JPH0528794B2 - - Google Patents
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- JPH0528794B2 JPH0528794B2 JP61040458A JP4045886A JPH0528794B2 JP H0528794 B2 JPH0528794 B2 JP H0528794B2 JP 61040458 A JP61040458 A JP 61040458A JP 4045886 A JP4045886 A JP 4045886A JP H0528794 B2 JPH0528794 B2 JP H0528794B2
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は紙葉類等の媒体を取扱う装置における
光学式センサを用いた光学式媒体方式に関し、更
に詳細には、光学式センサの汚損検知及びその対
策に関する。
光学式センサを用いた光学式媒体方式に関し、更
に詳細には、光学式センサの汚損検知及びその対
策に関する。
（従来の技術）
従来、紙葉類等の媒体を取扱う装置において
は、媒体の走行監視や残留検知を行なうために、
例えば発光ダイオードと受光トランジスタを対向
して配置し、透過光の差異による受光トランジス
タの出力電圧の変化により媒体の有無検知を行な
う光学式センサが用いられている。このような光
学式センサの汚損検知方式としては、装置のアイ
ドル中に発光ダイオードのドライブ電流を制限
し、発光量を減少させることにより受光トランジ
スタの出力電圧がある規定のレベルを超えた場合
に汚損を検知するダストチエツク方式がある。ま
た、発光ダイオードのドライブ電流を一定とし、
受光トランジスタの出力電圧の変化に応じて媒体
有無を検知するスライスレベルを切替えるオート
スライス方式等が知られている。
は、媒体の走行監視や残留検知を行なうために、
例えば発光ダイオードと受光トランジスタを対向
して配置し、透過光の差異による受光トランジス
タの出力電圧の変化により媒体の有無検知を行な
う光学式センサが用いられている。このような光
学式センサの汚損検知方式としては、装置のアイ
ドル中に発光ダイオードのドライブ電流を制限
し、発光量を減少させることにより受光トランジ
スタの出力電圧がある規定のレベルを超えた場合
に汚損を検知するダストチエツク方式がある。ま
た、発光ダイオードのドライブ電流を一定とし、
受光トランジスタの出力電圧の変化に応じて媒体
有無を検知するスライスレベルを切替えるオート
スライス方式等が知られている。
第４図は従来のダイスチエツク方式を実現する
ための一例を示す概略ブロツク図である。同図に
おいて、１はセンサ制御回路、２は発光ダイオー
ド（以下、LEDと略す）３の発光量を切替え可
能とするドライバ回路であり各々オープンコレク
タ（DRV１，DRV２）、トランジスタ（TR１，
TR２）、電流制限抵抗（Ｒ１，Ｒ２）から構成
されている。動作を説明すると、センサ制御回路
１からの通常発光レベル信号ＡによりTR１が
ONし、電流制限抵抗Ｒ１を通して所望の電流I1
をLED３に流すことができ、また同様にダスト
チエツク発光レベル信号Ｂにより電流I2をLED３
に流し得る。周知の如く発光ダイオードの発光量
はそのドライブ電流に比例するため、本例の目的
の場合はI1をI1＞I2かつI2を塵埃によりセンサか
ら汚損した場合相当になるようにＲ１，Ｒ２をあ
らかじめ認定しておけば、受光トランジスタ（以
下PTRと略す。）のON／OFFを比較器
（COMP）５とその比較電圧VREFにより判定する
ことによりセンサの汚損状態を検知することがで
きる。
ための一例を示す概略ブロツク図である。同図に
おいて、１はセンサ制御回路、２は発光ダイオー
ド（以下、LEDと略す）３の発光量を切替え可
能とするドライバ回路であり各々オープンコレク
タ（DRV１，DRV２）、トランジスタ（TR１，
TR２）、電流制限抵抗（Ｒ１，Ｒ２）から構成
されている。動作を説明すると、センサ制御回路
１からの通常発光レベル信号ＡによりTR１が
ONし、電流制限抵抗Ｒ１を通して所望の電流I1
をLED３に流すことができ、また同様にダスト
チエツク発光レベル信号Ｂにより電流I2をLED３
