JPH05287221A - 感光性導電ペースト - Google Patents
感光性導電ペーストInfo
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Landscapes
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- Paints Or Removers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、(a)CuおよびCu系金属の群か
ら選ばれた少なくとも1種を含む導電性粉末、(b)側
鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するアク
リル系共重合体、(c)光反応性化合物、(d)光重合
開始剤、および(e)安定化剤を含有することを特徴と
する感光性導電ペーストに関する。 【効果】本発明によると、微細パターンが確実に形成で
きるうえ、配線パターンのかすれや線幅の上下差および
線幅のだれなども確実に防止することができる。また配
線抵抗も低くできるので通信機などの高周波での伝搬損
失を低減することができる。この結果、高い信頼性を得
ることができ、高密度なセラミックス多層配線基板やハ
イブリッドICの小型化、高密度化を可能にするもので
ある。
ら選ばれた少なくとも1種を含む導電性粉末、(b)側
鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するアク
リル系共重合体、(c)光反応性化合物、(d)光重合
開始剤、および(e)安定化剤を含有することを特徴と
する感光性導電ペーストに関する。 【効果】本発明によると、微細パターンが確実に形成で
きるうえ、配線パターンのかすれや線幅の上下差および
線幅のだれなども確実に防止することができる。また配
線抵抗も低くできるので通信機などの高周波での伝搬損
失を低減することができる。この結果、高い信頼性を得
ることができ、高密度なセラミックス多層配線基板やハ
イブリッドICの小型化、高密度化を可能にするもので
ある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はセラミックス回路基板上
に導体パターンを形成するための感光性導電性ペースト
に関するものである。
に導体パターンを形成するための感光性導電性ペースト
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、高集積化したLSIや各種の電子
部品を多数搭載するための多層基板においては、小型化
や高密度化、高精細化、高信頼性の要求が高まってい
る。とくに導体回路パターン(信号層、電源層を含
む。)の微細化は小型化、高密度化には不可欠な要求と
して各種の方法が提案されている。
部品を多数搭載するための多層基板においては、小型化
や高密度化、高精細化、高信頼性の要求が高まってい
る。とくに導体回路パターン(信号層、電源層を含
む。)の微細化は小型化、高密度化には不可欠な要求と
して各種の方法が提案されている。
【0003】代表的な方法としては、薄膜法、メッキ法
および厚膜法がある。薄膜法はスパッター、蒸着などで
成膜し、ホトリソグラフィ技術を適用することによって
解像度20μmまでの高精細化が可能であるが、この方
法による導体皮膜は膜厚を厚くするには長時間を必要と
するなどの限界があるため薄い膜しか得られず、その結
果回路としてのインピーダンスが高くなるという欠点が
ある。また、メッキ法では焼成工程において抵抗体など
の厚膜受動素子の形成が困難であるという問題がある。
および厚膜法がある。薄膜法はスパッター、蒸着などで
成膜し、ホトリソグラフィ技術を適用することによって
解像度20μmまでの高精細化が可能であるが、この方
法による導体皮膜は膜厚を厚くするには長時間を必要と
するなどの限界があるため薄い膜しか得られず、その結
果回路としてのインピーダンスが高くなるという欠点が
ある。また、メッキ法では焼成工程において抵抗体など
の厚膜受動素子の形成が困難であるという問題がある。
【0004】一方、厚膜法ではスクリーン印刷法で成膜
される。しかしながら印刷法ではスクリーン性能、スク
イーズ硬さ、印刷速度、分散性などの最適化を図っても
導体パターンの幅を100μm程度までしか細くするこ
とができず、ファインパターン化には限界があった。
される。しかしながら印刷法ではスクリーン性能、スク
イーズ硬さ、印刷速度、分散性などの最適化を図っても
導体パターンの幅を100μm程度までしか細くするこ
とができず、ファインパターン化には限界があった。
【0005】こうした中で印刷法の欠点を改良するた
め、特開昭63−292504号、特開平2−2688
70号、特開平3−205462号および特開平3−1
80092号公報に記載されているように、導体性ペー
ストの組成を検討したもの、感光性樹脂を添加し、フォ
トリソグラフィー法によりファインパターン化を図った
ものおよび金属粉末の粒子径の最適化を検討したものが
提案されているが、微細パターンの形成と低抵抗化とを
同時に満足するには充分でなかった。
め、特開昭63−292504号、特開平2−2688
70号、特開平3−205462号および特開平3−1
80092号公報に記載されているように、導体性ペー
ストの組成を検討したもの、感光性樹脂を添加し、フォ
トリソグラフィー法によりファインパターン化を図った
ものおよび金属粉末の粒子径の最適化を検討したものが
提案されているが、微細パターンの形成と低抵抗化とを
同時に満足するには充分でなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、微細
パターンの形成が可能で、かつ低抵抗な回路パターンを
与える感光性導電ペーストを提供することにある。
パターンの形成が可能で、かつ低抵抗な回路パターンを
与える感光性導電ペーストを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
(a)CuおよびCu系金属の群から選ばれた少なくと
も1種を含む導電性粉末、(b)側鎖にカルボキシル基
とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、
(c)光反応性化合物、(d)光重合開始剤、および
(e)安定化剤を含有することを特徴とする感光性導電
ペーストにより達成される。
(a)CuおよびCu系金属の群から選ばれた少なくと
も1種を含む導電性粉末、(b)側鎖にカルボキシル基
とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、
(c)光反応性化合物、(d)光重合開始剤、および
(e)安定化剤を含有することを特徴とする感光性導電
ペーストにより達成される。
【0008】すなわち、本発明は導電ペーストに感光性
を付与したものであり、これを使用すると、ホトリソグ
ラフィ技術を用いて厚膜導体回路パターンが微細に、し
かも低抵抗な導体膜を効率よく形成できるものである。
を付与したものであり、これを使用すると、ホトリソグ
ラフィ技術を用いて厚膜導体回路パターンが微細に、し
かも低抵抗な導体膜を効率よく形成できるものである。
【0009】本発明において使用される導電性粉末は、
CuおよびCu系金属の群から選ばれた少なくとも1種
を含むものであり、これらの導電性粉末は単独であるい
は混合粉末として用いられる。これらの導電性粉末は、
低抵抗であるので高周波での伝搬損失を低減することが
できる。具体的には、Cu(97−70)−Ag(3−
30)、Cu(95−60)−Ni(5−40)、Cu
(90−70)−Ag(5−20)−Cr(3−15)
(以上( )内は重量%を表わす)などの2元系あるい
は3元系の混合金属粉末が好ましく用いられる。上記の
中でCu−Ag粉末が好ましく、その中でもCuの表面
を3〜30重量%のAgでコートした粉末が、Cuの酸
化を抑えることができるので特に好ましい。
CuおよびCu系金属の群から選ばれた少なくとも1種
を含むものであり、これらの導電性粉末は単独であるい
は混合粉末として用いられる。これらの導電性粉末は、
低抵抗であるので高周波での伝搬損失を低減することが
できる。具体的には、Cu(97−70)−Ag(3−
30)、Cu(95−60)−Ni(5−40)、Cu
(90−70)−Ag(5−20)−Cr(3−15)
(以上( )内は重量%を表わす)などの2元系あるい
は3元系の混合金属粉末が好ましく用いられる。上記の
中でCu−Ag粉末が好ましく、その中でもCuの表面
を3〜30重量%のAgでコートした粉末が、Cuの酸
化を抑えることができるので特に好ましい。
【0010】導電性粉末の平均粒子径としては、0.5
〜7μmが好ましい。粒子径が0.5μm未満と小さく
なると紫外線の露光時に光が印刷後の膜中をスムーズに
透過せず、導体の線幅60μm以下の微細パターンの形
成が困難となる。また粒子径が7μmを越えて大きくな
ると印刷後の回路パターンの表面が粗くなり、パターン
精度が低下し、ノイズ発生の原因になる。また、比表面
積が0.1〜2m2 /gの導電性粉末が好ましく用いら
れる。比表面積が0.1m2 /g未満の場合は、回路パ
ターンの精度が低下する。また、2m2 /gをこえると
粉末の表面積が大きくなり過ぎて紫外線が散乱され、露
光が充分行われずパターン精度が低下する。
〜7μmが好ましい。粒子径が0.5μm未満と小さく
なると紫外線の露光時に光が印刷後の膜中をスムーズに
透過せず、導体の線幅60μm以下の微細パターンの形
成が困難となる。また粒子径が7μmを越えて大きくな
ると印刷後の回路パターンの表面が粗くなり、パターン
精度が低下し、ノイズ発生の原因になる。また、比表面
積が0.1〜2m2 /gの導電性粉末が好ましく用いら
れる。比表面積が0.1m2 /g未満の場合は、回路パ
ターンの精度が低下する。また、2m2 /gをこえると
粉末の表面積が大きくなり過ぎて紫外線が散乱され、露
光が充分行われずパターン精度が低下する。
【0011】導電性粉末の形状としては、フレーク
(板、円錐、棒)状や球状のものが使用できるが、凝集
がない点から球状であることが好ましい。球状であると
露光時に紫外線の散乱が非常に少なくなり、高精度のパ
ターンが得られ、照射エネルギーが少なくて済む。
(板、円錐、棒)状や球状のものが使用できるが、凝集
がない点から球状であることが好ましい。球状であると
露光時に紫外線の散乱が非常に少なくなり、高精度のパ
ターンが得られ、照射エネルギーが少なくて済む。
【0012】微細パターンの形成や低抵抗化を満足する
のにより好ましい導電性粉末の範囲がある。すなわち、
導体パターンを印刷後、紫外線露光時に光が散乱せずに
充分に透過し、有効に作用して現像後10〜40μmの
微細回路パターンを得るためには、導電性粉末の粒子径
が1〜5μmであり、かつ比表面積が0.1〜1.5m
2 /gであることが好ましい。より好ましくは粒子径が
1〜5μm,比表面積が0.1〜0.8m2 /gであ
る。この範囲にあると、現像時において未露光部分にお
ける導体膜の残膜の発生が全くなくなり、高精度な回路
パターンが得られる。
のにより好ましい導電性粉末の範囲がある。すなわち、
導体パターンを印刷後、紫外線露光時に光が散乱せずに
充分に透過し、有効に作用して現像後10〜40μmの
微細回路パターンを得るためには、導電性粉末の粒子径
が1〜5μmであり、かつ比表面積が0.1〜1.5m
2 /gであることが好ましい。より好ましくは粒子径が
1〜5μm,比表面積が0.1〜0.8m2 /gであ
る。この範囲にあると、現像時において未露光部分にお
ける導体膜の残膜の発生が全くなくなり、高精度な回路
パターンが得られる。
【0013】本発明において使用される側鎖にカルボキ
シル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合
体は、ポリマーバインダー成分(感光性ポリマー)であ
り、不飽和カルボン酸とエチレン性不飽和化合物を共重
