JPH0528530Y2 - - Google Patents
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- JPH0528530Y2 JPH0528530Y2 JP7471285U JP7471285U JPH0528530Y2 JP H0528530 Y2 JPH0528530 Y2 JP H0528530Y2 JP 7471285 U JP7471285 U JP 7471285U JP 7471285 U JP7471285 U JP 7471285U JP H0528530 Y2 JPH0528530 Y2 JP H0528530Y2
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- Japan
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- discharge
- charging
- discharging
- conductor
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は、大規模集積回路、集積回路、半導体
素子、微細構造の電子部品又は各種電子機器等に
対して静電気放電が与える電気的オーバーストレ
ス又は電磁妨害作用或は上記各種電子回路、部品
及び機器等の静電気放電に対する感受性等を試験
評価するために、静電気放電を人為的に生ぜしめ
る静電気放電シミユレータに関するものである。
素子、微細構造の電子部品又は各種電子機器等に
対して静電気放電が与える電気的オーバーストレ
ス又は電磁妨害作用或は上記各種電子回路、部品
及び機器等の静電気放電に対する感受性等を試験
評価するために、静電気放電を人為的に生ぜしめ
る静電気放電シミユレータに関するものである。
（従来の技術）
上記のような各種電子回路、部品及び機器等に
対する静電気放電は、地気から絶縁された導体よ
り成る帯電体、就中、人体の帯電電荷による静電
気放電が最も多く、したがつて、従来の静電気放
電シミユレータの多くは、帯電人体を等価的にモ
デル化したものが用いられている。
対する静電気放電は、地気から絶縁された導体よ
り成る帯電体、就中、人体の帯電電荷による静電
気放電が最も多く、したがつて、従来の静電気放
電シミユレータの多くは、帯電人体を等価的にモ
デル化したものが用いられている。
第５図は、従来の静電気放電シミユレータの一
例を示す図で、SDCは充電用電源、SWSはリレー
スイツチ等により成る電源スイツチ、SWDはリレ
ースイツチSWSの開閉制御用スイツチ、SDはリレ
ースイツチSWSの駆動用電源、RCは充電抵抗、
CCDは充放電コンデンサ、RDは放電抵抗、SEDは
放電電極、CASIは絶縁材料より成る筺体、RGW
は帰線（リターン・グラウンド・ワイヤ）で、そ
の一端を充放電コンデンサCCDの接地電極側に直
接接続してある。GAPは放電間隙、EUTは被試
験体である。
例を示す図で、SDCは充電用電源、SWSはリレー
スイツチ等により成る電源スイツチ、SWDはリレ
ースイツチSWSの開閉制御用スイツチ、SDはリレ
ースイツチSWSの駆動用電源、RCは充電抵抗、
CCDは充放電コンデンサ、RDは放電抵抗、SEDは
放電電極、CASIは絶縁材料より成る筺体、RGW
は帰線（リターン・グラウンド・ワイヤ）で、そ
の一端を充放電コンデンサCCDの接地電極側に直
接接続してある。GAPは放電間隙、EUTは被試
験体である。
人体の帯電電圧は通常数kVから10数kVに達
し、場合によつては最高30数kVに及ぶこともあ
るので、上記従来の静電気放電シミユレータにお
いても充電用電源SDCの出力電圧を0V乃至30数
kVの範囲に亙つて可変ならしめ、充放電コンデ
ンサCCDの充電電圧を各種所要値に設定し得るよ
うに構成している。
し、場合によつては最高30数kVに及ぶこともあ
るので、上記従来の静電気放電シミユレータにお
いても充電用電源SDCの出力電圧を0V乃至30数
