JPH0691126B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0691126B2
JPH0691126B2 JP62146593A JP14659387A JPH0691126B2 JP H0691126 B2 JPH0691126 B2 JP H0691126B2 JP 62146593 A JP62146593 A JP 62146593A JP 14659387 A JP14659387 A JP 14659387A JP H0691126 B2 JPH0691126 B2 JP H0691126B2
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JP
Japan
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insulating layer
bonding pad
film
semiconductor device
organic insulating
Prior art date
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JP62146593A
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English (en)
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JPS63308924A (ja
Inventor
恒充 國府田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
    • H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars

Landscapes

  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に絶縁膜の構造に関す
る。
〔従来の技術〕 多層配線層間絶縁膜やパッシベーション膜として有機絶
縁層を有する半導体装置は、有機絶縁層が吸湿すること
によってその絶縁抵抗が低下するのを防止するため更に
有機絶縁層の上を耐湿性の良い無機絶縁層で被覆する事
が行われていた。
第２図は従来例の主要部を示す半導体チップの縦断面図
である。
ボンディングパッド１の周辺部分にも有機絶縁層３と無
機絶縁層２の複合絶縁層が設けられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置では、電気的接続のためのパ
ッシベーション膜の開口部のボンディングパッド１の周
辺部分においても有機絶縁層３と無機絶縁層２が重なっ
た構造となっているため、ボンディング時に位置ずれ等
により機械的衝撃がこの周辺部分に加えられると容易に
無機絶縁層２が破損したり更には有機絶縁層３の下地
（例えば酸化シリコン膜４）との界面剥離が起きて、信
頼性とりわけ耐湿性が大幅に低下してしまうという欠点
がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、半導体基板上の所定の絶縁膜を選択的に被覆
するボンディングパッドと、前記ボンディングパッドの
表面部に開口を有して前記ボンディングパッドの設けら
れた前記絶縁膜を被覆するパッシベーション膜とを備え
た半導体装置において、前記パッシベーション膜が、前
記ボンディングパッドおよびその周辺を除き前記絶縁膜
を被覆する有機絶縁層と、前記ボンディングパッドおよ
び前記有機絶縁層の設けられた前記絶縁層を被覆する無
機絶縁層とからなるというものである。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
第１図は本発明の一実施例の主要部を示す半導体チップ
の縦断面図である。
この実施例はシリコンからなる半導体基板５の表面に設
けられた酸化シリコン膜４上の厚さ１〜２μｍのAlから
なるボンディングパッド１の表面部に開口６を有するパ
ッシベーション膜がボンディングパッド１の周囲に設け
られた厚さ１μｍのスパッタ法で被着した窒化シリコン
膜（２）からなる幅50μｍの無機絶縁層領域７、及び有
機絶縁層３（厚さ１〜２μｍのポリイミド）とその表面
に設けられた無機絶縁層２（窒化シリコン）とからなる
複合絶縁層領域８を有している。
外部との電気的接続用導体部であるボンディングパッド
１はその周辺を窒化シリコン膜などの無機絶縁層２によ
って囲まれておりポリイミドなどから成る有機絶縁層３
とボンディングパッド１とは距離を設けている。
つまり、ボンディングパッドの周辺には、下地との密着
性が悪い有機絶縁層が存在していないので、ボンディン
グ時にパッシベーション膜が破損される危険性は著しく
低減される。このボンディング時にパッシベーション膜
に生じるクラックやはがれを顕微鏡で観察すると、従来
例では数パーセントの割合で発見されたが、この実施例
では殆ど皆無であった。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明ではボンディングパッドとそ
の周辺に有機絶縁層を有しない無機絶縁領域が配置され
ているので、ボンディング時のパッシベーション膜の破
損が防止され大幅に半導体装置の耐湿性を向上できると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の主要部を示す半導体チップ
の縦断面図、第２図は従来例の主要部を示す半導体チッ
プの縦断面図である。 １……ボンディングパッド、２……無機絶縁層、３……
有機絶縁層、４……酸化シリコン膜、５……半導体基
板、６……開口、７……無機絶縁層領域、8,8′……複
合絶縁層領域。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上の所定の絶縁膜を選択的に被
    覆するボンディングパッドと、前記ボンディングパッド
    の表面部に開口を有して前記ボンディングパッドの設け
    られた前記絶縁膜を被覆するパッシベーション膜とを備
    えた半導体装置において、前記パッシベーション膜が、
    前記ボンディングパッドおよびその周辺を除き前記絶縁
    膜を被覆する有機絶縁層と、前記ボンディングパッドお
    よび前記有機絶縁層の設けられた前記絶縁層を被覆する
    無機絶縁層とからなることを特徴とする半導体装置。
JP62146593A 1987-06-11 1987-06-11 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0691126B2 (ja)

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JPS63308924A JPS63308924A (ja) 1988-12-16
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US6143638A (en) * 1997-12-31 2000-11-07 Intel Corporation Passivation structure and its method of fabrication
JP3121311B2 (ja) 1998-05-26 2000-12-25 日本電気株式会社 多層配線構造及びそれを有する半導体装置並びにそれらの製造方法
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