合させて形成したアクリル系共重合体に、エチレン性不
飽和基を側鎖に付加させることによって製造することが
できる。
シル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合
体は、ポリマーバインダー成分(感光性ポリマー)であ
り、不飽和カルボン酸とエチレン性不飽和化合物を共重
合させて形成したアクリル系共重合体に、エチレン性不
飽和基を側鎖に付加させることによって製造することが
できる。
【0014】不飽和カルボン酸の具体的な例としては、
アクリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン
酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、これらの酸無
水物などがあげられる。一方、エチレン性不飽和化合物
の具体的な例としては、メチルアクリラート、メチルメ
タアクリラート、エチルアクリラート、エチルメタクリ
ラート、n−プロピルアクリラート、イソプロピルアク
リラート、n−ブチルアクリラート、n−ブチルメタク
リラート、sec−ブチルアクリラート、sec−ブチ
ルメタクリラート、イソ−ブチルアクリラート、イソブ
チルメタクリラート、tert−ブチルアクリラート、
tert−ブチルメタクリラート、n−ペンチルアクリ
ラート、n−ペンチルメタクリラート、スチレン、p−
メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチ
レンなどが挙げられるが、これらに限定されない。これ
らのアクリル系主鎖ポリマの主重合成分として前記のエ
チレン性不飽和化合物の中から少なくともメタクリル酸
メチルを含むことによって熱分解性の良好な共重合体を
得ることができる。
アクリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン
酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、これらの酸無
水物などがあげられる。一方、エチレン性不飽和化合物
の具体的な例としては、メチルアクリラート、メチルメ
タアクリラート、エチルアクリラート、エチルメタクリ
ラート、n−プロピルアクリラート、イソプロピルアク
リラート、n−ブチルアクリラート、n−ブチルメタク
リラート、sec−ブチルアクリラート、sec−ブチ
ルメタクリラート、イソ−ブチルアクリラート、イソブ
チルメタクリラート、tert−ブチルアクリラート、
tert−ブチルメタクリラート、n−ペンチルアクリ
ラート、n−ペンチルメタクリラート、スチレン、p−
メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチ
レンなどが挙げられるが、これらに限定されない。これ
らのアクリル系主鎖ポリマの主重合成分として前記のエ
チレン性不飽和化合物の中から少なくともメタクリル酸
メチルを含むことによって熱分解性の良好な共重合体を
得ることができる。
【0015】側鎖のエチレン不飽和基としてはビニル
基、アリル基、アクリル基、メタクリル基のようなもの
がある。このような側鎖をアクリル系共重合体に付加さ
せる方法としては、アクリル系共重合体中のカルボキシ
ル基にグリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物や
クロライドアクリレート化合物を付加反応させて作る方
法がある。
基、アリル基、アクリル基、メタクリル基のようなもの
がある。このような側鎖をアクリル系共重合体に付加さ
せる方法としては、アクリル系共重合体中のカルボキシ
ル基にグリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物や
クロライドアクリレート化合物を付加反応させて作る方
法がある。
【0016】グリシジル基を有するエチレン性不飽和化
合物としては、グリシジルアクリレート、グリシジルメ
タクリレート、アリルグリシジルエーテル、α−グリシ
ジルエチルアクリレート、クロトニルグリシジルエーテ
ル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グ
リシジルエーテルなどがあげられる。また、クロライド
アクリラート化合物としては、クロライドアクリラー
ト、クロライドメタアクリラート、アリルクロライドな
どが挙げられる。これらのエチレン性不飽和化合物ある
いはクロライドアクリラート化合物の付加量としては、
アクリル系共重合体中のカルボキシル基に対して0.0
5〜0.8モル当量が好ましく、さらに好ましくは0.
1〜0.6モル当量である。付加量が0.05モル当量
未満では現像許容幅が狭いうえ、パターンエッジの切れ
が悪くなりやすく、また付加量が0.8モル当量より大
きい場合は、未露光部の現像液溶解性が低下したり、塗
布膜の硬度が低くなる。
合物としては、グリシジルアクリレート、グリシジルメ
タクリレート、アリルグリシジルエーテル、α−グリシ
ジルエチルアクリレート、クロトニルグリシジルエーテ
ル、クロトン酸グリシジルエーテル、イソクロトン酸グ
リシジルエーテルなどがあげられる。また、クロライド
アクリラート化合物としては、クロライドアクリラー
ト、クロライドメタアクリラート、アリルクロライドな
どが挙げられる。これらのエチレン性不飽和化合物ある
いはクロライドアクリラート化合物の付加量としては、
アクリル系共重合体中のカルボキシル基に対して0.0
5〜0.8モル当量が好ましく、さらに好ましくは0.
1〜0.6モル当量である。付加量が0.05モル当量
未満では現像許容幅が狭いうえ、パターンエッジの切れ
が悪くなりやすく、また付加量が0.8モル当量より大
きい場合は、未露光部の現像液溶解性が低下したり、塗
布膜の硬度が低くなる。
【0017】このような側鎖にカルボキシル基とエチレ
ン性不飽和基を有するアクリル系共重合体の酸価(A
V)は40〜200が好ましく、より好ましくは60〜
160である。さらに好ましくは80〜140の範囲で
ある。酸価が40未満であるとエチレン性不飽和基の量
が増加し、感光性を有するカルボキシル基の割合が低下
するので、未露光部の現像液に対する溶解性が低下した
り、塗布膜の硬度が低下する。また、酸価が200をこ
えると現像許容幅が狭いうえ、パターンエッジの切れが
悪くなる。
ン性不飽和基を有するアクリル系共重合体の酸価(A
V)は40〜200が好ましく、より好ましくは60〜
160である。さらに好ましくは80〜140の範囲で
ある。酸価が40未満であるとエチレン性不飽和基の量
が増加し、感光性を有するカルボキシル基の割合が低下
するので、未露光部の現像液に対する溶解性が低下した
り、塗布膜の硬度が低下する。また、酸価が200をこ
えると現像許容幅が狭いうえ、パターンエッジの切れが
悪くなる。
【0018】本発明における感光性導電ペースト中に
は、ポリマーバインダー成分として上記のアクリル系共
重合体以外の感光性ポリマーや非感光性のポリマーを含
有することができる。
は、ポリマーバインダー成分として上記のアクリル系共
重合体以外の感光性ポリマーや非感光性のポリマーを含
有することができる。
【0019】感光性ポリマーとしては、光不溶化型のも
のと光可溶化型のものがあり、光不溶化型のものとし
て、1分子に不飽和基などを1つ以上有する官能性のモ
ノマーやオリゴマーを適当なポリマーバインダーと混合
したもの、芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、
有機ハロゲン化合物などの感光性化合物を適当なポリマ
ーバインダーと混合したもの、既存の高分子に感光性の
基をペンダントさせることにより得られる感光性高分子
あるいはそれを改質したもの、ジゾゾ系アミンとホルム
アルデヒドとの縮合物などいわゆるジアゾ樹脂といわれ
るものなど、光可溶化型のものとして、ジアゾ化合物の
無機塩や有機酸とのコンプレックス、キノンジアジド類
などを適当なポリマーバインダーと混合したもの、キノ
ンジアゾ類を適当なポリマーバインダーと結合させた、
例えばフェノール、ノボラック樹脂のナフトキノン−
1,2−ジアジド−5−スルフォン酸エステルなどがあ
げられる。感光性ポリマーバインダー成分中に含まれる
上記の側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体の割合は少なくとも5重量%以
上が好ましく、さらに好ましくは20重量%以上であ
る。該アクリル系共重合体の含有量が5重量%未満では
現像許容幅の拡大効果が小さいうえ、現像性が低下しや
すくエッジ部の尖鋭なパターンを作り難いため好ましく
ない。
のと光可溶化型のものがあり、光不溶化型のものとし
て、1分子に不飽和基などを1つ以上有する官能性のモ
ノマーやオリゴマーを適当なポリマーバインダーと混合
したもの、芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、
有機ハロゲン化合物などの感光性化合物を適当なポリマ
ーバインダーと混合したもの、既存の高分子に感光性の
基をペンダントさせることにより得られる感光性高分子
あるいはそれを改質したもの、ジゾゾ系アミンとホルム
アルデヒドとの縮合物などいわゆるジアゾ樹脂といわれ
るものなど、光可溶化型のものとして、ジアゾ化合物の
無機塩や有機酸とのコンプレックス、キノンジアジド類
などを適当なポリマーバインダーと混合したもの、キノ
ンジアゾ類を適当なポリマーバインダーと結合させた、
例えばフェノール、ノボラック樹脂のナフトキノン−
1,2−ジアジド−5−スルフォン酸エステルなどがあ
げられる。感光性ポリマーバインダー成分中に含まれる
上記の側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体の割合は少なくとも5重量%以
上が好ましく、さらに好ましくは20重量%以上であ
る。該アクリル系共重合体の含有量が5重量%未満では
現像許容幅の拡大効果が小さいうえ、現像性が低下しや
すくエッジ部の尖鋭なパターンを作り難いため好ましく
ない。
【0020】非感光性ポリマーとしては、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステ
ル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エス
テル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチ
レン重合体、ブチルメタクリレート樹脂などがあげられ
る。
ルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステ
ル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エス
テル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチ
レン重合体、ブチルメタクリレート樹脂などがあげられ
る。
【0021】本発明で使用される光反応性化合物として
は、光反応性を有する炭素−炭素不飽和結合を含有する
化合物を用いることができ、その具体的な例としてアリ
ルアクリラート、ベンジルアクリラート、ブトキシエチ
ルアクリラート、ブトキシトリエチレングリコールアク
リラート、シクロヘキシルアクリラート、ジシクロペン
タニルアクリラート、ジシクロペンテニルアクリラー
ト、2−エチルヘキシルアクリラート、グリセロールア
クリラート、グリシジルアクリラート、ヘプタデカフロ
ロデシルアクリラート、2−ヒドロキシエチルアクリラ
ート、イソボニルアクリラート、2−ヒドロキシプロピ
ルアクリラート、イソデキシルアクリラート、イソオク
チルアクリラート、ラウリルアクリラート、2−メトキ
シエチルアクリラート、メトキシエチレングリコールア
クリラート、メトキシジエチレングリコールアクリラー
ト、オクタフロロペンチルアクリラート、フェノキシエ
チルアクリラート、ステアリルアクリラート、トリフロ
