JPH0529409A - 半導体テスト方法 - Google Patents
半導体テスト方法Info
- Publication number
- JPH0529409A JPH0529409A JP18614691A JP18614691A JPH0529409A JP H0529409 A JPH0529409 A JP H0529409A JP 18614691 A JP18614691 A JP 18614691A JP 18614691 A JP18614691 A JP 18614691A JP H0529409 A JPH0529409 A JP H0529409A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode pad
- test
- semiconductor element
- needle
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- Pending
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、半導体テスト方法において、電
極パッド２の材料片の半導体素子上への飛散，落下を防
止できるようにすることを目的とする。 【構成】 電極パッド２上に保護膜としてのフォトレジ
スト膜４を形成し、フォトレジスト膜４上からテスト用
針３を押し当てて電極パッド２に接触させ、所定のテス
トを行ったのち、フォトレジスト膜４を除去するもので
ある。 【効果】 従って、テスト用針３を電極パッド２に接触
させたときに従来のように電極パッド２の材料片が半導
体素子１上に飛散し、或いはテスト用針３に付着して半
導体素子１上に落下することを防止でき、半導体素子１
の信頼性の低下を防止することが可能になる。
極パッド２の材料片の半導体素子上への飛散，落下を防
止できるようにすることを目的とする。 【構成】 電極パッド２上に保護膜としてのフォトレジ
スト膜４を形成し、フォトレジスト膜４上からテスト用
針３を押し当てて電極パッド２に接触させ、所定のテス
トを行ったのち、フォトレジスト膜４を除去するもので
ある。 【効果】 従って、テスト用針３を電極パッド２に接触
させたときに従来のように電極パッド２の材料片が半導
体素子１上に飛散し、或いはテスト用針３に付着して半
導体素子１上に落下することを防止でき、半導体素子１
の信頼性の低下を防止することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子の電極パ
ッドにテスト用針を接触してテストを行う半導体テスト
方法に関する。
ッドにテスト用針を接触してテストを行う半導体テスト
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体テスト方法によるテ
スト時の斜視図である。
スト時の斜視図である。
【０００３】図３に示すように、半導体素子１の電極パ
ッド２にテスト用針３が接触され、テスタからの電気信
号が半導体素子１に与えられ、半導体素子１の出力信号
がテスタに取り込まれ、半導体素子１のテストが行われ
る。
ッド２にテスト用針３が接触され、テスタからの電気信
号が半導体素子１に与えられ、半導体素子１の出力信号
がテスタに取り込まれ、半導体素子１のテストが行われ
る。
【０００４】ところで、上記のようにテストを行う場
合、複数の電極パッド２でテスト用針３のコンタクトを
とろうとすると、電極パッド２の中には高い針圧を必要
とするものがあるため、テスト用針３の針圧は高い方に
設定しておく必要があり、このように高い針圧でテスト
用針３を接触したときに、電極パッド２がテスト用針３
によって削られることがある。
合、複数の電極パッド２でテスト用針３のコンタクトを
とろうとすると、電極パッド２の中には高い針圧を必要
とするものがあるため、テスト用針３の針圧は高い方に
設定しておく必要があり、このように高い針圧でテスト
用針３を接触したときに、電極パッド２がテスト用針３
によって削られることがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体テスト方
法では、上記した如く削られた電極パッド２の材料片
が、半導体素子１上に飛散し、或いはテスト用針３に付
着して半導体素子１上に落下し、半導体素子１の信頼性
の低下を招くという問題点があった。
法では、上記した如く削られた電極パッド２の材料片
が、半導体素子１上に飛散し、或いはテスト用針３に付
着して半導体素子１上に落下し、半導体素子１の信頼性
の低下を招くという問題点があった。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、電極パッドの材料片の半導体
素子上への飛散，落下を防止できるようにすることを目
的とする。
るためになされたもので、電極パッドの材料片の半導体
素子上への飛散，落下を防止できるようにすることを目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体テ
スト方法は、半導体素子の電極パッドにテスト用針を接
