JPH05291314A - ベアチップの半田付方法 - Google Patents
ベアチップの半田付方法Info
- Publication number
- JPH05291314A JPH05291314A JP4090562A JP9056292A JPH05291314A JP H05291314 A JPH05291314 A JP H05291314A JP 4090562 A JP4090562 A JP 4090562A JP 9056292 A JP9056292 A JP 9056292A JP H05291314 A JPH05291314 A JP H05291314A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bare chip
- heat spreader
- soldering
- soldered
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベアチップ等とヒートスプレッダーとの半田
付において、真空熱処理炉内で真空に引きながら加熱し
て、ベアチップを予め半田付されたヒートスプレッダー
の半田部分を再度溶融することにより、半田部分の気泡
を取り除くことを特徴としたベアチップ半田付方法。 【構成】 リフロー工程において該ベアチップ等４と前
記ヒートスプレッダー３を半田付処理し、取り出し工程
でベアチップを半田付けされたヒートスプレッダーを治
具Ａ及び治具Ｂより取り出し、検査工程で外観やＸ線検
査を行い、検査工程で検査に合格したベアチップを半田
付されたヒートスプレッダーは、続いて気泡除去工程で
真空熱処理炉１に入れ、炉内を真空に引きながら加熱
し、再度半田部分５を溶融するくことにより気泡６を除
去した後、クリーム半田印刷処理されたベース基板に搭
載され、リフロー処理によりベース基板に半田付けされ
る。
付において、真空熱処理炉内で真空に引きながら加熱し
て、ベアチップを予め半田付されたヒートスプレッダー
の半田部分を再度溶融することにより、半田部分の気泡
を取り除くことを特徴としたベアチップ半田付方法。 【構成】 リフロー工程において該ベアチップ等４と前
記ヒートスプレッダー３を半田付処理し、取り出し工程
でベアチップを半田付けされたヒートスプレッダーを治
具Ａ及び治具Ｂより取り出し、検査工程で外観やＸ線検
査を行い、検査工程で検査に合格したベアチップを半田
付されたヒートスプレッダーは、続いて気泡除去工程で
真空熱処理炉１に入れ、炉内を真空に引きながら加熱
し、再度半田部分５を溶融するくことにより気泡６を除
去した後、クリーム半田印刷処理されたベース基板に搭
載され、リフロー処理によりベース基板に半田付けされ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はベアチップ等の半田付方
法に関する。
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハイブリッドＩＣ等に搭載されるベアチ
ップなどの半田付において、図３は従来のチップの半田
付方法の一例の処理工程図であるが、図に示すごとく、
治具づめ工程１１で治具Ａの凹部分にヒートスプレッダ
ーを詰め、フラックス塗布工程１２で前記ヒートスプレ
ッダーの上面にフラックスを塗布し、半田箔工程１３で
該フラックスの上に半田箔を搭載し、治具固定工程１４
で前記半田箔を押さえるように治具Ｂを固定し、チップ
搭載工程１５で前記治具Ｂに設けた挿入窓を通してベア
チップ等を前記半田箔上に搭載した後、リフロー工程１
６において該ベアチップ等と前記ヒートスプレッダーを
半田付処理し、取り出し工程１７でベアチップを半田付
されたヒートスプレッダーを前記治具Ａ及び治具Ｂより
取り出し、検査工程１８外観やＸ線検査を行う。続い
て、検査工程で検査に合格したベアチップを半田付され
たヒートスプレッダーは、クリーム半田印刷処理された
ベース基板に搭載され、リフロー処理によりベース基板
に半田付けされる。ところが、前記リフロー工程におい
て、ベアチップとヒートスプレッダーの間の半田部分に
気泡が生じ、ベアチップとヒートスプレッダーとの接着
強度の低下と、ベアチップの発生する熱の放熱性の悪化
をもたらしている。
ップなどの半田付において、図３は従来のチップの半田
付方法の一例の処理工程図であるが、図に示すごとく、
治具づめ工程１１で治具Ａの凹部分にヒートスプレッダ
ーを詰め、フラックス塗布工程１２で前記ヒートスプレ
ッダーの上面にフラックスを塗布し、半田箔工程１３で
該フラックスの上に半田箔を搭載し、治具固定工程１４
で前記半田箔を押さえるように治具Ｂを固定し、チップ
搭載工程１５で前記治具Ｂに設けた挿入窓を通してベア
チップ等を前記半田箔上に搭載した後、リフロー工程１
６において該ベアチップ等と前記ヒートスプレッダーを
半田付処理し、取り出し工程１７でベアチップを半田付
されたヒートスプレッダーを前記治具Ａ及び治具Ｂより
取り出し、検査工程１８外観やＸ線検査を行う。続い
て、検査工程で検査に合格したベアチップを半田付され
たヒートスプレッダーは、クリーム半田印刷処理された
ベース基板に搭載され、リフロー処理によりベース基板
に半田付けされる。ところが、前記リフロー工程におい
て、ベアチップとヒートスプレッダーの間の半田部分に
気泡が生じ、ベアチップとヒートスプレッダーとの接着
強度の低下と、ベアチップの発生する熱の放熱性の悪化
をもたらしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような点
に鑑みなされたもので、ベアチップとヒートスプレッダ
ーの間の半田部分に生じる気泡を除去することことによ
り、ベアチップとヒートスプレッダーとの接着強度が向
上し、且つベアチップの発生する熱の放熱性が良いベア
チップの半田付方法を提供するものである。
に鑑みなされたもので、ベアチップとヒートスプレッダ
ーの間の半田部分に生じる気泡を除去することことによ
り、ベアチップとヒートスプレッダーとの接着強度が向
上し、且つベアチップの発生する熱の放熱性が良いベア
チップの半田付方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するため、ベアチップ等とヒートスプレッダーとの半
田付において、ベアチップを予め半田付されたヒートス
プレッダーを真空熱処理炉に入れて、炉内を真空に引き
ながら加熱し、再度半田部分を溶融することを特徴とす
るベアチップの半田付方法と、あるいはベアチップ等と
ヒートスプレッダーとの半田付において、ベアチップ等
とヒートスプレッダーとを半田付するリフロー処理を真
空熱処理炉内で行い、炉内を真空に引きながら加熱して
半田付処理することを特徴とするベアチップの半田付方
法とを提供するものである。
決するため、ベアチップ等とヒートスプレッダーとの半
田付において、ベアチップを予め半田付されたヒートス
プレッダーを真空熱処理炉に入れて、炉内を真空に引き
ながら加熱し、再度半田部分を溶融することを特徴とす
るベアチップの半田付方法と、あるいはベアチップ等と
ヒートスプレッダーとの半田付において、ベアチップ等
とヒートスプレッダーとを半田付するリフロー処理を真
空熱処理炉内で行い、炉内を真空に引きながら加熱して
半田付処理することを特徴とするベアチップの半田付方
法とを提供するものである。
【０００５】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明による実施例を
詳細に説明する。図１（Ａ）は本発明によるチップの半
田付方法の一実施例の要部概念図であり、図１（Ｂ）は
本発明によるチップの半田付方法の他の実施例の要部概
念図である。図２は本発明によるチップの半田付方法の
一実施例の処理工程図である。図において、治具づめ工
程１１で治具Ａの凹部分にヒートスプレッダー３を詰
め、フラックス塗布工程１２で前記ヒートスプレッダー
３の上面にフラックスを塗布し、半田箔工程１３で該フ
ラックスの上に半田箔を搭載し、治具固定工程１４で前
記半田箔を押さえるように治具Ｂを固定し、チップ搭載
工程１５で前記治具Ｂに設けた挿入窓を通してベアチッ
プ等４を前記半田箔上に搭載した後、リフロー工程１６
において該ベアチップ等４と前記ヒートスプレッダー３
を半田付処理し、取り出し工程１７でベアチップ等４を
半田付けされたヒートスプレッダー３を前記治具Ａ及び
治具Ｂより取り出し、検査工程１８で外観やＸ線検査を
行い、検査工程１８で検査に合格したベアチップ４を半
田付されたヒートスプレッダー３は、続いて気泡除去工
程１９で真空熱処理炉１に入れ、炉内を真空に引きなが
ら加熱し、再度半田部分５を溶融するくことにより気泡
６を除去した後、クリーム半田印刷処理されたベース基
板に搭載され、リフロー処理によりベース基板に半田付
けされる。上記説明において、気泡除去工程１９で予め
ベアチップ４を半田付されたヒートスプレッダー３を真
空熱処理炉１で真空に引きながら加熱し、再度半田部分
５を溶融して気泡６を除去する代わりに、前記リフロー
工程１６における半田付処理を、ベアチップ４とヒート
スプレッダー３を治具２に入れた状態のまま真空熱処理
炉内で行うことにより、半田付処理と気泡の除去を同時
に行っても同等の効果が期待できる。
詳細に説明する。図１（Ａ）は本発明によるチップの半
田付方法の一実施例の要部概念図であり、図１（Ｂ）は
本発明によるチップの半田付方法の他の実施例の要部概
念図である。図２は本発明によるチップの半田付方法の
一実施例の処理工程図である。図において、治具づめ工
程１１で治具Ａの凹部分にヒートスプレッダー３を詰
め、フラックス塗布工程１２で前記ヒートスプレッダー
３の上面にフラックスを塗布し、半田箔工程１３で該フ
ラックスの上に半田箔を搭載し、治具固定工程１４で前
記半田箔を押さえるように治具Ｂを固定し、チップ搭載
工程１５で前記治具Ｂに設けた挿入窓を通してベアチッ
プ等４を前記半田箔上に搭載した後、リフロー工程１６
において該ベアチップ等４と前記ヒートスプレッダー３
を半田付処理し、取り出し工程１７でベアチップ等４を
半田付けされたヒートスプレッダー３を前記治具Ａ及び
治具Ｂより取り出し、検査工程１８で外観やＸ線検査を
行い、検査工程１８で検査に合格したベアチップ４を半
田付されたヒートスプレッダー３は、続いて気泡除去工
程１９で真空熱処理炉１に入れ、炉内を真空に引きなが
ら加熱し、再度半田部分５を溶融するくことにより気泡
６を除去した後、クリーム半田印刷処理されたベース基
板に搭載され、リフロー処理によりベース基板に半田付
けされる。上記説明において、気泡除去工程１９で予め
ベアチップ４を半田付されたヒートスプレッダー３を真
空熱処理炉１で真空に引きながら加熱し、再度半田部分
５を溶融して気泡６を除去する代わりに、前記リフロー
工程１６における半田付処理を、ベアチップ４とヒート
スプレッダー３を治具２に入れた状態のまま真空熱処理
炉内で行うことにより、半田付処理と気泡の除去を同時
に行っても同等の効果が期待できる。
【０００６】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によるチ
ップの半田付方法においては、半田溶融時に真空熱処理
炉を真空に引きながら加熱することにより、ベアチップ
等とヒートスプレッダーとの間の半田部分の気泡を取り
除くことができるので、ベアチップとヒートスプレッダ
ーとの接着強度が向上し、且つベアチップの発生する熱
の放熱性が良くなる。
ップの半田付方法においては、半田溶融時に真空熱処理
炉を真空に引きながら加熱することにより、ベアチップ
等とヒートスプレッダーとの間の半田部分の気泡を取り
除くことができるので、ベアチップとヒートスプレッダ
ーとの接着強度が向上し、且つベアチップの発生する熱
の放熱性が良くなる。
【図１】本発明によるベアチップの半田付方法の一実施
例及び他の実施例の要部概念図である。
例及び他の実施例の要部概念図である。
【図２】本発明によるベアチップの半田付方法の一実施
例の処理工程図である。
例の処理工程図である。
【図３】従来のベアチップの半田付方法の一例の処理工
程図である。
程図である。
１ 真空熱処理炉 ２ 治具 ３ ヒートスプレッダー ４ ベアチップ等 ５ 半田部分 ６ 気泡 １１ 治具づめ工程 １２ フラックス塗布工程 １３ 半田箔搭載工程 １４ 治具固定工程 １５ チップ搭載工程 １６ リフロー工程 １７ 取り出し工程 １８ 検査工程 １９ 気泡除去工程
Claims (2)
- 【請求項１】 ベアチップ等とヒートスプレッダーとの
半田付において、ベアチップを予め半田付されたヒート
スプレッダーを真空熱処理炉に入れて、炉内を真空に引
きながら加熱し、再度半田部分を溶融することを特徴と
するベアチップの半田付方法。 - 【請求項２】 ベアチップ等とヒートスプレッダーとの
半田付において、ベアチップ等とヒートスプレッダーと
を半田付するリフロー処理を真空熱処理炉内で行い、炉
内を真空に引きながら加熱して半田付処理することを特
徴とするベアチップの半田付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090562A JPH05291314A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | ベアチップの半田付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4090562A JPH05291314A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | ベアチップの半田付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291314A true JPH05291314A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14001869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4090562A Pending JPH05291314A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | ベアチップの半田付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291314A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222844A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Pfu Ltd | 表面実装形素子の実装方法および表面実装形素子実装用電極構造 |
| DE102007010882A1 (de) * | 2007-03-06 | 2008-09-25 | Infineon Technologies Ag | Lötverbindung zwischen einem Halbleiterchip und einem Substrat sowie Herstellung derselben |
| CN113395840A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-14 | 上海丸旭电子科技有限公司 | 一种提高贴片式分流器焊接的可靠性方法 |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP4090562A patent/JPH05291314A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08222844A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Pfu Ltd | 表面実装形素子の実装方法および表面実装形素子実装用電極構造 |
| DE102007010882A1 (de) * | 2007-03-06 | 2008-09-25 | Infineon Technologies Ag | Lötverbindung zwischen einem Halbleiterchip und einem Substrat sowie Herstellung derselben |
| DE102007010882B4 (de) * | 2007-03-06 | 2009-01-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Lötverbindung zwischen einem Halbleiterchip und einem Substrat |
| CN113395840A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-14 | 上海丸旭电子科技有限公司 | 一种提高贴片式分流器焊接的可靠性方法 |
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