ロエチルアクリラート、アリル化シクロヘキシルジアク
リラート、ビスフェノールAジアクリラート、1、4−
ブタンジオールジアクリラート、1、3−ブチレングリ
コールジアクリラート、エチレングリコールジアクリラ
ート、ジエチレングリコールジアクリラート、トリエチ
レングリコールジアクリラート、ポリエチレングリコー
ルジアクリラート、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リラート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペン
タアクリラート、ジトリメチロールプロパンテトラアク
リラート、グリセロールジアクリラート、メトキシシク
ロヘキシルジアクリラート、ネオペンチルグリコールジ
アクリラート、プロピレングリコールジアクリラート、
ポリプロピレングリコールジアクリラート、トリグリセ
ロールジアクリラート、トリメチロールプロパントリア
クリラートおよび上記のアクリラートをメタクリラート
に変えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられ
る。本発明ではこれらの光反応性化合物を1種または2
種以上の混合物として使用することができる。上記以外
の他の化合物との混合物としても使用することができ
る。
は、光反応性を有する炭素−炭素不飽和結合を含有する
化合物を用いることができ、その具体的な例としてアリ
ルアクリラート、ベンジルアクリラート、ブトキシエチ
ルアクリラート、ブトキシトリエチレングリコールアク
リラート、シクロヘキシルアクリラート、ジシクロペン
タニルアクリラート、ジシクロペンテニルアクリラー
ト、2−エチルヘキシルアクリラート、グリセロールア
クリラート、グリシジルアクリラート、ヘプタデカフロ
ロデシルアクリラート、2−ヒドロキシエチルアクリラ
ート、イソボニルアクリラート、2−ヒドロキシプロピ
ルアクリラート、イソデキシルアクリラート、イソオク
チルアクリラート、ラウリルアクリラート、2−メトキ
シエチルアクリラート、メトキシエチレングリコールア
クリラート、メトキシジエチレングリコールアクリラー
ト、オクタフロロペンチルアクリラート、フェノキシエ
チルアクリラート、ステアリルアクリラート、トリフロ
ロエチルアクリラート、アリル化シクロヘキシルジアク
リラート、ビスフェノールAジアクリラート、1、4−
ブタンジオールジアクリラート、1、3−ブチレングリ
コールジアクリラート、エチレングリコールジアクリラ
ート、ジエチレングリコールジアクリラート、トリエチ
レングリコールジアクリラート、ポリエチレングリコー
ルジアクリラート、ジペンタエリスリトールヘキサアク
リラート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペン
タアクリラート、ジトリメチロールプロパンテトラアク
リラート、グリセロールジアクリラート、メトキシシク
ロヘキシルジアクリラート、ネオペンチルグリコールジ
アクリラート、プロピレングリコールジアクリラート、
ポリプロピレングリコールジアクリラート、トリグリセ
ロールジアクリラート、トリメチロールプロパントリア
クリラートおよび上記のアクリラートをメタクリラート
に変えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられ
る。本発明ではこれらの光反応性化合物を1種または2
種以上の混合物として使用することができる。上記以外
の他の化合物との混合物としても使用することができ
る。
【0022】側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和
基を有するアクリル系共重合体は、光反応性化合物に対
して、重量比で0.1〜5倍量の範囲で用いることが好
ましい。より好ましくは、0.3〜3倍量である。該ア
クリル系共重合体の量が少なすぎると、スラリーの粘度
が小さくなり、スラリー中での分散の均一性が低下する
おそれがある。一方、アクリル系共重合体の量が多すぎ
れば、未露光部の現像液への溶解性が不良となる。
基を有するアクリル系共重合体は、光反応性化合物に対
して、重量比で0.1〜5倍量の範囲で用いることが好
ましい。より好ましくは、0.3〜3倍量である。該ア
クリル系共重合体の量が少なすぎると、スラリーの粘度
が小さくなり、スラリー中での分散の均一性が低下する
おそれがある。一方、アクリル系共重合体の量が多すぎ
れば、未露光部の現像液への溶解性が不良となる。
【0023】本発明で使用される光重合開始剤の具体的
な例として、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸
メチル、4、4−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノ
ン、4、4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、
α−アミノ・アセトフェノン、4、4−ジクロロベンゾ
フェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニルケト
ン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2、2−ジエト
キシアセトフェノン、2、2−ジメトキシ−2−フェニ
ル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2
−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロア
セトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサン
トン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチ
オキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベ
ンジルジメチルケタノール、ベンジルメトキシエチルア
セタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−t−ブ
チルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−
クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロ
ン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、4−アジ
ドベンザルアセトフェノン、2、6−ビス(p−アジド
ベンジリデン)シクロヘキサノン、2、6−ビス(p−
アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、
2−フェニル−1、2−ブダジオン−2−(o−メトキ
シカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオ
ン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1、3
−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシ
カルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−
プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、
ミヒラーケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フ
ェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、ナフタ
レンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロラ
イド、N−フェニルチオアクリドン、4、4−アゾビス
イソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズ
チアゾ−ルジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カ
ンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルス
ルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、メチレンブルー
などの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノー
ルアミンなどの還元剤の組合せなどが挙げられる。本発
明ではこれらの光重合開始剤を1種または2種以上使用
することができる。
な例として、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸
メチル、4、4−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノ
ン、4、4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、
α−アミノ・アセトフェノン、4、4−ジクロロベンゾ
フェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニルケト
ン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2、2−ジエト
キシアセトフェノン、2、2−ジメトキシ−2−フェニ
ル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2
−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロア
セトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサン
トン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチ
オキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベ
ンジルジメチルケタノール、ベンジルメトキシエチルア
セタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベ
ンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−t−ブ
チルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−
クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロ
ン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、4−アジ
ドベンザルアセトフェノン、2、6−ビス(p−アジド
ベンジリデン)シクロヘキサノン、2、6−ビス(p−
アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、
2−フェニル−1、2−ブダジオン−2−(o−メトキ
シカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオ
ン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1、3
−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシ
カルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−
プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、
ミヒラーケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フ
ェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、ナフタ
レンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロラ
イド、N−フェニルチオアクリドン、4、4−アゾビス
イソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズ
チアゾ−ルジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カ
ンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルス
ルホン、過酸化ベンゾイン、エオシン、メチレンブルー
などの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノー
ルアミンなどの還元剤の組合せなどが挙げられる。本発
明ではこれらの光重合開始剤を1種または2種以上使用
することができる。
【0024】光重合開始剤は、側鎖にカルボキシル基と
エチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体と光反
応性化合物の和に対し、通常0.1〜30重量%、より
好ましくは、2〜20重量%用いられる。光重合開始剤
の量が少なすぎると、光感度が不良となり、光重合開始
剤の量が多すぎれば、解像度が低下するおそれがある。
エチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体と光反
応性化合物の和に対し、通常0.1〜30重量%、より
好ましくは、2〜20重量%用いられる。光重合開始剤
の量が少なすぎると、光感度が不良となり、光重合開始
剤の量が多すぎれば、解像度が低下するおそれがある。
【0025】本発明において使用される安定化剤は感光
性導電ペーストのゲル化を効果的に防止し、良好な印刷
特性を得るためのものである。すなわち、本発明におい
て、CuまたはCu系金属の導電性粉末、後述の金属酸
化物粉末として用いられるCu酸化物粉末、ガラスフリ
ット中に含まれるPb,Bi,Fe,Mgなどの金属や
その酸化物粉末などが、感光性ポリマー(アクリル系共
重合体)のカルボキシル基と反応するために、ペースト
が短時間でゲル化し塊となり、ペーストとして印刷でき
なくなる。これは感光性ポリマーと上記の金属や酸化物
粉末とのイオン架橋反応と推定されるが、このような架
橋反応を防止するために、感光性ポリマーには勿論のこ
と、光反応性化合物、光重合開始剤あるいは可塑剤など
に悪い影響を与えない化合物(安定化剤)を添加し、ペ
ーストのゲル化を防止する必要がある。すなわち、ゲル
化反応を引き起こす金属や酸化物粉末との錯体化、ある
いは酸官能基との塩形成などの効果のある化合物で粉末
を表面処理し、感光性ペーストを安定化させなければな
らない。
性導電ペーストのゲル化を効果的に防止し、良好な印刷
特性を得るためのものである。すなわち、本発明におい
て、CuまたはCu系金属の導電性粉末、後述の金属酸
化物粉末として用いられるCu酸化物粉末、ガラスフリ
ット中に含まれるPb,Bi,Fe,Mgなどの金属や
その酸化物粉末などが、感光性ポリマー(アクリル系共
重合体)のカルボキシル基と反応するために、ペースト
が短時間でゲル化し塊となり、ペーストとして印刷でき
なくなる。これは感光性ポリマーと上記の金属や酸化物
粉末とのイオン架橋反応と推定されるが、このような架
橋反応を防止するために、感光性ポリマーには勿論のこ
と、光反応性化合物、光重合開始剤あるいは可塑剤など
に悪い影響を与えない化合物(安定化剤)を添加し、ペ
ーストのゲル化を防止する必要がある。すなわち、ゲル
化反応を引き起こす金属や酸化物粉末との錯体化、ある
いは酸官能基との塩形成などの効果のある化合物で粉末
を表面処理し、感光性ペーストを安定化させなければな
らない。
【0026】上記の要件をみたす安定化剤としてトリア
ゾール化合物が好ましく使用できる。トリアゾール化合
物の中でも、特にベンゾトリアゾールが有効に作用す
る。また、ヘキサメチレンテトラミン、ナフテン酸リチ
ウム(Li)などもゲル化抑制に効果がある。
ゾール化合物が好ましく使用できる。トリアゾール化合
物の中でも、特にベンゾトリアゾールが有効に作用す
る。また、ヘキサメチレンテトラミン、ナフテン酸リチ
ウム(Li)などもゲル化抑制に効果がある。
【0027】ベンゾトリアゾールを用いて金属や酸化物
粉末の表面処理(安定化処理)をする方法は、以下の通
りである。すなわち、所定の量のベンゾトリアゾール
を、酢酸メチル、酢酸エチル、エチルアルコール、メチ
ルアルコールなどの有機溶媒に溶解し、金属および酸化
物の粉末を該溶媒中に浸漬する。これらの粉末が十分に
浸ることができるように1〜24時間浸漬することが好
ましい。浸漬後、好ましくは20〜30℃で自然乾燥し
て溶媒を蒸発させることにより、トリアゾール処理を行
った粉末が得られる。
粉末の表面処理(安定化処理)をする方法は、以下の通
りである。すなわち、所定の量のベンゾトリアゾール
を、酢酸メチル、酢酸エチル、エチルアルコール、メチ
ルアルコールなどの有機溶媒に溶解し、金属および酸化
物の粉末を該溶媒中に浸漬する。これらの粉末が十分に
浸ることができるように1〜24時間浸漬することが好
ましい。浸漬後、好ましくは20〜30℃で自然乾燥し
て溶媒を蒸発させることにより、トリアゾール処理を行
った粉末が得られる。
【0028】本発明において使用される安定化剤の使用
量としては、上記表面処理を施す金属および酸化物粉末
(Cu,Cu系金属、Cu酸化物、ガラスフリット中成
分など)に対して0.2〜5重量%が好ましく、さらに
好ましくは0.4〜3重量%である。0.2重量%未満
ではポリマーの架橋反応を防止する効果がなく短時間で
ゲル化する。また、5重量%をこえると安定化剤の量が
多くなり過ぎて非酸化性雰囲気中でのペーストの焼成時
においてポリマーバインダー、光反応性化合物および安
定化剤などの脱バインダーが困難となり、基板の特性が
低下する。
量としては、上記表面処理を施す金属および酸化物粉末
(Cu,Cu系金属、Cu酸化物、ガラスフリット中成
分など)に対して0.2〜5重量%が好ましく、さらに
好ましくは0.4〜3重量%である。0.2重量%未満
ではポリマーの架橋反応を防止する効果がなく短時間で
ゲル化する。また、5重量%をこえると安定化剤の量が
多くなり過ぎて非酸化性雰囲気中でのペーストの焼成時
においてポリマーバインダー、光反応性化合物および安
定化剤などの脱バインダーが困難となり、基板の特性が
低下する。
【0029】本発明においては、感光性導電ペースト中
に、さらにガラスフリットを含有することが好ましい。
ガラスフリットは導電性粉末を焼結するための焼結助剤
としての働きや導体抵抗を下げる効果を有する。ガラス
フリットのガラス転移温度(Tg)およびガラス軟化点
(Ts)は低いほうが好ましく、それぞれ300〜50
0℃、350〜450℃であるのが良い。より好ましく
はTgが350〜450℃にあるのが良い。Tgが低す
ぎるとポリマーバインダーやモノマーなどの有機成分が
蒸発する前に焼結が始まるので好ましくない。Tgが5
00℃をこえるガラスフリットでは800℃以下の温度
で焼結を行ったときにセラミックス基板との接着性が劣
る結果となるので好ましくない。
に、さらにガラスフリットを含有することが好ましい。
ガラスフリットは導電性粉末を焼結するための焼結助剤
としての働きや導体抵抗を下げる効果を有する。ガラス
フリットのガラス転移温度(Tg)およびガラス軟化点
(Ts)は低いほうが好ましく、それぞれ300〜50
0℃、350〜450℃であるのが良い。より好ましく
はTgが350〜450℃にあるのが良い。Tgが低す
ぎるとポリマーバインダーやモノマーなどの有機成分が
蒸発する前に焼結が始まるので好ましくない。Tgが5
00℃をこえるガラスフリットでは800℃以下の温度
で焼結を行ったときにセラミックス基板との接着性が劣
る結果となるので好ましくない。
【0030】ガラスフリットとしては、ガラス系のもの
や結晶化ガラスが使用できるが、フリットの組成がSi
O2 ,ZrO2 ,B2 O3 およびLiO2 をそれぞれ1
〜50重量%含有し、これら以外にAl2 O3 ,Ca
O,K2 O,MgO,Na2 O,BaOあるいはZnO
などを0.5〜3重量%の範囲で加減したものが、熱膨
張係数や融点の調整をより容易にすることができるので
好ましい。また、ガラス相には、0.2重量%以上のP
bOやCdOを含まないことが好ましい。ガラスフリッ
トの粒子径としては、微粒子であればあるほど低温で融
解するので好ましい。特に、50%径が0.6〜3μm
の範囲、90%径が1〜4μmの範囲にあるものは、低
温で融解しセラミックス基板上に強固に接着するので好
ましい。
や結晶化ガラスが使用できるが、フリットの組成がSi
O2 ,ZrO2 ,B2 O3 およびLiO2 をそれぞれ1
〜50重量%含有し、これら以外にAl2 O3 ,Ca
O,K2 O,MgO,Na2 O,BaOあるいはZnO
などを0.5〜3重量%の範囲で加減したものが、熱膨
張係数や融点の調整をより容易にすることができるので
好ましい。また、ガラス相には、0.2重量%以上のP
bOやCdOを含まないことが好ましい。ガラスフリッ
トの粒子径としては、微粒子であればあるほど低温で融
解するので好ましい。特に、50%径が0.6〜3μm
の範囲、90%径が1〜4μmの範囲にあるものは、低
温で融解しセラミックス基板上に強固に接着するので好
ましい。
【0031】感光性導電ペースト中のガラスフリットの
含有量としては、導電性粉末、ポリマーバインダー、光
反応性化合物およびガラスフリットの総和に対して5重
量%以下であることが好ましい。より好ましくは3重量
%以下である。とくに高周波の伝搬損失を低減するため
に導体膜の低抵抗化を図るにはガラスフリットの量を下
げる必要がある。すなわち、ガラスフリットは電気絶縁
性であるので含有量が5重量%を越えると導体膜の抵抗
が増大するので好ましくない。
含有量としては、導電性粉末、ポリマーバインダー、光
反応性化合物およびガラスフリットの総和に対して5重
量%以下であることが好ましい。より好ましくは3重量
%以下である。とくに高周波の伝搬損失を低減するため
に導体膜の低抵抗化を図るにはガラスフリットの量を下
げる必要がある。すなわち、ガラスフリットは電気絶縁
性であるので含有量が5重量%を越えると導体膜の抵抗
が増大するので好ましくない。
【0032】また、セラミックス多層基板に用いるセラ
ミックス・グリーンシートに印刷して内層用導体回路や
電源層に用いる場合は、特に低抵抗を得る目的でガラス
フリットの量は2重量%以下であることが好ましい。ま
た、セラミックス基板の表層部の導体膜として強固な接
着力が必要な場合は、ガラスフリットとして1〜5重量
%添加すると好ましい。1重量%未満ではガラスフリッ
ト添加の効果が少なく強固な接着強度が得られない本発
明においてガラスフリットに加えて金属酸化物を添加す
ることが好ましい。金属酸化物は、CuやCu系の導電
性粉末が焼結時に異常粒成長するのを回避したり、焼結
を遅らせたりするなど、いわゆる焼結助剤として有効に
作用する。その結果、導体膜とセラミック基板との接着
力を上げるという効果を有する。具体的には、Cr,C
u,Mo,Al,Ni,Au,Pdなどの酸化物が使用
できる。金属酸化物は電気的に絶縁物として作用するの
で添加物の量は少ない方がよく、導電性粉末、ポリマー
バインダー、光反応性化合物、ガラスフリットおよび金
属酸化物の総和に対して3重量%以下であることが好ま
しい。3重量%を越えると導体膜の抵抗が高くなるので
好ましくない。
ミックス・グリーンシートに印刷して内層用導体回路や
電源層に用いる場合は、特に低抵抗を得る目的でガラス
フリットの量は2重量%以下であることが好ましい。ま
た、セラミックス基板の表層部の導体膜として強固な接