触させ、前記半導体素子のテストを行う半導体テスト方
法において、少なくとも前記電極パッド上に保護膜を形
成し、前記保護膜上から前記テスト用針を前記電極パッ
ドに押し当てて接触させ、所定のテストを行ったのち、
前記保護膜を除去することを特徴としている。
スト方法は、半導体素子の電極パッドにテスト用針を接
触させ、前記半導体素子のテストを行う半導体テスト方
法において、少なくとも前記電極パッド上に保護膜を形
成し、前記保護膜上から前記テスト用針を前記電極パッ
ドに押し当てて接触させ、所定のテストを行ったのち、
前記保護膜を除去することを特徴としている。
【０００８】
【作用】この発明においては、少なくとも電極パッドの
表面に保護膜を形成し、保護膜上からテスト用針を押し
当てて電極パッドに接触させるため、高い針圧でテスト
用針を電極パッドに接触させても、従来のように電極パ
ッドの材料片が半導体素子上に飛散し、或いはテスト用
針に付着して半導体素子上に落下することが保護膜によ
って防止される。
表面に保護膜を形成し、保護膜上からテスト用針を押し
当てて電極パッドに接触させるため、高い針圧でテスト
用針を電極パッドに接触させても、従来のように電極パ
ッドの材料片が半導体素子上に飛散し、或いはテスト用
針に付着して半導体素子上に落下することが保護膜によ
って防止される。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の半導体テスト方法の一実施
例の斜視図である。
例の斜視図である。
【００１０】図１において、図３と同一符号は同一のも
の若しくは相当するものを示し、図３と相違するのは、
電極パッド２上に写真製版技術を用いて保護膜としての
フォトレジスト膜４を形成したことである。
の若しくは相当するものを示し、図３と相違するのは、
電極パッド２上に写真製版技術を用いて保護膜としての
フォトレジスト膜４を形成したことである。
【００１１】そして、上記のように電極パッド２上にフ
ォトレジスト膜４を形成したのち、フォトレジスト膜４
上からテスト用針３を押し当てて電極パッド２に接触さ
せ、所定のテストを行い、テスト終了後フォトレジスト
膜４を除去する。
ォトレジスト膜４を形成したのち、フォトレジスト膜４
上からテスト用針３を押し当てて電極パッド２に接触さ
せ、所定のテストを行い、テスト終了後フォトレジスト
膜４を除去する。
【００１２】このとき、電極パッド２上にフォトレジス
ト膜４を形成することにより、フォトレジスト膜４上か
ら高い針圧でテスト用針３を押し当てて電極パッド２に
接触させても、従来のように電極パッド２の材料片が飛
散することがなく、更に電極パッド２の材料片がテスト
用針３に付着することもない。
ト膜４を形成することにより、フォトレジスト膜４上か
ら高い針圧でテスト用針３を押し当てて電極パッド２に
接触させても、従来のように電極パッド２の材料片が飛
散することがなく、更に電極パッド２の材料片がテスト
用針３に付着することもない。
【００１３】従って、電極パッド２上にフォトレジスト
膜４を形成することにより、テスト用針３を電極パッド
２に接触させた時に、従来のように電極パッド２の材料
片が半導体素子１上に飛散し、或いはテスト用針３に付
着して半導体素子１上に落下することを防止でき、半導
体素子１の信頼性の低下を防止することが可能になる。
膜４を形成することにより、テスト用針３を電極パッド
２に接触させた時に、従来のように電極パッド２の材料
片が半導体素子１上に飛散し、或いはテスト用針３に付
着して半導体素子１上に落下することを防止でき、半導
体素子１の信頼性の低下を防止することが可能になる。
【００１４】図２はこの発明の他の実施例の斜視図であ
る。
る。
【００１５】図２に示すように、半導体素子１の表面全
面に保護膜としてのポジ型のフォトレジスト膜５を塗布
形成し、その後フォトレジスト膜５上からテスト用針３
を電極パッド２に押し当てて接触させ、所定のテストを
行い、その後半導体素子１上のフォトレジスト膜５全面
に紫外線を照射し、現像液によりフォトレジスト膜５を
除去する。
面に保護膜としてのポジ型のフォトレジスト膜５を塗布
形成し、その後フォトレジスト膜５上からテスト用針３
を電極パッド２に押し当てて接触させ、所定のテストを
行い、その後半導体素子１上のフォトレジスト膜５全面
に紫外線を照射し、現像液によりフォトレジスト膜５を
除去する。
【００１６】このとき、フォトレジスト膜５の塗布から
テストまでの一連の作業は、紫外線のない環境下で行
う。
テストまでの一連の作業は、紫外線のない環境下で行
う。
【００１７】従って、図２に示すように半導体素子１の
表面全面にポジ型のフォトレジスト膜５を形成すること
により、図１の場合と同等の効果を得ることができる。
表面全面にポジ型のフォトレジスト膜５を形成すること
により、図１の場合と同等の効果を得ることができる。
【００１８】なお、さらに他の実施例として、図２にお
けるフォトレジスト膜５をネガ型とし、レジスト塗布か
らテストまでの一連の作業を紫外線のない環境下で行
い、紫外線が当たらない状態のまま現像してネガ型のフ