に流し得る。周知の如く発光ダイオードの発光量
はそのドライブ電流に比例するため、本例の目的
の場合はI1をI1＞I2かつI2を塵埃によりセンサか
ら汚損した場合相当になるようにＲ１，Ｒ２をあ
らかじめ認定しておけば、受光トランジスタ（以
下PTRと略す。）のON／OFFを比較器
（COMP）５とその比較電圧VREFにより判定する
ことによりセンサの汚損状態を検知することがで
きる。
次にオートスライス方式について説明する。第
５図は従来のオートスライス方式を実現するため
の一例を示す概略ブロツク図で、前記ダストチエ
ツク方式と異なるところはLED３の発光量を一
定とし、代りにPTR４の出力電圧をADコンバー
タ６によりセンサレベル入力信号Ｃとして取込み
デジタル信号形式で処理することにある。第６図
はこのオートスライス方式によるセンサスライス
レベルの変化を示す図である。同図に示すよう
に、この方式は媒体が無い状態でのセンサスライ
スレベル信号Ｃの値により、例えば媒体有／無の
判定レベルを、汚損前はＳ１に、汚損に応じてＳ
２へと変化させるものである。
５図は従来のオートスライス方式を実現するため
の一例を示す概略ブロツク図で、前記ダストチエ
ツク方式と異なるところはLED３の発光量を一
定とし、代りにPTR４の出力電圧をADコンバー
タ６によりセンサレベル入力信号Ｃとして取込み
デジタル信号形式で処理することにある。第６図
はこのオートスライス方式によるセンサスライス
レベルの変化を示す図である。同図に示すよう
に、この方式は媒体が無い状態でのセンサスライ
スレベル信号Ｃの値により、例えば媒体有／無の
判定レベルを、汚損前はＳ１に、汚損に応じてＳ
２へと変化させるものである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記従来のダストチエツク方式
は光学式センサの汚損状態を検知できるのみであ
り、汚損が進めば装置を止めざるを得ない。ま
た、第７図に示すPTR４の出力電圧と比較電圧
VREFとの関係からわかるように、比較電圧VREFが
一定のため、光学式センサの汚損前と汚損後とで
は媒体無しの状態におけるマージンに明らかな差
異が生じ（汚損前マージンＭ１、汚損後マージン
Ｍ２）、汚損後では媒体有無を誤検知するおそれ
がある。
は光学式センサの汚損状態を検知できるのみであ
り、汚損が進めば装置を止めざるを得ない。ま
た、第７図に示すPTR４の出力電圧と比較電圧
VREFとの関係からわかるように、比較電圧VREFが
一定のため、光学式センサの汚損前と汚損後とで
は媒体無しの状態におけるマージンに明らかな差
異が生じ（汚損前マージンＭ１、汚損後マージン
Ｍ２）、汚損後では媒体有無を誤検知するおそれ
がある。
また、上記従来のオートスライス方式によれ
ば、汚損状態に応じたセンサスライスレベルの設
定は可能なものの、比較的高価なADコンバータ
を必要とするのみならず、多数の光学式センサが
付加された装置においては、処理すべきデータ量
が多大となり、センサ制御回路として専用の処理
装置（所謂マイクロプロセツサおよびその周辺回
路）が必要であつた。
ば、汚損状態に応じたセンサスライスレベルの設
定は可能なものの、比較的高価なADコンバータ
を必要とするのみならず、多数の光学式センサが
付加された装置においては、処理すべきデータ量
が多大となり、センサ制御回路として専用の処理
装置（所謂マイクロプロセツサおよびその周辺回
路）が必要であつた。
本発明は上記２方式について述べた欠点を除去
し、比較的安価な回路構成でありながら、センサ
の汚損検知および汚損対策として確実に、しかも
優れた追随性をす有する光学式媒体監視方式を提
供することを目的とする。
し、比較的安価な回路構成でありながら、センサ
の汚損検知および汚損対策として確実に、しかも
優れた追随性をす有する光学式媒体監視方式を提
供することを目的とする。
（問題を解決するための手段）
この発明の光学式媒体監視方式は、
発光源と受光源とを対向させて配置してなる光
学式センサを備え、前記受光源の出力に従つて前
記発光源と前記受光源との間に存在する媒体の有
無を判別するものであつて、 第１の基準信号（VF）に従つて前記発光源の
発光量を設定する定電流発生手段８と、 第２の基準信号（RF）に従つて前記受光源の