kVの範囲に亙つて可変ならしめ、充放電コンデ
ンサCCDの充電電圧を各種所要値に設定し得るよ
うに構成している。
又、充放電コンデンサCCDの静電容量及び放電
抵抗RDの抵抗は、帯電した人体の静電容量及び
抵抗と等価ならしめるが、人体の静電容量及び抵
抗の実測値は相当広い変化範囲を有し、代表値と
して充放電コンデンサCCDの等価静電容量は50pF
乃至250pF、放電抵抗RDの等価抵抗は100Ω乃至
1500Ωの各範囲から適当な固定値を選択してい
る。
抵抗RDの抵抗は、帯電した人体の静電容量及び
抵抗と等価ならしめるが、人体の静電容量及び抵
抗の実測値は相当広い変化範囲を有し、代表値と
して充放電コンデンサCCDの等価静電容量は50pF
乃至250pF、放電抵抗RDの等価抵抗は100Ω乃至
1500Ωの各範囲から適当な固定値を選択してい
る。
（本考案が解決しようとする問題点）
第５図に示した従来の静電気放電シミユレータ
においては、充放電コンデンサCCDを予め所要電
圧に充電した後、帰線RGWの先端を被試験体
EUTの接地端子等に接続し、放電電極を徐々に
被試験体EUTに接近（又は直接接触）させると、
放電間隙GAPの長さと気圧との積が充放電コン
デンサCCDの充電電圧に応じた値に達した際に生
ずる火花放電（又は接触導通）によつて充放電コ
ンデンサCCDの電荷が瞬間的に被試験体EUTに加
えられ、帰線RGWを介して充放電コンデンサCCD
の接地電極に戻る。
においては、充放電コンデンサCCDを予め所要電
圧に充電した後、帰線RGWの先端を被試験体
EUTの接地端子等に接続し、放電電極を徐々に
被試験体EUTに接近（又は直接接触）させると、
放電間隙GAPの長さと気圧との積が充放電コン
デンサCCDの充電電圧に応じた値に達した際に生
ずる火花放電（又は接触導通）によつて充放電コ
ンデンサCCDの電荷が瞬間的に被試験体EUTに加
えられ、帰線RGWを介して充放電コンデンサCCD
の接地電極に戻る。
この帰線RGWは通常1m乃至2mの導線が用い
られるが、この帰線に分布するインダクタンス分
は帰線の長さ及び直径に応じて定まるばかりでな
く、帰線の布設形状、即ち、帰線が垂下又は緊張
状態の何れであるか等のような帰線自体の状態及
び帰線の周囲状況に応じて定まる帰線との間の相
対的電磁環境等によつて帰線の分布インダクタン
スが、概ね1μH乃至2.5μHの範囲に亙つて変化す
る。この分布インダクタンスの変化は、放電電流
の波形に変化を与えるのみならず、誘導電磁界及
び放射電磁界のレベル及びTE，TM，TEM等の
各モードを大幅に変化させることとなり、その結
果被試験体EUTに対する電磁妨害効果が大きく
変動し、放電試験の再現性が著しく害われる欠点
を有する。
られるが、この帰線に分布するインダクタンス分
は帰線の長さ及び直径に応じて定まるばかりでな
く、帰線の布設形状、即ち、帰線が垂下又は緊張
状態の何れであるか等のような帰線自体の状態及
び帰線の周囲状況に応じて定まる帰線との間の相
対的電磁環境等によつて帰線の分布インダクタン
スが、概ね1μH乃至2.5μHの範囲に亙つて変化す
る。この分布インダクタンスの変化は、放電電流
の波形に変化を与えるのみならず、誘導電磁界及
び放射電磁界のレベル及びTE，TM，TEM等の
各モードを大幅に変化させることとなり、その結
果被試験体EUTに対する電磁妨害効果が大きく
変動し、放電試験の再現性が著しく害われる欠点
を有する。
（問題点を解決するための手段及び作用）
本考案は、上記従来の欠点を除くために、筺体
を導体を以て形成し、充放電コンデンサの接地側
電極を筺体を介して操作者の人体及び帰線に接続
されるように構成し、人体と地気及び人体と被試
験体間に存在する浮遊容量を介して高周波電流の
帰路を帰線と並列に形成せしめることにより、放
電電流の波形をほぼ一定に保ち、誘導電磁界及び
放射電磁界のレベル及びモードを安定に保つて放
電試験の再現性の良好な静電気放電シミユレータ
を実現することを目的とする。
を導体を以て形成し、充放電コンデンサの接地側
