JPH05291471A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05291471A JPH05291471A JP4121358A JP12135892A JPH05291471A JP H05291471 A JPH05291471 A JP H05291471A JP 4121358 A JP4121358 A JP 4121358A JP 12135892 A JP12135892 A JP 12135892A JP H05291471 A JPH05291471 A JP H05291471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting
- semiconductor device
- external lead
- circuit board
- reinforcing material
- Prior art date
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- Pending
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
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Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部リードの変形や回路基板搭載時の位置ズ
レの影響をなくし、実装歩留を向上させる。 【構成】 外部リード１６の一部を容易に変形可能にな
るまで微細加工し、かつその周囲を実装温度近傍で可撓
性を有する補強材１７にて被覆した構造とする。 【効果】 実装の際、実装温度で外部リード１６は容易
に変形可能となり、半田の表面張力により所定の位置に
半田付けされる効果を発揮し、実装の歩留が向上でき
る。
レの影響をなくし、実装歩留を向上させる。 【構成】 外部リード１６の一部を容易に変形可能にな
るまで微細加工し、かつその周囲を実装温度近傍で可撓
性を有する補強材１７にて被覆した構造とする。 【効果】 実装の際、実装温度で外部リード１６は容易
に変形可能となり、半田の表面張力により所定の位置に
半田付けされる効果を発揮し、実装の歩留が向上でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に表面実装型パッケージの外部リードの構造に関する。
に表面実装型パッケージの外部リードの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は図８に示すように、
鉄系又は銅系の合金からなるリードフレーム３１に半導
体素子３２を銀ペースト等のろう材３３により固着し、
次いで金等のボンディングワイヤー３４によりリードフ
レーム３１と半導体素子３２とを電気的に接続して、そ
の後モールド樹脂３５にて所定の部分を封止し、さらに
外部リード３６には回路基板に実装する際の半田付け性
を考慮して錫や半田等のメッキを施し（図示せず）、外
部リードの不必要な部位を切り落とし、所定形状に曲げ
加工を行なうことで製造されていた。
鉄系又は銅系の合金からなるリードフレーム３１に半導
体素子３２を銀ペースト等のろう材３３により固着し、
次いで金等のボンディングワイヤー３４によりリードフ
レーム３１と半導体素子３２とを電気的に接続して、そ
の後モールド樹脂３５にて所定の部分を封止し、さらに
外部リード３６には回路基板に実装する際の半田付け性
を考慮して錫や半田等のメッキを施し（図示せず）、外
部リードの不必要な部位を切り落とし、所定形状に曲げ
加工を行なうことで製造されていた。
【０００３】特に上記半導体装置が回路基板の表面に直
接実装される表面実装型パッケージの場合、外部リード
形状は図８のようなガルウィング型や、図示はしないが
Ｊ型をしているのが一般的である。
接実装される表面実装型パッケージの場合、外部リード
形状は図８のようなガルウィング型や、図示はしないが
Ｊ型をしているのが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の表面実
装型の半導体装置では、図９に示すように回路基板３８
の電極３９に仮留め樹脂３Ａを用いて表面実装する際
に、外部リード３６の変形や回路基板への搭載位置ズレ
等に起因して実装歩留が低下することが多々あった。
装型の半導体装置では、図９に示すように回路基板３８
の電極３９に仮留め樹脂３Ａを用いて表面実装する際
に、外部リード３６の変形や回路基板への搭載位置ズレ
等に起因して実装歩留が低下することが多々あった。
【０００５】特に近年樹脂封止型半導体装置は性能や機
能向上に伴い、多ピン化や小型化が進み、外部リードの
ピッチは１．０ｍｍ〜０．６５ｍｍから０．５ｍｍ〜
０．４ｍｍに縮小されてきており、図９に示すようにわ
ずかな外部リードの変形や搭載位置ズレでも実装歩留が
大幅に低下してしまうという問題点があった。
能向上に伴い、多ピン化や小型化が進み、外部リードの
ピッチは１．０ｍｍ〜０．６５ｍｍから０．５ｍｍ〜
０．４ｍｍに縮小されてきており、図９に示すようにわ
ずかな外部リードの変形や搭載位置ズレでも実装歩留が
大幅に低下してしまうという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、外部リードの変形や回路
基板搭載時の位置ズレの影響をなくし、実装歩留を向上
させるようにした半導体装置を提供することにある。
基板搭載時の位置ズレの影響をなくし、実装歩留を向上
させるようにした半導体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置は、外部との導通をとる外
部リードを備えた表面実装型半導体装置であって、前記