出力レベルを判別する比較手段５と、 前記比較手段の判別結果に従つて、前記第１及
び第２の基準信号を発生する基準信号発生手段１
０，７ａ，７ｂと、 前記第１の基準信号を記憶する記憶手段１２と
を設け、 前記基準信号発生手段は、前記発光源と前記受
光源との間に媒体が存在しない状態で、 (a) 前記第１及び第２の基準信号をそれぞれ予め
定めた標準値に設定し、前記比較手段の判別が
媒体の存在を示すものであるか否かを判定し、 (b) 前記(a)の判定の結果、及び前記記憶手段に記
憶されている前回の第１の基準信号の値を参照
して、前記第１及び第２の基準信号の値を前記
標準値又は該標準値を増減させた非標準値を含
む試験値に設定し、 (c) 前記試験値による前記比較手段の判別の結果
を参照して前記第１の基準信号の値を前記標準
値又は前記受光源の受光量が前記標準値のもの
となるように設定し、かつ前記第２の基準信号
の値を前記標準値に設定すると共に、前記記憶
手段に前記第１の基準信号の値を記憶させる ことを特徴とするものである。
学式センサを備え、前記受光源の出力に従つて前
記発光源と前記受光源との間に存在する媒体の有
無を判別するものであつて、 第１の基準信号（VF）に従つて前記発光源の
発光量を設定する定電流発生手段８と、 第２の基準信号（RF）に従つて前記受光源の
出力レベルを判別する比較手段５と、 前記比較手段の判別結果に従つて、前記第１及
び第２の基準信号を発生する基準信号発生手段１
０，７ａ，７ｂと、 前記第１の基準信号を記憶する記憶手段１２と
を設け、 前記基準信号発生手段は、前記発光源と前記受
光源との間に媒体が存在しない状態で、 (a) 前記第１及び第２の基準信号をそれぞれ予め
定めた標準値に設定し、前記比較手段の判別が
媒体の存在を示すものであるか否かを判定し、 (b) 前記(a)の判定の結果、及び前記記憶手段に記
憶されている前回の第１の基準信号の値を参照
して、前記第１及び第２の基準信号の値を前記
標準値又は該標準値を増減させた非標準値を含
む試験値に設定し、 (c) 前記試験値による前記比較手段の判別の結果
を参照して前記第１の基準信号の値を前記標準
値又は前記受光源の受光量が前記標準値のもの
となるように設定し、かつ前記第２の基準信号
の値を前記標準値に設定すると共に、前記記憶
手段に前記第１の基準信号の値を記憶させる ことを特徴とするものである。
（作用）
本発明の光学式媒体監視方式は、前記構成によ
り、自動的に、前記第１及び第２の基準信号を試
験レベルのものに設定して前記光学式センサの試
験を実行し、かつその結果に応じて前記第１及び
第２の基準信号の値を適切な値に設定するように
しているので、光学式センサの異常を速やかに検
出可能にすると共に、前記光学式センサに汚損が
存在しても媒体の存在の有無を高い検出マージン
をもつて検出可能にする。
り、自動的に、前記第１及び第２の基準信号を試
験レベルのものに設定して前記光学式センサの試
験を実行し、かつその結果に応じて前記第１及び
第２の基準信号の値を適切な値に設定するように
しているので、光学式センサの異常を速やかに検
出可能にすると共に、前記光学式センサに汚損が
存在しても媒体の存在の有無を高い検出マージン
をもつて検出可能にする。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例のハードウエア構成
を示す回路図である。図中、第４図に示す要素と
同一のものには同一参照番号を付してある。セン
サ制御回路１０は定電流回路用基準電圧VF(1)〜
VF(n)（以下、単に基準電圧と略す）、定電流回路
用基準電圧VF切替え信号VSEL(1)〜VSEL(m)
（以下、単にVF切替え信号と略す）、媒体検知回
路用比較電圧RF(1)〜RF(p)（以下、単に比較電圧
と略す）、及び媒体検知回路用比較電圧RF切替え
信号RSEL(1)〜RSEL(Q)（以下、単にRF切替え信
号を略す）を出力する。アナログマルチプレクサ
（AMPX）７ａはVF切替え信号VSEL(1)〜VSEL
(m)のいずれか１つがONになることにより選択さ
れた対応する基準電圧VFを定電流回路８に供給
する。ここで、定電流回路８は増幅器（AMP）、
トランジスタ（TR）及び制限抵抗で構成されて