電極を筺体を介して操作者の人体及び帰線に接続
されるように構成し、人体と地気及び人体と被試
験体間に存在する浮遊容量を介して高周波電流の
帰路を帰線と並列に形成せしめることにより、放
電電流の波形をほぼ一定に保ち、誘導電磁界及び
放射電磁界のレベル及びモードを安定に保つて放
電試験の再現性の良好な静電気放電シミユレータ
を実現することを目的とする。
（実施例）
第１図は、本考案の一実施例を示す断面図で、
CASCは筒状導体より成る筺体、SEDは放電電極
で、図には球体より成る場合を例示してあるが、
針端状電極を以て形成してもよい。ISN1は絶縁
体で、筺体CASCの一端と放電電極SED間に介在
せしめてある。TERは充電用電源回路（図示し
ていない）の接続端子で、筺体CASCの他端に固
着した絶縁端壁INS2のほぼ中心部に固定して取
付けてある。CSWは線又は棒状の支持導体で、
一端に端子TERを固着し、他端に放電抵抗RDを
介して放電電極SEDを固定して取付けてある。
CCD1，CCD2，……は充放電コンデンサで、各一方
の電極を支持導体CSWに固着し、各他方の電極
を筺体CASCの内壁に固着してある。RGWは帰
線で、その一端を導体より成る筺体CASCの適宜
個所に固着してある。
CASCは筒状導体より成る筺体、SEDは放電電極
で、図には球体より成る場合を例示してあるが、
針端状電極を以て形成してもよい。ISN1は絶縁
体で、筺体CASCの一端と放電電極SED間に介在
せしめてある。TERは充電用電源回路（図示し
ていない）の接続端子で、筺体CASCの他端に固
着した絶縁端壁INS2のほぼ中心部に固定して取
付けてある。CSWは線又は棒状の支持導体で、
一端に端子TERを固着し、他端に放電抵抗RDを
介して放電電極SEDを固定して取付けてある。
CCD1，CCD2，……は充放電コンデンサで、各一方
の電極を支持導体CSWに固着し、各他方の電極
を筺体CASCの内壁に固着してある。RGWは帰
線で、その一端を導体より成る筺体CASCの適宜
個所に固着してある。
本案シミユレータにおいても放電抵抗RD及び
充放電コンデンサCCD1，CCD2，……の合成容量を
従来同様、人体抵抗及び人体容量に対応する値、
即ち、100Ω乃至1500Ω及び50pF乃至250pFの範囲
内において適宜定める。
充放電コンデンサCCD1，CCD2，……の合成容量を
従来同様、人体抵抗及び人体容量に対応する値、
即ち、100Ω乃至1500Ω及び50pF乃至250pFの範囲
内において適宜定める。
このように構成した本案シミユレータにおいて
は、電源接続端子TERを介して充放電コンデン
サCCD，CCD2，……を所要電圧に充電し、帰線
RGWの先端を被試験体の接地端子又は筺体壁等
の中、接地可能な個所或は交流電源線の接地線等
に接続した後、導体より成る筺体CASCを手で保
持して放電電極を徐々に被試験体に接近（又は直
接接触）させると、放電間隙の長さと気圧の積が
充放電コンデンサCCD1，CCD2，……の充電電圧に
応じた値に達した際に生ずる火花放電（又は接触
導通）によつて充放電コンデンサCCD1，CCD2，…
…の電荷が瞬間的に被試験体に加えられる。
は、電源接続端子TERを介して充放電コンデン
サCCD，CCD2，……を所要電圧に充電し、帰線
RGWの先端を被試験体の接地端子又は筺体壁等
の中、接地可能な個所或は交流電源線の接地線等
に接続した後、導体より成る筺体CASCを手で保
持して放電電極を徐々に被試験体に接近（又は直
接接触）させると、放電間隙の長さと気圧の積が
充放電コンデンサCCD1，CCD2，……の充電電圧に
応じた値に達した際に生ずる火花放電（又は接触
導通）によつて充放電コンデンサCCD1，CCD2，…
…の電荷が瞬間的に被試験体に加えられる。
第２図は、試験状態における等価回路図で、
CCDTは充放電コンデンサCCD1，CCD2，……の合成
容量、Ｂは人体、ｒは人体抵抗、CSTは人体Ｂと
地気及び人体Ｂと被試験体EUT間に存在する浮
遊容量、Ｌは帰線RGWの分布インダクタンス