着力が必要な場合は、ガラスフリットとして1〜5重量
%添加すると好ましい。1重量%未満ではガラスフリッ
ト添加の効果が少なく強固な接着強度が得られない本発
明においてガラスフリットに加えて金属酸化物を添加す
ることが好ましい。金属酸化物は、CuやCu系の導電
性粉末が焼結時に異常粒成長するのを回避したり、焼結
を遅らせたりするなど、いわゆる焼結助剤として有効に
作用する。その結果、導体膜とセラミック基板との接着
力を上げるという効果を有する。具体的には、Cr,C
u,Mo,Al,Ni,Au,Pdなどの酸化物が使用
できる。金属酸化物は電気的に絶縁物として作用するの
で添加物の量は少ない方がよく、導電性粉末、ポリマー
バインダー、光反応性化合物、ガラスフリットおよび金
属酸化物の総和に対して3重量%以下であることが好ま
しい。3重量%を越えると導体膜の抵抗が高くなるので
好ましくない。
【0033】本発明において感光性導電ペースト中に、
増感剤、熱重合禁止剤、可塑剤、酸化防止剤、分散剤、
有機あるいは無機の沈殿防止剤などを添加することも好
ましく行われる。
増感剤、熱重合禁止剤、可塑剤、酸化防止剤、分散剤、
有機あるいは無機の沈殿防止剤などを添加することも好
ましく行われる。
【0034】増感剤としては、例えば、2、3−ビス
(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、
2、6−ビス(4−ジメチルアミニベンザル)シクロヘ
キサノン、2、6−ビス(4−ジメチルアミノベンザ
ル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、
4、4、−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、
4、4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4、4−ビ
ス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシ
ンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリ
デンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビ
ニレン)−イソナフトチアゾール、1、3−^ビス(4
−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カルボ
ニル−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセトン、
3,3−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリ
ン)、N−フェニル−N−エチルエタノールアミン、N
−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタノール
アミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメチルアミ
ノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソア
ミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオーテトラゾー
ラゾール、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオ
ーテトラゾールなどが挙げられる。本発明ではこれらの
増感剤を1種または2種以上使用することができる。な
お、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるも
のがある。増感剤を本発明の導電性ペーストに添加する
場合、その添加量は側鎖にエチレン性不飽和基を有する
アクリル系共重合体と光反応性化合物の和に対して通常
0.1〜30重量%、より好ましくは0.5〜15重量
%である。増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させ
る効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の
残存率が小さくなりすぎるおそれがある。
(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、
2、6−ビス(4−ジメチルアミニベンザル)シクロヘ
キサノン、2、6−ビス(4−ジメチルアミノベンザ
ル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、
4、4、−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、
4、4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4、4−ビ
ス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシ
ンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリ
デンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビ
ニレン)−イソナフトチアゾール、1、3−^ビス(4
−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カルボ
ニル−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセトン、
3,3−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリ
ン)、N−フェニル−N−エチルエタノールアミン、N
−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタノール
アミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメチルアミ
ノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソア
ミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオーテトラゾー
ラゾール、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオ
ーテトラゾールなどが挙げられる。本発明ではこれらの
増感剤を1種または2種以上使用することができる。な
お、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるも
のがある。増感剤を本発明の導電性ペーストに添加する
場合、その添加量は側鎖にエチレン性不飽和基を有する
アクリル系共重合体と光反応性化合物の和に対して通常
0.1〜30重量%、より好ましくは0.5〜15重量
%である。増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させ
る効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の
残存率が小さくなりすぎるおそれがある。
【0035】熱重合禁止剤は、保存時の熱安定性を向上
させるために添加される。熱重合禁止剤の具体的な例と
しては、ヒドロキノン、N−ニトロソジフェニルアミ
ン、フェノチアジン、p−t−ブチルカテコール、N−
フェニルナフチルアミン、2,6−ジ−t−ブチル−p
−メチルフェノール、クロラニール、ピロガロールなど
が挙げられる。熱重合禁止剤を添加する場合、その添加
量は、側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体と光反応性化合物の和に対し、
通常、0.01〜20重量%、より好ましくは、0.0
5〜10重量%である。熱重合禁止剤の量が少なすぎれ
ば、保存時の熱的な安定性を向上させる効果が発揮され
ず、熱重合禁止剤の量が多すぎれば、露光部の残存率が
小さくなりすぎるおそれがある。
させるために添加される。熱重合禁止剤の具体的な例と
しては、ヒドロキノン、N−ニトロソジフェニルアミ
ン、フェノチアジン、p−t−ブチルカテコール、N−
フェニルナフチルアミン、2,6−ジ−t−ブチル−p
−メチルフェノール、クロラニール、ピロガロールなど
が挙げられる。熱重合禁止剤を添加する場合、その添加
量は、側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有
するアクリル系共重合体と光反応性化合物の和に対し、
通常、0.01〜20重量%、より好ましくは、0.0
5〜10重量%である。熱重合禁止剤の量が少なすぎれ
ば、保存時の熱的な安定性を向上させる効果が発揮され
ず、熱重合禁止剤の量が多すぎれば、露光部の残存率が
小さくなりすぎるおそれがある。
【0036】可塑剤としては、例えばジフチルフタレー
ト(DBP),ジオクチルフタレート(DOP),ポリ
エチレングリコール、グリセリンなどが用いられる。
ト(DBP),ジオクチルフタレート(DOP),ポリ
エチレングリコール、グリセリンなどが用いられる。
【0037】酸化防止剤は、保存時におけるアクリル系
共重合体の酸化を防ぐために添加される。酸化防止剤の
具体的な例として2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾ
ール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2、6−ジ−t
−4−エチルフェノール、2,2−メチレン−ビス−
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2−
メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノ
ール)、4,4−チビス−(3−メチル−6−t−ブチ
ルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−
6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−
(2−メチル−4−ヒドロキシ−t−ブチルフェニル)
ブタン、ビス[3,3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−
t−ブチルフェニル)ブチリックアッシッド]グリコー
ルエステル、ジラウリルチオジプロピオナート、トリフ
ェニルホスファイトなどが挙げられる。酸化防止剤を添
加する場合、その添加量は通常、導電性粉末、側鎖にエ
チレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、光反応
性化合物、ガラスフリットおよび光重合開始剤の総和に
対して、通常、0.01〜5重量%、より好ましくは
0.1〜1重量%である。酸化防止剤の量が少なければ
保存時のアクリル系共同重合体の酸化を防ぐ効果が得ら
れず、酸化防止剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小
さくなりすぎるおそれがある。
共重合体の酸化を防ぐために添加される。酸化防止剤の
具体的な例として2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾ
ール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2、6−ジ−t
−4−エチルフェノール、2,2−メチレン−ビス−
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2−
メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノ
ール)、4,4−チビス−(3−メチル−6−t−ブチ
ルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−
6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−
(2−メチル−4−ヒドロキシ−t−ブチルフェニル)
ブタン、ビス[3,3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−
t−ブチルフェニル)ブチリックアッシッド]グリコー
ルエステル、ジラウリルチオジプロピオナート、トリフ
ェニルホスファイトなどが挙げられる。酸化防止剤を添
加する場合、その添加量は通常、導電性粉末、側鎖にエ
チレン性不飽和基を有するアクリル系共重合体、光反応
性化合物、ガラスフリットおよび光重合開始剤の総和に
対して、通常、0.01〜5重量%、より好ましくは
0.1〜1重量%である。酸化防止剤の量が少なければ
保存時のアクリル系共同重合体の酸化を防ぐ効果が得ら
れず、酸化防止剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小
さくなりすぎるおそれがある。
【0038】感光性導電ペーストの組成としては、次の
範囲で選択するのが良い。
範囲で選択するのが良い。
【0039】 (A)導電性粉末 ;(A),(B),(D)の和に対して75〜92重量% (B)側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系共重合 体と光反応性化合物 ;(A),(B),(D)の和に対して25〜8重量% (C)光重合開始剤;(B)に対して2〜20重量% (D)ガラスフリットと金属酸化物 ;(A),(B),(D)の和に対して0〜5重量% (E)安定化剤 ;(A)に対して0.2〜5重量% 上記においてより好ましくは、(A)と(B)の組成
が、それぞれ80〜89重量%、20〜11重量%であ
る。この範囲にあると露光時において紫外線が良く透過
し、光硬化の機能が十分発揮され、現像時における露光
部の膜強度が高くなる。その結果、回路パターンの信頼
性が一段と向上する。また(B)の量がこの範囲にある
と焼成後の導体膜の比抵抗が低くなり、高周波の伝搬損
失が低下するという問題もなくなる。また膜が緻密にな
り、高強度の膜が得られる。
が、それぞれ80〜89重量%、20〜11重量%であ
る。この範囲にあると露光時において紫外線が良く透過
し、光硬化の機能が十分発揮され、現像時における露光
部の膜強度が高くなる。その結果、回路パターンの信頼
性が一段と向上する。また(B)の量がこの範囲にある
と焼成後の導体膜の比抵抗が低くなり、高周波の伝搬損
失が低下するという問題もなくなる。また膜が緻密にな
り、高強度の膜が得られる。
【0040】本発明の導電性ペーストは、側鎖にエチレ
ン性不飽和基を有するアクリル系共重合体と光重合開始
剤を光反応性化合物に溶解し、この溶液に導電性粉末を
分散させることによって製造することができる。側鎖に
カルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル
系共重合体と光重合開始剤が光反応性化合物に溶解しな
い場合、あるいは溶液の粘度を調整したい場合には該ア
クリル系共重合体、光重合開始剤及び光反応性化合物の
混合溶液が溶解可能である有機溶媒を加えてもよい。こ
の時使用される有機溶媒は側鎖にエチレン性不飽和基を
有するアクリル系共重合体、光重合開始剤及び光反応性
化合物の混合物を溶解しうるものであればよい。たとえ
ばメチルセルソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソ
ルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、
ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトンなどやこ
れらのうちの1種以上を含有する有機溶媒混合物が用い
られる。
ン性不飽和基を有するアクリル系共重合体と光重合開始
剤を光反応性化合物に溶解し、この溶液に導電性粉末を
分散させることによって製造することができる。側鎖に
カルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル
系共重合体と光重合開始剤が光反応性化合物に溶解しな
い場合、あるいは溶液の粘度を調整したい場合には該ア
クリル系共重合体、光重合開始剤及び光反応性化合物の
混合溶液が溶解可能である有機溶媒を加えてもよい。こ
の時使用される有機溶媒は側鎖にエチレン性不飽和基を
有するアクリル系共重合体、光重合開始剤及び光反応性
化合物の混合物を溶解しうるものであればよい。たとえ
ばメチルセルソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソ
ルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、
ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトンなどやこ
れらのうちの1種以上を含有する有機溶媒混合物が用い
られる。
【0041】さらに必要に応じて有機溶媒、増感剤、熱
重合禁止剤、可塑剤、酸化防止剤、分散剤および有機あ
るいは無機の沈殿防止剤などを添加し、混合物のスラリ
ーとする。所定の組成となるように調合されたスラリー
を3本ローラや混練機で均質に分散し、ペーストを作成
する。
重合禁止剤、可塑剤、酸化防止剤、分散剤および有機あ
るいは無機の沈殿防止剤などを添加し、混合物のスラリ
ーとする。所定の組成となるように調合されたスラリー
を3本ローラや混練機で均質に分散し、ペーストを作成
する。
【0042】ペーストの粘度は導電性粉末、有機溶媒お
よびガラスフリットの組成、可塑剤、沈殿防止剤などの
添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は200
0〜20万cps(センチ・ポイズ)である。例えば基
板への塗布をスピンコート法で行う場合は、2000〜
5000cpsが好ましい。焼結したセラミックス基板
にスクリーン印刷法で1回塗布して膜厚10〜40μm
を得るには、2万〜20万cpsが好ましい。またグリ
ーンシートに塗布する場合は、粘度は5万〜20万cp
sが好ましい。これは低粘度であるとペーストをグリー
ンシートに印刷・露光後、現像時にグリーンシートの内
部に、導電粉末が浸透するため本発明の微細なパターン
を得るのが難しくなるからである。
よびガラスフリットの組成、可塑剤、沈殿防止剤などの
添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は200
0〜20万cps(センチ・ポイズ)である。例えば基
板への塗布をスピンコート法で行う場合は、2000〜
5000cpsが好ましい。焼結したセラミックス基板
にスクリーン印刷法で1回塗布して膜厚10〜40μm
を得るには、2万〜20万cpsが好ましい。またグリ
ーンシートに塗布する場合は、粘度は5万〜20万cp
sが好ましい。これは低粘度であるとペーストをグリー
ンシートに印刷・露光後、現像時にグリーンシートの内
部に、導電粉末が浸透するため本発明の微細なパターン
を得るのが難しくなるからである。
【0043】次に、感光性導電ペーストを用いて回路パ
ターンを形成する方法について説明する。
ターンを形成する方法について説明する。
【0044】まず、感光性導電ペーストを、セラミック
ス・グリーンシートあるいは焼結後のセラミックス基板
にスクリーン印刷法で塗布する。印刷厚みはスクリーン
のメッシュ、ペーストの粘度を調製することによって任
意に制御できるが、通常、5〜100μmである。5μ
m未満の膜厚を均質に作製することは困難であり、また
100μmをこえると紫外線露光において透過が難しく
なるのでパターン精度が低下する。本発明の感光性ペー
ストの場合、露光・現像が微細にできる好ましい厚みの
範囲は5〜40μmである。5μm未満になると印刷法
では均質な厚みを得ることが難しくなる。また40μm
をこえると回路パターン精度が低下し、線幅/線間隔が
60μm/60μm以下のパターンが得られなくなる。
ス・グリーンシートあるいは焼結後のセラミックス基板
にスクリーン印刷法で塗布する。印刷厚みはスクリーン
のメッシュ、ペーストの粘度を調製することによって任
意に制御できるが、通常、5〜100μmである。5μ
m未満の膜厚を均質に作製することは困難であり、また
100μmをこえると紫外線露光において透過が難しく
なるのでパターン精度が低下する。本発明の感光性ペー
ストの場合、露光・現像が微細にできる好ましい厚みの
範囲は5〜40μmである。5μm未満になると印刷法
では均質な厚みを得ることが難しくなる。また40μm
をこえると回路パターン精度が低下し、線幅/線間隔が
60μm/60μm以下のパターンが得られなくなる。
【0045】なお、感光性導電ペーストをガラスやセラ
ミック基板上にスクリーン塗布する場合、基板と塗布膜
との密着性を高めるために基板の表面処理を行うとよ
い。表面処理は、表面処理液をスピナーなどで基板上に
均一に塗布した後に80〜140℃で10〜60分間乾
燥することによって容易に行うことができる。表面処理
液としてはシランカップリング剤、例えばビニルトリク
ロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、トリス−(2−メトキシエトキシ)ビニ
ルシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラ
ン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランなどあるいは有機金属例
えば有機チタン、有機アルミニウム、有機ジルコニウム
などである。シランカップリング剤あるいは有機金属を
有機溶媒例えばエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブ
チルアルコールなどで0.1〜5%の濃度に希釈したも
のを用いることができる。
ミック基板上にスクリーン塗布する場合、基板と塗布膜
との密着性を高めるために基板の表面処理を行うとよ
い。表面処理は、表面処理液をスピナーなどで基板上に
均一に塗布した後に80〜140℃で10〜60分間乾
燥することによって容易に行うことができる。表面処理
液としてはシランカップリング剤、例えばビニルトリク
ロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエ
トキシシラン、トリス−(2−メトキシエトキシ)ビニ
ルシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラ
ン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメト
キシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルトリエトキシシランなどあるいは有機金属例
えば有機チタン、有機アルミニウム、有機ジルコニウム
などである。シランカップリング剤あるいは有機金属を
有機溶媒例えばエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブ
チルアルコールなどで0.1〜5%の濃度に希釈したも
のを用いることができる。
【0046】次に、基板上に塗布したペーストの膜を乾
燥する。通常、70〜120℃で数分から1時間加熱し
て溶媒類を蒸発させることにより行う。
燥する。通常、70〜120℃で数分から1時間加熱し
て溶媒類を蒸発させることにより行う。
【0047】乾燥後、フォトリソグラフィー法により、
回路パターンを有するフィルムやクロムマスクなどのマ
スクを用いて紫外線を照射して露光し、感光性導電ペー
ストを硬化する。露光条件は導体膜の厚みによって異な
るが、通常、5〜100mW/cm2 の出力の超高圧水
