JPH0528780Y2 - - Google Patents
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- JPH0528780Y2 JPH0528780Y2 JP582185U JP582185U JPH0528780Y2 JP H0528780 Y2 JPH0528780 Y2 JP H0528780Y2 JP 582185 U JP582185 U JP 582185U JP 582185 U JP582185 U JP 582185U JP H0528780 Y2 JPH0528780 Y2 JP H0528780Y2
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- electrode
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- ohmic
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 4
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- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 2
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- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
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- 229910005745 Ge—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はｎ型GaAs（ガリウム砒素）及びｎ型
GaAlAs（ガリウムアルミ砒素）用オーミツク電
極に関する。
GaAlAs（ガリウムアルミ砒素）用オーミツク電
極に関する。
(ロ) 従来の技術
従来、ｎ型GaAs用オーミツク電極としてはAu
−Ge，In−Au，Au−Si，Au−Sn，Au−Te等
が用いられ、またｎ型GaAlAs用オーミツク電極
としてはAu−Ge−Ni，Au−Sn等が用いられて
いる（Solid−State Electronics，1975，Vol，
18，PP541−550）。
−Ge，In−Au，Au−Si，Au−Sn，Au−Te等
が用いられ、またｎ型GaAlAs用オーミツク電極
としてはAu−Ge−Ni，Au−Sn等が用いられて
いる（Solid−State Electronics，1975，Vol，
18，PP541−550）。
然るにこれら材料の合金化温度はAu−Siを除
いて400℃以上必要であり、実験室等で基板の表
面状態を最高条件としたとしても350℃が低温の
限界であつた。
いて400℃以上必要であり、実験室等で基板の表
面状態を最高条件としたとしても350℃が低温の
限界であつた。
そこで、本出願人は特願昭59−253846号で層厚
200Å以下のCr層、層厚50Å〜300ÅのGe層及び
層厚2500Å以上のAu層を順次積層してなるオー
ミツク電極を提案した。
200Å以下のCr層、層厚50Å〜300ÅのGe層及び
層厚2500Å以上のAu層を順次積層してなるオー
ミツク電極を提案した。
斯るオーミツク電極では合金化温度が350℃以
下の低温であつても充分なオーミツク接触が得ら
れるため、斯る合金化時に半導体素子に与える熱
的影響を小さくできる。
下の低温であつても充分なオーミツク接触が得ら
れるため、斯る合金化時に半導体素子に与える熱
的影響を小さくできる。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
然るに、このような構成のオーミツク電極を基
板の一主面に全面電極として形成すると、へき開
等により基板をチツプ単位に切り出す際に厚い
Au層の存在により斯る切り出しが困難となると
いう問題があつた。
板の一主面に全面電極として形成すると、へき開
等により基板をチツプ単位に切り出す際に厚い
Au層の存在により斯る切り出しが困難となると
いう問題があつた。
従つてチツプ単位の切り出し前に上記へき開部
のAu層を除去することが考えられるが、現在Au
層のみを除去可能なエツチヤントはなく、現存す
るエツチヤントではAu層、Ge層、Cr層及び基板
も全てエツチングされる。そこでリフトオフとい
う複雑な手法を用いてAu層を除去している。
のAu層を除去することが考えられるが、現在Au
層のみを除去可能なエツチヤントはなく、現存す
るエツチヤントではAu層、Ge層、Cr層及び基板
も全てエツチングされる。そこでリフトオフとい
う複雑な手法を用いてAu層を除去している。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は上述したリフトオフ法を用いることな
く、例えばI2−KI系のようにAuをエツチング可
能なエツチヤントを用いて所望のAu層のみエツ
チング可能なオーミツク電極を提供せんとするも
ので、その特徴は従来のAu層とGe層との間にSn
層を形成したことである。
く、例えばI2−KI系のようにAuをエツチング可
能なエツチヤントを用いて所望のAu層のみエツ
チング可能なオーミツク電極を提供せんとするも
ので、その特徴は従来のAu層とGe層との間にSn
層を形成したことである。
(ホ) 作用
上記Sn層はI2−KI系の如きエツチヤントに対
して耐エツチング性であり、従つて上記Au層を
I2−KI系エツチヤントによつてAu層を部分的に
除去する際にも上記Sn層の存在によりGe層、Cr
層及び基板はエツチングされない。
して耐エツチング性であり、従つて上記Au層を
I2−KI系エツチヤントによつてAu層を部分的に
除去する際にも上記Sn層の存在によりGe層、Cr
層及び基板はエツチングされない。
(ヘ) 実施例
図は本考案の実施例を示し、キヤリア濃度が２
×1018／cm3のｎ型GaAsからなる基板１上に100Å
厚のCr層２，100Å厚のGe層３及び200Å厚のSn
層４及び3000Å厚のAu層５を順次積層したもの
である。
×1018／cm3のｎ型GaAsからなる基板１上に100Å
厚のCr層２，100Å厚のGe層３及び200Å厚のSn
層４及び3000Å厚のAu層５を順次積層したもの
である。
斯る構成ではI2−KI系エツチヤントを用いて
Au層を部分的に除去する際、Sn層４の存在によ
りGe層３、Cr層２及び基板１はエツチングされ
ない。
Au層を部分的に除去する際、Sn層４の存在によ
りGe層３、Cr層２及び基板１はエツチングされ
ない。
また、斯る本実施例の電極を400℃で５分間熱
処理すると、その接触抵抗は約1.4×10-6Ω・cm2
となつた。
処理すると、その接触抵抗は約1.4×10-6Ω・cm2
となつた。
また、参考までに本実施例におけるSn層４を
除いたAu−Ge−Crからなる電極、Au−Snから
なる電極、Au−Geからなる電極、Au−Ge−Ni
からなる電極及びAu−Sn−Crからなる電極を
400℃で５分間熱処理した場合の接触抵抗を示す
と、夫々1.6×10-6Ω・cm2，2.1×10-6Ω・cm2，2.7
×10-6Ω・cm2，2.0×10-6Ω・cm2，2.0×10-6であ
る。
除いたAu−Ge−Crからなる電極、Au−Snから
なる電極、Au−Geからなる電極、Au−Ge−Ni
からなる電極及びAu−Sn−Crからなる電極を
400℃で５分間熱処理した場合の接触抵抗を示す
と、夫々1.6×10-6Ω・cm2，2.1×10-6Ω・cm2，2.7
×10-6Ω・cm2，2.0×10-6Ω・cm2，2.0×10-6であ
る。
尚、本実施例においてCr層２，Ge層３，Sn層
４，Au層５の層厚を夫々100Å，100Å，100Å，
3000Åとしたがこれに限るものではなく、Cr層
２の層厚は200Å以下が好ましく200Å以上では接
触抵抗が増大することが確認されている。また、
Ge層３の層厚は50Å〜300Åが好ましく、この範
囲外では接触抵抗が増大することが確認されてい
る。更に、Au層５の層厚はワイヤボンド特性を
考慮して2500Å以上が好適である。そして、Sn
層４は上記各層２，３，５の層厚範囲においては
接触抵抗及びGe層３，Cr層２及び基板１のエツ
チング阻止の観点から100〜300Å程度が好適であ
る。
４，Au層５の層厚を夫々100Å，100Å，100Å，
3000Åとしたがこれに限るものではなく、Cr層
２の層厚は200Å以下が好ましく200Å以上では接
触抵抗が増大することが確認されている。また、
Ge層３の層厚は50Å〜300Åが好ましく、この範
囲外では接触抵抗が増大することが確認されてい
る。更に、Au層５の層厚はワイヤボンド特性を
考慮して2500Å以上が好適である。そして、Sn
層４は上記各層２，３，５の層厚範囲においては
接触抵抗及びGe層３，Cr層２及び基板１のエツ
チング阻止の観点から100〜300Å程度が好適であ
る。
また、本実施例では基板１としてｎ型GaAsを
用いたがｎ型GaAlAsを用いても同様の結果が得
られる。
用いたがｎ型GaAlAsを用いても同様の結果が得
られる。
(ト) 考案の効果
本考案のオーミツク電極は、ｎ型GaAs及びｎ
型GaAlAsに対して、従来の他の電極より優れた
オーミツク特性を有し、更にAu層のパターニン
グに際しエツチヤントを用いることができる。
型GaAlAsに対して、従来の他の電極より優れた
オーミツク特性を有し、更にAu層のパターニン
グに際しエツチヤントを用いることができる。
図は本考案の実施例を示す断面図である。
２……Cr層、３……Ge層、４……Sn層、５…
…Au層。
…Au層。
Claims (1)
- ｎ型GaAsまたはｎ型GaAlAs上にCr，Ge，Sn
及びAuをこの順序で積層してなることを特徴と
するオーミツク電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP582185U JPH0528780Y2 (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP582185U JPH0528780Y2 (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123548U JPS61123548U (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0528780Y2 true JPH0528780Y2 (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=30482686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP582185U Expired - Lifetime JPH0528780Y2 (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528780Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-01-19 JP JP582185U patent/JPH0528780Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61123548U (ja) | 1986-08-04 |
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