で、他の符号は第１図と同様である。
CCDTは充放電コンデンサCCD1，CCD2，……の合成
容量、Ｂは人体、ｒは人体抵抗、CSTは人体Ｂと
地気及び人体Ｂと被試験体EUT間に存在する浮
遊容量、Ｌは帰線RGWの分布インダクタンス
で、他の符号は第１図と同様である。
被試験体EUTに加えられた高周波放電電流は、
帰線RGW及び導体より成る筺体CASC（第２図に
は示していない）を介して充放電コンデンサ
CCD1，CCD2，……の接地側電極に戻るが、エネル
ギの大部分は浮遊容量CST及び人体抵抗ｒを介し
て充放電コンデンサCCD1，CCD2，……の接地側電
極に戻ることとなる。
帰線RGW及び導体より成る筺体CASC（第２図に
は示していない）を介して充放電コンデンサ
CCD1，CCD2，……の接地側電極に戻るが、エネル
ギの大部分は浮遊容量CST及び人体抵抗ｒを介し
て充放電コンデンサCCD1，CCD2，……の接地側電
極に戻ることとなる。
第３図は、本考案の他の実施例を示す図で、導
対より成る筺体CASCの一部に導体より成る把手
Ｈを筺体と一体に取付け、必要に応じてその一部
に指形に対応する凹凸を設ける。他の符号及び構
成は、前実施例と全く同様である。
対より成る筺体CASCの一部に導体より成る把手
Ｈを筺体と一体に取付け、必要に応じてその一部
に指形に対応する凹凸を設ける。他の符号及び構
成は、前実施例と全く同様である。
このように構成するときは、把手Ｈによつてシ
ミユレータの保持取扱いが極めて容易となるばか
りでなく、筺体と人体との電気的接触を十分確実
ならしめて、接触抵抗による帰路の品質低下を防
ぐことが出来る。
ミユレータの保持取扱いが極めて容易となるばか
りでなく、筺体と人体との電気的接触を十分確実
ならしめて、接触抵抗による帰路の品質低下を防
ぐことが出来る。
（本考案の効果）
本案シミユレータにおいては、筺体CASCを導
体を以て形成することにより、これを操作する人
体を介して帰線RGWと並列に高周波電流の帰路
を形成せしめることが出来、帰線のみによつて帰
路を形成する従来のシミユレータのように、帰線
の布設形状によつて放電電流の波形に変化を生ず
るおそれなく、誘導電磁界及び放射電磁界のレベ
ル及びTE，TM，TEMの各モードに変化を与え
るおそれもなく、放電試験の再現性を極めて良好
ならしめることが出来る。
体を以て形成することにより、これを操作する人
体を介して帰線RGWと並列に高周波電流の帰路
を形成せしめることが出来、帰線のみによつて帰
路を形成する従来のシミユレータのように、帰線
の布設形状によつて放電電流の波形に変化を生ず
るおそれなく、誘導電磁界及び放射電磁界のレベ
ル及びTE，TM，TEMの各モードに変化を与え
るおそれもなく、放電試験の再現性を極めて良好
ならしめることが出来る。
第４図イは放電電流の理想波形、ロは従来のシ
ミユレータによる放電電流の波形、ハは本案シミ
ユレータによる放電電流の波形を、それぞれ示す
もので、従来のシミユレータによる波形の乱れの
大なるに比し、本案シユミレータによる波形は、
理想波形に極めて近く、本案シミユレータの効果
の著しいことを示している。尚、各図において、
横軸は経過時間ｔ、縦軸は電流ｉである。
ミユレータによる放電電流の波形、ハは本案シミ
ユレータによる放電電流の波形を、それぞれ示す
もので、従来のシミユレータによる波形の乱れの
大なるに比し、本案シユミレータによる波形は、
理想波形に極めて近く、本案シミユレータの効果
の著しいことを示している。尚、各図において、
横軸は経過時間ｔ、縦軸は電流ｉである。
又、各図とも放電開始電圧を1kV、充放電コン
デンサの静電容量を120pF、放電抵抗を250Ωに選
び、帰線の長さは、イの場合、10cm、ロ及びハは
何れも2mである。
デンサの静電容量を120pF、放電抵抗を250Ωに選
び、帰線の長さは、イの場合、10cm、ロ及びハは
何れも2mである。
尚、本案シミユレータの筺体CASCは導体より
成り、これを直接手で保持するが、放電試験時に