銀灯を用いて1〜30分間露光を行なう。この際使用さ
れる活性光源としては、例えば、紫外線、電子線、X線
などがあげられるが、これらの中で紫外線が好ましく、
その光源としては例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、ハロ
ゲンランプ、殺菌灯などが使用できる。これらのなかで
も超高圧水銀灯が好適である。
回路パターンを有するフィルムやクロムマスクなどのマ
スクを用いて紫外線を照射して露光し、感光性導電ペー
ストを硬化する。露光条件は導体膜の厚みによって異な
るが、通常、5〜100mW/cm2 の出力の超高圧水
銀灯を用いて1〜30分間露光を行なう。この際使用さ
れる活性光源としては、例えば、紫外線、電子線、X線
などがあげられるが、これらの中で紫外線が好ましく、
その光源としては例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、ハロ
ゲンランプ、殺菌灯などが使用できる。これらのなかで
も超高圧水銀灯が好適である。
【0048】次に、現像液を用いて前記露光によって硬
化していない部分を除去し、いわゆるネガ型の回路パタ
ーンを形成する。現像は浸漬法やスプレー法で行う。現
像液としては前記の側鎖にエチレン性不飽和基を有する
アクリル系共重合体、光反応性化合物及び光重合開始剤
の混合物が溶解可能である有機溶媒を使用できる。また
該有機溶媒にその溶解力が失われない範囲で水を添加し
てもよい。またアクリル系共重合体の側鎖にカルボキシ
ル基が存在する場合、アルカリ水溶液で現像できる。ア
ルカリ水溶液として水酸化ナトリウムや水酸化カルシウ
ム水溶液などのような金属アルカリ水溶液を使用できる
が、有機アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ
成分を除去しやすいので好ましい。有機アルカリの具体
例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイ
ド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、
モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げ
られる。アルカリ水溶液の濃度は通常0.01〜10重
量%、より好ましくは0.1〜5重量%である。アルカ
リ濃度が低すぎれば未露光部が除去されずに、アルカリ
濃度が高すぎれば、パターン部を剥離させ、また露光部
を腐食させるおそれがあり良くない。
化していない部分を除去し、いわゆるネガ型の回路パタ
ーンを形成する。現像は浸漬法やスプレー法で行う。現
像液としては前記の側鎖にエチレン性不飽和基を有する
アクリル系共重合体、光反応性化合物及び光重合開始剤
の混合物が溶解可能である有機溶媒を使用できる。また
該有機溶媒にその溶解力が失われない範囲で水を添加し
てもよい。またアクリル系共重合体の側鎖にカルボキシ
ル基が存在する場合、アルカリ水溶液で現像できる。ア
ルカリ水溶液として水酸化ナトリウムや水酸化カルシウ
ム水溶液などのような金属アルカリ水溶液を使用できる
が、有機アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ
成分を除去しやすいので好ましい。有機アルカリの具体
例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイ
ド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、
モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げ
られる。アルカリ水溶液の濃度は通常0.01〜10重
量%、より好ましくは0.1〜5重量%である。アルカ
リ濃度が低すぎれば未露光部が除去されずに、アルカリ
濃度が高すぎれば、パターン部を剥離させ、また露光部
を腐食させるおそれがあり良くない。
【0049】本発明の感光性導電ペーストの調合、印
刷、露光、現像工程は紫外線を遮断できるところで行う
必要がある。紫外線を遮断しない場合、ペーストあるい
は塗布膜が紫外線によって光硬化してしまい、本発明の
効果を発揮できる導体膜が得られない。
刷、露光、現像工程は紫外線を遮断できるところで行う
必要がある。紫外線を遮断しない場合、ペーストあるい
は塗布膜が紫外線によって光硬化してしまい、本発明の
効果を発揮できる導体膜が得られない。
【0050】露光、現像後、塗布膜を実質上非酸化性の
雰囲気中で焼成する。実質上非酸化性の雰囲気として
は、CuやCu系金属の酸化を回避できる雰囲気であっ
て、ポリマーバインダー、光反応性化合物、安定化剤、
あるいは溶媒などの有機物の酸化、蒸発を可能にする雰
囲気であればよい。例えば、酸素を3〜100ppm含
有し、残部が窒素あるいはアルゴンなどの中性ガスまた
は水蒸気で制御した雰囲気中で焼成できる。焼成温度と
しては、有機バインダー完全に酸化、蒸発させる温度で
あればよく、400〜550℃で1〜6時間保持した
後、600〜900℃で焼成し、セラミックス基板上に
焼き付けることが好ましい。
雰囲気中で焼成する。実質上非酸化性の雰囲気として
は、CuやCu系金属の酸化を回避できる雰囲気であっ
て、ポリマーバインダー、光反応性化合物、安定化剤、
あるいは溶媒などの有機物の酸化、蒸発を可能にする雰
囲気であればよい。例えば、酸素を3〜100ppm含
有し、残部が窒素あるいはアルゴンなどの中性ガスまた
は水蒸気で制御した雰囲気中で焼成できる。焼成温度と
しては、有機バインダー完全に酸化、蒸発させる温度で
あればよく、400〜550℃で1〜6時間保持した
後、600〜900℃で焼成し、セラミックス基板上に
焼き付けることが好ましい。
【0051】本発明の感光性導電ペーストを用いて回路
パターンを形成した場合、例えば導体膜の厚みが5〜6
0μmの場合において、導体の線幅が10〜60μm、
導体間の線間隔10〜60μmが得られる。
パターンを形成した場合、例えば導体膜の厚みが5〜6
0μmの場合において、導体の線幅が10〜60μm、
導体間の線間隔10〜60μmが得られる。
【0052】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれに限定されない。なお、下記の実施
例において使用量はとくに断らない限りすべて重量部で
表わす。
るが、本発明はこれに限定されない。なお、下記の実施
例において使用量はとくに断らない限りすべて重量部で
表わす。
【0053】実施例1〜17 A.導電性粉末 導電性粉末1(Cu粉末) 球状,平均粒子径1.5μm,比表面積0.15m2 /g 導電性粉末2(Cu粉末) 球状,平均粒子径3.0μm,比表面積0.32m2 /g 導電性粉末3(Cu粉末) 球状,平均粒子径4.5μm,比表面積0.30m2 /g 導電性粉末4(Cu(80)−Ag(20)粉末) 球状,平均粒子径3.4μm,比表面積0.35m2 /g 導電性粉末5(Cu(80)−Ag(20)粉末) 球状,平均粒子径3.6μm,比表面積0.55m2 /g 導電性粉末6(Cu(90)−Ni(5)−Cr(5)粉末) 球状,平均粒子径2.5μm,比表面積0.25m2 /g B.側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有す
るアクリル系共重合体(以下、ポリマーバインダーと略
す) ポリマーバインダー1;40%のメタアクリル酸、30
%のメチルメタアクリレートおよび30%のスチレンに
対して0.4当量(40%に相当する)のグリシジルア
クリレートを付加反応させたポリマー ポリマーバインダー2;30%のメタアクリル酸、35
%のエチルメタクリレートおよび35%のスチレンに対
して0.3当量(30%に相当する)のクロライドアク
リレートを付加反応させたポリマー。
るアクリル系共重合体(以下、ポリマーバインダーと略
す) ポリマーバインダー1;40%のメタアクリル酸、30
%のメチルメタアクリレートおよび30%のスチレンに
対して0.4当量(40%に相当する)のグリシジルア
クリレートを付加反応させたポリマー ポリマーバインダー2;30%のメタアクリル酸、35
%のエチルメタクリレートおよび35%のスチレンに対
して0.3当量(30%に相当する)のクロライドアク
リレートを付加反応させたポリマー。
【0054】C.光反応性化合物(以下、モノマーと略
す) モノマー1;トリメチロール・プロパン・トリアクリラ
ート モノマー2;2−ヒドロキシエチルアクリラート:プロ
ピレングリコールジアクリラートを1:2の割合で混ぜ
たもの。
す) モノマー1;トリメチロール・プロパン・トリアクリラ
ート モノマー2;2−ヒドロキシエチルアクリラート:プロ
ピレングリコールジアクリラートを1:2の割合で混ぜ
たもの。
【0055】D.安定化剤 1,2,3−ベンゾトリアゾール(東京化成工業(株)
製) E.ガラスフリット(成分モル%) ガラスフリット1;酸化カルシウム(5.0)、酸化亜
鉛(28.1),酸化ホウ素(25.0),二酸化ケイ
素(22.8),酸化ナトリウム(8.8),酸化ジル
コニウム(4.5),アルミナ(5.8), ガラスフリット2;酸化ジルコニウム(39)、酸化ホ
ー素(24)、二酸化ケイ素(21)、酸化リチウム
(10)、アルミナ(3)およびその他の酸化物(3) F.金属酸化物 CuO粉末 G.溶媒 γ−ブチロラクトン H.光重合開始剤 α−アミノ・アセトフェノン I.導電性ペーストの製造 a.有機ビヒクルの作製 溶媒およびポリマバインダーを混合し、攪拌しながら8
0℃まで加熱しすべてのポリマバインダーを均質に溶解
させた。ついで溶液を室温まで冷却し、光重合開始剤を
加えて溶解させた。その後溶液を400メッシュのフィ
ルターを通過し、濾過した。このときの溶媒の量として
は、得られるペーストの粘度が2万〜5万cpsの範囲
になるようにした。
製) E.ガラスフリット(成分モル%) ガラスフリット1;酸化カルシウム(5.0)、酸化亜
鉛(28.1),酸化ホウ素(25.0),二酸化ケイ
素(22.8),酸化ナトリウム(8.8),酸化ジル
コニウム(4.5),アルミナ(5.8), ガラスフリット2;酸化ジルコニウム(39)、酸化ホ
ー素(24)、二酸化ケイ素(21)、酸化リチウム
(10)、アルミナ(3)およびその他の酸化物(3) F.金属酸化物 CuO粉末 G.溶媒 γ−ブチロラクトン H.光重合開始剤 α−アミノ・アセトフェノン I.導電性ペーストの製造 a.有機ビヒクルの作製 溶媒およびポリマバインダーを混合し、攪拌しながら8
0℃まで加熱しすべてのポリマバインダーを均質に溶解
させた。ついで溶液を室温まで冷却し、光重合開始剤を
加えて溶解させた。その後溶液を400メッシュのフィ
ルターを通過し、濾過した。このときの溶媒の量として
は、得られるペーストの粘度が2万〜5万cpsの範囲
になるようにした。
【0056】b.導電性粉末の表面安定化処理 上記Aに記載の導電性粉末に対して所定の量のベンゾト
リアゾールを酢酸メチルに溶解した後、導電性粉末を該
溶液中に12時間浸漬した。浸漬後、20〜25℃下ド
ラフト内で乾燥して溶媒を蒸発させてトリアゾール処理
を行った導電性粉末を作製した。
リアゾールを酢酸メチルに溶解した後、導電性粉末を該
溶液中に12時間浸漬した。浸漬後、20〜25℃下ド
ラフト内で乾燥して溶媒を蒸発させてトリアゾール処理
を行った導電性粉末を作製した。
【0057】c.ペースト作製 上記の有機ビヒクルに、安定化処理を施した導電性粉
末、モノマー、金属酸化物およびフリットを所定の組成
となるように添加し、3本ローラで混合・分散してしペ
ーストを作製した。ペーストの組成を表1〜表3に示
す。
末、モノマー、金属酸化物およびフリットを所定の組成
となるように添加し、3本ローラで混合・分散してしペ
ーストを作製した。ペーストの組成を表1〜表3に示
す。
【0058】但し、ポリマーバインダー濃度(重量%)
=ポリマーバインダー/(ポリマーバインダー+γ−ブ