外部リードの一部に容易に変形が可能な微細加工もしく
は切断加工を施し、かつ加工した箇所の周囲を回路基板
への実装温度近傍にて可撓性を有する補強材にて被覆し
たものである。
め、本発明に係る半導体装置は、外部との導通をとる外
部リードを備えた表面実装型半導体装置であって、前記
外部リードの一部に容易に変形が可能な微細加工もしく
は切断加工を施し、かつ加工した箇所の周囲を回路基板
への実装温度近傍にて可撓性を有する補強材にて被覆し
たものである。
【０００８】また、前記可撓性を有する補強材が導電性
であるものである。
であるものである。
【０００９】
【作用】本発明の半導体装置は外部リードの一部に容易
に変形が可能になるまで微細な加工もしくは切断加工を
施し、かつ加工した箇所の周囲を回路基板への実装温度
近傍の高温（約１８０〜２６０℃）にて可撓性を有する
補強材にて被覆し、実装温度で外部リードを変化させて
セルフアライメント効果を発揮し、実装歩留を向上させ
る。
に変形が可能になるまで微細な加工もしくは切断加工を
施し、かつ加工した箇所の周囲を回路基板への実装温度
近傍の高温（約１８０〜２６０℃）にて可撓性を有する
補強材にて被覆し、実装温度で外部リードを変化させて
セルフアライメント効果を発揮し、実装歩留を向上させ
る。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係る半導体装置を示す斜視図、図２は、図１のＩＩ部拡
大図である。
係る半導体装置を示す斜視図、図２は、図１のＩＩ部拡
大図である。
【００１２】図において、１５はモールド樹脂、１６は
外部リードであり、本発明の半導体装置は、先に述べた
ように図８に示した従来例と同じ製法で作られるが、図
２に示すように、外部リード１６の一部を容易に変形が
可能になるまで細く加工し、かつその周囲を回路基板へ
の実装温度近傍の高温（１８０〜２６０℃程度）にて可
撓性を有する補強材１７で被覆した構成となっている。
外部リードであり、本発明の半導体装置は、先に述べた
ように図８に示した従来例と同じ製法で作られるが、図
２に示すように、外部リード１６の一部を容易に変形が
可能になるまで細く加工し、かつその周囲を回路基板へ
の実装温度近傍の高温（１８０〜２６０℃程度）にて可
撓性を有する補強材１７で被覆した構成となっている。
【００１３】このような構成をとることで回路基板１８
への実装の際に基板への搭載位置ズレや若干のリード変
形があっても（図３）、外部リード１６は補強材１７が
高温で可撓性を有することで容易に変形できること、及
び溶融した半田の表面張力で上記外部リード１６が回路
基板１８の電極１９側に引き寄せられることにより、自
動的に半田付け不良を防止するセルフアライメント効果
が得られ、実装の歩留を大幅に改善できる。
への実装の際に基板への搭載位置ズレや若干のリード変
形があっても（図３）、外部リード１６は補強材１７が
高温で可撓性を有することで容易に変形できること、及
び溶融した半田の表面張力で上記外部リード１６が回路
基板１８の電極１９側に引き寄せられることにより、自
動的に半田付け不良を防止するセルフアライメント効果
が得られ、実装の歩留を大幅に改善できる。
【００１４】特に基板に対して両面実装する場合、半導
体装置は仮留め樹脂１Ａで固定されるため、その効果は
ますますま高くなる（図４）。
体装置は仮留め樹脂１Ａで固定されるため、その効果は
ますますま高くなる（図４）。
【００１５】（実施例２）図５は、本発明の実施例２に
係る半導体装置を示す斜視図、図６は、図５のＶＩ部拡
大図である。
係る半導体装置を示す斜視図、図６は、図５のＶＩ部拡
大図である。
【００１６】本実施例では、モールド樹脂２５から張り
出した外部リード２６が実装温度近傍の高温でさらに自
由に変形できるように途中で切断された構造となってい
る。
出した外部リード２６が実装温度近傍の高温でさらに自
由に変形できるように途中で切断された構造となってい
る。
【００１７】この場合、外部リード２６の導電性を確保
するために、高温での可撓性補強材２７は、導電性の材
料を用いている。
するために、高温での可撓性補強材２７は、導電性の材
料を用いている。
【００１８】また、この場合には補強材２７が可撓性を
有しており、半導体装置の自重でスタンド・オフが確保
できなくなるため、必要に応じて図７のように樹脂封止
部底面にスペーサーとなる突起部２８を設けておくと良
い。
有しており、半導体装置の自重でスタンド・オフが確保
できなくなるため、必要に応じて図７のように樹脂封止
部底面にスペーサーとなる突起部２８を設けておくと良
い。
【００１９】このような構成をとることで、実施例１よ
りもさらに外部リードの自由度が高くなるため、外部リ
ードの変形や、回路基板への搭載位置ズレに対しての適
応範囲が広がり、実装の歩留もより向上できる。
りもさらに外部リードの自由度が高くなるため、外部リ
ードの変形や、回路基板への搭載位置ズレに対しての適
応範囲が広がり、実装の歩留もより向上できる。
【００２０】なお、本発明における外部リードの構造は
リードフレーム製造時点で予め図示したような形状にエ
ッチング又はプレス加工により形成し、さらに高温時に
可撓性を有する補強材でその周囲を補強することによ
り、容易に製作できる。またその際に用いる補強材とし
ては、例えば融点が実装温度近傍の半田等の低融点合金
等の金属，ＰＰＯ（ポリ・フェニレン・オキサイド），
ＰＰＳ（ポリ・フェニレン・サルファイド）等の熱可塑
性樹脂や、ガラス転移温度が実装温度より低く、実装温
度ではゴム状を呈する熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹
脂等）等を用いれば良い。
リードフレーム製造時点で予め図示したような形状にエ
ッチング又はプレス加工により形成し、さらに高温時に
可撓性を有する補強材でその周囲を補強することによ