は帰線RGW及び被試験体の接地線を介して接地
されるので、人体に危険を与えるおそれは全くな
い。
成り、これを直接手で保持するが、放電試験時に
は帰線RGW及び被試験体の接地線を介して接地
されるので、人体に危険を与えるおそれは全くな
い。
第１図及び第３図は、本考案の一実施例を示す
図、第２図は、その放電試験時における等価回路
図、第４図は、放電電流の波形図、第５図は、従
来の静電気放電シミユレータを示す図で、CASC
……筺体、SED……放電電極、INS1及びINS2…
…絶縁体、TER……充電用電源回路接続端子、
CSW……支持導体、CCD1，CCD2，……充放電コン
デンサ、RD……放電抵抗、RGW……帰線、CCDT
……合成容量、Ｂ……人体、ｒ……人体抵抗、
CST……浮遊容量、EUT……被試験体、Ｌ……分
布インダクタンス、Ｈ……把手、SDC及びSD……
電源、SWS及びSWD……スイツチ、RC……充電
抵抗、CCD……充放電コンデンサ、CASI……筺
体、GAP……放電間隙である。
図、第２図は、その放電試験時における等価回路
図、第４図は、放電電流の波形図、第５図は、従
来の静電気放電シミユレータを示す図で、CASC
……筺体、SED……放電電極、INS1及びINS2…
…絶縁体、TER……充電用電源回路接続端子、
CSW……支持導体、CCD1，CCD2，……充放電コン
デンサ、RD……放電抵抗、RGW……帰線、CCDT
……合成容量、Ｂ……人体、ｒ……人体抵抗、
CST……浮遊容量、EUT……被試験体、Ｌ……分
布インダクタンス、Ｈ……把手、SDC及びSD……
電源、SWS及びSWD……スイツチ、RC……充電
抵抗、CCD……充放電コンデンサ、CASI……筺
体、GAP……放電間隙である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 導体より成る筺体に、充放電コンデンサと放
電抵抗の直列回路を内装し、この直列回路の放
電抵抗側端部に接続した放電電極を前記筺体と
の間の絶縁を保持して筺体外に突設せしめ、前
記直列回路の充放電コンデンサ側端部に接続し
た充電用電源回路接続端子を前記筺体との間の
絶縁を保持して筺体外に設けると共に、前記筺
体に帰線の一端を接続して成ることを特徴とす
る静電気放電シミユレータ。 (2) 導体より成る筺体の一部に導体より成る把手
を突設した実用新案登録請求の範囲第１項記載
の静電気放電シミユレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7471285U JPH0528530Y2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7471285U JPH0528530Y2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190873U JPS61190873U (ja) | 1986-11-27 |
| JPH0528530Y2 true JPH0528530Y2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=30615256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7471285U Expired - Lifetime JPH0528530Y2 (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528530Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP7471285U patent/JPH0528530Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61190873U (ja) | 1986-11-27 |
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