いる。前述した基準電圧VFは増幅器（AMP）の
反転入力端子に供給される。増幅器（AMP）の
非反転入力端子は、トランジスタ（TR）のエミ
ツタと制御抵抗との共通接続点に接続されてい
る。トランジスタ（TR）のベースは増幅器
（AMP）の出力端子に接続され、またそのコレク
タはLED３のカソードに接続されている。LED
３のアノードはPTR４のコレクタに接続され、
そのベースは比較器５の非反転入力端子に接続さ
れるとともに、抵抗９を介して接地されている。
比較器（COMP）５の反転入力端子には、RSEL
(1)〜RSEL(Q)のいずれか１つがONになることに
よりアナログマルチプレクサ７ｂで選択された対
応する比較電圧RFが供給される。比較器５の出
力端子はセンサ制御回路１０に供給される。ま
た、センサ制御回路１０は上述した制御のほか
に、エラーメツセージ等を表示する表示部１１及
び基準電圧VFを記憶する記憶部１２を制御する。
を示す回路図である。図中、第４図に示す要素と
同一のものには同一参照番号を付してある。セン
サ制御回路１０は定電流回路用基準電圧VF(1)〜
VF(n)（以下、単に基準電圧と略す）、定電流回路
用基準電圧VF切替え信号VSEL(1)〜VSEL(m)
（以下、単にVF切替え信号と略す）、媒体検知回
路用比較電圧RF(1)〜RF(p)（以下、単に比較電圧
と略す）、及び媒体検知回路用比較電圧RF切替え
信号RSEL(1)〜RSEL(Q)（以下、単にRF切替え信
号を略す）を出力する。アナログマルチプレクサ
（AMPX）７ａはVF切替え信号VSEL(1)〜VSEL
(m)のいずれか１つがONになることにより選択さ
れた対応する基準電圧VFを定電流回路８に供給
する。ここで、定電流回路８は増幅器（AMP）、
トランジスタ（TR）及び制限抵抗で構成されて
いる。前述した基準電圧VFは増幅器（AMP）の
反転入力端子に供給される。増幅器（AMP）の
非反転入力端子は、トランジスタ（TR）のエミ
ツタと制御抵抗との共通接続点に接続されてい
る。トランジスタ（TR）のベースは増幅器
（AMP）の出力端子に接続され、またそのコレク
タはLED３のカソードに接続されている。LED
３のアノードはPTR４のコレクタに接続され、
そのベースは比較器５の非反転入力端子に接続さ
れるとともに、抵抗９を介して接地されている。
比較器（COMP）５の反転入力端子には、RSEL
(1)〜RSEL(Q)のいずれか１つがONになることに
よりアナログマルチプレクサ７ｂで選択された対
応する比較電圧RFが供給される。比較器５の出
力端子はセンサ制御回路１０に供給される。ま
た、センサ制御回路１０は上述した制御のほか
に、エラーメツセージ等を表示する表示部１１及
び基準電圧VFを記憶する記憶部１２を制御する。
第２図はPTR４の出力特性を定性的に表わす
ものである。図中、受光量が多いにもかかわらず
PTR出力電圧がVDとならないのは、PTRのコレ
クタ・エミツタ間飽和電圧VCEが存在するためで
ある。光学式センサの汚損が全くない状態の媒体
なしの出力をａ、該状態における媒体ありの出力
をa′、光学式センサの汚損が次第に進行したとき
の各々の状態をｂ−b′、ｃ−c′、ｄ−d′となるも
のとすると、ａ−a′時に媒体有無の検知レベルを
RF(P)に設定するとｂ−b′、ｃ−c′となるに従つ
て媒体なしの検知レベルの余裕度は不足していき
ｄ−d′ではついに媒体検知は不可能となる。従つ
てPTR４の飽和電圧の近傍にRF(1)なる検知レベ
ルを設定し、かつ媒体なしの出力がａ付近に存在
するかどうかを検知するために、LFD３のドラ
イブ電流を減じ発光量を少なくすることによ
り、模擬的に汚損状態を創出する。この状態にお
いて、比較器５は受光量と比較電圧とを比較す
る。前述の如く汚損状態をチエツクするため、汚
損していないと判定された光学式センサは第２図
の斜線部で示す領域に位置するため、実際に媒体
の有無を検知するための比較電圧RF(P)までのマ
ージンが十分にあり、媒体有無を誤検知する恐れ
は皆無となる。特に媒体が紙幣のように模様のあ
るものについては、該媒体の色の濃淡による影響
が大きいことを考慮した場合にその効果が大き
い。また、比較の結果、汚損状態が検知された場
合はLED３のドライブ電流を増加させて、発
光量を増大させればよい。