チロラクトン)×100であり、安定化剤(重量%)=
安定化剤/導電性粉末×100である。
=ポリマーバインダー/(ポリマーバインダー+γ−ブ
チロラクトン)×100であり、安定化剤(重量%)=
安定化剤/導電性粉末×100である。
【0059】d.アルミナ基板の表面処理 表面処理液として(2−アミノエチル)アミノプロピル
トリメトキシシランのイソプロピルアルコールの1重量
%溶液を用いる。次にこの溶液1.5mlをアルミナ基
板上に落とし、スピナーで回転数3000rpmで10
秒で塗布した後、100℃で30分間保持し、乾燥して
表面処理を行った。
トリメトキシシランのイソプロピルアルコールの1重量
%溶液を用いる。次にこの溶液1.5mlをアルミナ基
板上に落とし、スピナーで回転数3000rpmで10
秒で塗布した後、100℃で30分間保持し、乾燥して
表面処理を行った。
【0060】e.印刷 上記のペーストを250メッシュスクリーンを用いてア
ルミナ基板(100mm角で、厚み0.5mm)上に7
0mm角の大きさにベタに印刷し、80℃で40分間保
持して乾燥した。乾燥後の塗布膜の厚みは導電性粉末、
ポリマー、モノマーの種類によって異なるが、20〜3
0μmであった。印刷は紫外線を遮断した室内で行っ
た。
ルミナ基板(100mm角で、厚み0.5mm)上に7
0mm角の大きさにベタに印刷し、80℃で40分間保
持して乾燥した。乾燥後の塗布膜の厚みは導電性粉末、
ポリマー、モノマーの種類によって異なるが、20〜3
0μmであった。印刷は紫外線を遮断した室内で行っ
た。
【0061】f.露光、現像 上記で作製した塗布膜を20〜40μmの範囲で5μm
間隔のファインパターンを形成したクロムマスクを用い
て、上面から50mW/cm2 の出力の超高圧水銀灯で
紫外線露光した。次に25℃に保持したモノエタノール
アミンの0.5重量%の水溶液に浸漬して現像し、その
後スプレーを用いて光硬化していない部分を水洗浄し
た。
間隔のファインパターンを形成したクロムマスクを用い
て、上面から50mW/cm2 の出力の超高圧水銀灯で
紫外線露光した。次に25℃に保持したモノエタノール
アミンの0.5重量%の水溶液に浸漬して現像し、その
後スプレーを用いて光硬化していない部分を水洗浄し
た。
【0062】g.焼成 アルミナ基板上に印刷した塗布膜を酸素を50ppm含
有する雰囲気(残部;窒素)で500℃で4時間保持し
てバインダーを蒸発させた後、850〜1000℃にて
0.5時間焼結させ、導体膜を作製した。
有する雰囲気(残部;窒素)で500℃で4時間保持し
てバインダーを蒸発させた後、850〜1000℃にて
0.5時間焼結させ、導体膜を作製した。
【0063】h.評価 焼成後の導体膜について膜厚、解像度、比抵抗を測定
し、評価した。膜厚はマイクロメータで測定した。解像
度は導体膜を顕微鏡観察し、20〜40μmのラインが
直線で重なりなくかつ再現性が得られるライン間隔を最
も微細なライン間隔として決定した。比抵抗は4端子法
で30mAの電流下で起電力を測定して抵抗を求めた。
また、安定化剤の効果についてペーストを作製後、ゲル
化しないで保存できる日数あるいは時間で寿命を判定し
た。これらの測定結果を表1〜3に示す。
し、評価した。膜厚はマイクロメータで測定した。解像
度は導体膜を顕微鏡観察し、20〜40μmのラインが
直線で重なりなくかつ再現性が得られるライン間隔を最
も微細なライン間隔として決定した。比抵抗は4端子法
で30mAの電流下で起電力を測定して抵抗を求めた。
また、安定化剤の効果についてペーストを作製後、ゲル
化しないで保存できる日数あるいは時間で寿命を判定し
た。これらの測定結果を表1〜3に示す。
【0064】
【表1】
【表2】
【表3】 比較例1,2 上記の導電性粉末1(比較例1)および5(比較例2)
を用い、ペースト中に安定化処理を施さない以外は上記
の実施例と同じ条件にてペーストを作製した。作製した
ペーストを容器に入れ密封した状態にし室温で1〜3時
間放置したところ、いずれのペーストもゲル化し印刷不
能となり、ペーストとして使用できなかった。
を用い、ペースト中に安定化処理を施さない以外は上記
の実施例と同じ条件にてペーストを作製した。作製した
ペーストを容器に入れ密封した状態にし室温で1〜3時
間放置したところ、いずれのペーストもゲル化し印刷不
能となり、ペーストとして使用できなかった。
【0065】実施例および比較例で示されるように、本
発明の感光性導電ペーストを用いると、フォトリソグラ
フィー法によるパターン加工が可能で、線幅/線間隔が
40μm/40μm以下の微細で、かつ低抵抗の回路パ
ターンが得られる。
発明の感光性導電ペーストを用いると、フォトリソグラ
フィー法によるパターン加工が可能で、線幅/線間隔が
40μm/40μm以下の微細で、かつ低抵抗の回路パ
ターンが得られる。
【0066】
【発明の効果】本発明によると、微細パターンが確実に
形成できるうえ、配線パターンのかすれや線幅の上下差
および線幅のだれなども確実に防止することができる。
また配線抵抗も低くできるので通信機などの高周波での
伝搬損失を低減することができる。この結果、高い信頼
性を得ることができ、高密度なセラミックス多層配線基
板やハイブリッドICの小型化、高密度化を可能にする
ものである。
形成できるうえ、配線パターンのかすれや線幅の上下差
および線幅のだれなども確実に防止することができる。
また配線抵抗も低くできるので通信機などの高周波での
伝搬損失を低減することができる。この結果、高い信頼
性を得ることができ、高密度なセラミックス多層配線基
板やハイブリッドICの小型化、高密度化を可能にする
ものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅野 昌也 滋賀県大津市園山1丁目1番1号 東レ株 式会社滋賀事業場内
Claims (2)
- 【請求項1】(a)CuおよびCu系金属の群から選ば
れた少なくとも1種を含む導電性粉末、(b)側鎖にカ
ルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するアクリル系
共重合体、(c)光反応性化合物、(d)光重合開始
剤、および(e)安定化剤を含有することを特徴とする
感光性導電ペースト。 - 【請求項2】ガラスフリットを含有することを特徴とす
る請求項1記載の感光性導電ペースト。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2518692 | 1992-02-12 | ||
| JP4-25186 | 1992-02-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05287221A true JPH05287221A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=12158951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1862193A Pending JPH05287221A (ja) | 1992-02-12 | 1993-02-05 | 感光性導電ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05287221A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319580A (ja) * | 1994-11-17 | 1998-12-04 | Toray Ind Inc | 感光性導電ペーストおよび電極の製造方法 |
| US6156237A (en) * | 1999-03-25 | 2000-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and circuit substrate formed by use of the paste |
| JP2001176720A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Toray Ind Inc | 無機粉末含有ポリイミド前駆体ペースト |
| US6315927B1 (en) | 1999-03-25 | 2001-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive conductive paste |
| US6531257B2 (en) | 2000-11-30 | 2003-03-11 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Photosensitive copper paste and method of forming copper pattern using the same |
| GB2380198A (en) * | 2001-08-07 | 2003-04-02 | Murata Manufacturing Co | Photosensitive conductive paste |
| JP2004247300A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | E I Du Pont De Nemours & Co | フィールドエミッション型ディスプレイ装置用の電極形成組成物およびそのような組成物の使用方法 |
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| JP2016058143A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社クラレ | 導電ペースト |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP1862193A patent/JPH05287221A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2380198B (en) * | 2001-08-07 | 2003-11-19 | Murata Manufacturing Co | Photosensitive conductive paste,method for forming conductive pattern using the same,and method for manufacturing ceramic multilayer element |
| GB2380198A (en) * | 2001-08-07 | 2003-04-02 | Murata Manufacturing Co | Photosensitive conductive paste |
| US6806028B2 (en) | 2001-08-07 | 2004-10-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photosensitive conductive paste, method for forming conductive pattern using the same, and method for manufacturing ceramic multilayer element |
| KR100476280B1 (ko) * | 2001-08-07 | 2005-03-16 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 감광성 도전 페이스트, 그것을 사용한 도체 패턴의형성방법 및 세라믹 다층부품의 제조방법 |
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| JP2016058143A (ja) * | 2014-09-05 | 2016-04-21 | 株式会社クラレ | 導電ペースト |
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