ォトレジスト膜５を除去するようにしてもよいのは勿論
である。
けるフォトレジスト膜５をネガ型とし、レジスト塗布か
らテストまでの一連の作業を紫外線のない環境下で行
い、紫外線が当たらない状態のまま現像してネガ型のフ
ォトレジスト膜５を除去するようにしてもよいのは勿論
である。
【００１９】また、保護膜は上記のフォトレジスト膜に
限定されるものではない。
限定されるものではない。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体テスト
方法によれば、少なくとも電極パッドの表面に保護膜を
形成したため、保護膜上からテスト用針を押し当てて電
極パッドに接触させても、従来のように電極パッドの材
料片が半導体素子上に飛散し、或いはテスト用針に付着
して半導体素子上に落下することを防止でき、半導体素
子の信頼性の低下を防止することができる。
方法によれば、少なくとも電極パッドの表面に保護膜を
形成したため、保護膜上からテスト用針を押し当てて電
極パッドに接触させても、従来のように電極パッドの材
料片が半導体素子上に飛散し、或いはテスト用針に付着
して半導体素子上に落下することを防止でき、半導体素
子の信頼性の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の半導体テスト方法の一実施例の斜視
図である。
図である。
【図２】この発明の他の実施例の斜視図である。
【図３】従来の半導体テスト方法の斜視図である。
１ 半導体素子 ２ 電極パッド ３ テスト用針 ４，５ フォトレジスト膜（保護膜）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体素子の電極パッドにテスト用針を
接触させ、前記半導体素子のテストを行う半導体テスト
方法において、少なくとも前記電極パッド上に保護膜を
形成し、前記保護膜上から前記テスト用針を前記電極パ
ッドに押し当てて接触させ、所定のテストを行ったの
ち、前記保護膜を除去することを特徴とする半導体テス
ト方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18614691A JPH0529409A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体テスト方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18614691A JPH0529409A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体テスト方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529409A true JPH0529409A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16183188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18614691A Pending JPH0529409A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | 半導体テスト方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529409A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200028209A (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-16 | 주식회사 지로이아이 | Psr 적용 쓰루홀 타입 단면 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| KR20200031816A (ko) * | 2018-09-17 | 2020-03-25 | 주식회사 지로이아이 | 쓰루홀 타입 단면형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18614691A patent/JPH0529409A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200028209A (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-16 | 주식회사 지로이아이 | Psr 적용 쓰루홀 타입 단면 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
| KR20200031816A (ko) * | 2018-09-17 | 2020-03-25 | 주식회사 지로이아이 | 쓰루홀 타입 단면형 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
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