ものである。図中、受光量が多いにもかかわらず
PTR出力電圧がVDとならないのは、PTRのコレ
クタ・エミツタ間飽和電圧VCEが存在するためで
ある。光学式センサの汚損が全くない状態の媒体
なしの出力をａ、該状態における媒体ありの出力
をa′、光学式センサの汚損が次第に進行したとき
の各々の状態をｂ−b′、ｃ−c′、ｄ−d′となるも
のとすると、ａ−a′時に媒体有無の検知レベルを
RF(P)に設定するとｂ−b′、ｃ−c′となるに従つ
て媒体なしの検知レベルの余裕度は不足していき
ｄ−d′ではついに媒体検知は不可能となる。従つ
てPTR４の飽和電圧の近傍にRF(1)なる検知レベ
ルを設定し、かつ媒体なしの出力がａ付近に存在
するかどうかを検知するために、LFD３のドラ
イブ電流を減じ発光量を少なくすることによ
り、模擬的に汚損状態を創出する。この状態にお
いて、比較器５は受光量と比較電圧とを比較す
る。前述の如く汚損状態をチエツクするため、汚
損していないと判定された光学式センサは第２図
の斜線部で示す領域に位置するため、実際に媒体
の有無を検知するための比較電圧RF(P)までのマ
ージンが十分にあり、媒体有無を誤検知する恐れ
は皆無となる。特に媒体が紙幣のように模様のあ
るものについては、該媒体の色の濃淡による影響
が大きいことを考慮した場合にその効果が大き
い。また、比較の結果、汚損状態が検知された場
合はLED３のドライブ電流を増加させて、発
光量を増大させればよい。
次に、本実施例の動作を説明する。第３図は本
発明の実施例を示すフローチヤートである。な
お、本例ではLED３のドライブ電流レベル（基
準電圧VF）をVF(1)＝（発光量少）、VF(2)＝（発光
量標準）、VF(3)＝（発光量多）、PTR４の比較電
圧はRF(1)＝（飽和電圧近傍）、RF(2)＝（標準比較
電圧）とした。なお、検知精度及び汚損状態に応
じた追随性を高めるために、分解能を上げる
（VF、RFをより多く設定する）こととしても以
下の動作と同様である。
発明の実施例を示すフローチヤートである。な
お、本例ではLED３のドライブ電流レベル（基
準電圧VF）をVF(1)＝（発光量少）、VF(2)＝（発光
量標準）、VF(3)＝（発光量多）、PTR４の比較電
圧はRF(1)＝（飽和電圧近傍）、RF(2)＝（標準比較
電圧）とした。なお、検知精度及び汚損状態に応
じた追随性を高めるために、分解能を上げる
（VF、RFをより多く設定する）こととしても以
下の動作と同様である。
汚損チエツクはLED３のレベルをVF(2)＝（発
光量標準）、PTR４のレベルをRF(1)＝（飽和電圧
近傍）に設定することにより開始される（第３図
のＳ１）。VF(2)は第１図のアナログマルチプレク
サ７ａから定電流回路８に供給され、RF(1)はア
ナログマルチプレクサ７ｂから比較器５の反転入
力端子に供給される。LED３はVF(2)に応じた発
光量で発光し、これがPTR４で受光され、変換
された電気信号が比較器５の非反転入力端子に供
給される。この状態で、比較器５は２つの入力信
号のレベルを比較する（Ｓ２）。媒体有りと判定
されればＳ３へ進み、媒体無しと判定されればＳ
５へ進む。Ｓ２で媒体有りと判定された場合は、
LED４とPTR４との間に媒体が残留しているか、
又は汚損がしいと判定し（Ｓ３）、エラー処理と
して残留媒体除去、光学式センサダストエラー等
の表示を表示部１１により行なう。他方、Ｓ２で
媒体無しと判定された場合は、後述するＳ１３で
作成された記憶部１２に記憶されている前回の汚
損チエツクによるLED３の基準電圧（これを特
にＭと表示する）がVF＝VF(3)であつたかどうか
の検査を行なう（Ｓ５）。この検査でＭ≠VF(3)の
場合は、LED３のレベルをVF(1)＝（発光量少）、
PTR４のレベルをRF(1)＝（飽和電圧近傍）に設
定する（Ｓ６）。そして媒体有無の判定を行なう。
この判定で媒体無しと判定されればＳ８に進み、
VF＝VF(2)、RF＝RF(2)に設定し、光学式センサ
は正常であるとして終了する。他方、媒体有りと
判定されればＳ１３に進む。
光量標準）、PTR４のレベルをRF(1)＝（飽和電圧
近傍）に設定することにより開始される（第３図
のＳ１）。VF(2)は第１図のアナログマルチプレク