り、容易に製作できる。またその際に用いる補強材とし
ては、例えば融点が実装温度近傍の半田等の低融点合金
等の金属，ＰＰＯ（ポリ・フェニレン・オキサイド），
ＰＰＳ（ポリ・フェニレン・サルファイド）等の熱可塑
性樹脂や、ガラス転移温度が実装温度より低く、実装温
度ではゴム状を呈する熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹
脂等）等を用いれば良い。
【００２１】さらに実施例２の場合には、外部リード自
体は切断された状態にあるため、補強材としては上記の
金属やまた樹脂を用いる時は銀，半田等の導電性フィラ
ーを含有した上記樹脂を用いることが必要である。
体は切断された状態にあるため、補強材としては上記の
金属やまた樹脂を用いる時は銀，半田等の導電性フィラ
ーを含有した上記樹脂を用いることが必要である。
【００２２】また本実施例では樹脂封止型半導体装置を
用いて説明したが、外部リードの構造に関する発明であ
り、本発明が樹脂封止型に限定されず気密封止型すなわ
ちセラミック等のパッケージを用いた半導体装置にも適
用できることは言うまでもない。
用いて説明したが、外部リードの構造に関する発明であ
り、本発明が樹脂封止型に限定されず気密封止型すなわ
ちセラミック等のパッケージを用いた半導体装置にも適
用できることは言うまでもない。
【００２３】以上より本発明の効果の一例を数値化する
と表１のようになった。
と表１のようになった。
【表１】
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、特に表面
実装タイプの半導体装置の外部リードの一部を容易に変
形できるまで細かく加工もしくは切断加工し、かつその
周囲を回路基板への実装温度近傍の高温（１８０〜２６
０℃程度）にて可撓性を有する補強材にて被覆した構成
をとることで、上記半導体装置を回路基板に実装する際
に上記外部リードの変形や回路基板への搭載位置ズレが
あっても外部リード自体が変形可能となりセルフアライ
メント効果を発揮し、実装歩留を大幅に改善できるとい
う効果を有する。
実装タイプの半導体装置の外部リードの一部を容易に変
形できるまで細かく加工もしくは切断加工し、かつその
周囲を回路基板への実装温度近傍の高温（１８０〜２６
０℃程度）にて可撓性を有する補強材にて被覆した構成
をとることで、上記半導体装置を回路基板に実装する際
に上記外部リードの変形や回路基板への搭載位置ズレが
あっても外部リード自体が変形可能となりセルフアライ
メント効果を発揮し、実装歩留を大幅に改善できるとい
う効果を有する。
【００２５】特に本発明は両面実装のように半導体装置
を実装前に固定してしまう方式や、外部リードのピッチ
が微細なほど効果が大きくなる。
を実装前に固定してしまう方式や、外部リードのピッチ
が微細なほど効果が大きくなる。
【図１】本発明の実施例１を示す斜視図である。
【図２】図１のＩＩ部拡大図である。
【図３】回路基板に仮留めした状態を示す側面図であ
る。
る。
【図４】実装後の状態を示す側面図である。
【図５】本発明の実施例２を示す斜視図である。
【図６】図５のＶＩ部拡大図である。
【図７】同側面図である。
【図８】従来例を示す断面図である。
【図９】従来例における回路基板に実装後の状態を示す
側面図である。
側面図である。
１５，２５，３５ モールド樹脂 １６，２６，３６ 外部リード １７，２７ 高温時可撓性補強材 １８，３８ 回路基板 ２８ 突起部 １９，３９ 電極 １Ａ ３Ａ 仮留め樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 外部との導通をとる外部リードを備えた
表面実装型半導体装置であって、 前記外部リードの一部に容易に変形が可能な微細加工も
しくは切断加工を施し、かつ加工した箇所の周囲を回路
基板への実装温度近傍にて可撓性を有する補強材にて被
覆したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記可撓性を有する補強材が導電性であ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4121358A JPH05291471A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4121358A JPH05291471A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291471A true JPH05291471A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14809289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4121358A Pending JPH05291471A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001127419A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Nec Saitama Ltd | 端子及びランドの位置決め方法 |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP4121358A patent/JPH05291471A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001127419A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Nec Saitama Ltd | 端子及びランドの位置決め方法 |
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