトルが含まれるので、これ等の物質に
よる妨害スペクトルが目標スペクトルに重畳して
いる。その結果、目標スペクトルの強度が正しく
測定されない場合がある。これ等の妨害スペクト
ルには広帯域状のブロードスペクトルと線状の輝
線スペクトルが混在している。従つて、エツチン
グ時とエツチング終了時とで強度に明瞭な差が生
じる輝線スペクトルを全体のスペクトル特性中か
ら捜す必要がある。このような考えでもつて第６
図ａのエツチング時のスペクトル特性と同図ｂの
エツチング終了時のスペクトル特性を比較する
と、4000Å近傍の波長λ₀の輝連スペクトルＢが発
見される。したがつて、発光スペクトル分析器の
検出波長λをこの輝線スペクトルＢの中心波長λ₀
に合せて、この輝線スペクトルＢの強度変化を検
出することによつて、エツチング処理終了を検出
できる。

［背景技術の問題点］ しかしながら、上記のように測定波長λをλ₀に
固定して発光スペクトル分析器でもつて輝線スペ
クトルＢの強度変化を連続測定することによつ
て、プラズマエツチング処理の終了を検出する場
合においても、まだ次のような問題がある。すな
わち、波長λ₀の輝線スペクトルＢは図示するよう
に広いバツクグランドスペクトルに重畳している
場合が多い。例えば第６図ａにおいて輝線スペク
トルＢ全体の強度をｃ、バツクグラウンドスペク
トルの強度をｂとし、バツクグラウンドスペクト
ルから突出している変動部分の強度をａとする
と、エツチング終了検出においては最終的に変動
強度ａの変化量を測定する必要がある。しかし、
実際の発光スペクトル分析器においてはバツクグ
ウランドスペクトル強度ｂを含んだ全体のスペク
トル強度ｃが測定される。

一般に、従来の発光スペクトル分析器における
スペクトル強度の測定精度は高々0.1％のオーダ
である。したがつて、検出すべきスペクトルの変
動強度ａがバツクグラウンドスペクトルの強度ｂ
に対してａ／ｂ＜10^-3である場合は、変動強度ａ
の変化を測定することは不可能である。また、た
とえデータ上測定できたとしてもその測定値は信
頼性に欠ける。また、バツクグラウンドスペクト
ルの強度ｂが大きい程、たとえ測定すべき変動強
度ａの値が大きくもこの変動強度ａの測定は困難
である。

前述したように、半導体IC素子のプラズマエ
ツチング工程においては上記変動強度ａの値が第
６図ｂに示すように検出できなくなるとエツチン
グ終了と判断するので、上記したように変動強度
ａの値が正確に測定できない場合は、エツチング
処理が終了していないのに変動強度ａが零になつ
たと判断してエツチング処理動作を中止してしま
う場合がある。この場合、半導体表面にエツチン
グ処理が完全に実行されていない部分が残り、
IC製品の歩留りが低下する懸念があつた。

［発明の目的］ 本発明はこのような事情に基づいてなされたも
のであり、その目的とするところは、音叉発振器
を用いることによつて、たとえバツクグランドス
ペクトルの強度が大きくとも、目標輝線スペクト
ル又は吸収ピーク等の微少なスペクトル変化を、
精度よくかつ応答性よく測定できる波長走査型発
光スペクトル分析器を提供することにある。

［発明の概要］ 本発明の波長走査型発光スペクトル分析器は、
測定すべき光の光束を所定の周波数で振動させる
音叉発振器と、該音叉発振器により得られる変調
された反射光束を分散させて回折スペクトルを出
力させるための回折格子と、該回折格子を回動さ
せて前記反射光束の前記回折格子に対する入射角
度を連続変化させる波長走査機構と、前記回折格
子より出力された回折スペクトルを受光して前記
回折スペクトルに含まれる光変調信号を電気信号
に変換する光電変換器と、該光電変換器から出力
された前記電気信号を前記音叉発振器の振動周波
数の２倍の周波数で同期検波する同期検波回路と
を備えた波長走査型発光スペクトル分析器であつ
て、各波長におけるスペクトル強度を検出するも
のである。