サ７ａから定電流回路８に供給され、RF(1)はア
ナログマルチプレクサ７ｂから比較器５の反転入
力端子に供給される。LED３はVF(2)に応じた発
光量で発光し、これがPTR４で受光され、変換
された電気信号が比較器５の非反転入力端子に供
給される。この状態で、比較器５は２つの入力信
号のレベルを比較する（Ｓ２）。媒体有りと判定
されればＳ３へ進み、媒体無しと判定されればＳ
５へ進む。Ｓ２で媒体有りと判定された場合は、
LED４とPTR４との間に媒体が残留しているか、
又は汚損がしいと判定し（Ｓ３）、エラー処理と
して残留媒体除去、光学式センサダストエラー等
の表示を表示部１１により行なう。他方、Ｓ２で
媒体無しと判定された場合は、後述するＳ１３で
作成された記憶部１２に記憶されている前回の汚
損チエツクによるLED３の基準電圧（これを特
にＭと表示する）がVF＝VF(3)であつたかどうか
の検査を行なう（Ｓ５）。この検査でＭ≠VF(3)の
場合は、LED３のレベルをVF(1)＝（発光量少）、
PTR４のレベルをRF(1)＝（飽和電圧近傍）に設
定する（Ｓ６）。そして媒体有無の判定を行なう。
この判定で媒体無しと判定されればＳ８に進み、
VF＝VF(2)、RF＝RF(2)に設定し、光学式センサ
は正常であるとして終了する。他方、媒体有りと
判定されればＳ１３に進む。
他方、Ｓ５でＭ＝VF(3)のときはＳ９に進む。
Ｍ＝VF(3)のときは既に光学式センサは汚損して
いる状態である。従つてLED３のレベルをVF(2)
＝（発光量標準）、PTR４のレベルをRF(1)＝（飽
和電圧近傍）に設定する（Ｓ９）。この状態で媒
体の有無を判定する（Ｓ１０）。媒体有りと判定
された場合はＳ１１に進み、汚損が激しいと判断
し、センサアラームとする。そしてエラー処理と
してセンサダストエラー等の表示を表示部１１に
より行なう（Ｓ１２）。他方、Ｓ１０で媒体無し
と判定された場合、及びＳ７で媒体有りと判定さ
れた場合はＳ１３に進む。Ｓ１３は汚損が認めら
れると判断し、LED３のレベルをVFf(3)＝（発光
量多）、PTR４のレベルをRF(2)＝（標準比較電
圧）とする。そして、VF３をＭとして記憶部１
２に格納し（Ｓ１４）、汚損が認められたとして
表示部１１によりセンサプレアラームの表示を行
ない（Ｓ１５）、正常終了とする。
Ｍ＝VF(3)のときは既に光学式センサは汚損して
いる状態である。従つてLED３のレベルをVF(2)
＝（発光量標準）、PTR４のレベルをRF(1)＝（飽
和電圧近傍）に設定する（Ｓ９）。この状態で媒
体の有無を判定する（Ｓ１０）。媒体有りと判定
された場合はＳ１１に進み、汚損が激しいと判断
し、センサアラームとする。そしてエラー処理と
してセンサダストエラー等の表示を表示部１１に
より行なう（Ｓ１２）。他方、Ｓ１０で媒体無し
と判定された場合、及びＳ７で媒体有りと判定さ
れた場合はＳ１３に進む。Ｓ１３は汚損が認めら
れると判断し、LED３のレベルをVFf(3)＝（発光
量多）、PTR４のレベルをRF(2)＝（標準比較電
圧）とする。そして、VF３をＭとして記憶部１
２に格納し（Ｓ１４）、汚損が認められたとして
表示部１１によりセンサプレアラームの表示を行
ない（Ｓ１５）、正常終了とする。
以上、本発明の一実施例を説明した。本実施例
は発光源、受光源をそれぞれ発光ダイオード、受
光トランジスタに限つて説明したが、同様の効果
があるものであればなんでもよい。例えば受光源
が受光ダイオードの場合には比較回路との間に電
流−電圧変換回路を設ければよい。
は発光源、受光源をそれぞれ発光ダイオード、受
光トランジスタに限つて説明したが、同様の効果
があるものであればなんでもよい。例えば受光源
が受光ダイオードの場合には比較回路との間に電
流−電圧変換回路を設ければよい。
（発明の効果）
以上説明した様に本発明によれば、発光源の発
光量を変化させる手段と、受光源の出力電圧を比
較し媒体の有無判別を行なうための比較電圧を切
替える手段を設け、発光源の発光量を少なくする
とともに、受光源の比較電圧を飽和電圧近傍に設
定して光学式センサの汚損検知を行なつたので、
光学式センサの汚損状態を的確に検知できるとと
もに、汚損を検知した場合には発光源の発光量を
多く設定することにより、汚損していないのと同
様の状態に復帰できるという効果がある。また本
発明によれば、比較的効果なADコンバータ、
DAコンバータといつた素子を用いる必要もない
ので安価で簡単な構成となる。本発明は媒体の監
視を必要とする装置であればどのような装置でも
よく、複写機、プリンタ、金融自動化機器等応用
範囲は広い。特に、媒体が紙の場合には光を透過
することに加えて紙粉によるセンサの汚損が厳し
いのでその効果は大きい。
光量を変化させる手段と、受光源の出力電圧を比
較し媒体の有無判別を行なうための比較電圧を切
替える手段を設け、発光源の発光量を少なくする
とともに、受光源の比較電圧を飽和電圧近傍に設
定して光学式センサの汚損検知を行なつたので、
光学式センサの汚損状態を的確に検知できるとと
もに、汚損を検知した場合には発光源の発光量を
多く設定することにより、汚損していないのと同
様の状態に復帰できるという効果がある。また本
発明によれば、比較的効果なADコンバータ、
DAコンバータといつた素子を用いる必要もない
ので安価で簡単な構成となる。本発明は媒体の監
視を必要とする装置であればどのような装置でも
よく、複写機、プリンタ、金融自動化機器等応用
範囲は広い。特に、媒体が紙の場合には光を透過
することに加えて紙粉によるセンサの汚損が厳し
いのでその効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例のハードウエア構成
を示す回路図、第２図は受光トランジスタの出力
特性を示す図、第３図は本実施例の動作フローチ
ヤートを示す図、第４図は従来のダストチエツク
方式の概略回路図、第５図は従来のオートスライ
ス方式の概略回路図、第６図は従来のオートスラ
イス方式によるスライスレベルの変化を示す図、
及び第７図は従来のダストチエツク方式の特性を
示す図である。 １……センサ制御回路、２……ドライバ回路、
３……発光ダイオード（LED）、４……受光トラ
ンジスタ（PTR）、５……比較器（COMP）、６
……ADコンバータ、７ａ，７ｂ……アナログマ
ルチプレクサ（AMPX）、８……定電流回路、９
……抵抗、１０……センサ制御回路。
を示す回路図、第２図は受光トランジスタの出力
特性を示す図、第３図は本実施例の動作フローチ
ヤートを示す図、第４図は従来のダストチエツク
方式の概略回路図、第５図は従来のオートスライ
ス方式の概略回路図、第６図は従来のオートスラ
イス方式によるスライスレベルの変化を示す図、
及び第７図は従来のダストチエツク方式の特性を
示す図である。 １……センサ制御回路、２……ドライバ回路、
３……発光ダイオード（LED）、４……受光トラ
ンジスタ（PTR）、５……比較器（COMP）、６
……ADコンバータ、７ａ，７ｂ……アナログマ
ルチプレクサ（AMPX）、８……定電流回路、９
……抵抗、１０……センサ制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光源と受光源とを対向させて配置してなる
光学式センサを備え、前記受光源の出力に従つて
前記発光源と前記受光源との間に存在する媒体の
有無を判別する光学式媒体監視方式において、 第１の基準信号（VF）に従つて前記発光源の
発光量を設定する定電流発生手段８と、 第２の基準信号（RF）に従つて前記受光源の
出力電圧のレベルを判別する比較手段５と、 前記比較手段の判別結果に従つて、前記第１及
び第２の基準信号を発生する基準信号発生手段１
０，７ａ，７ｂと、 前記第１の基準信号を記憶する記憶手段１２と
を設け、 前記基準信号発生手段は、前記発光源と前記受
光源との間に媒体が存在しない状態で、 (a) 前記第１及び第２の基準信号をそれぞれ予め
定めた標準値に設定し、前記比較手段の判別が
媒体の存在を示すものであるか否かを判定し、 (b) 前記(a)の判定の結果、及び前記記憶手段に記
憶されている前回の第１の基準信号の値を参照
して、前記第１及び第２の基準信号の値を前記
標準値又は該標準値を増減させた非標準値を含
む試験値に設定し、 (c) 前記試験値による前記比較手段の判別の結果
を参照して前記第１の基準信号の値を前記標準
値又は前記受光源の受光量が前記標準値のもの
となるように設定し、かつ前記第２の基準信号
の値を前記標準値に設定すると共に、前記記憶