さらに、音叉発振器を、Ｕ字形音叉と、このＵ
字形音叉を振動駆動するための電磁コイルと、Ｕ
字形音叉の一方の自由単に装着され測定すべき光
の光束を反射させるための第１の平面鏡と、Ｕ字
形音叉の他方の自由端に装着され反射光の振動振
幅を検出するための第２の平面鏡と、この第２の
平面鏡へ反射光束の振動振幅検出用の検出光を照
射する発光装置と、第２の平面鏡にて反射された
検出光をポジシヨンセンサで受光し、反射された
検出光の振動振幅を変化検出回路で測定する振幅
測定器と、振幅測定器にて測定された振動振幅値
が常に一定値になるように電磁コイルの励磁を制
御する駆動回路とで構成している。

［発明の実施例］ 以下本発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。第１図は実施例の波長走査型発光スペクトル
分析器の概略構成を示す模式図である。図中１は
半導体IC素子等におけるエツチング処理部等の
プラズマ発生源であり、このプラズマ発生源１か
ら放射された被測定光の光束２はケース３の入射
窓に嵌込まれたコンデンサレンズ４にて入口スリ
ツト５を介して音叉発振器６を構成するＵ字形音
叉７の一方の自由端に取付けられた第１の平面鏡
８に集光される。そしてこの第１の平面鏡８にて
反射されてコリメータ９へ入射される。なお、Ｕ
字形音叉７は音叉の内側に配設された電磁コイル
１０により音叉の形状、重量等で定まる一定周波
数Ｆおよび一定振幅Ｗで振動されている。したが
つて、第１の平面鏡８にて反射された光束２は一
定周波数、一定振幅の振動光となる。

コリメータ９にて反射された振動光は固定部に
対して回動自在に取付けられたブレーズ型の回折
格子１１へ入射される。この回折格子１１にて、
格子寸法等にて定まる波長のスペクトルが分光さ
れコレクタ１２へ入射される。このコレクタ１２
にて反射された振動スペクトルが結像する位置に
出口スリツト１３が配設されており、この出口ス
リツト１３の裏面に隣接して、前記コレクタ１２
にて反射され出口スリツト１３上に結像した振動
スペクトルを受光してこのスペクトルの強度を電
気信号に変換する光電変換器１４が設けられてい
る。この光電変換器１４から出力された直流成分
および交流成分を含んだ電気信号ｆは、直流増幅
器１５で増幅された後、測定スペクトルの第６図
における全強度ｃを出力する出力端子１６へ出力
される。また、前記光電変換器１４の電気信号ｆ
はコンデンサ１７からなるハイパスフイルタでも
つて直流成分が除去された後、同期検波回路１８
へ入力される。前記電気信号ｆの交流成分は、こ
の同期検波回路１８でもつて前記音叉発振器６の
振動周波数Ｆの２倍の周波数２Ｆで同期検波され
て、測定スペクルトルの変動強度ａを出力する出
力端子１９へ出力される。

また、図中２０は回折格子１１を回動させてコ
リメータ９からこの回折格子１１へ入射される振
動光の中心入射角θ₀を連続変化させる波長走査機
構であり、この波長走査機構２０において、ケー
ス３に刻設されたネジ穴に螺合するネジ棒２０ａ
の一端に取付けられた調節つまみ２０ｂを回転さ
せると、ネジ棒２０ａの他端近傍に取付けられた
係止部材２０ｃの水平位置が移動する。係止部材
２０ｃの水平位置が移動すると、回動軸２０ｄに
て固定部に対して回動自在に取付けられた回折格
子１１の回動アーム２０ｅが移動して、回折格子
１１が回動する。その結果、上記振動光の中心入
射角度θ₀が変化する。中心入射角度θ₀が変化する
と、この回折格子１１から出力されコレクタ１２
へ入射する振動回折スペクトルの中心波長λ₀の値
が変化する。

前記音叉発振器６においては、図示するように
前記Ｕ字形音叉７の他方の自由端に第２の平面鏡
２１が取付けられており、この第２の平面鏡２１
にコンデンサレンズ２２を介してLED等の発光
素子で構成された発光装置２３から出力される検
出光２４が入射される。そして、この第２の平面
鏡２１で反射された検出光２４は一定周波数Ｆの
振動光となり、この検出光２４の振動振幅を測定
するポジシヨンセンサ等で構成された振幅測定器
２５へ入力される。この振幅測定器２５にて測定
された検出光２４の振動振幅信号は、Ｕ字形音叉
７の内側に組込まれた電磁コイル１０を駆動する
音叉駆動回路２６へ入力される。この音叉駆動回
路２６は前記同期検波回路１８へ周波数２Ｆの同
期信号e₃を送出するとともに前記発光装置２３を
点灯制御する。

第２図は前記Ｕ字形音叉７の概略構成を示す斜
視図であり、Ｕ字部３１は一例として外径がほぼ
２mmのピアノ線であり、このＵ字形音叉７の脚部
３２も同一ピアノ線を使用している。そして、Ｕ
字部３１の長さはほぼ30mmであり、幅はほぼ10mm
である。このＵ字部３１の各自由端に７mm×５mm
形状の前記第１および第２の平面鏡８，２１が取
付けられている。このＵ字部３１の内側に配置さ
れたコア３３に電磁コイル１０が巻回されてい
る。このＵ字形音叉７の振動周波数ＦはＵ字部３
１の形状、材質等にて定まるが前述の寸法を採用
することによつて、振動周波数Ｆをほぼ2KHzに
設定することができる。

第３図は前記Ｕ字形音叉７を振動駆動する音叉
駆動回路２６を示すブロツク図である。図中３４
は発光装置２３のLED等の発光素子へ駆動電流
は供給する発光素子駆動回路である。図中３５は
振幅測定器２５を構成するポジシヨンセンサであ
り、このポジシヨンセンサ３５は、素子上の照射
スポツトの変位に比例した信号を出力する一種の
光電変換素子であり、検出光２４の振幅、すなわ
ち第２の平面鏡２１の振幅を直設照射スポツト移
動によつて検出するものである。ポジシヨンセン
サ３５の出力信号は変化検出回路３６へ入力さ
れ、第２の平面鏡２１の振動に伴つて変化する振
動振幅信号としての交流信号e₁に変換される。交
流信号e₁は検波回路３７にて直流の出力電圧E₁へ
変換される。検波回路３７から出力される出力電
圧E₁は、振幅設定器３８から出力される設定電
圧E₂とともに偏差検出回路３９へ入力される。
偏差検出回路３９は出力電圧E₁との設定電圧E₂
と偏差電圧E₃を出力する。偏差検出回路３９か
ら出力された偏差電圧E₃は積分回路４０で積分
され、ゲイン制御増幅器４１の制御信号電圧E₄
になる。

一方、変化検出回路３６から出力された交流信
号e₁は移相回路４２へ入力され、この移相回路４
２にてＵ字形音叉７に振動位相に整合される。移
相回路４２から出力された整合信号e₂は前記ゲイ
ン制御増幅器４１へ入力されると共に、波形整形
回路４３へ入力されて波形整形される。そして、
この波形整形回路４３から同期信号e₃とし前記同
期検波回路１８へ送出される。また、ゲイン制御
器４１は入力した整合信号e₂を前記制御信号電圧
E₄で定まる増幅率で増幅して、前記Ｕ字形音叉
７の電磁コイル１０の駆動電流として出力す
る。

このような一種のサーボ系構成の音叉駆動回路
２６において、第２の平面鏡２１の振幅、すなわ
ち検波回路３７の出力電圧E₁が振幅設定器３８
の設定電圧E₂に等しくなると、偏差検出回路３
９から出力される偏差電圧E₃が０となる。した
がつて、積分回路４０から出力される制御信号電
圧E₄の値は変化しない。その結果、Ｕ字形音叉
７の振動振幅Ｗは変化することはない。また、検
出回路３７の出力電圧E₂が振幅設定器３８の設
定電圧E₃に等しくない場合は、その差に相当す
る偏差電圧E₃が積分回路４０へ入力される。そ
して、積分回路４０から出力される制御信号電圧
E₄は偏差電圧E₃に対応して変化する。その結果、
Ｕ字形音叉７の振動振幅Ｗは検波回路３７の出力
電圧E₁が振幅設定器３８の設定電圧E₂に等しく
なるように変化する。したがつて、逆に振幅設定
器３８の設定電圧E₂を変更することによりＵ字
型音叉７の振動振幅Ｗを任意に変更できる。

このように構成された波長走査型発光スペクト
ル分析器の動作原理を第４図ａ，ｂを用いて説明
する。すなわち、測定すべき輝線スペクトルＢの
中心波長λ₀を中心としてこの周辺（λ₀±Δλ）で
波長λを変調しながらスペクトル強度を測定す
る。このとき測定されるスペクトル強度波形は図
示するように平均直流成分ｅに振幅ｄの交流成分
（リツプル成分）が重畳した波形Ｄとなる。この
波形Ｄの交流成分ｄの周波数は波長変調周波数Ｆ
の２倍の周波数２Ｆとなる。したがつて、この波
形Ｄを周波数２Ｆで、波長変調に同期させて検波
すればもとのスペクトル強度が得られる。実際に
は測定輝線スペクトルＢには第４図ａに示すよう
に強度ｂの広帯域のバツクグラウンドスペクトル
が重畳されているので、同図ｂに示す直流成分ｅ
をハイパスフイルタで除去した後、同期検波すれ
ば、輝線スペクトルＢの変化分の変動強度ａに対
応する強度ｄが得られる。また、ハイパスフイル
タを通さずに直接直流増幅器で増幅すると輝線ス
ペクトルＢの全強度Ｃを得ることができる。

この原理を第１図の波長走査型発光スペクトル
分析器について説明すると、入口スリツト５から
入力した光束２はＵ字形音叉７の一方の自由端に
取付けられた第１の平面鏡８で反射され、さらに
コリメータ９にて反射されて回折格子１１へ入力
される。前記Ｕ字形音叉７が一定振幅Ｗ、周波数
Ｆで振動しているので、この回折格子１１へ入射
される光束２の入射角θも中心入射角度θ₀を中心
として一定の角度範囲（θ₀±Δθ）で振動する。
その結果、出口スリツト１３上には波長λ₀±Δλ
の振動スペクトルが結像する。したがつて、その
振動スペクトルの中心位置に形成された出口スリ
ツト１３から漏出るスペクトルは第４図ｂの波形
Ｄに示すように、直流成分ｅに交流成分ｄが重畳
した波形となる。この波形Ｄは光電変換器１４に
て電気信号ｆに変換される。したがつて、コンデ
ンサ１７で直流成分ｅ除去され、同期検波回路１
８にて前記２Ｆの周波数を有する前記音叉駆動回
路２６からの同期信号e₃によつて同期検波された
信号は、第４図ａの輝線スペクトルＢの変動強度
ａに対応する直流信号となる。

また、電気信号ｆを直接増幅する直流増幅器１
５の出力信号は輝線スペクトルＢのバツクグラウ
ンド強度ｂおよび変動強度ａを加えた全強度ｃに
対応した値となる。

次に波長走査機構２０の調節つまみ２０ｂを回
転すると、回折スペクトルの中心波長λ₀が順次ず
れていく。その結果、第６図に示した広い波長範
囲のスペクトル特性が得られる。

第５図はその実測例である。第５図のＥは直流
増幅器１５の出力信号から得られたスペクトルで
あり、Ｆは同期検波回路１８から得られたスペク
トルであつて、スペクトルＥにあるピークＧはス
ペクトルＦ上の大きなピークＨとして検出されて
いることが理解できる。

このように、第４図の直流成分ｅを除去して変
動成分ｄのみを分離して検出することが可能であ
るので、輝線スペクトルＢにおけるバツクグラウ
ンドの強度Ｐを除去して変動強度ａのみを精度よ
く測定できる。また、この測定方法であるとバツ
クグラウンドの強度ｂが変動しても、この変動が
輝線スペクトルＢの変動強度ａの測定精度に影響
を及ぼすことはない。したがつて、従来光スペク
トル分析器のように測定する波長の値をλ₀に固定
してスペクトル強度を直接測定する場合に比較し
て、測定精度を格段に向上することが可能であ
る。

また、輝線スペクトルＢの変動強度ａを直流電
圧で得るためには、同期検波回路１８内におい
て、同期検波後の信号をローバスフイルタに印加
する必要がある。発明者等の実験によると、測定
された変動強度ａのＳ／Ｎ比を一定水準以上に保
つためには、このローパスフイルタの時定数τの
値を、同期検波周波数２Ｆに対して最低、τ＞
200／2F以上の関係になるように大きく設定する
必要がある。前述した半導体IC素子のプラズマ
エツチングの終了点を素早く検出する為には、上
記時定数τをできるかぎり小さくする必要がある
ので、波長変調周波数Ｆを高くする必要がある。
すなわち、Ｕ字形音叉７に取付けられた第１の平
面鏡８の振動周波数Ｆを高くすればよい。

従来、高い周波数で平面鏡を振動させる装置と
してガルバノメータ型のものがあるが、この装置
には回転軸と軸受が存在するために長時間連続運
転した場合に耐久性等に問題があり、また振動振
幅を自由に制御することは困難である。

これに対して実施例の波長走査型発光スペクト
ル分析器に使用した音叉発振器６は、第２図に示
すような形状および寸法のＵ字形音叉７を振動源
として用いているので、前述したように2KHz程
度の高い振動周波数を得ることが可能である。従
つて応答特性を改善することが可能である。

また、その振動の振幅を第２の平面鏡２１およ
び振幅測定器２５で測定して音叉駆動回路２６に
てＵ字形音叉７の振動振幅Ｗを常に一定になるよ
うに制御できるとともに、必要に応じてその振幅
値Ｗを任意の値に変更することも可能である。ま
た、機械的可動部品を採用していないので耐久性
劣化に起因する信頼性低下をきたすこともない。

なお、Ｕ字型音叉を用いた音叉発振器の振動振
幅を検出する手段として、ピツクアツプ用の磁気
ヘツドを使用したものが提案されている（特開昭
56−14124号公報）が、磁気ヘツドの出力が温度
変化に大きく影響されやすく、また、振動振幅値
と実際の磁気ヘツドの出力値との関係が非直線で
あるとの問題がある。また、磁気ヘツドの励磁電
圧（電流）で振幅を検出する間接測定である。さ
らに、ピツクアツプの取付誤差やヘツドの性能
（温度特性、製造バラツキ）や前述した非直線特
性等の存在によつて、測定された検出電圧（電
流）値と振幅値との間の複雑な校正が必要である
等の問題がある。

このように構成された波長走査型発光スペクト
ル分析器でもつて半導体IC素子のプラズマエツ
チング処理工程におけるエツチング終了を検出す
る場合、まず、第１図の波長走査機構２０にて測
定波長λを短波長から短波長まで変化させて、直
流増幅器１５を介した出力端子１６から出力され
るエツチング処理動作時における第６図ａに示す
プラズマベクトル特性を求める。次に同様の操作
手順にて明らかにエツチング処理が終了したと考
えられる時刻における第６図ｂに示すプラズマス
ペクトル特性を求める。そして、両特性間の差が
最も顕著な輝線スペクトルＢを求める。そして、
波長走査機構２０にて分析器の測定波長λを輝線
スペクトルＢの中心波長λ₀に設定する。

以上の準備作業が終了すると、実際のプラズマ
エツチング処理開始からの輝線スペクトルＢの変
動強度ａを同期検波回路１８を介した出力端子か
らの直流電圧を連続測定する。そして、その出力
特性値が零に変化した時をエツチング終了時刻と
判断する。

このように本発明によつて、高速な波長変調を
可能にしたので発光スペクトルの変化が速いプラ
ズマエツチング、プラズマCVD等における微少
なスペクトル変動をも精度よくかつ応答性よく測
定することが可能である。

なお、本発明は上述した実施例に限定されるも
のではない。コンデンレンズ４の前に吸収セルを
配置して、ガス又は液体の吸収スペクトル変化か
ら上述したアンモニア分析器のようにガス濃度、
液体濃度の測定を行なうことも可能である。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、音叉発振
器を用いることによつて、たとえバツクグラウン
ドスペクトルの強度が大きくとも、目標輝線スペ
クトル又は吸収ピーク等の微少なスペクトル変化
を、精度よくかつ応答特性の感度よく測定でき
る。

さらに、測定光を振動さえるＵ字形音叉の振幅
の絶対値をポシシヨンセンサ等の光学的手法を用
いて直接測定し、振幅が一定になるように制御し
ている。したがつて、例えば磁気ヘツド等を使用
した他の測定手法に比較して、Ｕ字形音叉の振幅
測定の安定性及び測定精度が上昇するので、最終
的なスペクトルイ変化の測定精度をさらに向上で
きる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例に係わる波長走査型発光
スペクトル分析器を示すものであり、第１図は全
体の概略構成を示す模式図、第２図はＵ字形音叉
を示す斜視図、第３図は音叉駆動回路を記すブロ
ツク図、第４図は動作原理を説明するための図、
第５図は実施例を示す図、第６図はプラズマスペ
クトル特性図である。 １……プラズマ発生源、２……光束、３……ケ
ース、４，２２……コンデンサレンズ、５……入
口スリツト、６……音叉発振器、７……Ｕ字形音
叉、８……第１の平面鏡、９……コリメータ、１
０……電磁コイル、１１……回折格子、１２……
コレクタ、１３……出口スリツト、１４……光電
変換器、１５……直流増幅器、１７……コンデン
サ、１８……同期検波回路、２０……波長走査機
構、２１……第２の平面鏡、２３……発光装置、
２４……検出光、２５……振幅測定器、２６……
音叉駆動回路、３１……Ｕ字部、３２……脚部、
３４……発光素子駆動回路、３５……ポジシヨン
センサ、３６……変化検出回路、３７……検波回
路、３８……振幅設定器、３９……偏差検出回
路、４０……積分回路、４１……ゲイン制御増幅
器、４２……移相回路、４３……波形整形回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 測定すべき光の光束を所定の周波数で振動さ
   せる音叉発振器６と、該音叉発振器から出力され
   た変調された光束を分散させて回折スペクトルを
   出力させる回折格子１１と、該回折格子を回動さ
   せて前記出力された光束の前記回折格子に対する
   入射角度を連続変化させる波長走査機構２０と、
   前記回折格子より出力された回折スペクトルを受
   光して前記回折スペクトルに含まれる光変調信号
   を電気信号に変換する光電変換器１４と、該光電
   変換器から出力された前記電気信号を前記音叉発
   振器の振動周波数の２倍の周波数で同期検波する
   同期検波回路１８とを備えた波長走査型発光スペ
   クトル分析器において、 前記音叉発振器６は、Ｕ字形音叉３１と、該Ｕ
   字形音叉を振動駆動するための電磁コイル１０
   と、前記Ｕ字形音叉の一方の自由端に装着され前
   記測定すべき光の光束を反射させて出力する第１
   の平面鏡８と、前記Ｕ字形音叉の他方の自由端に
   装着され前記反射光の振動振幅を検出するための
   第２の平面鏡２１と、該第２の平面鏡へ前記反射
   光束の振動振幅検出用の検出光を照射する発光装
   置２３と、前記第２の平面鏡にて反射された前記
   検出光をポジシヨンセンサで受光し、該反射され
   た検出光の振動振幅を変化検出回路で測定する振
   幅測定器２５と、該振幅測定器にて測定された振
   動振幅値が常に一定値になるように前記電磁コイ
   ルの励磁を制御する駆動回路２６とを具備するこ
   とを特徴とする波長走査型発光スペクトル分析
   器。