手段に前記第１の基準信号の値を記憶させる ことを特徴とする光学式媒体監視方式。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040458A JPS62198783A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 光学式媒体監視方式 |
| US07/017,209 US4785295A (en) | 1986-02-27 | 1987-02-20 | Optical media monitoring device |
| KR1019870001723A KR900008632B1 (ko) | 1986-02-27 | 1987-02-27 | 광학식 매체 감시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040458A JPS62198783A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 光学式媒体監視方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198783A JPS62198783A (ja) | 1987-09-02 |
| JPH0528794B2 true JPH0528794B2 (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=12581200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040458A Granted JPS62198783A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 光学式媒体監視方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62198783A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01224689A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-07 | Fujitsu Ltd | 光センサ回路 |
| JP5130125B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2013-01-30 | 日立オムロンターミナルソリューションズ株式会社 | 光学センサシステム及び発光量調整方法 |
| JP6833368B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2021-02-24 | 株式会社沖データ | 媒体検出装置、媒体搬送装置及び画像形成装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572403U (ja) * | 1980-06-05 | 1982-01-07 | ||
| JPS5713327A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-23 | Laurel Bank Mach Co Ltd | Optical detector |
| JPS57162578U (ja) * | 1981-04-07 | 1982-10-13 | ||
| JPS58172570A (ja) * | 1982-04-03 | 1983-10-11 | Ricoh Co Ltd | 紙検出装置 |
| JPS5970990A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Ricoh Co Ltd | 調光方法 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61040458A patent/JPS62198783A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62198783A (ja) | 1987-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |